Apuntes Electrónica I

Tema :
Semiconductores de unión

1.1.- Introducción
Inicios de la electrónica
Lámpara de Tomas Alba Edison. Principalmente utilizado en transmisión de señales de audio
(transmisor - receptor)
Diodos (placa, cátodo, filamento)
Triodos (placa, cátodo, filamento, grilla)
Tetrodos (placa, cátodo, filamento, 2 grilla)
Pentodos (placa, cátodo, filamento, 3 grilla)

Luego se descubre las propiedades eléctricas de los semiconductores (desarrollo rápido)

Familia de diodos: Rectificador, LED, Zener, ……

Familia de transistores: BJT (NPN y PNP)

FET: JFET (canal N y canal P), MOSFET (canal N y canal P)
IGBT

Familia de thiristores: SCR, TRIAC, GTO, UJT, PUT, DIAC, …..

Familia de Circuitos integrados:

Analógicos: Amplificadores Operacionales

C.I. Digitales:

TTL, CMOS
Memorias digitales: ROM, RAM, ….
Microprocesadores (aplicación principalmente en ordenadores)
Microcontroladores
DSPs DSPIC
FPGA

Electrónica modular: Arduino, Raspherry

Semiconductores
1.1.2.- Estructura atómica de los materiales
Átomo: núcleo, protones y neutrones
Varias capas con Electrones. En la última capa están los electrones de valencia

Material conductor: conductividad grande – resistividad pequeña

Material semiconductor: conductividad intermedia – resistividad intermedia

Material aislante: conductividad nula – resistividad elevada

1.1.3.- Semiconductores
Enlace covalente en un semiconductor

1
 Apuntes Electrónica I

Si Si Si Si

Si

Si Si Si Si

Si Si Si
Si Si Si Si

Si Si Si Si
Si

Conducción intrínseca: Corriente de electrones y corriente de lagunas

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

2
 Apuntes Electrónica I

La conducción (intrínseca) en un cristal de silicio se debe a dos causas

1) a los electrones (libres)
2) a las lagunas
Conducción intrínseca (debido a una agitación térmica)

1.1.4.- Materiales semiconductores con impurezas (drogados)

Si
Electron libre

Si As Si

Si

Material tipo N

Material tipo N: En los semiconductores de tipo N los drogantes se llaman Donadores (Arsénico,
fósforo, antimonio)

Si
Laguna

Si Al Si

Si

Material tipo P
Material tipo P: En los semiconductores de tipo P los drogantes son llamados Aceptores (indio,
galio, aluminio)

3
 Apuntes Electrónica I

La concentración del drogante es pequeñísima, del orden de una parte por millón

El número de átomos de impurezas donadora es mucho mayor que el número de electrones libres
propios del semiconductor
El número total de electrones libres es aproximadamente igual al número de átomos de impureza

El número de átomos de impureza aceptora, es mucho mayor que el número de lagunas propios
del semiconductor (par electrón laguna)
El número total de lagunas es aproximadamente igual al número de átomos de impureza

En un semiconductor drogado están presentes dos tipos de cargas móviles

- Cargas minoritarias. Son las parejas electrón laguna propia del semiconductor puro, cuya
concentración es fuertemente creciente con la temperatura
- Cargas mayoritarias. Debidas al drogante, todas del mismo signo, independientemente de la
temperatura, por que están libres a temperatura ambiente
- Conducción intrínseca. Debido a las cargas minoritarias
- Conducción extrínseca. Debido prevalentemente a las cargas mayoritarias

1.1.5.- Corriente de difusión y corriente de drift

La corriente de difusión, se debe a la diferencia de concentración (electrones)

La velocidad de la corriente de difusión es aproximadamente igual a la velocidad de la luz

+ -

La corriente de drift, se debe a la existencia de un campo eléctrico en el interior de un

semiconductor

1.2 Unión P-N

1.2.1- Semiconductores a unión. Unión P - N

4
 Apuntes Electrónica I

L
N P

Zona de recombinación
ZA
Depletion Layer
Zona de vacio

Potencial de contacto UO=0.6 – 0.7 [V] en diodos de Si, UO=0.3 [V] en diodos de Ge
Ancho del depletion layer

1.2.2.- Polarización de una unión P – N.

