Escuela Politécnica Nacional

Preparatorio 5.

Nombre: Raúl Olmedo Becerra

Fecha: 2019-06-07

GR7

Tema: CARACTERIZACIÓN DEL MOSFET

1.- Consultar la curva característica de funcionamiento de un MOSFET y en base a esta

determinar las zonas de operación en aplicaciones de electrónica potencia. Indique las
condiciones para el encendido (Vth) y el apagado del MOSFET.

Figura 1. Zonas de operación del mosfet.

En la anterior imagen se puede observar como existen 3 regiones que son de saturación, de
corte y la región óhmica. Para electrónica de potencia es de utilidad utilizar un semiconductor
como interruptor. Por lo que se utiliza la región óhmica para que el mosfet se encuentre en
conducción. El voltaje umbral (VTH) depende del mosfet a utilizarse. Para esta práctica se
utilizará el ifr 630 que tiene un voltaje umbral de 10 voltios. Una vez se haya alcanzado este
voltaje se comenzará a trabajar en la región óhmica del mosfet escogido. Por otro lugar
tenemos a la región de corte que será utilizada para hacer que el semiconductor trabaje como
circuito abierto y para que el mosfet trabaje en dicha región el voltaje entre la puerta y el pin
surtidor deben ser inferiores al voltaje umbral.
2.- Explique la importancia de la resistencia conectada en la base del MOSFET. ¿En que rango
debe estar la misma y por qué? .

Al mencionarse que el mosfet es disparado por voltaje, se podría decir que no necesita una
resistencia en la base que limite la corriente, pero esto no es así. Es necesario colocar una
resistencia en la base del mosfet con el objetivo de proteger el mosfet ya que este debido a
sus junturas forma una red RC en dónde no pueden existir cambios bruscos de voltaje. El valor
de la resistencia conectada a la base del semiconductor debe encontrarse entre 0 hasta 100
ohms.

3.- Diseñar y simular los circuitos de control PWM para frecuencias cercanas o iguales a
1[KHz], 10[KHz] y 30[Khz], además debe poder variar la relación de trabajo entre 0,1 < δ <
0,9.

Figura2. Circuito generador de pwm

( )

Para f=1khz

( )

Para f=10khz

( )
Para f=30khz

( )

Figura 3. PWM generada por el timer 555

4. Dimensionar todos los elementos y simular el circuito de la Figura 3 (potencia y control),

para un valor de voltaje de 40VDC y la resistencia de carga es un foco de 120V/100W. Tomar
en cuenta que el Vth de estos elementos es mayor de 5 V. Indicar las formas de onda de
voltaje de compuerta, Voltaje y corriente en los terminales Drain-Source del Mosfet y el
voltaje de la carga.

Figura 4. Circuito para el disparo de un mosfet

Calculamos la corriente que circulara por drain del mosfet.

El mosfet IRF630 es capaz de soportar hasta 9 Amperios y es por eso que se utilizará ese
mosfet para esta práctica.

Para la resistencia R1 del circuito de control

Para la resistencia conectada entre el emisor del optoacoplador y tierra del circuito de
potencia.

Para la resistencia conectada al gate del mosfet

VGS=10v
Formas de onda:

En la siguiente figura podemos observar:

Voltaje en el foco

Voltaje de la señal de control

Voltaje en la compuerta

Figura 5. Voltajes del circuito de disparo del mosfet.

En la siguiente figura se puede observar

Voltaje DRAIN

Voltaje GATE

Voltaje Source

Figura 6. Formas de onda de voltajes en los terminales del Mosfet

Formas de onda de las corrientes:

IDRAIN

ISOURCE

Figura 7 Formas de onda de corrientes en los terminales drain y source dele Mosfet.

5.-Considerar para el diseño el dimensionamiento de un diodo de conmutación rápida (Fast

Recovery) para trabajar con una carga inductiva que consuma igual potencia que la carga
resistiva.

Se utilizará en lugar del foco una carga RL con un diodo antiparalelo a dicha carga.

Figura 8. Disparo de un Mosfet con carga RL

Referencias

https://www.pspice.com/mosfet-library https://www.arrow.com/es-

Electrónica de Potencia, Alvarez Lucía.

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/17800/PHILIPS/IRF630.html