UNIVERSIDAD SALESIANA DE BOLIVIA

INGENIERIA DE SISTEMAS ELECTRÓNICA II

PRÁCTICA Nº 1
POLARIZACIÓN DEL DIODO
1. OBJETIVO

El objetivo de la presente práctica es estudiar las formas de polarización de los diodos comunes,
como asi del diodo Zenner, mediante el analizar su funcionamiento dentro de un circuito, para al
final implementarlo.

2. MARCO TEÓRICO

2.1 LA UNION DE LOS SEMICONDUCTORES “P – N”

Para mejorar la conductividad eléctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas añadidas

intencionalmente. Esta operación se denomina dopado, utilizándose dos tipos:

 Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos átomos tienen cinco electrones de

valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fósforo, el antimonio y el
arsénico. A un semiconductor dopado con estas impurezas se dice que es de TIPO N, con
carga mayoritaria negativa.

 Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de valencia en
su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio. A un semiconductor
dopado con impurezas trivalentes se dice que es de TIPO P, este tiene material con carga
positiva.

Cuando se unen los dos tipos de material tipo P y tipo N, se forma una unión P – N, En la región
N se crean iones positivos y en la región P se crean iones negativos.

Esta distribución de cargas establece en la unión de ambos materiales una «barrera de potencial»
que repele los huecos de la región P y los electrones de la región N alejándolos de la mencionada
unión. Una unión P-N no conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio
electrónico a temperatura constante.

Ing. Javier Tarqui Valeriano

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Esta unión de dos materiales crea el dispositivo llamado diodo.

2.2 DEFINICIÓN DE DIODO

Los diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la corriente solo en un sentido
y no permite el flujo en sentido opuesto, es decir que actúa esencialmente como un interruptor
unidireccional para la corriente
La flecha del símbolo del diodo muestra la dirección en la cual puede fluir la corriente. Los diodos
son la versión eléctrica de la válvula o tubo de vacío y al principio los diodos fueron llamados
realmente válvulas.

SIMBOLO. Su símbolo es:

2.3 POLARIZACIÓN

Cuando se trabaja con tensión y corriente continua, la polarización se refiere a la forma o sentido de
conexión del diodo, esto dependiendo de la aplicación o función que se quiera para el diodo. Tenemos
dos tipos de polarización:

a) EN SENTIDO DIRECTO

Se presenta cuando un diferencial de potencial (batería) se conecta en su polo positivo al material P y

el negativo al N. Esto hace que disminuya la zona de carga espacial, y al existir cargas opuestas, estos
se atraen y enriquecen la zona. Idealmente el circuito debería esta en corto circuito y conducir
libremente

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Cuando V supera la tensión de umbral, entonces se produce una corriente debida a los huecos que
son “empujados” por el terminal positivo de VD hacia la zona N, y a los electrones que son
“empujados” por el terminal negativo de VD hacia la zona P.

b) POLARIZACIÓN EN SENTIDO INVERSO

Se produce cuando el diferencial de potencial se conecta en su polo positivo al material N y el negativo

al material P. Esto hace que aumente la zona de carga espacial, es decir existe una especie de aislación
en la parte de la juntura. Idealmente no debería circular corriente (circuito abierto), pero en la realidad
circula una muy pequeña corriente (corriente inversa) debido a los portadores minoritarios y a los
pares “electrón – hueco” creados en la zona de carga espacial.
Esta corriente muy pequeña se denomina corriente inversa de saturación (Io).

2.4 CARACTERÍSTICA TENSIÓN – CORRIENTE

En forma ideal el diodo debería tener las siguientes características:

Es decir:
 En polarización directa debería actuar como un conductor continuo (corto circuito)
 En polarización inversa en circuito abierto
 Y su curva debería ser sobre los ejes tal como se muestra en la figura

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Sin embargo el modelo real del diodo es diferente, tiene la forma exponencial en relación a la
ecuación siguiente:
𝑉𝐷
𝐼 = 𝐼𝑜 (𝑒 η∗V𝑇 − 1)
Donde:
VD: Tensión en el diodo
Io : corriente inversa de saturación (constante a T constante: 10-12 A)
η : constante. Su valor es aproximadamente 1 para el Germanio. En el caso del Silicio su
valor es 2 para corrientes pequeñas y 1 para corrientes moderadas o grandes.
𝑇
VT: Tensión equivalente de la temperatura 𝑉𝑇 = 11.600

A temperatura ambiente (T=300 ºK), VT = 0,02885 V=28,85 mV

En la curva describimos los siguientes parámetros:

 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) se presenta en polarización directa,

donde la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente
ligeramente, alrededor del 1 % de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera
la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños
incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

 Corriente máxima (Imax ).

Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto
Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre
todo del diseño del mismo.

 Corriente inversa de saturación (Io ).

Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación
de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada
incremento de 10 °C en la temperatura.

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 Tensión de ruptura (Vr ).

Es la tensión en polarización inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el
efecto avalancha.

 Efecto avalancha (diodos poco dopados).

En polarización inversa se generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de

saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su
energía cinética de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto
a la banda de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la
tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es una
avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para
valores de la tensión superiores a 6 V.

 Efecto Zener (diodos muy dopados).

Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de la zona de carga, por tanto el
campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo
puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementándose la corriente. Este efecto
se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede
producir por ambos efectos

2.5 DIODOS ZENER

Los diodos zener se usan para mantener un voltaje fijo. Están diseñados para trabajar de una forma
confiable y no destructiva dentro de su zona de “ruptura” de manera que pueden ser utilizados en
inversa para mantener bastante fijo el voltaje entre sus terminales.

El circuito muestra cómo debe ser conectado, con su resistencia en serie para limitar la corriente.

Se los puede distinguir de los diodos comunes por su código y su tensión inversa la cual está
rotulada en el diodo. Los códigos para diodos zener suelen ser BZX... o BZY... Su tensión inversa
de ruptura está grabada con una V en lugar del punto decimal, así por ejemplo 4V7 significa 4,7
V.
Los diodos zener están clasificados por su tensión de ruptura y su máxima potencia:

• El mínimo voltaje o tensión de ruptura disponible es 2,4V

• Los rangos de potencia más comunes están entre 400mW y 1,3W

APLICACIÓN:
- Cuando el diodo zener se polariza en directa, actúa como un diodo común

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- Cuando se polariza en inversa actúa como un regulador de tensión y esa es la aplicación

principal del diodo zener

3. ACTIVIDADES PREVIAS

- Investigar en manuales y hojas de especificaciones técnicas las características de los diodos

rectificadores de silicio y germanio a emplearse en laboratorio
- Asi mismo también investigar las especificaciones técnicas del diodo zener a emplearse en
laboratorio (tensión, potencia, corriente inversa, tensión a temperaturas variables y otros)

4. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

4.1 Materiales y equipos a utilizar

Los materiales son:
- Diodo de Silicio (1N4007) o Diodo de Germanio (1N34) o similar.
- Diodo Zener de 9.1 [V] (1N757) o similar, potencia del diodo de acuerdo al diseño.
- Varias resistencias de diferentes valores como 1[K], 0,5[K], 2[K] de ½ [W]

Los equipos e instrumentos son:

- Fuente de alimentación variable Vcc

- Multímetro
- Protoboard
- Conectores

5. DESARROLLO DEL LABORATORIO

i) DIODO COMÚN

Polarización en directa. Implementar el siguiente circuito para diodos de silicio y germanio:

1) Realizar mediciones con el voltímetro y amperímetro para diferentes tensiones, para el

diodo de silicio, y llenar la tabla de la hoja de cálculos
2) Repetir todo lo anterior para un diodo de germanio (utilizar el simulador si no consiguió
diodos de germanio)
3) Obtener las curvas características con los datos obtenidos

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Polarización en inversa. Implementar el siguiente circuito para diodos de silicio y germanio:

1) Realizar mediciones con el voltímetro y amperímetro para diferentes tensiones para la

polarización inversa, y llenar la tabla de la hoja de cálculos
2) Repetir lo anterior con el diodo de germanio
3) Obtenga la curva Tensión – corriente V-I para ambos diodos

ii) CIRCUITO REGULADOR.

Puede utilizar un Diodo Zener de 9.1 voltios nominales, obtener en un manual las
características del dispositivo semiconductor a utilizar, de lo contrario otro diodo zener bajo
las mismas instrucciones

Polarización en directa. Implementar el siguiente circuito:

1) Realizar mediciones con el voltímetro y amperímetro para diferentes tensiones, y llenar en

la tabla respectiva de la hoja de cálculos
2) Analizar las diferencias con el circuito del diodo comúny obtener sus observaciones y
conclusiones

Polarización en inversa (Regulador). Implementar el circuito siguiente:

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1) Realizar mediciones con el voltímetro y amperímetro para diferentes tensiones, y registrar

en la hoja de cálculos
2) Analizar las diferencias con el circuito del diodo común, asi mismo anotar sus observaciones
obtenidas en comparación con el diodo común y su polarización en directa

6. INFORME

Para la posterior semana cada grupo debe presentar un informe grupal, que contenga lo
siguiente:

- Objetivos grupales
- Layout o plano de todos los circuitos armados
- Tablas comparativas de los valores obtenidos: los experimentales (medidos con el tester),
con el simulador, en forma teórica con la fórmula
- Graficar la curva Tensión – corriente V-I con los datos experimentales obtenidos para cada
diodo que se registraron en la hoja de cálculos
- Simulación con proteus u otro simulador
- Otros (fotos, dibujos, esquemas)
- Observaciones
- Conclusiones

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HOJA DE DATOS PARA EL LABORATORIO

DIODO COMÚN
Polarización Directa Polarización inversa

VD ID ID VD ID ID
Vfuente Vfuente
(medido) (simulador) (medido) (medido) (simulado) (medido)
0,4 V -2 V
2V -5 V
5V -10 V
10 V -20 V
12V
20 V

DIODO ZENER
Polarización directa Polarización inversa

VD ID ID VD ID ID
Vfuente Vfuente
(medido) (simulador) (medido) (medido) (simulador) (medido)
2V -4 V
5V -6 V
10 V -8 V
15 V -9 V
-12 V
-15 V
-20 V

Integrantes del Grupo:

Laboratorio Informe
Nombres y apellidos (s/10)
(s/20)

Firma Docente

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