2

Laboratorio

CARACTERÍSTICAS DEL
TRANSISTOR Y
APLICACIONES
1. LISTA DE MATERIALES

 Dos transistores BJT de uso general NPN uno de Germanio y otro de

Silicio respectivamente, recomendable BC548, BC55, 2N3904,
2N3905.
 Un transistor JFET de canal N.
 Un transistor IGFET de canal P.
 Dos potenciómetros, uno de 100 [K] y otro de 1 [K].
 Resistencias de 100 [K]; 8.2 [K]; 2.2 [K]; 1 [K]; 330 [] y
100 [] todos de 0.5 [W].

2. LISTA DE INSTRUMENTOS A UTILIZAR

 Fuente de alimentación variable DC.

 2 Multímetros.
 2 miliamperímetros (opcional)
 Osciloscopio.

Página 1 de Laboratorio II
  Generador de Funciones.
 Una fuente simétrica fija de +/- 15 [V].

3. OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA A REALIZAR

3.1 OBJETIVO GENERAL

Analizar la estructura interna de los transistores, comprobando el estado

interno de los mismos, tipo de transistor así como identificación de sus
terminales y estudiar las características V-I del transistor y determinar el punto
de trabajo estático del transistor.

3.2 OBJETIVOS ESPECIFÍCOS

Los objetivos específicos que a continuación se señalan son para cada

experimento:

a) Aprender a identificar el tipo de transistor con la ayuda solo de un

multímetro.
b) Mostrar cómo se prueban transistores BJT y JFET con la sección
óhmetro del multímetro.
c) Estudiar las características de técnicas según las hojas de
especificaciones de los fabricantes de los transistores BJT, JFET, IGFET
usados en los circuitos.
d) Determinas las características de salida de un transistor.
e) Determinar las curvas características e componentes activos, mediante
el método punto a punto, en la configuración Emisor Común y Fuente
Común y trazar la recta de carga en continúa verificando su concepto.
f) Aprender a obtener en base a los datos obtenidos en anteriores puntos
los parámetros de un transistor.
g) Aprender a obtener la curva característica de un transistor empleando
un osciloscopio por el método de barrido por frecuencia.
h) Aplicar el funcionamiento de un transistor como regulador de corriente.
i) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la
experimentación y plasmarlos en la proposición de un ejemplo a
desarrollar en laboratorio.

4. REALIZACIÓN DEL PRE - INFORME.

Página 2 de Laboratorio II
a) IDENTIFICANDO TRANSISTORES

Investigue una técnica eficaz para determinar en base a un multímetro

(analógico ó digital) los terminales de los transistores BJT y proceda a
verificarlos expresando cual es base, colector y emisor tomando en cuenta que
la configuración interna de los transistores es como se muestra en la figura
adjunta.

NOTA: tome en cuenta que con el multímetro analógico la interpretación

es a la inversa que un multímetro digital.

b) PROBANDO TRANSISTORES CON MULTIMETRO

Realice las medidas con un multímetro digital para los transistores BJT y
JFET llene la tabla 1.

c) CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DE LOS TRANSISTORES

En un manual de datos técnicos de semiconductores buscar en la hoja de

especificaciones del fabricante para los transistores BJT:

LOS VALORES NOMINALES MÁXIMOS:

Voltaje colector – emisor (VCEO).

Voltaje colector – base (VCBO).
Voltaje emisor – base (VEBO).

Página 3 de Laboratorio II
 Corriente de colector – continua (IC).
Disipación total del dispositivo a TA = 25°C (PD).

CARACTERÍSTICAS DE SEÑAL PEQUEÑA:

Producto ganancia de corriente – ancho de banda (fT).

Capacitancia de salida (Cobo).
Capacitancia de entrada (Cibo).
Impedancia de entrada (hie).
Razón de retroalimentación de voltaje (hre).
Ganancia de corriente de señal pequeña (hfe).
Admitancia de salida (hoe).
En un manual de datos técnicos de semiconductores buscar en la hoja de
especificaciones del fabricante para los transistores JFET e IGFET:

LOS VALORES NOMINALES MÁXIMOS:

Voltaje drenaje – fuente (VDS).

Voltaje drenaje – compuerta (VDG).
Voltaje compuerta – fuente (VGS).
Corriente de drenaje (ID).
Disipación de potencia a TA = 25°C (PD).

CARACTERÍSTICAS DE SEÑAL
PEQUEÑA:

Transadmitancia directa (Vfs).

Transconductancia directa (Re(yfs)).
Conductancia de salida (Re (yos)).
Conductancia de entrada (Re (yis)).
Capacitancia de entrada (Ciss).
Capacitancia de transferencia inversa (Crss).

