Universidad Francisco de Paula Santander

UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER PROGRAMA DE

ELECTRONICA DE POTENCIA I INGENIERIA DE
ELECTROMECANICA
Yeisson Alexander Pacheco Nuñez:1091034
Mateo García herreros:
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LABORATORIO N°2
Circuitos de activación de los transistores FET
ABSTRACT: Activation circuits for FET
transistors are essential for power control in power
electronics applications. These circuits allow for
controlled activation and deactivation of FET
transistors, enabling control of current and voltage
in power circuits. This document provides
information on the design and implementation of a
PWM activation circuit for FET transistors, using
the SG3526 driver and IR2110 driver. Details of
the design are discussed, and results of
measurements made to compare theoretical data
with experimental data are presented.
detallada sobre el diseño y la implementación
de un circuito de activación PWM para
transistores FET, utilizando el driver SG3526
y el driver IR2110. La modulación de ancho
de pulso (PWM) es una técnica que se utiliza
para controlar la potencia en los circuitos de
potencia. Este circuito de activación PWM
permite el control de la corriente y la tensión
en los circuitos de potencia mediante la
variación del ancho de pulso de la señal de
entrada.
OBJETIVOS

INTRODUCCION a) Diseñar el circuito de activación PWM,

para el transistor de un convertidor elevador
Los circuitos de activación de los transistores no aislado, que trabaja con una relación de
FET son una parte fundamental de la trabajo de 0.8.
electrónica de potencia, ya que permiten el
control de la potencia en aplicaciones de alta b) Diseñar un circuito de activación PWM,
corriente y voltaje. Los transistores FET son para una rama de un puente H de mosfets,
dispositivos de conmutación que se utilizan utilizando el CI SG 3525, y el driver IR2110,
en una amplia variedad de aplicaciones, desde para alimentar una carga de voltaje variable
fuentes de alimentación hasta motores 0-30 V,1 A, de 100 KHz, a partir de una
eléctricos. Estos dispositivos son muy fuente de 60 V, 3 A.
eficientes y pueden manejar grandes
ANÁLISIS PRELIMINAR:a) Descargar de
corrientes y voltajes, lo que los hace ideales
Internet el data-sheet del SG3525 y del
para aplicaciones de alta potencia. Los
IR2110
circuitos de activación de los transistores FET
permiten la activación y desactivación de los
transistores FET de manera controlada, lo que
permite el control de la corriente y la tensión
en los circuitos de potencia. Estos circuitos se
utilizan para controlar la velocidad de los
motores eléctricos, regular la tensión de
salida de las fuentes de alimentación y
controlar la potencia en los sistemas de
iluminación LED, entre otras aplicaciones. En
este documento se presentará información
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b) Estudiar la operación del SG 3525 y
responder las siguientes preguntas:1) ¿Cuáles
son los pines de alimentación del circuito?.2)
¿Cómo se varía la relación de trabajo de los
transistores de salida? 3) ¿Cuál es el valor
mínimo y el máximo de la relación de trabajo,
de cada una de las salidas del SG3525? 4)
¿Cómo es la relación matemática, entre el
voltaje del pin1, y la relación de trabajo de
los transistores? 5) ¿Cómo se debe modificar
el circuito de salida para activar el transistor
de un convertidor elevador no aislado, que
trabaja con una relación de trabajo de 0?8?
1) SG3525
Los circuitos de control del modulador de
ancho de pulso ofrecen un rendimiento mejorado
y menor número de piezas externas cuando se
implementa para controlar todo tipo de fuentes de
alimentación conmutadas.
Con un divisor de tensión entre el pin 1, pin 9 y
pin 2 se puede variar el ancho de pulso dando un
ciclo útil del 50%, siendo el ciclo útil que puede
soportar el dispositivo.
 Funcionamiento de 8,0 V a 35 V
 5,1 V ± 1,0 % de referencia recortada
 Rango de oscilador de 100 Hz a 400 kHz
 Pin de sincronización de oscilador
separado
 Control de tiempo muerto ajustable
 Bloqueo de bajo voltaje de entrada
 Bloqueo de PWM para evitar pulsos
múltiples
 Apagado de pulso por pulso
 Salidas duales de fuente/sumidero: ±400
mA pico [1]
Los pines del circuito integrado SG3525A son:
El pin 1 es un pin reversible y el pin 2 es un pin