Polarizar una union P-N significa aplicar a los terminales metálicos una tensión de tal forma que el
potencial de contacto (UO) tiende a anularse o a crecer, dependiendo de la polaridad de la tensión
aplicada
1.2.3.- Unión P-N polarizada inversamente

Zona de agotamiento

I=0

- +
UCC

IA

Zona de agotamiento
BV UZ
UAK
IO Drift
Corriente inversa

I=0

- +
UCC

Corriente inversa: Es del orden de los uA para el germanio y de los nA para el silicio

Tensión de rotura

5
 Apuntes Electrónica I

Si la tensión U que polariza inversamente la unión P-N toma valores demasiado elevados, se
presenta la llamada rotura (breakdown) entones la corriente inversa crece rápidamente y depende
fuertemente de la temperatura, creciendo de manera exponencial

Efecto zener
Se debe a la tensión de ruptura tensiones de breakdown inferiores a algunas decenas de volts.

Es debido al aumento de cargas minoritarias, debido a la rotura de nuevos enlaces covalentes por
la diferencia de potencial (campo eléctrico, particularmente intenso)

Efecto avalancha (avalanche effect)

Cuando la tensión de rotura es de algunas decenas de voltios
Debido al aumento del campo eléctrico intenso, las cargas que atraviesan la unión, la corriente de
drift aumenta en velocidad. En el choque contra los átomos del semiconductor, la elevada energía
cinética cedida es suficiente para romper nuevos enlaces covalentes determinando una
multiplicación en avalancha de las cargas disponibles para la conducción

El breakdown puede suceder para tensiones muy diversas, según el drogado: de pocos voltios a
miles de voltios. El fenómeno se viene usando en los diodos zener con el fin de obtener una
tensión casi constante al variar la corriente. En estos dispositivos la tensión de rotura puede variar
de 2 a 200[V]

1.3.3.- Unión P-N polarizada directamente

Zona de agotamiento

I=0

+U -
CC

IA

Zona de agotamiento

UAK
0 IS
UZγ
+U -
CC

En germanio (Ge) Uγ=0.3 [V] En silicio (Si) Uγ=0.6 [V]

Máxima tensión directa: el fabricante proporciona

6
 Apuntes Electrónica I

1.3 Diodo

1.3.1.- Diodos a unión

P N

P N

Anodo Katodo Anodo Katodo

UAK Katodo
Anodo Katodo 1N914

IA

1.3.2 Características del diodo

1.3.2.1.- Curva característica

IA

BV UZ
UAK
IO
UZγ

𝑈𝐴𝐾
⁄𝑛𝑈
𝐼𝐴 = 𝐼𝑂 (𝑒 𝑇 − 1)
Ecuación de Shockley

Io = corriente inversa (Drift)

UAK = Tensión que se aplica ente ánodo y cátodo
N Ctte. de difusión Ge n=1 Si n=2
UT=25 (mV) a 25ºC

1.3.2.2.- Resistencia estática

7
 Apuntes Electrónica I

𝑈𝐴𝐾𝑄
𝑅𝑆 =
𝐼𝐴𝑄

1.3.2.3.- Resistencia dinámica

Uγ rD
A K
+ -
IA

IA

BV UZ
ΔI
UAK
IO
ΔU
UZγ

𝛥𝑈
𝑅= [1.1]
𝛥𝐼

𝑑𝑈
𝑟= [1.2]
𝑑𝐼
resistencia dinámica

𝑈𝐴𝐾
⁄𝑈
𝐼𝐴 = 𝐼𝑂 (𝑒 𝑇 − 1) (1.3)

𝑑𝐼𝐴 𝑈𝐴𝐾
⁄𝑈 1
= 𝐼𝑂 𝑒 𝑇 (1.4)
𝑑𝑈𝐴𝐾 𝑈𝑇

De ec. 1.2
𝑑𝑈𝐴𝐾 𝑈𝑇
𝑟= = 𝑈𝐴𝐾 (1.5)
𝑑𝐼𝐴 ⁄𝑈
𝐼𝑂 𝑒 𝑇

De ec. 1.3
𝑈𝐴𝐾
𝐼𝐴 = 𝐼𝑂 𝑒
⁄𝑈
𝑇 − 𝐼𝑂 (1.6)

𝑈𝐴𝐾
𝐼𝐴 + 𝐼𝑂 = 𝐼𝑂 𝑒
⁄𝑈
𝑇 (1.7)

