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Curso 3º
Microelectrónica I 2010/11
Resumen
TEMA 3.
El inversor
Estos dos últimos niveles vienen fijados por aquellos puntos de la curva de
transferencia que tienen pendiente -1.
Regeneración de la señal
Para el nivel alto viene dado por la siguiente expresión: NMH=VOH – VIH
Para el nivel bajo viene dado por la siguiente expresión: NML=VIL – VOL
Para VDD= 5 voltios el margen de ruido ideal es 2.5 v.: NML=NMH =VDD/2.
La causa de que los márgenes de ruido, en este caso, se alejen del caso
ideal se debe a que la tensión en el punto de cambio (switching point) VSP
es aproximadamente 2.2 voltios en lugar de los 2.5 voltios del caso ideal.
Como KPn=3*KPp, la anchura del transistor de canal p debe ser tres veces
la anchura del transistor de canal n, cuando ambos transistores tienen la
misma longitud.
Wp=3*Wn Rn=Rp
Ejercicio
Ejercicio
tPLH=0.7*Rp2*Cout
tPHL=0.7*Rn1*Cout
Cout = Cox1 + Cox2 = Coutn + Coutp
Ejercicio
Hallar los tiempos de propagación intrínsecos del inversor (CN 20) con las
siguientes características:
W=3µm L=2µm
Ejercicio
Ejercicio
Ejercicio
Potencia disipada
Iavg = Qtot/T=(Ctot*VDD)/T
PDP= Pavg*(tpHL+tpLH)
Ejercicio
Ejercicio
Lp=Ln=2µm Wp=Wn=10µm
Ejercicio
Cin1*AN = Cload
Ejercicio
Ejercicio
Diseñar una cadena de inversores que, con un retraso mínimo, ataque a una
capacidad de 90pF desde un inversor (CN20) de dimensiones:
L 1 = 2µm W 1 = 20µm L 2 = 2µm
W 2 = 60µm
Ejercicio
Ejercicio
Distribución de Cargas
Ejercicio
L= 2µm W=15µm.
L= 2µm W=15µm.
Inversores tri-estado.