INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CIUDAD

JUAREZ

Sistemas Electronicos I UNIDAD

INGENIERÍA MECÁNICA

SISTEMAS ELECTRÓNICOS

UNIDAD I “DIODOS DE UNIÓN Y

TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR”
UNIDAD I “DIODOS DE UNION Y TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR”

Introducción a los elementos de electrónica básica

Unión P.N.

Curva característica (Tensión-Corriente).

Diodo ideal, diodo real y aplicaciones de los diodos.

Características y funcionamiento del transistor BJT.

Amplificación y conmutación con transistores BJT.

Características , funcionamiento y aplicación de Transistores de Efecto de Campo

(FET) y MOSFET.

Bibliografía.

1.1 INTRODUCCIÓN A LOS ELEMENTOS DE ELECTRÓNICA BÁSICA

A finales de la década de 1940, la electrónica no tenia mayor consideración que la de

ser una rama secundaria de la electricidad.
Aunque por aquel entonces ya existían aparatos que podrían tener al menos
exteriormente, cierto aspecto de "electrónicos", como receptores de radio, tocadiscos o
rudimentarias máquinas de calcular no dejaban de ser circuitos y piezas puramente
eléctricas unidas mediante cables.
Las investigaciones en busca de mejoras, tanto en las propiedades como, sobre todo,
en el tamaño de las válvulas, dieron origen a la aparición de unos
nuevos materiales llamados semiconductores, que a su vez provocaron la creación de
una nueva disciplina tecnológica denominada electrónica.
Sea como fuere, tanto en electricidad como en electrónica, el movimiento delos
electrones es el motivo fundamental del funcionamiento de sus circuitos; la única
diferencia es que la segunda utiliza componentes tales como las válvulas, los
semiconductores y los circuitos integrados, a los que genéricamente se denomina
elementos activos en oposición a los usados en electricidad
(resistencias, condensadores,bobinas etc.), llamados elementos pasivos
Gracias a tales elementos activos, la electrónica se constituye en
una ciencia cuyo objetivo primordial es ser una
perfecta herramienta para obtener, manejar y utilizar información.
Como ya hemos dicho, los componentes son elementos básicos con los que se
construyen circuitos, y desempeñan, por lo tanto, las funciones elementales de la
electrónica.
Cada circuito, ya sea eléctrico o electrónico ha de contener, por lo menos, un
componente pasivo que actué como conductor y que provoque la circulación de una
corriente eléctrica por dicho circuito.

RESISTENCIAS
Propiedad de un objeto o sustancia que hace que se resista u oponga al paso de
una corriente eléctrica. La resistencia de un circuito eléctrico determina según la
llamada ley de Ohm cuánta corriente fluye en el circuito cuando se le aplica un voltaje
determinado. La unidad de resistencia es el ohmio, que es la resistencia de un
conductor si es recorrido por una corriente de un amperio cuando se le aplica una
tensión de 1 voltio. La abreviatura habitual para la resistencia eléctrica es R, y el
símbolo del ohmio es la letra griega omega, Ω. En algunos cαlculos eléctricos se
emplea el inverso de la resistencia,1/R, que se denomina conductancia y
se representa por G. La unidad de conductancia es siemens, cuyo símbolo es S. Aún
puede encontrarse en ciertas obras la denominación antigua de esta unidad, mho.
CONDENSADOR
El condensador es uno de los componentes mas utilizados en los circuitos eléctricos.
Un condensador es un componente pasivo que presenta la cualidad de almacenar
energía eléctrica. Esta formado por dos laminas de material conductor (metal) que se
encuentran separados por un material dieléctrico (material aislante). En un
condensador simple, cualquiera sea su aspecto exterior, dispondrá de dos terminales,
los cuales a su vez están conectados a las dos laminas conductoras.
  
Condensador no polarizado Condensador variable

 REÓSTATOS

Son resistencias bobinadas variables dispuestas de tal forma que pueda variar

el valor de la resistencia del circuito en que esta instalada, como ya sabemos, son
capaces de aguantar mas corriente. . A las resistencias variables se le llaman
reóstatos o potenciómetros, con un brazo de contacto deslizante y ajustable, suelen
utilizarse para controlar el volumen de radios y televisiones.
 