8
 Apuntes Electrónica I

luego reemplazando 1.7 en 1.5 se tiene

𝑑𝑈𝐴𝐾 𝑈𝑇
𝑟= = (1.8)
𝑑𝐼𝐴 𝐼𝐴 + 𝐼𝑂

1.5.- Polarización de diodos

Polarizar es aplicar una diferencia de potencial a los pines del diodo

Polarización inversa
Polarización directa

1.5.1.- Polarización inversa

A K

UAK
R

IA = 0

- +
UCC
𝑈𝐴𝐾 = −𝑈𝐶𝐶

1.5.2.- Polarización directa

A K

UAK
R
IA

+ -
UCC

𝑈𝐶𝐶 = 𝑅 ∗ 𝐼𝐴 + 𝑈𝐴𝐾
𝑈𝐶𝐶 − 𝑈𝐴𝐾
𝑅=
𝐼𝐴

1.5.3.- Recta de carga

IA
IA=UCC /R

IAQ Q(UAKQ , IAQ)

UAK
UCC=UAK
UAKQ

Q punto de trabajo

9
 Apuntes Electrónica I

De 1
𝑈𝐶𝐶 𝑈𝐴𝐾
𝐼𝐴 = −
𝑅 𝑅
𝑈𝐶𝐶
Si UAK = 0 entonces 𝐼𝐴 =
𝑅

Si IAK = 0 entonces 𝑈𝐴𝐾 = 𝑈𝐶𝐶

𝑈𝐶𝐶 𝑈𝐴𝐾
𝐼𝐴 = −
{ 𝑅 𝑅
𝑈𝐴𝐾
⁄𝑈
𝐼𝐴 = 𝐼𝑂 (𝑒 𝑇 − 1)

1.6.- Tipos de diodos (Diodos a unión)

- Diodos rectificadores
- Diodos LED
- Diodos zener
- Diodos schottky
- Diodo tunel
- Diodo varistor
1.6.1.- Diodos rectificadores
Silicio ≈ 0.5 – 0.7 [V]
Germanio 0.2 – 0.4 [V]
Diodos de potencia

1.6.2.- Diodos LED

Diodo LED

A K

UAK
IA
Aplicación: principalmente como señalizadores visuales
Colores: Rojo, amarillo, naranja, azul, luz blanca, etc.
𝑈𝐴𝐾 ≅ 2[𝑉] en diodos led normales
𝑈𝐴𝐾 ≅ 3[𝑉] en diodos azul, luz blanca, diodos de alto brillo

𝐼𝐴𝐾 ≅ 1.5[𝑚𝐴] 𝑎 500[𝑚𝐴] pero sujeto a verificación con hoja técnica

Son rápidos en respuesta, del orden de nseg, useg, pseg
Tiempo de vida, aproximadamente 100000 hrs

Clasificación de los diodos LED

Por la forma física

Redondo
Rectangular
Punta de flecha

10
 Apuntes Electrónica I

Por el ángulo de emisión de luz

Emisión puntiforme
Emisión difusa

Por la emisión de luz

Normales
De alto brillo

Por la estructura interna

Led simple
Led doble (bicolor)
Led triple (RGB)

Por el tamaño del Led

Led miniatura (3mm)
Led mediano (5mm)
Led grande (10mm)

Polarización del diodo Led

Polarizacion inversa

D1 D2

Ucc + IA
- R

11
 Apuntes Electrónica I

D2

Ucc +
- D1 R

Polarización directa
D

+ IA
Ucc - RL

𝑈𝐶𝐶 = 𝑈𝐴𝐾𝐿𝐸𝐷 + 𝑅 ∗ 𝐼𝐴
𝑈𝐶𝐶 𝑈𝐴𝐾
𝐼𝐴 = −
𝑅 𝑅

𝑈𝐶𝐶 − 𝑈𝐴𝐾
𝑅=
𝐼𝐴

Display de siete segmentos

a
f b
g

e c

Ánodo común

a b c d e f g punto

Catado común

a b c d e f g punto

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 Apuntes Electrónica I

sw
ICC

a b c d e f g
UCC
R1 R1 R1 R1 R1 R1 R1

swa swb swc swd swe swf swg

sw

ICC
swa swb swc swd swe swf swg
R1 R1 R1 R1 R1 R1 R1
UCC
a b c d e f g

Diodos matriciales ó display matricial

C1 C2 C3 C4 C5
L1

L2

L3

L4

L5

L6

L7

L8

1.6.3.- Diodo zener

13
 Apuntes Electrónica I

Análisis de circuitos con diodo zener

14
 Apuntes Electrónica I

Ejm. Determinar los voltajes, corrientes y potencias en el circuito

𝑈𝑂1 = 𝑈𝐴𝐾 + 𝑈𝑍2 = 0.7[𝑉] + 3.3[𝑉] = 4[𝑉]