Página 4 de Laboratorio II
d) CARACTERÍSTICAS DE SALIDA

Implemente los circuitos de las figuras 1,2 y 3, llene las tablas 2, 3 y 4 en

cada caso, y con los valores de dichas tablas en una hoja milimetrada y
escala adecuada represente las características de salida de dos
transistores bipolares y dos transistores unipolares.
15V
+V

330
100k 10%
DC A
100k

NO DATA
Q1 NO DATA
100k 10% NPN

DC V
DC A
NO DATA

Figura 1
-15V +15V

100
100k 10%

NO DATA DC A
NO DATA
DC V

2.2k Q1
100k 10% NJFET
NO DATA
DC V

1k

Figura 2

-15V +15V

100
100k 10%
NO DATA

DC A
NO DATA
DC V

2.2k
100k 10%
NO DATA
DC V

1k

Figura 3
e) RECTA DE CARGA

Página 5 de Laboratorio II
Implemente los circuitos de la figura 4 y llene la tabla 5 en cada caso, y con los
valores de dicha tabla, en una hoja milimetrada y escala adecuada represente
la recta de carga en cada caso.
+15V

NO DATA
DC A
1k

NO DATA
100k Q1

DC V
10k 10% NPN

+15V
-15V
NO DATA
DC A

1k

2.2k Q1
100k 10% NJFET
NO DATA
DC V
NO DATA
DC V

1k

a) b)
+15V
-15V
NO DATA
DC A

1k

Figura 4
2.2k
100k 10%
a) b) c)
NO DATA
DC V
NO DATA
DC V

1k

c)

f) PARÁMETROS DEL TRANSISTOR

Página 6 de Laboratorio II
  Superponiendo lo obtenido en la práctica d) y e), adoptando un
punto de trabajo sobre la recta de carga, determine los
parámetros del circuito equivalente para cada transistor.
 Realice los cálculos para la configuración Base Común y
Compuerta Común, compare los valores de los parámetros con
los obtenidos en los manuales.

g) CARACTERISTICAS DE SALIDA (VISUALIZACION)

Explicar el método por barrido de frecuencia a través de un osciloscopio de

rayos catódicos para obtener las curvas características de los transistores
bipolares y de efecto de campo.

El circuito planteado para este caso es el siguiente:

entrada
R2 vertical
NO DATA
DC A
R1
Q1 terminal de tierra
PNP DIODO del osciloscopio

+ 1.5V -6.3/6.3V
1kHz
NO DATA
DC V

entrada horizontal

Figura 5

Indique que cambios deben hacerse en este circuito para observar las curvas
características de un transistor NPN, redibuje el circuito con los cambios
efectuados. Proponga un circuito para observar las curvas características de los
transistores de efecto de campo.

h) FUENTE REGULADA

Diseñar una fuente regulada de corriente para:

I 0  100mA; Vi  30V

Los datos generales, que sean necesarios, por ejemplo, parámetros del
transformador, rectificación, del diodo Zener, del transistor deben ser definidos
por el diseñador, en función de las especificaciones y los dispositivos
disponibles.

i) APORTE DEL ALUMNO

Página 7 de Laboratorio II
 En base a los puntos del laboratorio, prepare una función e implemente un
ejercicio, obteniendo los resultados planteados, explique claramente su
funcionamiento.

SIMULACIÓN

Para todos los puntos anteriores, utilice un programa de simulación (workbench, circuit
maker, multisim, Proteus, etc.) e implemente con dicha herramienta el Laboratorio.

5. REALIZACIÓN DE LABORATORIO.

Para la presentación de laboratorio el estudiante necesariamente debe disponer de

todos los puntos armados en proto board antes del inicio de sesión de la práctica.

a) IDENTIFICANDO TRANSISTORES

En base a lo investigado en el pre informe realice lo siguiente:

 Tenga a mano un transistor cualquiera en base a un multímetro mida

todas las combinaciones posibles de los tres pines y elabore su
conclusión de que transistor es, sin la necesidad de una hoja de datos.
 En base al anterior punto tome un transistor conocido y compruebe los
pasos que realizó verificando la veracidad del método.
 Realice lo mismo para un PNP o NPN según sea el caso.

b) PROBANDO TRANSISTORES CON MULTÍMETRO

Con el Multímetro para medir resistencias realice los pasos aprendidos en el anterior
inciso y llene la tabla 1.

Tr:……….. Tr:………. Tr:………… Tr:………..

