UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

ELECTRNICA ANALGICA I
PRIMERA UNIDAD: EL DIODO
Felipe Isaac Paz Campos

2,010

AVENIDA

UNIVERSITARIA

CAPTULO 1 EL DIODO 1.1 Introduccin Es el ms sencillo de los dispositivos semiconductores1, pero desempea un papel muy importante en los sistemas electrnicos. Con las caractersticas muy similar a las de un interruptor elctrico simple. Los semiconductores utilizados en la fabricacin de los diodos son el germanio (Ge) y silicio (Si). En la actualidad los diodos se construyen a base de Silicio debido a su relativa estabilidad a las variaciones de temperatura comparado con el germanio. 1.2 Unin PN Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicas para la conexin con el resto del circuito. Esto se muestra en la figura 1.1

Zona P > tomos del grupo III (Boro). Zona N > tomos del grupo V (Fsforo). 1.3 Mecanismo de difusin Consiste en llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir: Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N. Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto: en la regin de la zona P cercana a la unin: El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N.

Figura 1.1

1.2.1 Formacin de la unin PN Se trata de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N, figura 1.2.

(Campo elctrico)

Figura 1.3 Formacin de la unin PN

(Huecos)

(Electrones)

Figura 1.2 Impurificacin del Silicio para obtener la Unin PN

1

Electrnica: Teora de circuitos, Sexta edicin, Robert L. Boylestad, capitulo 1.

En la figura 1.3 se muestra como a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, positiva en la zona N y negativa en la zona P. Aparece un campo elctrico (E) desde la zona N a la zona P que se opone al movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusin y la del campo elctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese momento est ya 2

formado el diodo de unin PN, y como resultado del proceso se ha obtenido: Zona P, semiconductora, con una resistencia RP. Zona N, semiconductora, con una resistencia RN. Zona de agotamiento (deplexin): No conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los extremos acta una barrera de potencial. 1.4 Polarizacin del diodo. Existen dos formas bsicas de polarizar al diodo, polarizacin directa y polarizacin inversa. 1.4.1 Polarizacin directa: Se conecta una batera con la terminal negativa al lado del material tipo N y la terminal positiva al lado el material tipo P, figura 1.4.
+ -

Polarizacin inversa
Figura 1.5 Unin PN en conduccin barrera de potencial igual acero.

1.4.2 Polarizacin Inversa Se aplica tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P, figura 1.6. Entonces se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin, aumenta la anchura de la zona de deplexin. Como en ambas zonas existen portadores minoritarios, su movimiento hacia la unin crea una corriente, aunque muy pequea.
- V +

Figura 1.6 Polarizacin Inversa del diodo

Barrera de potencial (V 0.7V)

Figura 1.4 Polarizacin directa del diodo

En la figura 1.4, para vencer la barrera de potencial se necesita aplicar un voltaje de aproximadamente 0.7V para el Silicio y de 0.2V para el germanio a este voltaje se le conoce como voltaje umbral (V ). El potencial aumenta por encima del de barrera, entonces desaparece la zona de deplexin. Electrones y huecos se dirigen a la unin. En la unin se recombinan. La tensin aplicada se emplea en: Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga.

Si aumenta mucho la tensin inversa, se produce la rotura por avalancha por ruptura de la zona de deplexin. No significa la ruptura del componente. 1.5 Caracterstica tensin-corriente La figura 1.7 muestra la caracterstica I-V (corriente-tensin) tpica de un diodo real.

Figura 1.7 Curva caracterstica del diodo I-V

En la figura 1.7 se identifica: Regin de conduccin en polarizacin directa (PD). Regin de corte en polarizacin inversa (PI). Regin de conduccin en polarizacin inversa. IFmax: Corriente mxima que puede soportar el diodo. VRmax: Voltaje mximo en reversa. VON: Es igual a VF = 0.7V para el Si y 0.2V para el germanio. 1.5.1 La ecuacin general del diodo es:

1.6 x10
o

19

ID

I S (e

VD VT

1)

(1.1)

Donde: ID: Es la corriente que circula por el diodo. VD: Es el voltaje que se cae en el diodo. : es el factor de idealidad. Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud de la corriente directa y del valor de IS. toma el valor de 1 2 para el Silicio. Vale 1 en la zona lineal, o sea, cuando el diodo ha alcanzado la conduccin y el valor de 2 en la zona no lineal, Cuando el diodo no conduce. Para el germanio el valor de es igual a 2 no importando la zona de operacin. IS: es la corriente inversa de saturacin del diodo. Depende de la estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura. VT: es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K), la carga del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(oK). La siguiente expresin permite el clculo de VT.