𝑈𝑂2 = 𝑈𝑂1 + 𝑈𝑍1 = 4[𝑉] + 6[𝑉] = 10[𝑉]

𝑈𝑅 = 40[𝑉] − 𝑈𝐿𝐸𝐷 − 𝑈𝑂2 = 40[𝑉] − 3[𝑉] − 10[𝑉] = 27[𝑉]

𝑈𝑅 27[𝑉]
𝐼𝑅 = = = 20.769[𝑚𝐴]
𝑅 1300[Ω]
𝑃𝐶𝐶 = 𝑈𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝐶 = 40[𝑉] ∗ 20.769[𝑚𝐴] = 830.76[𝑚𝑊]
𝑃𝐿𝐸𝐷 = 𝑈𝐿𝐸𝐷 ∗ 𝐼𝑅 = 3[𝑉] ∗ 20.769[𝑚𝐴] = 62.307[𝑚𝑊]
𝑃𝑍1 = 𝑈𝑍1 ∗ 𝐼𝑅 = 6[𝑉] ∗ 20.769[𝑚𝐴] = 124.614[𝑚𝑊]

Ejm.

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 Apuntes Electrónica I

1.7 Modelado de diodos

Cuando se trabaja con señales pequeñas

Simplificar el análisis de circuitos con diodos
Con señales grandes UAK y rD (resistencia dinámica) se pueden despreciar

Modelo del diodo ideal

Modelo de tensión de codo
Modelo de tensión de codo y resistencia

Modelo del diodo ideal

Para este modelo se considera lo siguiente:
En polarización directa
UAK=0 rD=0
Luego el diodo se comporta como circuito cerrado

UAK =0
A K
IA

En polarización inversa
IA=0
Luego el diodo se comporta como circuito abierto

16
 Apuntes Electrónica I

A K
IA =0
La curva de trabajo seria lo siguiente

IA

Cerrado

UAK
Abierto

Modelo de tensión de codo

Para este modelo se considera lo siguiente:
En polarización directa
UAK≠0 rD=0
UAK= 0.6 → 0.7[V] en diodos de silicio
Luego el diodo se comporta de la siguiente manera

UAK
A K
+ -
IA

En polarización inversa
IA=0
Luego el diodo se comporta como circuito abierto
A K
IA =0
La curva de trabajo seria lo siguiente

IA

Cerrado

UAK
Abierto 0.6[V]

Modelo de tensión de codo y resistencia

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 Apuntes Electrónica I

Para este modelo se considera lo siguiente:

En polarización directa
UAK≠0 rD≠0
UAK= 0.6 → 0.7[V] en diodos de silicio
Luego el diodo se comporta de la siguiente manera

UAK=0 rD
A K
+ -
IA

En polarización inversa
IA=0
Luego el diodo se comporta como circuito abierto
A K
IA =0
La curva de trabajo seria lo siguiente

IA

Cerrado

UAK
Abierto 0.6[V]

Características de transferencia con diodos

Gráfico de transferencia: Relaciona la tensión de salida y la tensión de entrada

Gráfico en función del tiempo: Puede ser el parámetro de salida ó entrada de tensión en función
del tiempo

Ejm. 1
D

ui R uO

Modelo ideal

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 Apuntes Electrónica I

iA

uAK
D

ui R uO

Si u i  0   uO = 0
uO

1
ui R uO 1
ui
Si u i  0   uO = ui 

Modelo de tensión de codo

iA

0.6[V] uAK

ui R uO

Si ui  0.6   uO = 0
uO

0.6[V] 1
ui R uO 1

0.6[V] ui
Si ui  0.6   uO = ui 

Ejm. 2
R

ui D uO

Modelo ideal

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 Apuntes Electrónica I

iA

uAK
R

ui D uO

Si u i  0   uO = ui
uO
R

ui
ui D uO
1
1
Si u i  0   uO = ui 

Modelo de tensión de codo

iA

0.6[V] uAK

ui D uO

Si ui  0.6   uO = ui
uO
R
0.6[V]