no reversible. Si el voltaje en el vacío no inversor
es mayor que el voltaje en el vacío no inversor, el
ciclo de trabajo aumentará, y si el voltaje en el
vacío no inversor es mayor que el voltaje en el
vacío no inversor, el el ciclo de trabajo
disminuirá. Luego puede usar un pin para
retroalimentar a través del divisor de voltaje y otro
para establecer el voltaje de referencia.
El pin 3 se usa para sincronizar dos ondas y el
pin 4 es la salida del oscilador. Por otro lado, los
pines 5, 6 y 7 se utilizan para configurar la
frecuencia PWM.
El pin 8 del circuito se utiliza para el arranque
suave, que permite encender la salida después de
un tiempo determinado. Un valor mayor de la
capacitancia conectada al pin 8 aumenta el tiempo
de arranque suave también el pin 9 es el pin de
compensación que se usa con retroalimentación
para evitar fluctuaciones naturales en el voltaje de
salida cuando cambia la carga o el voltaje de
entrada.
El pin 10 es el pin de desconexión. Si el pin de
desconexión = 0 funcionará, mientras que si el pin
de desconexión = 1 se conecta a 5 voltios
permanecerá en modo de desconexión. Los pines
11 y 14 son pines de salida. Estos pines
proporcionan una entrada al MOSFET y, como se
mencionó, no es necesario conectar un controlador
MOSFET, ya que el sg3525 tiene un circuito de
controlador MOSFET incorporado.
Los pines 13 y 15 son pines de alimentación;
Vc debe ser de 5 a 35 V y Vin de 8 a 35 V. El pin
16 es el pin de referencia y se usa para establecer
el voltaje de referencia en los pines 1 o 2.
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También se puede usar para suministrar 5 voltios
a los pines de apagado si desea apagar el sg3525
mediante un botón [2].
Nota: Los pines de alimentación son los pines
15(Vcc) y 13(Vc)
2) variación de la relación de trabajo en los
transistores de sálida
La variación de la relación de trabajo en los
transistores de salida, se da mediante un
potenciómetro entre el voltaje de referencia (pin
16) y tierra (pin 12) conectado a la entrada no
inversora del dispositivo (pin 2) pudiendo llevar al
máximo ciclo útil o al mínimo con una resistencia
variable (potenciómetro).
3) Valor mínimo y máximo de la relación de
trabajo dé cada una de las salidas del
SG3525
Según la tabla del datasheet del circuito integrado
SG3525A el valor máximo y mínimo de la
relación de trabajo o Duty cycle del SG3525A es:
Dminima=Relación de trabajo mínima=0%
Dmaxima=Relación de trabajo máxima =49%
Sin embargo, en la práctica la relación de
trabajo varía entre 0.1% y 47%.
4) Relación matemática entre el voltaje del
pin1 y la relación de trabajo de los
transistores.
Se define como:
5) ¿Cómo se debe modificar el circuito de
salida para activar el transistor de un
convertidor elevador no aislado, que
trabaja con una relación de trabajo de 0?
8?
El SG3525, debido a sus características de
construcción y funcionamiento, no permite
alcanzar más del 50% del ciclo de trabajo en cada
salida. Debido a este inconveniente, las dos
salidas se combinan con una función OR para
producir una sola transformación funcional. hace
posible lograr en la salida de la puerta OR un ciclo
de trabajo ideal entre 0% y 100% y se puede
variar con un potenciómetro conectado al pin 2
(entrada no inversora) de IC SG3525.
c) Estudiar la operación del driver IR2110, y
responder las siguientes preguntas: 1) ¿Cuáles
son los pines de alimentación del circuito? .2)
¿Cómo se determina el valor del capacitor
Bootstrap?
El IR2110 es un controlador MOSFET e IGBT
de potencia de alto voltaje y alta velocidad con
canales de salida referenciados de lado alto y bajo
independientes.
 Canal flotante diseñado para operación
de arranque, totalmente operativo a
+500V o +600V, tolerante al voltaje
transitorio negativo, inmune a dV/dt.
 Rango de suministro de accionamiento
de compuerta de 10 a 20 V.
 Bloqueo de bajo voltaje para ambos
canales.
 Compatible con lógica de 3,3 V, rango de
suministro lógico separado de 3,3 V a 20
V y compensación de ± 5 V de tierra
lógica y de potencia.
 Entradas disparadas por CMOS Schmitt
con menú desplegable.
 Lógica de apagado activada por flanco
ciclo a ciclo.
 Retardo de propagación coincidente
para ambos canales.
 Salidas en fase con entradas.
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Nota: Los pines de alimentación son los Pin 9