T = 300 K (temperatura ambiente) KT VT 25 .88 mV 26 mV q 1.6 Principales caractersticas comerciales del diodo. a.- Corriente mxima en directa, IFmx o IFM (DC forward current): Es la corriente continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao. Tres lmites: Corriente mxima continua (IFM). Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica tambin el tiempo que dura el pico. Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la frecuencia mxima del pico. b.- Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por avalancha. c.- Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin en inversa segura. d.- Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensin inversa. e.- Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): Es la cada de voltaje entre las terminales del diodo 0.7V para el Si y 0.2V para el Ge. 1.7 Smbolo del diodo
+ -

nodo

Ktodo

VT

K xT q
23

(1.2)
J/ K

Figura 1.8 Smbolo del diodo

Donde: K 1.38x10

1.8 Modelos equivalentes lineales aproximados del diodo. Para realizar clculos en los circuitos electrnicos, necesitamos llevarlos a 4

circuitos elctricos, para ello necesitamos usar un modelo equivalente del diodo. 1.8.1 1ra Aproximacin (el diodo ideal) La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de coordenadas. Este diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.
I
Polarizacin directa (Conduce)

1.8.1.2 Polarizacin inversa: Es como sustituir el diodo por un interruptor abierto.

Figura 1.12 Estado de no conduccin del diodo ideal.

1.8.2 2da Aproximacin La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0.7V (este valor es el valor de la tensin umbral para el silicio, porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomara el valor de 0.2V).

Polarizacin inversa (No conduce)

I
Polarizacin directa (Conduce)

Figura 1.9 Caracterstica del diodo ideal.

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.

Polarizacin inversa (No conduce)

0.7V
Figura 1.13 Caracterstica del diodo 2

V
da

aprox.

El tramo que hay desde 0V y 0.7V es en realidad polarizacin directa, pero como a efectos prcticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segunda aproximacin el error es menor que en la aproximacin anterior. 1.8.2.1 Polarizacin directa: La vertical es equivalente a una pila de 0.7V.
Figura 1.11 Comportamiento elctrico del diodo ideal
+ 0.7V -

1.8.1.1 Polarizacin directa: Es como sustituir un diodo por un interruptor cerrado.

Figura 1.14 Estado de conduccin del da diodo 2 aprox.

1.8.2.2 Polarizacin inversa: Es como sustituir el diodo por un interruptor abierto.

Figura 1.10 Estado de conduccin del diodo ideal.

Figura 1.15 Estado de no conduccin del da diodo 2 aprox.

1.8.3.2 Polarizacin inversa: Existe una resistencia muy alta con valores entre Mega a Giga . A Rinversa K

1.8.3 3 Aproximacin La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0.7V y tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna. I P=1/rF
Polarizacin directa (Conduce) Polarizacin inversa (No conduce)

ra

Figura 1.18 Estado de no conduccin del ra diodo 3 aprox.

Esta tercera aproximacin no merece la pena usarla porque el error que se comete, con respecto a la segunda aproximacin, es mnimo. Por ello se usar la segunda aproximacin en lugar de la tercera excepto en algn caso especial. Adems para usar la tercera aproximacin se necesita buscar en el libro de datos el valor de rF para cada diodo, siendo esto una prdida de tiempo innecesaria. 1.9 Como elegir una aproximacin Para elegir que aproximacin se va a usar se tiene que tener en cuenta, por ejemplo, si son aceptables los errores grandes, ya que si la respuesta es afirmativa se podra usar la primera aproximacin. Por el contrario, si el circuito contiene resistencias de precisin de una tolerancia de 1 por 100, puede ser necesario utilizar la tercera aproximacin. Pero en la mayora de los casos la segunda aproximacin ser la mejor opcin. La ecuacin que se va a utilizar para saber que aproximacin se debe usar es:

0.7V ra Figura 1.16 Caracterstica del diodo 3 aprox.

El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se analiza la polarizacin directa. 1.8.3.1 Polarizacin directa. Con polarizacin directa el diodo se comporta como una pequea batera en serie con una pequea resistencia.
0.7V A+ -

rF
ID

VD Figura 1.17 Estado de conduccin del diodo ra 3 aprox.