TRANSFORMADOR

Dispositivo eléctrico que consta de una bobina de cable situada junto a una o varias
bobinas más, y que se utiliza para unir dos o más circuitos de corriente alterna (CA)
aprovechando el efecto de inducción entre las bobinas. La bobina conectada a la
fuente de energía se llama bobina primaria. Las demás bobinas reciben el nombre de
bobinas secundarias. Un transformador cuyo voltajesecundario sea superior al
primario se llama transformador elevador. Si el voltaje secundario es inferior al
primario este dispositivo recibe el nombre de transformador reductor. El producto de
intensidad de corriente por voltaje es constante en cada juego de bobinas, de forma
que en un transformador elevador el aumento de voltaje de la bobina secundaria viene
acompañado por la correspondiente disminución de corriente. La cantidad de
terminales varía según cuantos bobinados y tomas tenga. Como mínimo son tres para
los auto- transformadores y cuatro en adelante para los transformadores. No tienen
polaridad aunque si orientación magnética de los bobinados.

  

DIODO
Componente electrónico que permite el paso de la corriente en un solo sentido. Los
primeros dispositivos de este tipo fueron los diodos de tubo de vacío, que consistían
en un receptáculo de vidrio o de acero al vacío que contenía dos electrodos: un cátodo
y un ánodo. Ya que los electrones pueden fluir en un solo sentido, desde el cátodo
hacia el ánodo, el diodo de tubo de vacío se podía utilizar en la rectificación. Los
diodos más empleados en los circuitos electrónicos actuales son los diodos fabricados
con material semiconductor. El más sencillo, el diodo con punto de contacto de
germanio, se creó en los primeros días de la radio, cuando la señal radiofónica se
detectaba mediante un cristal de germanio y un cable fino terminado en punta y
apoyado sobre él. En los diodos de germanio (o de silicio) modernos, el cable y una
minúscula placa de cristal van montados dentro de unpequeño tubo de vidrio y
conectados a dos cables que se sueldan a los extremos del tubo.
  
Diodo rectificador Diodo emisor de luz (LED)

BOBINA

Las bobinas (también llamadas inductores) consisten en un hilo conductor enrollado.

Al pasar una corriente a través de la bobina, alrededor de la misma se crea un campo
magnético que tiende a oponerse a los cambios bruscos de la intensidad de la
corriente. Al igual que un condensador, una bobina puede utilizarse para diferenciar
entre señales rápida y lentamente cambiantes (altas y bajas frecuencias). Al utilizar
una bobina conjuntamente con un condensador, la tensión de la bobina alcanza un
valor máximo a una frecuencia específica que depende de la capacitancia y de la
inductancia. Este principio se emplea en los receptores de radio al seleccionar una
frecuencia específica mediante un condensador variable.
  
PILA (Acumulador, Batería)

Dispositivo que convierte la energía química en eléctrica. Todas las pilas consisten en

un electrolito (que puede ser líquido, sólido o en pasta), un electrodo positivo y un
electrodo negativo. El electrolito es un conductor iónico; uno de los electrodos produce
electrones y el otro electrodo los recibe. Al conectar los electrodos al circuito que hay
que alimentar, se produce una corriente eléctrica.
Las pilas en las que el producto químico no puede volver a su forma original una vez
que la energía química se ha transformado en energía eléctrica (es decir, cuando las
pilas se han descargado), se llaman pilas primarias ovoltaicas. Las pilas secundarias o
acumuladores son aquellas pilas reversibles en las que el producto químico que al
reaccionar en los electrodos produce energía eléctrica, puede ser reconstituido
pasando una corriente eléctrica a través de él en sentido opuesto a la operación
normal de la pila.
FUSIBLE