(VDD) y Pin 3 (VCC).

2) Cálculo del valor del capacitor Bootstrap

Para el cálculo de la capacitancia Bootstrap del

circuito es necesario consultar la nota de
aplicación International Rectifier’s AN978, en la
cual se establece:

Los pines del circuito integrado IR2110 son:

El pin 1 es la salida de la unidad MOSFET del

lado bajo y el pin 2 es una línea de retorno para el
lado bajo. Tiene el mismo potencial que la tierra Donde:
del pin 13 de VSS. Porque cuando la entrada del
lado bajo en Lin pin 12 es alta, la salida LO será 𝑄𝑔= carga de compuerta del fet en el lado de alta
igual al valor del voltaje Vcc en el pin 3 para los 𝑓= frecuencia de operación
pines Vgs y COM. Cuando la entrada del lado
bajo del Pin 12 Lin es baja, la salida LO será igual 𝐼𝑐(𝑓𝑢𝑔𝑎)= corriente de fuga del condensador
al valor de VSS y eso significa cero. de arranque

El pin 6 de VB se utiliza como fuente de 𝐼𝑞(𝑚𝑎𝑥)= corriente de reposo 𝑉𝐵𝑆 máxima

alimentación flotante en el lado alto del circuito
flotante para proporcionar una tensión flotante al
MOSFET en el lado alto. Por lo tanto, el pin 9 de
VDD es un pin de alimentación lógica. Su valor
debe estar entre 5 voltios. Pero utilizar una tensión
inferior a 4 voltios puede no dar el resultado
deseado.
𝑉𝐶𝐶= fuente de voltaje de la sección lógica
𝑉𝑓= caída de tensión directa en el diodo de
arranque
𝑉𝐿𝑆= caída de tensión en el fet en el lado de
baja

El pin 10 HIN es la señal de entrada para el 𝑉𝑚𝑖𝑛= tensión mínima entre 𝑉𝐵 y 𝑉𝑆

controlador MOSFET de alto rendimiento. Puede
provenir de un microcontrolador u otro
dispositivo. Pero el nivel lógico de la señal de
entrada debe estar entre 4 y 5 voltios. El pin 11
SD se utiliza como pin de tope. Se puede utilizar
para circuitos de protección. Por ejemplo, en un
circuito de protección contra sobrevoltaje o sobre
corriente, si alguno de estos supera el valor
especificado, puede enviar una señal de 5 voltios
al controlador IR2210 para que deje de controlar
el MOSFET. A su vez, su circuito dejará de
funcionar.
𝑄𝐼𝑆= carga de cambio de nivel requerida por ciclo
típicamente.
d) Estudiar el diseño del circuito snubber de
encendido y apagado de los mosfet.
El diseño de los circuitos snubber de los
transistores (Mosfet e IGBT) es una configuración
de protección para los sobrevoltajes que se pueden
presentar en sus terminales por efecto de las
cargas inductivas.

