VI.

LIMPIEZA QUÍMICA:

El maquinado químico (CHM, por sus siglas en inglés) es un proceso no tradicional en el

que

ocurre una remoción de materiales mediante el contacto con sustancias de acción química

fuerte. Las aplicaciones dentro del proceso industrial empezaron poco después de la
Segunda

Guerra Mundial en industria de las aeronaves. El uso la de materiales químicos para

remover

secciones no deseadas de una pieza de trabajo se aplica en varias formas y se han creado

términos distintos para diferenciar las aplicaciones.

Estos términos incluyen el fresado químico, el preformado químico, el grabado químico y

el maquinado fotoquímico (PCM, por sus siglas en inglés). Todos emplean el mismo
mecanismo de remoción de material y es conveniente analizar las características generales
del maquinado químico antes de definir los procesos individuales.

VII. MECÁNICA Y QUÍMICA DEL MAQUINADO QUÍMICO:

El proceso de maquinado químico consta de varios pasos. Las diferencias en las

aplicaciones

y las formas en que se realizan las etapas establecen las diferentes formas del CHM. Los

pasos son:

1. Limpieza. El primer paso es una operación de limpieza para asegurar que el material

se remueva en forma uniforme de las superficies que se van a atacar.

2. Enmascarado. Un recubrimiento protector se aplica a ciertas zonas de la pieza.

Este protector está hecho de material químicamente resistente al material de ataque químico
(el término se usa para el material protector). Por resistir o tanto, sólo se aplica a aquellas
porciones de la superficie de trabajo que no se van a atacar.
3. Ataque químico. Éste es el paso de remoción de material. La pieza de trabajo se sumerge
en un material de ataque químico que afecta aquellas porciones de la superficie de

la pieza que no están protegidas. En el método normal de ataque, el material de trabajo

(por ejemplo, un metal) se convierte en una sal que se disuelve dentro del material de

ataque químico, y posteriormente se remueve de la superficie. Cuando se ha removido

la cantidad deseada de material, se retira la parte del material de ataque químico y se

enjuaga para detener el proceso.

4. El protector se retira de la pieza. Desenmascarado.

En el maquinado químico, los dos pasos que implican variaciones significativas en los

métodos, materiales y parámetros del proceso son el enmascarado y el ataque químico, es

decir, los pasos 2 y 3.

Los materiales protectores incluyen el neopreno, el cloruro de polivinilo, el polietileno y

otros polímeros. La protección se consigue por alguno de estos tres métodos:

1) corte y desprendimiento
2) resistencia fotográfica
3) resistencia de pantalla.

El método de corte y desprendimiento implica la aplicación del protector sobre toda la

pieza, ya sea por inmersión, recubrimiento o rocío. El grosor del protector resultante es de
0.025 a 0.125 mm (0.001 a 0.005 in). Después de que el protector endurece, se corta
mediante una navaja para marcar y se desprende de las áreas de la superficie de trabajo que
se van a atacar. La operación de corte del protector se realiza a mano, generalmente
guiando la navaja con

una plantilla. El método de corte y desprendimiento se usa para la manufactura de piezas

de trabajo grandes, cantidades de producción bajas y donde la precisión no es un factor

crítico. Este método no se aplica para tolerancias más estrechas de ±0.125 mm (±0.005 in),

excepto que la técnica se ejecute con mucho cuidado.

Como su nombre lo indica, el método de (que se abrevia resistencia fotográfica

como fotorresistencia) usa técnicas fotográficas para realizar el paso de enmascarado. Los

materiales enmascarados contienen químicos fotosensibles. Éstos se aplican a la superficie

de trabajo y la pieza recubierta se expone a la luz a través de una imagen en negativo de

las áreas que se van a atacar. Después, estas áreas protegidas se retiran de la superficie
mediante técnicas de revelado fotográfico. Dicho procedimiento deja con material protector

la superficie deseada de la pieza y sin protección las áreas restantes que son vulnerables al

ataque químico. Por lo general, las técnicas de enmascarado fotorresistente se aplican

donde se producen piezas pequeñas en grandes cantidades y se requieren tolerancias
estrechas.

Esta técnica se aplica para tolerancias más estrechas que ±0.0125 mm (±0.0005 in) [16].

En la técnica se aplica el protector mediante resistencia de pantalla dos de serigrafía. En

estos métodos, el protector se aplica sobre la superficie de las piezas de trabajo por

medio de una malla de seda o acero inoxidable. La malla tiene incrustado un esténcil que
protege la aplicación con barniz protector y deja expuestas las áreas que se van a atacar.
Así, el protector recubre las áreas de trabajo que no se van a atacar. En general, el método
resistencia de pantalla se usa en aplicaciones que se encuentran entre los otros dos métodos
de enmascarado, en términos de precisión, tamaño de piezas y cantidades de producción.
Con este método de enmascarado pueden obtenerse tolerancias de ±0.075 mm (0.003 in).

La elección del material de ataque químico depende del material de trabajo que se va a
atacar, la profundidad y la velocidad de remoción de material deseadas, así como los
requerimientos

de acabado superficial. El material de ataque químico también debe combinarse con un

protector que asegure que dicho agente no afecte al protector. En la tabla 26.2 se enlistan
algunos de los materiales de trabajo que se maquinan bajo el método de CHM, junto con
los materiales

de ataque químico que se usan para estos materiales. La tabla también incluye una
velocidad de

penetración y factores de ataque químico. Estos parámetros se explican a continuación.

Por lo general, las velocidades de remoción de material en el CHM se indican como

velocidades de penetración en mm/min (in/min), puesto que la velocidad de ataque químico

sobre el material de trabajo se dirige a la superficie. El área de la superficie no afecta la

velocidad de penetración. Las velocidades de penetración enlistadas en la tabla 26.2 son

valores típicos para los materiales de trabajo y los agentes de ataque químico dados.
IX. CONCLUSIONES:

 El proceso de limpieza química es un proceso delicado y metódico que, de no

respetarse los pasos ya contemplados, puede fallar el resultado final del proceso.

 Es posible maquinar en seco a velocidades de corte hasta 140 m/min con

acabado superficial aceptable.

 Al maquinar aleaciones específicas en seco no se generan altas temperatura

que produzcan cambios microestructurales que afecte las propiedades físicas y
mecánicas.

 Al maquinar en seco se obtiene un ahorro económico por el nulo consumo de

refrigerante.

 Al aumentar las velocidades de corte se reducen los tiempos ciclo maquina y por
lo tanto se logra mayor productividad.