Dispositivo de seguridad utilizado para proteger un circuito eléctrico de un exceso de

corriente. Su componente esencial es, habitualmente, un hilo o una banda de metal
que se derrite a una determinada temperatura. El fusible está diseñado para que la
banda de metal pueda colocarse fácilmente en el circuito eléctrico. Si la corriente del
circuito excede un valor predeterminado, el metal fusible se derrite y se rompe o abre
el circuito. Los dispositivos utilizados para detonar explosivos también se llaman
fusibles.
Un fusible cilíndrico está formado por una banda de metal fusible encerrada en un
cilindro de cerámica o de fibra. Unos bornes de metal ajustados a los extremos del
fusible hacen contacto con la banda de metal. Este tipo de fusible se coloca en un
circuito eléctrico de modo que la corriente fluya a través de la banda metálica para que
el circuito se complete. Si se da un exceso de corriente en el circuito, la conexión de
metal se calienta hasta su punto de fusión y se rompe. Esto abre el circuito, detiene el
paso de la corriente y, de ese modo, protege al circuito.

  

TRANSISTORES
Los transistores se componen de semiconductores. Se trata de materiales, como
elsilicio o el germanio, dopados (es decir, se les han incrustado pequeñas cantidades
de materias extrañas), de manera que se produce un exceso o una carencia de
electrones libres. En el primer caso, se dice que el semiconductor es del tipo n, y en el
segundo, que es del tipo p. Combinando materiales del tipo n y del tipo p se puede
producir un diodo. Cuando éste se conecta a una batería de manera tal que el material
tipo p es positivo y el material tipo n es negativo, los electrones son repelidos desde el
terminal negativo de la batería y pasan, sin ningún obstáculo, a la región p, que carece
de electrones. Con la batería invertida, los electrones que llegan al material p pueden
pasar sólo con muchas dificultades hacia el material n, que ya está lleno de electrones
libres, en cuyo caso la corriente es prácticamente cero

1.2 UNION P.N.

Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el silicio

con impurezas en él para crear una región que contiene portadores de carga negativos
(electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que
contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las
terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos
regiones, llamado una unión PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El
cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado cátodo), pero no en la
dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al
cátodo (opuesto al flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).
Al establecerse una corriente de difusión, estas corrientes aparecen cargas fijas en
una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe el nombre de región de
agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión.
Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en
la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la
zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente
deelectrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso
del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.

Polarización directa de un diodo

Polarización directa del diodo pn.
En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de
la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones
podemos observar que:
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de cargaespacial, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en
electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo
de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde
el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica
constante hasta el final.

Polarización inversa de un diodo

Polarización inversa del diodo pn.

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a
la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a
continuación:
El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen
del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a
la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el
orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de
valencia,ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona
p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen
solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco.
El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p,
caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8
electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose
así en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al
efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a
ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA)
denominada corriente inversa de saturación. Además, existe también una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica,
conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los
átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro
enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de
la superficie del diodo, tanto de la zona n como de lap, tengan huecos en su orbital de
valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante,
al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fuga es
despreciable.
1.4 Diodo ideal, diodo real y aplicaciones de los diodos.

DIODO IDEAL
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre
sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido
contrario.

DIODO REAL

El funcionamiento del diodo ideal se aproxima al de un dispositivo electrónico llamado

diodo real que está fabricado con un material semiconductor como silicio, germanio,
arseniuro de galio u otros.

APLICACIONES DE LOS DIODOS.

Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto físico, impurezas, uso
de electrodos, que tienen características eléctricas particulares usados para una
aplicación especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado
por principios de la mecánica cuántica y teoría de bandas.
Los diodos normales, los cuales operan como se describía más arriba, se
hacengeneralmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de estos diodos
rectificadores de silicio, se usaba el óxido cuproso y el selenio: su baja eficiencia le dio
una caída de tensión muy alta (desde 1,4 a 1,7V) y requerían de una gran disipación
de calor mucho más grande que un diodo de silicio. La gran mayoría de los diodos pn
se encuentran en circuitos integrados CMOS, que incluyen dos diodos por pin y
muchos otros diodos internos.
Diodo avalancha: Diodos que conducen en dirección contraria cuando el voltaje en
inverso supera el voltaje de ruptura. Electricámente son similares a los diodos Zener,
pero funciona bajo otro fenómeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo
eléctrico inverso que atraviesa la unión p-n produce una onda de ionización, similar a
una avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha están diseñados
para operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya. La diferencia entre el
diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente 6.2V) y el
diodo zener es que el ancho del canal del primero excede la "libre asociación" de los
electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. La única
diferencia práctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de polaridades
opuestas.
Diodo de Silicio: Suelen tener un tamaño milimétrico y, alineados, constituyen
detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos
sensibles que los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con huecos) en
contacto con unsemiconductor de tipo n (electrones). La radiación comunica la energía
para liberar los electrones que se desplazan hacia los huecos, estableciendo una
corriente eléctrica proporcional a la potencia radiante.
Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un cable
de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor, generalmente galena o de
una parte de carbón. El cable forma el ánodo y el cristal forma el cátodo. Los diodos
de cristal tienen una gran aplicación en los radio a galena. Los diodos de cristal están
obsoletos, pero puede conseguirse todavía de algunos fabricantes.
Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a
la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales análogo al diodo
Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una corriente a través de ellos para alcanzar
un valor adecuado y así estabilizarse en un valor específico. También suele llamarse
CLDs (por sus siglas en inglés) o diodo regulador de corriente.
Diodo túnel o Esaki: Tienen una región de operación que produce una resistencia
negativa debido al efecto túnel, permitiendo amplificar señales y circuitos muy simples
que poseen dos estados. Debido a la alta concentración de carga, los diodos túnel son
muy rápidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos magnéticos de gran
magnitud y en entornos con radiación alta. Por estas propiedades, suelen usarse en
viajes espaciales.
Diodo Gunn: Similar al diodo túnel son construidos de materiales como GaAs o InP
que produce unaresistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de
dominio del dipolo y propagación a través del diodo, permitiendo osciladores de ondas
microondas de alta frecuencia.
Diodo emisor de luz: En un diodo formado de un semiconductor con huecos en su
banda de energía, tal como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la
unión emiten fotonescuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro
lado. Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden producir varía
desde el infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta. El potencial que
admiten estos diodos dependen de la longitud de onda que ellos emiten: 2.1V
corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros ledes fueron rojos y amarillos. Los
ledes blancos son en realidad combinaciones de tres ledes de diferente color o un led
azul revestido con un centelleador amarillo. Los ledes también pueden usarse como
fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones de señales. Un led puede usarse con un
fotodiodo o fototransistor para formar un optoacoplador.
Diodo láser: Cuando la estructura de un led se introduce en una cavidad resonante
formada al pulir las caras de los extremos, se puede formar un láser. Los diodos láser
se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento ópticos y para la
comunicación óptica de alta velocidad.
Diodo térmico: Este término también se usa para los diodos convencionales usados
para monitorear la temperatura a la variación de voltaje con la temperatura, y para
refrigeradores termoeléctricos parala refrigeración termoeléctrica. Los refrigeradores
termoeléctricos se hacen de semiconductores, aunque ellos no tienen ninguna unión
de rectificación, aprovechan el comportamiento distinto de portadores de carga de los
semiconductores tipo P y N para transportar el calor.
Fotodiodos: Todos los semiconductores están sujetos a portadores de carga ópticos.
Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos de los semiconductores
están empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen
la función de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que están empacados en
materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo más
sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse en celdas solares, en fotometría o
en comunicación óptica. Varios fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo como
un arreglo lineal o como un arreglo de dos dimensiones. Estos arreglos no deben
confundirse con los dispositivos de carga acoplada.
Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de
unión mencionados anteriormente aunque su construcción es más simple. Se fabrica
una sección de semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta aguda con un
metal del grupo 3 de manera que haga contacto con el semiconductor. Algo del metal
migra hacia el semiconductor para hacer una pequeña región de tipo p cerca del
contacto. El muy usado 1N34 (de fabricación alemana) aún se usa en receptores de
radio como un detector y ocasionalmente en dispositivos analógicos especializados.
Diodo PIN: Undiodo PIN tiene una sección central sin doparse o en otras palabras una
capa intrínseca formando una estructura p-intrinseca-n. Son usados como
interruptores de alta frecuencia y atenuadores. También son usados como detectores
de radiación ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Los diodos PIN
también se usan en la electrónica de potenciay su capa central puede soportar altos
voltajes. Además, la estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos
semiconductores de potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de potencia ytiristores.
Diodo Schottky: El diodo Schottky están construidos de un metal a un contacto de
semiconductor. Tiene una tensión de ruptura mucho menor que los diodos pn. Su
tensión de ruptura en corrientes de 1mA está en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los
hace útiles en aplicaciones de fijación y prevención de saturación en un transistor.
También se pueden usar como rectificadores con bajas pérdidas aunque su corriente
de fuga es mucho más alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky son portadores
de carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de almacenamiento de los
portadores de carga minoritarios que ralentizan la mayoría de los demás diodos (por lo
que este tipo de diodos tiene una recuperación inversa más rápida que los diodos de
unión pn. Tienden a tener una capacitancia de unión mucho más baja que los diodos
pn que funcionan como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta velocidad
como fuentes conmutadas, mezclador de frecuencias y detectores.
Stabistor: El stabistor (tambiénllamado Diodo de Referencia en Directa) es un tipo
especial de diodo de silicio cuyas características de tensión en directa son
extremadamente estables. Estos dispositivos están diseñados especialmente para
aplicaciones de estabilización en bajas tensiones donde se requiera mantener la
tensión muy estable dentro de un amplio rango de corriente y temperatura.
1.5 Características y funcionamiento del transistor “BJT”