A= nodo K= Ktodo F =Resistencia interna

ID

VS 0.7V RL rF

(1.5)

De la figura 1.17 se obtiene:

VD

0.7V

I D rF

(1.3)

Esta ecuacin se obtiene de un circuito serie: Una batera (VS), la carga (RL) y un diodo considerando la tercera aproximacin. Fijndose en el numerador se ve que se compara VS con 0.7V. Si VS es igual a 6

ID

1 VD rF

0.7V rF

(1.4)

7V, al ignorar la barrera de potencial se produce un error en los clculos del 10 %, si VS es 14V un error del 5 %, etc..., esto se muestra en la Tabla 1.1 VS 3.5V 7V 14V
28V

1k 1k + V1 10V

a ID b

R1

Diodo ideal 20% 10% 5%

2.5%

Figura 1.19

70V

1%
Tabla 1.1

Solucin: Para verificar si el diodo se le aplica polarizacin directa o inversa, se aplica Thvenin2, se abre las terminales del diodo(a y b) quedando el circuito de la figura 1.19.1.
1k +
+ V1

Si se ve el denominador, si la resistencia de carga es 10 veces la resistencia interna, al ignorar la resistencia interna se produce un error del 10 % en los clculos. Cuando la resistencia de carga es 20 veces mayor el error baje al 5 %, etc..., esto se muestra en la Tabla 1.2.

R1

10V

VTH
-

Figura 1.19.1

RL rF
5 10 20 40 100

Primera o Segunda aproximacin 20% 10% 5% 2.5% 1%

Tabla 1.2

Vab VTH 10V (1.6) Se puede observar que el diodo est polarizado en directa, porque el voltaje de Thvenin es igual a 10V positivo. Por lo tanto, al nodo se le aplica un voltaje positivo y al ctodo un voltaje negativo. Entonces: a) Sustituyendo el modelo ideal del diodo, el circuito queda de la siguiente forma (figura 1.19.2).
1k + V1 10V

R1

En la mayora de los diodos rectificadores la resistencia interna es menor que 1, lo que significa que la segunda aproximacin produce un error menor que el 5 % con resistencias de carga mayores de 20 . Por eso la segunda aproximacin es una buena opcin. 1.10 EJEMPLOS 1.A Ejemplo # 1 Para el circuito mostrado en la figura 1.19, verifique si al diodo se le aplica polarizacin directa o inversa y luego calcule ID: a) Utilizando modelo ideal b) Utilizando 2da aproximacin.

ID
b

Figura 1.19.2

Calculando ID de la figura 1.19.2 se obtiene: 10V (1.7) ID 10mA 1k b) Sustituyendo el diodo por la 2da aproximacin el circuito queda de la siguiente forma (figura 1.19.3).

Circuitos elctricos, Dorf, capitulo 5.

1k + V1 10V

a ID
+ 0.7V + V1 10V

1k

a
+

R1

R1

ID
-

b Figura 1.19.3

b Figura 1.20.2

Calculando tenemos: I D

ID de la figura 1.19.3 10V 0.7V 9.3mA (1.8) 1k

Ejemplo # 2 Para el circuito mostrado en la figura 1.20, verifique si al diodo se le aplica polarizacin directa o inversa y luego calcule ID.
1k 1k +

ID = 0A (El valor real sera IS). Ejemplo # 3 Asumiendo diodos ideales encuentre el valor de I y Vo en el circuito mostrado en la figura 1.21.
ID2
10V

R2
10k +

a ID b

10V

V1

R1

D1 A

I D2 R1

Vo

-10V

5k

Figura 1.20

Figura 1.21

Solucin: Para verificar si al diodo se le aplica polarizacin directa o inversa, se aplica Thvenin, se abre las terminales del diodo(a y b) quedando el circuito mostrado en la figura 1.20.1.
1k + V1 10V

R1

a + VTH b -

Figura 1.20.1

Vab VTH 10V Igual a la ecuacin (1.6). Se puede observar que el voltaje de Thvenin es de 10V, por lo tanto, el diodo tiene aplicado un voltaje positivo en la terminal del ctodo y un voltaje negativo en la terminal del nodo. Esto significa que al diodo se le aplica polarizacin inversa. El circuito quedar de la siguiente forma (figura 1.20.2).

