FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

Carrera de Ingeniería Electrónica y Automatización

Carrera de Ingeniería Eléctrica

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PRÁCTICA N°2
1. TEMA
CARACTERIZACIÓN DE DIODOS DE POTENCIA

2. OBJETIVOS
2.1. Comprender el comportamiento dinámico y estático de los diodos.

3. MARCO TEÓRICO
El diodo es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente en forma
unidireccional a través de sus terminales. Las terminales son denominadas ánodo y cátodo,
como se observa la Figura 1, la corriente circula desde ánodo hasta cátodo siempre y
cuando se haya superado el valor de voltaje umbral del diodo.

Figura 1. Símbolo de un diodo.

Caracterización Estática

A partir de un cierto valor de voltaje, el diodo entra en polarización directa. Este valor de
voltaje depende de cada diodo, pero si se toma uno de los diodos más usados como el
diodo rectificador, este valor es aproximadamente VF = 0.7V (voltaje umbral). A partir de
aquel momento circulará la corriente a través del dispositivo porque el diodo se comporta
como interruptor cerrado. En la práctica, el valor del voltaje umbral dependerá mucho del
valor de la corriente que circule a través del diodo.

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Cuando el diodo es polarizado inversamente, su modelo equivalente es el de un interruptor

abierto, por lo que no circulará corriente a través de él. Sin embargo, a un determinado valor
de voltaje indicado por el fabricante, el diodo ingresa a la región de ruptura donde hay
circulación de corriente desde cátodo a ánodo. La disipación de potencia incrementa, y el
diodo llega a destruirse si se supera el voltaje indicado por el fabricante.

Caracterización Dinámica
Cuando el diodo se encuentra funcionando en el instante de cambio de polarización directa
a inversa, la transición no se realiza de forma inmediata. Una vez que se ha establecido el
cambio de polarización en el diodo, existen una cantidad de portadores que no pueden
regresar de forma inmediata a la región desértica pese a que la corriente de la carga
disminuyó a un valor de cero. Esto genera una circulación de corriente a través del diodo
por un corto instante de tiempo en sentido inverso.

4. TRABAJO PREPARATORIO
4.1. Consultar los siguientes términos característicos de los diodos con su significado y
descripción:
• VRRM – Peak Repetitive Reverse Voltage
• IF(AV) – Average Rectified Forward Current
• VF – Forward Voltage
• IRR – Full Load Reverse Current
4.2. Consultar en las hojas de datos del fabricante las características principales
incluyendo el tiempo de encendido y tiempo de apagado para los siguientes diodos:
propósitos generales, de recuperación rápida, diodo Schottky y diodo de SiC. Hacer
un cuadro comparativo.
4.3. Buscar en PSpice la numeración de diodos de propósitos generales, de recuperación
rápida, y diodo Schottky, los mismos que serán utilizados en la simulación. Presentar
las numeraciones de los diodos.
4.4. Indicar en un esquema las zonas de polarización directa e inversa de un diodo. Tener
en cuenta y describir los conceptos de voltaje umbral y voltaje de ruptura.
4.5. Presentar las evidencias de la simulación de los circuitos solicitados en el numeral 6.

5. EQUIPO Y MATERIALES
- Computador equipado con paquete de simulación PSPICE.

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- Multímetro
- Osciloscopio
- Fuente

6. PROCEDIMIENTO
6.1. Simular el circuito de la Figura 2 para determinar la característica estática del diodo
1N4001. V1= 12V y la resistencia del circuito de 100Ω. De la característica estática
I-V obtenida en la simulación indique el valor del voltaje de ruptura reverso y el valor
del voltaje umbral.
NOTA: Para obtener esta característica, en Simulation Settings escoger el Analysis
Type correspondiente (Investigue).
Para dibujar esta característica utilice la función Plot y Axis setting. (Investigue).
Utilice un diodo de propósitos generales 1N4001 y luego repita el numeral 6.1 con
diodo rápido o diodo schottky (En lo posible un diodo que exista en las tiendas
electrónicas).

Figura 2. Circuito para determinar la característica estática del diodo.

6.2 Armar el circuito de la Figura 3 para obtener la corriente y el tiempo de recuperación

reversa. Utilizar una onda cuadrada con amplitud de +6 y -6 V. Verificar y tomar valores
del tiempo de recuperación reversa y la corriente de recuperación reversa (Irr) para
frecuencias de 60 Hz y 1 KHz. (Armar el circuito con R1=2.2K Ω, 5W y diodo 1N4001)

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Figura 3. Circuito para obtener corriente de recuperación reversa

6.3 Repetir el numeral 6.2 con un diodo rápido o diodo schottky o un diodo de SiC (ver las
características del diodo en la hoja de datos.

7 INFORME
7.2 Presentar los circuitos y las formas de onda obtenidas en el numeral 6.1 de la práctica
Realizar los comentarios respectivos de cada gráfica.
7.3 Presentar las formas de onda y luego hacer un cuadro comparativo de los valores
obtenidos de la corriente de recuperación reversa y tiempo de recuperación reversa
para los distintos casos analizados en los numerales 6.2 y 6.3. Comentar los resultados.
7.4 Consulte y presente las características principales de un diodo con tecnología SiC.
7.5 Conclusiones y recomendaciones.
7.6 Referencias.

8 REFERENCIAS
8.1. D. Hart, Power Electronics, Mc Graw Hill, 2011
8.2. Floyd, T. L. (2008). Dispositivos electrónicos (No. Sirsi) i9789702611936.
8.3 Analog Design and Simulation using Orcad Capture and PSpice. Manual de Usuario.
2012.

Elaborado por: Ing. Pablo Rivera, PhD.

Revisado por: Ing. Jorge Medina, MSc.

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