EL JFET

El JFET (transistor de efecto de campo de unión) es un tipo de FET que opera con una unión pn
polarizada en inversa para controlar corriente en un canal. Según su estructura, los JFET caen
dentro de cualquiera de dos categorías, de canal n o de canal p.

La figura 8-1(a) muestra la estructura básica de un JFET de canal n (transistor de efecto de campo
de unión). Cada extremo del canal n tiene una terminal; el drenaje se encuentra en el extremo
superior y la fuente en el inferior. Se difunden dos regiones tipo p en el material tipo n para formar
un canal y ambos tipos de regiones p se conectan a la terminal de la compuerta. Por simplicidad, la
terminal de la compuerta se muestra conectada sólo a una de las regiones p. En la figura 8-1(b) se
muestra un JFET de canal p.

CARACTERÍSTICAS Y PARÁMETROS DEL JFET

El JFET opera como un dispositivo de corriente constante controlado por voltaje. En esta sección
se abordan el corte y el estrangulamiento, así como las características de transferencia del JFET.

Voltaje de estrangulamiento

Con VGS = 0, el valor de VDS al cual ID se vuelve esencialmente constante [el punto B sobre la
curva mostrada en la figura 8-5(b)] es el voltaje de estrangulamiento, Vp. Para un JFET dado, Vp
tiene un valor fijo. Como se puede ver, un incremento continuo de VDS por encima del voltaje de
estrangulamiento produce una corriente casi constante en el drenaje. Este valor de la corriente en
el drenaje es IDSS (Drain to Source with gate Shorted, Drenaje a fuente con la compuerta en
cortocircuito) y siempre viene especificada en las hojas de datos de los JFET. IDSS es la corriente
máxima en el drenaje que un JFET específico es capaz de producir sin importar el circuito externo y
siempre se especifica en la condición, VGS = 0 V.

Ruptura

Como se muestra en la gráfica de la figura 8-5(b), la ruptura ocurre en el punto C cuando ID

comienza a incrementarse muy rápido con cualquier incremento adicional de VDS. La ruptura
puede dañar irreversiblemente el dispositivo, así que los JFET siempre se operan por debajo de la
ruptura y dentro de la región activa, (corriente constante), (entre los puntos B y C en la gráfica). La
acción de JFET que produce la curva característica de drenaje hasta el punto de ruptura con VGS=0
V

VGS controla a ID

Conéctese un voltaje de polarización, VGG, de la compuerta a la fuente, como se muestra en la

figura 8-7(a). A medida que VGS se ajusta a valores cada vez más negativos al ajustar VGG, se
produce una familia de curvas características del drenaje, como muestra la figura 8-7(b). Observe
que ID se reduce a medida que se incrementa la magnitud de VGS a valores negativos más grandes
debido al estrechamiento del canal. Observe también que, con cada incremento de VGS, el JFET
llega al punto de estrangulamiento (donde comienza la corriente constante) con valores de VDS
menores que Vp. El término estrangulamiento no es el mismo que voltaje de estrangulamiento,
Vp. Por consiguiente, VGS controla la cantidad de corriente en el drenaje.
Voltaje de corte

El valor de VGS que hace que ID sea aproximadamente cero es el voltaje de corte. VGS(corte). El
JFET debe operar entre VGS 0 V y VGS(corte). Con este intervalo de voltajes de compuerta a
fuente, ID varía desde un máximo de IDSS hasta un mínimo de casi cero. Como se ha visto, para un
JFET de canal n, mientras más negativo es VGS, más pequeña llega a ser ID en la región activa.
Cuando VGS tiene un valor negativo suficientemente grande, ID se reduce a cero. El
estrechamiento de la región de empobrecimiento provoca este efecto de corte hasta un punto
donde el canal se cierra por completo.