Solucin: Este problema al igual que en el ejemplo # 1 podemos solucionarlo aplicando el teorema de Thvenin. Pero en este caso vamos a solucionarlo con un mtodo alternativo, bastante utilizado cuando se tiene un circuito con varios diodos. Este mtodo es bajo el concepto de asunciones. Asumiendo que ambos diodos conducen. Con esta asuncin encontramos: V A 0V ; Vo = 0V 10V 0V 1mA y I D2 (1.9) 10k Entonces: 0V 10V I I D2 2mA (1.10) 5k Despejando I. I 2mA I D 2 2mA 1mA 1mA Se observa que nuestra asuncin de que D1 y D2 estn conduciendo es verdadera, ya que ID1 e ID2 son positivas, por tanto se concluye que: I 1mA y VO 0V . 8

Ejemplo # 4 El circuito de la figura 1.22 es un probador de diodos. Diga que lmpara encender (L1 o L2) en cada uno de los siguientes casos: a) Diodo de prueba con el ctodo en el punto A y el nodo en punto B. b) Diodo de prueba con el ctodo en el punto B y el nodo en el punto A. c) Diodo de prueba en corto circuito (daado). d) Diodo de prueba en circuito abierto (daado). Nota: Analizar el circuito por semiciclo de la seal. En el secundario del transformador y considere diodos ideales.
120ac 10:1

120ac

10:1

D1

L1 A

60 Hz

Vi

D2 Figura 1.22.2

L2 B

Diodo De prueba

b.1) En el semiciclo positivo enciende L2 (Diodo de prueba ON, D2 ON y D1 OFF). b.2) En el semiciclo negativo no enciende ninguna. R: Enciende L2. Circuito para inciso c)
120ac 10:1

D1

L1

A
60 Hz

D1

L1

Vi
A

D2 Figura 1.22.3

L2 B

Diodo De prueba

60 Hz

vs

D2

L2 B

Diodo De prueba

Figura 1.22

Solucin: Circuito para inciso a)

120ac 10:1

D1

L1

c.1) En el semiciclo positivo enciende L2 (D2 ON y D1 OFF). c.2) En el semiciclo negativo enciende L1 (D1 ON y D2 OFF). R: Encienden ambas lmparas para cada ciclo de la seal. Circuito para inciso d)
120ac 10:1

D1

L1

A
60 Hz

Vi

D2 Figura 1.22.1

L2 B

Diodo De prueba

A
60 Hz

Vi

D2

L2 B

Diodo De prueba

a.1) En el semiciclo positivo ninguna enciende, dado que el diodo de prueba esta polarizado en inversa. a.2) En el semiciclo negativo enciende L1 ya que el diodo de prueba y D1 estn polarizados en directa mientas D2 esta polarizado en inversa. R: Enciente L1. Circuito para inciso b)

Figura 1.22.4 d) No enciende ninguna ya que el circuito esta abierto. Ejemplo # 5 En el circuito de la figura 1.23, diga que lmpara se encender (L1 o L2) cuando el selector acciona cada uno de los contactos (0,1, 2, 3). Considere diodos ideales.

120ac

S1

0 1 2

rel1

1.11.1 Rectificador de media onda.

n:1 120ac

D2

D3 D1 D4
rel2

L1
60 Hz

60 Hz

Vi

Vs -

RL

Vo
-

L2

Vi
Figura 1.24

Figura 1.23

Solucin: a.) En el punto 0: Ninguna de las lmparas se enciende (circuito abierto). b.) En el punto 1: Durante el semiciclo positivo D3 OFF y D4 ON por lo que el rel1 se acciona encendindose L1. En el semiciclo negativo D3 ON y D4 OFF, entonces el rel2 se acciona encendindose L2. Por lo tanto ambas lmparas se encendern durante el periodo o ciclo de la seal de entrada. c.) En el punto 2: El diodo D2 solo deja pasar los semiciclos positivos por lo que D3 no conducira y D4 ON, entonces solo el rel1 se acciona y encender L1. d.) En el punto 3: El diodo D1 solo deja pasar los semiciclos negativos por lo que D4 no conducir y D3 ON, entonces solo el rel2 se acciona y exceder L2.

Analizando el circuito, durante el semiciclo positivo del voltaje en el secundario del transformador. El diodo se polariza en directa, esto significa que el voltaje de salida es: Vop Vsp 0.7V (1.11) y durante el semiciclo negativo el diodo se polariza en inversa, dando como resultado un voltaje de salida igual a 0V. Las formas de onda en el secundario del transformador (Vs) y en la carga (Vo) se muestran en la figura 1.24.1. Vs Vsp

2
T Vop=Vsp-0.7V Vprom=VDC

-Vsp Vo

1.11 El diodo como rectificador de voltaje.

Rectificacin: Es el proceso de convertir una seal alterna (AC) en una que est restringida a una sola direccin (DC). La rectificacin se clasifica, ya sea como de media onda o onda completa, y a la vez la rectificacin de onda completa puede ser de derivacin central o tipo puente.