D ui
0.6[V]
ui 0.6[V] uO
1
1
Si ui  0.6   uO = 0.6 

Ejm. 3
R

ui D uO

Modelo ideal

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 Apuntes Electrónica I

iA

uAK
R

ui D uO

Si u i  0   uO = 0
uO
R

D 1
ui uO 1
ui
Si u i  0   uO = ui 

Modelo de tensión de codo

iA

0.6[V] uAK

D
ui 0.6[V] uO

Si ui  0.6   uO = −0.6
uO
R
1
1
0.6[V]
ui D uO ui
0.6[V]
Si ui  0.6   uO = ui 

Ejm. 4

R
ui uO
+
E
-

Modelo ideal

21
 Apuntes Electrónica I

iA

uAK
D

R
ui uO
+
E
-
Si u i  E   uO = E
uO
D

1
E 1
R
ui uO
+
E
- ui
Si u i  E   uO = ui  E

Modelo de tensión de codo

iA

0.6[V] uAK

R
ui uO
+
E
-
Si u i  E + 0.6   uO = E
uO
D
+ -
0.6[V] 1
E 1
R
ui uO
+
E
- ui
Si u i  E + 0.6   uO = ui − 0.6  E+0.6

Ejm. 4

ui uO
+
E
-

Modelo ideal
22
 Apuntes Electrónica I

iA

uAK
R

ui uO
+
E
-
Si u i  E   uO = ui
uO

R
E
D
E ui
ui uO
+ 1
E 1
-
Si u i  E   uO = E 

Modelo de tensión de codo

iA

0.6[V] uAK

ui uO
+
E
-
Si u i  E + 0.6   uO = ui
uO

R E+0.6

D
0.6[V] E+0.6 ui
ui uO
+ 1
E 1
-
Si u i  E + 0.6   u O = E + 0 .6 

Ejm. 6
R

ui D1 D2 uO

23
 Apuntes Electrónica I

0.6[V] +
ui D1 - D2 uO

Si ui  0.6   uO = 0.6
R

0.6[V] -
ui D1 D2 + uO

Si ui  0.6   uO = −0.6
uO
R
0.6
-0.6
0.6 ui
ui D1 D2 uO -0.6

Si − 0.6  ui  0.6   uO = ui

Ejm. 7
R

D1 D2
ui + - uO
E1 E2
- +

Modelo ideal
R

D1 D2
ui + - uO
E1 E2
- +
Si ui  E1   uO = E1
R

D1 D2
ui + - uO
E1 E2
- +
Si u i  − E 2   u O = − E2
uO
E1
R

D1 D2
-E1 E1 ui
ui + - uO
E1 E2 1
- + 1 -E1
Si − E2  ui  E1   uO = ui 

Modelo de tensión de codo

24
 Apuntes Electrónica I

Si ui  E1 + 0.6
Si ui  − E2 − 0.6
Si − E2 − 0.6  ui  E1 + 0.6

Ejm. 8
R

D1 D2
+ -
E1 E2
ui - + uO

R1 R2

Modelo ideal
R

D1 D2
+ -
E1 E2
ui - + uO

R1 R2

Si ui  E1   uO =
R

D1 D2
+ -
E1 E2
ui - + uO

R1 R2

Si u i  − E 2   uO =
R

D1 D2
+ -
E1 E2
ui - + uO

R1 R2

Si − E2  ui  E1   uO =

ui = RI + E1 + R1 I → ui = (R + R1 )I + E1
u − E1
uO = E1 + R1 I → I= O
R1

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 Apuntes Electrónica I

 u − E1 
u i = (R + R1 ) O  + E1  ui =
(R + R1 ) u −
(R + R1 ) E + E1
O 1
 R1  R1 R1

ui =
(R + R1 ) u − E  (R + R1 ) − 1 (R + R1 ) u R
O 1   ui = O − E1
R1  R1  R1 R1
R
u i + E1
R1
uO =
(R + R1 )
R1
R1 R
uO = ui + E1
R + R1 R + R1

1.8.- HOJA TECNICA

REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
[1] Jacob Millman, Dispositivos y circuitos electrónicos
[3] A. P. Malvino, Principios de electrónica
[5] R.L. Boylestad, Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos
[6] Muhammad H. Rashid, Circuitos Microelectrónicos: análisis y diseño
[7] Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrónicos
[10] Neamen Donald, Análisis y diseño de circuitos electrónicos

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