Manual de Prácticas

Amplificadores Electrónicos

Práctica 03

Amplificadores de señal
pequeña
Amplificadores de una etapa

Nombre completo del alumno Firma

Colin Cruz Jorge
Quevedo Flores Víctor Esaú
Trejo Chávez Oscar

N° de brigada: Fecha de elaboración: 30/08/23 Grupo: 5

1 LABORATORIO DE AMPLIFICADORES ELECTRÓNICOS

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Amplificadores Electrónicos

Introducción

la amplificación de señales es una disciplina crítica que sustenta numerosas

aplicaciones. Desde sistemas de comunicación hasta equipos de audio de alta fidelidad,
los amplificadores desempeñan un papel esencial al aumentar la amplitud de las
señales eléctricas. En este contexto, los amplificadores de una sola etapa se destacan
como una piedra angular de la ingeniería electrónica, y su diseño y análisis son
esenciales para lograr el rendimiento óptimo en diversos sistemas.
Los transistores, como componentes activos clave en los circuitos electrónicos,
introducen complejidades inherentes debido a sus características no lineales. Sin
embargo, a través de la aplicación de modelos lineales, podemos simplificar y
racionalizar el proceso de diseño de amplificadores, permitiendo un control preciso de
sus características y comportamiento.
En este contexto, nuestro enfoque se centrará en comprender en profundidad cómo los
transistores operan dentro de los amplificadores de una etapa. Esto implica el análisis
de las curvas características, como las de salida y transferencia, así como la aplicación
de conceptos de polarización para establecer puntos de operación óptimos. Además,
exploraremos las consideraciones de ganancia y estabilidad, aspectos cruciales para el
diseño exitoso de amplificadores de alta calidad.
combinaremos el rigor teórico con la aplicación práctica. A través de ejemplos y
experimentos, adquiriremos la capacidad de diseñar amplificadores de una etapa que
cumplan con especificaciones rigurosas. En última instancia, esta capacitación nos
brindará una base sólida para abordar proyectos más complejos de electrónica y
comunicaciones, en los cuales los amplificadores de una etapa desempeñan un papel
esencial en la consecución del rendimiento deseado.

Objetivos

Analizar y diseñ ar amplificadores de una etapa considerando los modelos lineales

de los transistores.

Materiales

Tableta de pruebas protoboard

Transistores NPN BC547, MOSFET 2N7000 o equivalentes (varios)
Resistencias (las indicadas en los circuitos y las necesarias para sus diseñ os)
Cables banana-caimá n (3 pares)
Cables BNC-caimá n (3 pares)
Cables caimá n-caimá n (varios)
Cables para alambrar (negro, rojo, azul, verde, amarillo)

Trabajo previo

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1. Analice el circuito de la figura 1 y calcule: a) el punto de operació n 𝑄 y

grafíquelo en la recta de carga de CD; b) la resistencia de entrada 𝑅𝑖; c) la
ganancia 𝑣𝑂/𝑣𝑠; d) la ganancia de corriente 𝑖𝑂/𝑖𝑆; e) la resistencia de salida
𝑅𝑜. Use un BJT BC547 o equivalente. ¿Cuá l es la ganancia del amplificador
si 𝑅𝑠 = 0 Ω y 𝑅𝐿 = 10 𝑀Ω? Verifique sus resultados por medio de simulació n.

Figura 1.

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2. Diseñ e el amplificador de la figura 1 de modo que 𝑣𝑜/𝑣𝑠 = −10. Use

resistencias está ndar y calcule, tanto teó ricamente como por simulació n, 𝑅𝑖
y 𝑅𝑜.
3. Analice y diseñ e un amplificador en fuente comú n como el de la figura 2. Se
𝑣
desea obtener 𝑂⁄ = −10 cuando 𝑅𝐿 = 100 𝑘Ω y 𝑅𝑖𝑛 = 200 𝑘Ω. Use un
𝑣𝑖

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MOSFET 2N7000 y resistencias está ndar. Verifique por medio

de simulació n.

Figura 2.

4. Implemente la polarizació n de los circuitos de los puntos 2 y 3 en una tableta

de pruebas protoboard.