0
Figura 1.24.1

Calculando Vprom de la figura 1.24.1:

10

V prom V prom
V prom V prom
V prom
V prom

1 T 1 2

T 0

Vop sen d
0

V prom V prom

Vop sen d

1 2

2 0

Vop sen d

1 Vop sen d 0 2 1 Vop cos 0 2 Vop cos 0 2 Vop 0.318Vop

V prom

1 T Vop sen d T 0 1 1 2 Vop sen d Vop sen d 2 0 2 0 2 xVop 0.637 Vop (1.13)

1.11.3 Rectificador de onda Completa tipo puente.

n:1 120ac

Vs (1.12)
60 Hz

1.11.2 Rectificador de onda Completa con Derivacin central.

D1

Vi
Figura 1.26

RL

Vo-

120ac
60 Hz

n:1

V - s1
+

60Hz

Vi

Vs2 -

RL

Vo
-

Durante el semiciclo positivo de la seal en el secundario del transformador, conducen los diodos D1 y D2 mientras D3 y D4 estn abiertos debido a la polarizacin inversa. La trayectoria de la corriente se muestra en la figura 1.26.1.
n:1 120ac

D2 Figura 1.25

Vs1 Vsp

Vs2
60 Hz

+ Vs

D3

D1
+

Vi 0

D2

D4

Figura 1.26.1

RL

Vo
-

2
T Vop=Vsp-0.7V

-Vsp Vo

Para el semiciclo negativo de la seal en el secundario del transformador, conducen los diodos D3 y D4 mientras D1 y D2 estn abiertos debido a la polarizacin inversa. La trayectoria de la corriente se muestra en la figura 1.26.2.
n:1 120ac

Vprom=VDC

- D3 Vs

D1
+

60 Hz

2
Figura 1.25.1 Formas de onda

Vi

D2

D4

RL

Vo
-

Figura 1.26.2

11

Nota: Significa continuidad de la corriente. Las formas de onda en el secundario del transformador (Vs) y en la carga (Vo) se muestran en la figura 1.26.3. Vs Vsp

1.11.4.1 Filtrado para rectificador de media onda.

n:1 120ac

Vop=Vsp-0.7V
+

vs
60 Hz

+ +

C
-

Vo
RL
-

Vi
Figura 1.27

2
T Vop=Vsp-1.4V

-Vsp Vo

Vprom=VDC

0
Figura 1.26.3

2
1 T Vop sen d T 0 1 1 Vop sen d 2 0 2 2 xVop 0.637 Vop

Durante el primer cuarto de la seal del voltaje en el secundario del transformador, el capacitor se carga al voltaje pico de este, menos la cada del diodo (Vop=Vsp-0.7V). Cuando el capacitor se carga a: Vop=Vsp-0.7V el diodo se polariza en inversa y el capacitor comienza a descargarse a travs de la carga y se seguir descargando durante el semiclo negativo, cuando vuelve el siguiente semiclo positivo el capacitor no se ha descargado por completo e inicia nuevamente su carga, hasta alcanzar Vop=Vsp-0.7V y as sucesivamente. Las formas de onda en la carga se muestran en la figura 1.27.1. Vo Vprom=VDC
Voltaje de Rizo (Vr)

V prom V prom
V prom

2 0

Vop sen d
(1.14)

Vop

1.11.4 Filtrado en los rectificadores de voltaje. Los circuitos rectificadores proporcionan un voltaje DC pulsante en la salida. Estas pulsaciones, conocidas como rizo de salida, pueden reducirse por medio de filtrado. El tipo ms comn de filtro emplea un solo capacitor.

T/4 Figura 1.27.1

2
Vop Vr 2

V prom

VDC

(1.15)

Vr
I Lp

I Lp fC
Vop RL
(1.16) (1.17)

12

De la ecuacin (1.16) Vr (voltaje de rizo) se observa, si C es grande Vr es pequeo, entre ms alto sea el valor de C ms pequeo ser Vr. El inconveniente que existe, es que entre ms alto sea el valor de C demanda mayor corriente y esta corriente es la misma que circula por el diodo y se debe tener en cuenta el valor mximo de la corriente que soporta el diodo para que no se queme. Para esto podemos calcular Cmx de la siguiente ecuacin. 2Vop I D max I Lp (1 2 ) (1.18) Vr 1.11.4.2 Filtrado para rectificador de onda completa. El filtrado para onda completa con derivacin central o tipo puente es igual y las ecuaciones tambin. Lo nico que se debe tomar en cuenta es que en onda completa con derivacin central existe una cada de voltaje de 0.7V y en el tipo puente 1.4V ya que trabajan dos diodos en cada semiclo de la seal. Filtrado para tipo puente.
n:1 120ac

carga, hasta alcanzar Vop=Vsp-1.4V y as sucesivamente. Las formas de onda en la carga se muestran en la figura 1.28.1. Vo Vop Vprom=VDC
Voltaje de Rizo (Vr)