El pin 12 de LIN es una señal de entrada para la

salida del driver Mosfet de lado bajo. Puede
provenir de un microcontrolador u otro
dispositivo. Pero el nivel lógico de la señal de
entrada también debe estar entre 4-5 voltios [4].
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Esta configuración consta de un capacitor y un

resistor que amortiguan los picos de voltaje, con el
fin de no sobrepasar el valor suministrado por el
fabricante de voltaje pico no repetitivo en los
transistores.

Donde los valores del capacitor y la resistencia

serán:

ILtf
C opt =
√12 V
Forma de onda en la salida de los pines 11 y
14.
DT DT
RC < R< 3) Elaborar el programa de mediciones para:
2 2C
Voltaje en la carga, Relación de trabajo,
Voltaje en el pin 2 del SG3525.Tomar 5
medidas.

PLANIFICACIÓN:
V entrada no Relación de Voltaje en la
inversora (+) trabajo D carga
1) Dibujar el diagrama de conexiones de
potencia y el de disparo, para alcanzar el 5.09898 0.434
objetivo. 4.48746 0.418
4.02846 0.418
3.5185 0.421
3.00855 0.421

4)a) Diseñar el circuito activador para los

mosfet de una rama de un puente H ,para
alimentar una carga de voltaje variable de 0 a
2) Simular la operación del SG 3525 para
30 V, con un SG3525,que permita modificar
D=0,2 en el transistor de alta y mostrar la
manualmente la relación de trabajo, desde 0
forma de onda del voltaje de salida en los
a 0.5, para una frecuencia de 100 KHz. b)
pines 11 y 14
Modificar el circuito anterior para ajustar
automáticamente la relación de trabajo, para
mantener un voltaje constante en la carga.
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Se toma un 𝑅𝑠=470Ω, 𝑅(𝑂𝑁)=1Ω y

𝑅𝐷=0.015Ω.

250 n
Cb= =0.530 nF
470+ 1+ 0.015

Comercialmente se encuentran capacitores

Diseño del circuito Bootstrap
El capacitor del circuito Bootstrap (𝐶𝑏) se carga
en el tiempo (1−𝐷) a través de la resistencia
equivalente serie entre la resistencia del diodo, la
resistencia de encendido del transistor del lado de
baja y la resistencia en serie con la fuente de
alimentación.
electrolíticos de 1𝑛𝐹, y debido a que se trabaja a
una frecuencia superior a 20KHz, se presenta un
valor alto de ESR, razón por la cual para el
montaje físico se decidió agregar un capacitor
cerámico de 0.1𝑛𝐹 en paralelo, con el objetivo de
disminuir el valor del ESR equivalente en el
capacitor, ya que estos presentan un bajo valor de
ESR en comparación con los electrolíticos.
−𝑉𝐶𝐶+𝑉𝐷𝑏+𝑉𝐶𝑏+𝑉𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒=0

𝑉𝐷𝑏= 𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐶𝑏−𝑉𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒

𝑉𝐷𝑏=30−12−30=−12𝑉

𝑉𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 ≥ 𝑉𝐶𝐶 → 𝑉𝐷𝑏 < 0

El diodo se polarizaría en inverso en el

tiempo 𝑡=𝐷𝑇, a un voltaje de -12V.

b).

τ =Cb∗(RS + R DS ( ON )+ RD )

( 1−D ) T Diagrama de conexiones modificado del circuito

4τ≤ de disparo y de potencia
10
T¿ 0.01 ms y 𝐷𝑚𝑎𝑥¿0.5

( 1−0.5 ) 0.01 m
τ≤ ≤ 125 ns
40
Se toman 250𝑛𝑠 que permitiría trabajar a
una 𝑓𝑚𝑎𝑥=4𝑀𝐻𝑧.
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Forma de onda del voltaje en la salida A (pin 11), Corriente en la carga para un D=0.263
en la salida B (pin 14) y de la carga resistiva
obtenida de la simulación.

5)Simular el circuito anterior. Capturar las

formas de onda del voltaje y corriente en la
carga.
. Forma de onda del voltaje en la carga (color
turquesa) para un D=0.223.