CARACTERISTICAS TRANSISTOR BJT

El desarrollo de los dispositivos de estado sólido como diodos y transistores potenció

los alcances de la actual electrónica al resolver los inconvenientes de las válvulas y
tubos de vacios, sus predecesores. Estos últimos resultaban inconvenientes en
muchas aplicaciones debido a su alto consumo de energía, consumo de espacio y la
poca confiabilidad de su estabilidad y duración. Los transistores, desarrollados por
Scockley, Bardeen y Brattain en el año de 1947 resolvieron todas estas limitantes
dando un gran paso al desarrollo de los circuitos integrados.

Los transistores son dispositivos semiconductores de tres terminales que pueden

usarse en aplicaciones como amplificadores o interruptores. El principio básico de
funcionamiento es el uso de voltaje entre dos terminales para poder obtener una
fuente controlada en la terminal restante cuando se usa como amplificador. Cuando se
usa como interruptor se tiene una señal de control que puede emplearse para cambiar
la corriente en la otra terminal desde un valor casi nulo hasta uno considerablemente
grande, siendo estecomportamiento la base del inversor lógico, elemento básico de la
electrónica digital.

Existen dos tipos de dispositivos: el transistor de efecto de campo y el transistor de

unión bipolar BJT. En este tema se introducen las principales características básicas
del transistor bipolar(BJT) y se estudian los modelos básicos de estos dispositivos

MARCO TEÓRICO

El transistor de unión bipolar es uno de los dispositivos que son fruto de la tecnología
en semiconductores (basada en uniones PN y dopaje) y es uno de los tipos de
transistores mas usados en la actualidad. Un transistor posee tres terminales (base,
colector y emisor) las cuales se muestran en la ilustración de la representación
esquemática de un transistor PNP y NPN respectivamente.

Un transistor BJT puede eventualmente trabajar en tres regiones, las cuales son:
Region activa, region de saturación y región de ruptura; Cuando un transistor BJT
trabaja en región activa, quiere decir que está trabajando como amplificador de una
señal (Corriente o voltaje), esta región de funcionamiento se caracteriza porque la
corriente de base es muy pequeña en comparación a la de colector y emisor (que son
parecidas), y porque el voltaje colector base no puede exceder los 0.4 o -0.4V
(dependiendo si es PNP o NPN). Mientras que la región de corte indica que el
transistor prácticamente esta apagado, es decir Ib = Ic = Ie =0A. Por último, un
transistor de unión bipolar está saturado cuando Ic=Ie=Imax; En este caso la magnitud
de la corriente depende de la tensión de alimentación delcircuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos.