T/4 Figura 1.28.1

2
Vop Vr 2

V prom

VDC

(1.19)

Vr
I Lp

I Lp 2 fC
Vop
(1.20)

Vs
60 Hz

Vi
Figura 1.28

RL
-

Vo

Durante el primer cuarto de la seal del voltaje en el secundario del transformador, el capacitor se carga al voltaje pico de este, menos la cada de los diodos (Vop=Vsp-1.4V). Cuando el capacitor se carga a: Vop=Vsp-1.4V los dos diodos que estaban conduciendo se polarizan en inversa y el capacitor comienza a descargarse a travs de la carga, cuando llega el semiclo negativo el capacitor no se ha descargado por completo e inicia nuevamente su

Donde Vop es diferente al de RL media onda, ya que, en el de onda completa hay una cada de 1.4V y en el de media onda 0.7V. De la ecuacin Vr (voltaje de rizo) se observa, si C es grande Vr es pequeo, entre ms alto sea el valor de C ms pequeo ser Vr. El inconveniente que existe, es que entre ms alto sea el valor de C demanda mayor corriente y esta corriente es la misma que circula por los dos diodos que estn conduciendo y se debe tener en cuenta el valor mximo de la corriente que soporta cada diodo para que no se queme. Para esto podemos calcular Cmx de la siguiente ecuacin. Vop I D max I Lp (1 2 ) (1.21) 2Vr

13

1.12 EJEMPLOS 1.B Ejemplo # 1 Para el circuito de la figura 1.29. a) Dibuje y calcule el voltaje promedio en la carga sin filtro. b) Dibuje y calcule el voltaje promedio en la carga con filtro. Considere VF = 0.7V.
5:1 120ac +

Vop

33 .24V ; De la ecuacin (1.17):

33.24V 33.24mA (Corriente pico 1k en la carga) De la ecuacin (1.16): 33.24mA Vr V 0.5540V 60 x1000 F De la ecuacin (1.15): I Lp
V prom VDC 33.24V 0.5540V 2 32.96V

C
60 Hz 1000uF

Vi Figura 1.29

1k -

RL

Vo

Solucin: a) Sin filtro

Vo
35.00 V 25.00 V 15.00 V 5.000 V -5.000 V 0.000ms 20.00ms 40.00ms 60.00ms 80.00ms

Measurement Cursors Vo X: 20.833m Y: 33.236

Nota: Las variables Vs, Vop, ILp,Vr y Vprom Sern utilizadas en algunos de los ejercicios posteriores. Ejemplo # 2 Para el circuito mostrado en la figura 1.30, determine el valor del capacitor (C) y la relacin de transformacin (n). El voltaje en la carga es de 50VDC, con un rizo pico a pico del 10% del voltaje en la carga. Considere VF = 0.7V.
120ac

n:1

120 V 24 Vr.m.s (Voltaje ac o r.m.s en el 5 secundario) VSP 24 (2) 33.94V (Voltaje pico en el secundario) De la ecuacin (1.11): Vop 33 .94V 0.7V 33 .24V (Voltaje pico en la carga) De la ecuacin (1.12) se obtiene: 33.24V V prom VDC 10.58V (Voltaje Vs

+ RL
1k 60 Hz

Vo

C Figura 1.30

Vi

promedio en la carga) b) Con filtro:

Vo
40.00 V 30.00 V 20.00 V 10.00 V 0.000 V

Solucin: De la ecuacin (1.15) se obtiene: 0.1x50V Vop 50 52.5V 2 De (1.17): 52.5V I Lp 52.5mA 1k De (1.16): 52.5mA Vr V 5V ; 60C Despejando C obtenemos:
C
V sp

0.000ms 20.00ms 40.00ms 60.00ms 80.00ms Measurement Cursors Vo X: 20.722m Y: 32.96

52.5mA 175 F 5 x60 52 .5V 0.7V 53 .2V de (1.11)