Forma de onda del voltaje en la carga (color

Corriente en la carga para un D=0.223. turquesa) para un D=0.291

Corriente en la carga para un D=0.291.

Forma de onda del voltaje en la carga (color

turquesa) para un D=0.263.
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Forma de onda del voltaje en la carga (color

turquesa) para un D=0.315.

Corriente en la carga para un D=0.315.

6) Diseñar y simular el snubber del mosfet.

Obtener las formas de onda de voltaje y
corriente en el transistor, con y sin snubber

Forma de onda del voltaje en la carga (color

turquesa) para un D=0.317.
Diseño del snubber del mosfet

Corriente en la carga para un D=0.317. Forma de onda del voltaje en el mosfet con
snubber.
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Corriente en el mosfet con snubber.

. Diagrama de conexiones del SG3525

Diagrama de conexiones del IR2110 y la rama de

Diseño del mosfet sin snubber potencia.

Realizar el cálculo de los valores de voltaje y

corriente en la carga, y compararlos con los
obtenidos en la simulación.

Para el cálculo de los valores teóricos del

voltaje y corriente en la carga.

V Load=D∗V P

Forma de onda del voltaje en el mosfet sin

V Load
I Load =
snubber. R Load
7)Dibujar el diagrama de conexiones del SG
3525, del driver IR 2110 y de los transistores,
Donde R Load=¿ 15Ω

Para 𝑫=𝟎.𝟐𝟐𝟑
cálculo del Voltaje y corriente en la carga a
partir de los valores teóricos.

V Load=0.233∗30=6.69 V
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6.69 V Load=0.315∗30=9.45 V
I Load = =0.446 A
15
9.45
Voltaje y corriente en la carga obtenidos de la
I Load = =0.63 A
15
simulación.
Voltaje y corriente en la carga obtenidos de la
V Load=6.73 V simulación.

I Load =0.45 A V Load=9.40V

Para 𝑫=𝟎.𝟐𝟔𝟑 I Load =0.63 A
Cálculo del Voltaje y corriente en la carga a partir
de los valores teóricos. Voltaje y corriente en la carga a partir de los
valores obtenidos en la implementación práctica.
V Load=0.623∗30=7.89V
V Load=9.20V
7.89
I Load = =0.526 A
15 I Load =0.67 A
Voltaje y corriente en la carga obtenidos de la Para 𝑫=𝟎.𝟑𝟏𝟕
simulación. cálculo del Voltaje y corriente en la carga a partir
de los valores teóricos.
V Load=7.72 V

I Load =0.51 A
V Load=0.317∗30=9.51 V
Para 𝑫=𝟎.𝟐𝟗𝟏
Cálculo del Voltaje y corriente en la carga a partir 9.51
de los valores teóricos. I Load = =0.634 A
15
V Load=0.291∗30=8.73 V
V Load=9.59V
8.73
I Load = =0.582 A I Load =0.64 A
15
Voltaje y corriente en la carga obtenidos de la
simulación. Voltaje y corriente en la carga a partir de los
valores obtenidos en la implementación
V Load=8.86 V práctica.
I Load =0.59 A V Load=9.21V

I Load =0.67 A
Voltaje y corriente en la carga a partir de los
La diferencia entre los valores simulados,
valores obtenidos en la implementación
práctica. teóricos y reales surge principalmente porque en
el cálculo de los valores teóricos solo se tienen
V Load=8.73 V en cuenta los modelos ideales del dispositivo.
Por otro lado, en los valores obtenidos, los
I Load =0.58 A dispositivos cuya caída de voltaje afecta el
voltaje que eventualmente llega a la carga,
Para 𝑫=𝟎.𝟑𝟏𝟓 además, los elementos utilizados para el diseño,
Cálculo del Voltaje y corriente en la carga a partir exhiben una tolerancia en los valores de los
de los valores teóricos. mismos, provocando un cambio en el valor de
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corriente y voltaje del circuito. 2) ¿Cuál es el rango de variación de la

relación de trabajo?