Desarrollo

Para cada amplificador:

1. Mida el punto de operació n para el transistor y ajuste de ser necesario.

Satisfaga las especificaciones del trabajo previo.
Punto Q:
V cc −V c 8.96 V −4.39 V
I CQ =I CQ = = =2.072 mA
Rc 2.2 K Ω
I CQ =2.07 mA

V CEQ =V C −V E =4.39 V −2.49 V

V C E Q=1.9 V
Mediciones:
V C C =8.96V
V C =4.39 V
I EQ =2.072 mA

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V E=2.49 V
V B=3.08 V

I BQ=I E Q−I C Q =2.072mA −2.07 mA

I BQ=2 μA

V BEQ =V B −V E =3.08 V −2.49 V

V BEQ =0.59 V

IC Q
β=
I BQ
β=103.8

2. Conecte: los capacitores en sus respectivos lugares, la fuente y la carga

correspondientes. Mida la ganancia de señ al pequeñ a usando un
osciloscopio (debe medir ambas señ ales).
F=20 KHz

V i=20 mVpp
V o =3.2Vpp

A V o =160

3. Mida la ganancia en condició n de carga infinita.

V oc =1.017 V RMS
I sc =I N =0.467 mA

4. Determine la resistencia de entrada 𝑅𝑖.

V i=2.3 mVpp

2.3 mVpp
Ri= =1.299 K Ω
1.7 μA

5. Determine la resistencia de salida 𝑅𝑜.

V oc 1.017 V
Ro = = =2.17 K Ω
I sc 0.467 mA
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6. Registre sus mediciones y observaciones.

Resultados y conclusiones

 Analice y simule los amplificadores que midió y compare los resultados

obtenidos con aquellos teó ricos y de la simulació n. Explíquelos.

 ¿Có mo afecta el valor de 𝛽 en los pará metros de un amplificador con BJT?

En la ganancia de corriente de colector a emisor es aproximadamente igual a 𝛽 . Por lo tanto, un

mayor valor de 𝛽 significa una mayor amplificació n de corriente. Esto implica que una pequeñ a
corriente de entrada en la base del transistor puede controlar una corriente mucho mayor en el
colector. Un amplificador con un BJT de alto 𝛽 tendrá una mayor ganancia de corriente.
La Impedancia de entrada está relacionada inversamente con 𝛽. Esto significa que a medida que 𝛽
aumenta, la impedancia de entrada del amplificador disminuye. Una menor impedancia de entrada
facilita la transferencia de señ ales de entrada al transistor, lo que es beneficioso en términos de
eficiencia de amplificació n.

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La ganancia de voltaje es aproximadamente igual a 𝛽 multiplicado por la ganancia en corriente de la

etapa de salida del amplificador. Por lo tanto, un mayor valor de 𝛽 tiende a aumentar la ganancia de
voltaje del amplificador.

¿Có mo afectan los pará metros del FET al amplificador? Explique.

Transconductancia (gm): En un FET, la transconductancia (gm) es una medida de cuá nta corriente
de drenaje (ID) cambia en respuesta a una variació n en la tensió n de la puerta (VG). Un mayor valor
de gm en un FET conduce a una mayor ganancia de corriente en el amplificador, lo que puede
traducirse en una mayor ganancia de voltaje.
Impedancia de entrada (Ri): Los FET suelen tener una alta impedancia de entrada, que es
beneficiosa en términos de carga para las fuentes de señ al. Esto significa que los amplificadores FET
tienen una impedancia de entrada relativamente alta, lo que evita la carga excesiva de la fuente de
señ al.
Impedancia de salida (Ro): Los FET tienden a tener una alta impedancia de salida, lo que puede ser
adecuado para algunas aplicaciones, pero puede requerir la inclusió n de un seguidor de emisor
(buffer) en la etapa de salida para adaptar la impedancia de salida del amplificador a la carga.

 ¿Cuá l es la má xima salida de señ al pequeñ a en cada amplificador?

 ¿Qué sucede con cada amplificador si se sobrepasa el límite de señ al

pequeñ a?

Tanto los amplificadores BJT como los FET tienen un límite de señ al pequeñ a. Si se sobrepasa este
límite, la salida del amplificador comenzará a distorsionarse y perderá su linealidad.

 ¿Cuá les son las ventajas y desventajas de los amplificadores con BJT
respecto de aquellos con FET?
 Ventajas de los amplificadores BJT:
Mayor ganancia de corriente intrínseca (β) que los FET, lo que resulta en una mayor ganancia de
corriente en la etapa de entrada.
Se pueden utilizar en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.
Menor sensibilidad a la temperatura en comparació n con los FET.
 Desventajas de los amplificadores BJT:
Mayor consumo de energía en comparació n con los FET debido a la corriente de polarizació n de la
base.
Impedancia de entrada má s baja en comparació n con los FET.
 Ventajas de los amplificadores FET:
Alta impedancia de entrada.
Consumo de energía má s bajo debido a la ausencia de corriente de base.
Menor distorsió n en aplicaciones de alta impedancia de entrada.
 Desventajas de los amplificadores FET:
Ganancia de corriente má s baja que los BJT.
Sensibles a la electrostá tica (ESD) y voltajes de puerta inversa.
No son ideales para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.

 Modele ambos amplificadores como un bipuerto.

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Referencias:

Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (1996). Electronic Devices and Circuit Theory 7th edición
Prentice Hall. Editorial.

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