Vip Vsp

169.7V 53.2V

3.19 3

14

Ejemplo # 3 Para el circuito de la figura 1.31. a) Dibuje y calcule el voltaje promedio en la carga sin filtro. b) Dibuje y calcule el voltaje promedio en la carga con filtro. Considere VF = 0.7V.
120ac 5:1

+ 60 Hz

Vi Figura 1.31

C
1000uF

RL Vo
1k -

De la ecuacin (1.20) resulta: 32.54mA Vr V 0.2712V (120x1000 F ) De la ecuacin (1.19) se obtiene: 0.2712V V prom VDC 32.54V 32.4V 2 Ejemplo # 4 Para el circuito mostrado en la figura 1.32 calcule el voltaje promedio en la carga con filtro y sin filtro. Considere VF = 0.7V.
120ac 5:1

D1

D2
60 Hz

Solucin: Sin filtro:

Vo
40.00 V 30.00 V 20.00 V 10.00 V

Vi

C 1000uF

1k

RL

Vo
-

Figura 1.32

0.000 V 0.000ms

20.00ms

40.00ms

60.00ms

80.00ms

Measurement Cursors Vo X: 20.891m Y: 32.542

Solucin: Sin filtro: 120V VS 5

VSP VoP 24 2 16.97V

24Vr .m.s 33.94V VSP1 0.7V 24 2 16.97V 2 16.27V (Voltaje

VS VSP

120V 24Vr .m.s 5 24 2 33.94V

VoP 33.94V 1.4V 32.54V De la ecuacin (1.14) se obtiene: 2 x32.54V V prom VDC 20.72V

de salida pico) De la ecuacin (1.13) resulta: 2 x16.27V V prom VDC 10.36V

Con filtro:
Vo
35.00 V 25.00 V 15.00 V 5.000 V -5.000 V 0.000ms 20.00ms 40.00ms 60.00ms 80.00ms Measurement Cursors Vo X: 20.891m Y: 32.403

Con filtro: El Vop y ILP son los mismos sin filtro y con filtro.
VoP 16 .27V ; I LP

16.27V 1k

16.27mA

De la ecuacin (1.20) se obtiene:

Vr V 16.27mA 120x1000 F
16.27V 0.136V 2

0.136V

De la ecuacin (1.19) resulta:

V prom VDC 16.2V

El Vop y ILP son los mismos sin filtro y con filtro. 32.54V Vop 32 .54V ; I Lp 32.54mA 1K

15

Ejemplo # 5 Para el circuito mostrado en la figura 1.33, Dibuje y calcule: El voltaje promedio en RL1 (V1) y RL2 (V2), el voltaje promedio V1,2. Dato: VF = 0.7V.
120ac 2:1 1

Puesto que es el mismo valor de Vprom1 lo nico que negativo. V prom 1, 2 V prom 1 V prom 2
V prom 1, 2 39 .9865 V ( 39 .9865 V ) 79 .97V

60 Hz

100uF

C1

RL1
1k

Vi
100uF

Ejemplo # 6 Para el circuito mostrado en la figura 1.34 calcule el valor mximo del capacitor que se puede utilizar. IDmax = 500mA. Considere VF = 0.7V.
10:1 120ac +

C2

RL2
1k 2

Figura 1.33

Vo
60 Hz

RL
1k

Solucin: Las formas de onda se muestran a continuacin.

100.0 V1,2 50.00

C Figura 1.34

Vi

V1

0.000

Solucin: Vop 16 .271V ; I Lp

30.00ms 60.00ms 90.00ms

16 .271 mA

V2 -50.00
0.000ms Measurement Cursors X: 4.1143m Y: 83.500 V1,2

De la ecuacin (1.18): 2Vop I D m ax I Lp (1 2 ) Despejando Vr Vr

Vr ( 2Vop I D m ax I Lp 2 I Lp

120V 60Vrms 2 en el Vsp 60 2 84.85V (Voltaje secundario pico). Vp1, 2 84.85V 1.4V 83.45V (Voltaje VS
pico de 1,2). V p1, 2 83 .45V V p L1 2 2 Vp L 2 41.725V
41 .725V

)2

De la ecuacin (1.17) se obtiene: 41.725V I L P1 41.75mA 1k De la ecuacin (1.20) se obtiene: 41 .725 mA Vr1 V 3.477 V 120 x100 F De la ecuacin (1.19) resulta: 3.477V V prom1 41.725V 39.9865V 2 Vprom2 39.9865V