Comparación del voltaje de estrangulamiento y el voltaje de corte

Como se ha visto, existe una diferencia entre los voltajes de estrangulamiento y de corte. También
hay una conexión. El voltaje de estrangulamiento VP es el valor de VDS al cual la corriente en el
drenaje de vuelve constante e igual a IDSS y siempre se mide con VGS = 0 V. No obstante, el
estrangulamiento ocurre con valores de VDS menores que VP cuando VGS no es cero. Así que,
aunque VP es una constante, el valor mínimo de VDS al cual ID se vuelve constante varía con VGS.
VGS(corte) y VP siempre son iguales en magnitud pero de signo opuesto. Una hoja de datos
normalmente dará VGS(corte) o VP, mas no ambos. Sin embargo, cuando se conoce uno, se tiene
el otro. Por ejemplo, si VGS(corte) = 5 V, entonces VP = 5 V, como muestra la figura 8-7(b).

POLARIZACIÓN DE UN JFET

Utilizando algunos de los parámetros de JFET previamente analizados, ahora se verá como se
polarizan los JFET con voltaje de cd. Al igual que con el BJT, el propósito de la polarización es
seleccionar el voltaje de cd de compuerta a fuente apropiado para establecer un valor deseado de
la corriente en el drenaje y, por consiguiente, un punto Q apropiado. Existen tres tipos de
polarización: la autopolarización, la polarización mediante divisor de voltaje y la polarización
mediante fuente de corriente

Autopolarización
La autopolarización es el tipo de polarización de JFET más común. Recuerde que un JFET debe ser
operado de tal forma que la unión compuerta-fuente siempre esté polarizada en inversa. Esta
condición requiere un VGS negativo para un JFET de canal n y un VGS positivo para un JFET de
canal p. Esto se puede lograr con la configuración de autopolarización mostrada en la figura 8-16.
El resistor, RG, en serie con la compuerta, no afecta la polarización porque en esencia no hay caída
de voltaje a través de él, y por consiguiente, la compuerta permanece a 0 V. RG se requiere sólo
para hacer que la compuerta esté a 0 V y aislar una señal de ca de la tierra en aplicación de
amplificador, como más adelante se verá.

Para el JFET de canal n mostrado en la figura 8-16(a), IS produce una caída de voltaje a través de
RS que hace a la fuente positiva con respecto a tierra. Puesto que IS = ID y VG = 0, entonces VS
IDRS. El voltaje de compuerta a fuente es

Para el JFET de canal p mostrado en la figura 8-16(b), la corriente que fluye a través de RS produce
un voltaje negativo en la fuente, lo que hace a la compuerta positiva con respecto a la fuente. Por
consiguiente, como IS = ID,

En el ejemplo siguiente se utiliza el JFET de canal n mostrado en la figura 8-16(a) como ilustración.
Tenga en cuenta que el análisis del JFET de canal p es el mismo, excepto por los voltajes de
polaridad opuesta. El voltaje en el drenaje con respecto a tierra se determina como de la siguiente
manera:

Como VS =IDRS, el voltaje entre drenaje y fuente es

VDS = VD - VS = VDD - ID(RD + RS

Estableciendo del punto Q de un JFET autopolarizado

El método básico para establecer el punto de polarización de un JFET es determinar ID para un

valor deseado de VGS o viceversa; luego se calcula el valor requerido de RS con las siguientes
relaciones. Las líneas verticales indican un valor absoluto. Para un valor deseado de VGS, ID se
determina en una de dos maneras: con la curva de transferencia para el JFET particular o, de
forma más práctica, con la ecuación 8-1 utilizando IDSS y VGS(corte) de la hoja de datos del JFET.
Los dos ejemplos siguientes ilustran estos procedimientos

Polarización en el punto medio

Normalmente es deseable polarizar un JFET cerca del punto medio de su curva de transferencia
donde ID IDSS/2. En condiciones de señal, la polarización en el punto medio permite que la
cantidad máxima de corriente en el drenaje oscile entre IDSS y 0. Con la ecuación 8-1, en el
apéndice B se demuestra que ID es aproximadamente la mitad de IDSS cuando VGS
VGS(corte)/3.4. Así que, seleccionando VGS VGS(corte)/3.4, se deberá conseguir una polarización
de punto medio en función de ID. Para situar el voltaje de drenaje en el punto medio (VD VDD/2),
seleccione un valor de RD para producir la caída de voltaje deseada. Seleccione un RG
arbitrariamente grande para evitar que se cargue la etapa de mando en una configuración de
amplificadores en cascada. El ejemplo 8-9 ilustra estos conceptos.