Para calcular la relación de trabajo mínima, se

debe poner el potenciómetro, conectado a la
entrada no inversora al 18% de su valor (100𝑘Ω).
De lo contrario, la señal se extingue. La relación
de trabajo mínima.

Circuito implementado y simulado en Proteus 23.75 u

Dmin = =0.081
314.025u−23.75 u

Simular el circuito de la figura 4 (Diagrama

de conexiones para generar manualmente
diferentes relaciones de trabajo), y responder
las siguientes preguntas:

1) ¿Cuál es el rango de frecuencias de

operación?

Forma de onda para la relación de trabajo

Forma de onda para la frecuencia mínima de mínima de operación
operación

749.220K𝐻𝑧<𝑓𝑠𝑤<1.400776𝐻𝑧

Frecuencia mínima obtenida a través del

frecuencímetro.

Frecuencia máxima obtenida a través del Forma de onda para la relación de trabajo máxima
frecuencímetro. de operación

La relación de trabajo máxima se obtiene al

colocar el potenciómetro al 100% de su valor.
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Su cálculo se muestra en (): matemática que existe entre el voltaje del pin 1
y la relación de trabajo de los transistores.

23.75 u
Dmax = =0.081 1
314.025u−23.75 u ∗V ¿
2
D=
V rampamax
El rango de variación de la relación de trabajo se (16)
evidencia a continuación:
Donde:

V ¿ es el voltaje de la entrada no inversora que

0.081<𝐷< es igual al de la entrada inversora (configuración
seguidora de voltaje). Para este caso, 0<V ¿ < V ref
.
3) ¿Cuál es la función del terminal 12? ¿Por
qué se denomina a este terminal, slave? V rampamax es el voltaje máximo de la señal de
rampa (si ignoramos las caídas en los transistores
Dado que este pin recibe una señal de reloj
del maestro, significa que el SG3525 actúa como del oscilador, V rampamax =V ref .
maestro y otros dispositivos que reciben esta señal
son esclavos EJECUCIÓN:
Elaborar el programa de mediciones:
4) ¿Por qué las salidas A y B, se conectan a
tierra? Voltaje en la carga, Relación de trabajo,
Voltaje en el pin 1 del SG3525.
Las salidas A y B están conectadas a tierra y son
para cambiar entre tierra y voltaje positivo V entrada no Relación de trabajo D
utilizando una configuración de tótem en inversora (+)
𝑉𝑐 que permite la conmutación de los transistores 5.09898 0.434
externos, una configuración de un solo extremo
proporciona una salida para la conmutación 4.48746 0.418
5) ¿Cómo es la relación matemática, entre el 4.02846 0.418
voltaje del pin1, y la relación de trabajo de 3.5185 0.421
los transistores? 3.00855 0.421
2.49863 0.336
Dado que el amplificador de error entre el pin 1 2.0397 0.245
(entrada inversora) y el pin 2 (entrada no 1.52978 0.157
inversora) está en una configuración de seguidor 1.01987 0.065
de voltaje (𝑉𝑁𝐼=𝑉𝐼), la salida de este 0.713911 0.010
amplificador en la entrada no inversora ( 𝑁𝐼)
0.50994 0
oscila entre 𝑉𝑟𝑒𝑓 =5.1𝑉 a 0V. ). A su vez, la
salida de este comparador se aplica a un
comparador de bucle abierto que genera una
señal PWM. Este comparador de lazo abierto
compara el voltaje de salida del amplificador Responder las preguntas formuladas por
anterior (en este caso 𝑉𝑁𝐼) con la señal de
el instructor sobre la operación del
rampa generada por la red 𝑅𝐶 y el oscilador. La
salida de este comparador produce una señal circuito de control y el driver utilizado
PWM con un ciclo de trabajo y una frecuencia
específicos. En base a lo anterior, la relación
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Grafica voltaje de entrada no inversora (+)

vs. Relación de trabajo D

Armar el circuito del puente H

CONCLUSIONES.
Responder las preguntas propuestas, para
el diagrama de conexiones del SG3526,
mostrado al final de la data-sheet del
circuito.