Pines PNP Ω/KΩ NPN Ω/KΩ Pines Canal P Canal N Ω/KΩ
Ω/KΩ
+B-E +G-S
-B+E -G+S
+C-B +D-G
-C+B -D+G
+C-E +D-S
-C+E -D+S
Tabla 1
Comente en las conclusiones los valores obtenidos

c) CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DE LOS TRANSISTORES

Página 8 de Laboratorio II
 Elabore una tablita tipo fichero con los datos obtenidos en el pre informe y
téngalo presente para cada laboratorio de los transistores más empleados y
aplique en laboratorio para el cuidado de los mismos en cada circuito armado.

d) CARACTERÍSTICAS DE SALIDA

Arme los tres circuitos de la figura 4 y mueva el potenciómetro de un extremo a

otro, del mismo se deben adquirir los datos suficientes como para dibujar la
señal de salida según la tabla 2, 3 y 4.

Los datos a tomarse deben ser como mínimo 15 valores para la obtención de un buen
gráfico. Todos los valores deben plasmarse en un solo grafico (Curva característica del
colector en configuración Emisor Común).

Transistor……………..
VCE IC mA IC mA IC mA IC mA IC mA IC mA IC mA
V IB=10 IB=20 IB=30 IB=40 IB=50 IB=60 IB=70
mA mA mA mA mA mA mA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
Tabla 2
Transistor……………..

VDS ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA
V VGS=0 VGS=- VGS=- VGS=- VGS=-1 VGS=-1.25 VGS=- VGS=-
V 0.25V 0.5V 0.75V V V 1.5V 2V
1
2
3
4
5

Página 9 de Laboratorio II
6
7
8
9
10
Tabla 3

Transistor……………..
VDS ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA
V VGS=+1 VGS=+0.5V VGS=+0.25V VGS=0V VGS=- VGS=- VGS=- VGS=-
V 0.25 V 0.5 V 0.75V 1V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15

Tabla 4

e) RECTA DE CARGA

Arme los circuitos de la figura 5 mueva el potenciómetro de un extremo a otro y tome

las lecturas con sumo cuidado llenando la tabla siguiente, realice mínimamente 10
medidas para la obtención de un buen gráfico.

Transistor………. Transistor………. Transistor……….

VCE V IC mA VDS V ID mA VDS V ID mA
1 1 1
2 2 2
3 3 3
4 4 4
5 5 5
6 6 6

Página 10 de Laboratorio II
 7 7 7
8 8 8
9 9 9
10 10 10

Tabla 5
f) PARÁMETROS DE LOS TRANSISTORES

Arme los circuitos de las figuras 1 y 4 a) elabore las tablas correspondientes a

cada circuito y compruebe lo obtenido en el pre informe según lo requerido en
este inciso, determine los parámetros para cada transistor (hfe, hie, hre y hoe)
en la configuración de los circuitos armados.

g) CARACTERÍSTICAS DE SALIDA (VISUALIZACIÓN)

Arme el circuito de la figura 5 compruebe su funcionamiento según lo

investigado en el pre informe elabore los datos suficientes y dibuje la señal de
salida.

Realice variaciones en la frecuencia y vea cuales son los cambios producidos,

dibuje el grafico para ciertas frecuencias donde los cambios son bien notorios y
determine los rangos máximo y mínimo de una estabilidad de barrido.

h) FUENTE REGULADA

Arme el circuito propuesto en la guía con las especificaciones dadas y

comprobar de forma práctica el funcionamiento del circuito planteado

i) APORTE DE ALUMNO

Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento,

obteniendo las tablas y graficas necesarias.

6. INFORME FINAL.
Presentar los resultados obtenidos en laboratorio, con los respectivos análisis de los
datos experimentales obtenidos, interpretando cada uno de los comportamientos
físicos obtenidos, para cada una de las prácticas elaboradas realizar las respectivas
observaciones con respecto a lo aprendido y emitir conclusiones de las mismas.

Tome en cuenta los objetivos de la práctica pues son muy importantes para la
elaboración final del informe:
 Emita Las conclusiones para cada punto de Laboratorio en forma
independiente.
 Realice una comparación entre la hoja simulada y el punto desarrollado en
laboratorio.

Página 11 de Laboratorio II
  En base a la comparación emita una conclusión completa y enúncielo en su
informe.
 Todo cuanto se haya realizado en laboratorio, debe ser detallado,
explicado y presentado en el informe, adjunto con sus gráficas respectivas.
Este informe será el vivo reflejo de lo que el alumno haya ejecutado como trabajo en
laboratorio

Página 12 de Laboratorio II