En particular para un transistor que funcione como amplificador de una señal

-Trabajando en modo activo-, hay ciertas ecuaciones que modelan su funcionamiento:
IC= βiB , Ic= αIE, α =β/(β+1). Ellas confirman lo dicho anteriormente, puesto que β en
magnitud es relativamente grande y α un valor cercano a la unidad. Podemos analizar
que sucede si introducimos a la entrada una señal AC, para ello se introduce un
parámetro esencial que se denomina transconductancia (gm) - La cual en esencia es
la pendiente de una aproximación lineal del comportamiento exponencial del
transistor-.

TRANSISTOR BJT
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado,
así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que
conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no
debemos soprepasar para no destruir el dispositivo. El parametro de la potencia
disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que
esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces
necesario la instalacion de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores
críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos
dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polímetro: Este
dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el
PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio
apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP.

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:

1. ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en esta zona, y se comporta como
una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de
corriente).Este parámetro lo suele proporcionar el fabricante dandonos un máximo y
un mínimo para una corriente de colector dada (Ic); además de esto, suele presentar
una variación acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en
principio no podemos conocer su valor. Algunos polímetros son capaces de medir este
parámetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicación, ya que
el polímetro mide este parámetro para un valor de corriente de colector distinta a la
que circulará por el BJT una vez en el circuito.
2. SATURACIÓN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de
conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un
cortocircuito entre el colector y el emisor.

3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia,

circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan
practicamente nulas (y en especial Ic).
4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de interés.

1.6 Aplicación y conmutación de transistores “BJT”

Aplicar los transistores no se limita únicamente a la amplificación de señales. A

travésde un diseño adecuado pueden utilizarse como un interruptor para computadora
y para aplicaciones de control. Puede emplearse como un inversor en los circuitos
lógicos de las computadoras.

1.7 Características, funcionamiento y aplicación de transistores de efecto de campo

(FET) y MOSFET.

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingles) es en realidad

una familia de transistores que se basan en el campo electrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los
FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoria de los FET estan hechos usando las tecnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como
la region activa o canal. La region activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores
de pelicula fina) es una pelicula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio,
puesto que la principal aplicacion de los TFT es como pantallas de cristal liquido o
LCD).
Los transistores de efecto de campo o FET mas conocidos son los JFET (Junction
Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-
Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source).
La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de
campo se comporta como un interruptor controlado por tension, donde el voltaje
aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los
MOSFET, la puerta no absorbe corriente enabsoluto, frente a los BJT, donde la
corriente que atraviesa la base, pese a ser pequena en comparación con la que circula
por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, ademas,
presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta
para el analisis y diseño de circuitos.
Asi como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo
o FET son tambien de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacion de
una tension positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccion o no
conduccion, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados
extensisimamente en electronica digital, y son el componente fundamental de los
circuitos integrados o chips digitales.

Tipo de transistores de efecto campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo
P.
El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso
de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs
en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambien son distinguidos
por el metodo de aislamiento entre el canal y la puerta.

Podemos clasificar los transistores de efecto campo segun el metodo de aislamiento

entre el canal y la puerta:

• El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante

(normalmente SiO2).

• El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una union p-n

• El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)substituye la union PN del

JFET con una barrera Schottky.

• En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambien denominado HFET

(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante
entre la puerta y el cuerpo del transistor.

• Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)

• Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de

potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente esta
entre los 200 a 3000V. Aun asi los Power MOSFET todavia son los dispositivos mas
utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.

• Los FREDFET es un FET especializado disenado para otorgar una recuperacion ultra
rapida del transistor.

• Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actua como biosensor, usando
una puerta fabricada de moleculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de
ADN iguales . La caracteristica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del
silicio amorfo o del silicio policristalino.
Bibliografía.

http://html.rincondelvago.com/diodos-y-transistores.html

http://pendientedemigracion.ucm.es/info/electron/laboratorio/componentes/codigos/pag
06-03.htm

www.itlp.edu.mx\publica\tutoriales\electronica\index.

http://www.monografias.com/trabajos16/componentes-electronicos

http://html.rincondelvago.com/transistores_1.html

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo#Diodos_termoi.C3.B3nicos_y_de_estado_gaseoso