Introduciendo valores: 2 x16 .271V Vr 1.454 V 500 mA 16 .271 mA 2 ( ) 2 x16 .271 mA De la ecuacin (1.16): I Lp 16 .271 mA Vr C m ax 187 F fC 60 x1.454 V Ejemplo # 7 Para el circuito mostrado en la figura 1.35, calcule el valor mximo del capacitor que se puede utilizar. IDmx = 500mA.Considere VF = 0.7V.
10:1 120ac + 60 Hz

RL C Figura 1.35

Vo
1k -

Vi

16

A(nodo)

Solucin: Vop 15 .571V ; I Lp

K(Ktodo)

15 .571 mA

Figura 1.36 Smbolo

De la ecuacin (1.21): Vop I D max I Lp (1 2 ) 2Vr Despejando Vr se obtiene: Vop Vr I D max I Lp 2 2( ) 2 I Lp

Zona directa

Vz
Voltaje umbral (V)

15.571V 500mA 15.571mA 2 2( ) 2 x15.571mA De la ecuacin (1.20): Vr

Vr I Lp 2 fC C m ax

0.3176 V

Zona zener

Figura 1.37 Zona inversa

15 .571 mA 120 x0.3176 V

408 .6 F

1.13.1 Aproximaciones del diodo Zener. 1.13.1.1 1ra Aproximacin Como primera aproximacin se usa el modelo ideal. Cuando est activo se comporta como una pequea batera y cuando est inactivo como un circuito abierto. Esto se muestra en la figura 1.38 y figura 1.39. K(Ktodo)
+

1.13 Diodo Zener Existen distintos tipos de diodos: los diodos Zener, los diodos opto electrnicos, Schottky, varicap, etc. Los diodos Zener, contrariamente a los diodos comunes anteriormente descriptos, son diodos que han sido especialmente diseados para que funcionen en la zona de ruptura. El diodo Zener tambin es llamado diodo de avalancha y su principal utilizacin es en reguladores de tensin. Su smbolo elctrico es el que se muestra en la figura 1.36. Segn el nivel de dopaje que se le de al silicio, la tensin de ruptura Vz puede variar de 2V a 200V. Los diodos Zener se caracterizan por tener un cambio muy brusco de corriente en la zona de ruptura, manteniendo el voltaje prcticamente constante como se muestra en la figura 1.37. La ruptura Zener no origina necesariamente la destruccin del diodo, mientras la corriente est limitada en el diodo por el circuito exterior hasta un nivel que no exceda la capacidad de potencia del diodo.

K Vz
+ -

A(nodo)

Figura 1.38 Diodo Zener activo

17

K(Ktodo)

1.13.1.3 Como aproximacin

elegir

una

A(nodo)
Figura 1.39

Circuito abierto A Diodo Zener inactivo

1.13.1.2 2da Aproximacin Como segunda aproximacin, cuando el diodo zener est activo se comporta como una pequea batera en serie con una pequea resistencia y cuando est inactivo como un circuito abierto. Esto se muestra en la figura 1.40 y figura 1.41.

Se usar la primera aproximacin del diodo zener, ya que el valor de la resistencia zener es bastante pequeo como para despreciar su efecto (unidades de ohm). Adems para usar la segunda aproximacin se necesitar buscar en el libro de datos el valor de la resistencia zener. 1.13.2 El diodo Zener como Regulador de Voltaje.
120ac

n:1

RS
+

60 Hz

vs

Vi

C + Vz
-

Vo RL
-

Figurra 1.42

K(Ktodo)

K
+

Vz

A(nodo)
Figura 1.40

rz
A Diodo Zener activo

rz // R L (1.22) RS rz // R L La ecuacin 1.22 es el voltaje de rizado en la carga para el circuito 1.42. La figura 1.43 representa el circuito de la figura 1.42 a partir del condensador. V r ( RL ) Vr
RS IS Vi Vz
+

+ -

Iz IL

RL V o
-

K(Ktodo)

Figura 1.43

K Circuito abierto A

A(nodo)
Figura 1.41

Diodo Zener inactivo

La primera condicin que se debe cumplir para garantizar que el diodo zener entre a conduccin es: VTH V z (1.23) Una vez que el diodo zener entra a conduccin se puede escribir: IS Iz IL (1.24) Vo V z : Cons tan te (1.25)

18

IL IS

Vo RL Vi Vz

(1.26) (1.27)

1.14 EJEMPLOS 1.C Ejemplo # 1 Para el circuito de la figura 1.46 calcule: Vo e IL.
100 + + 22V 10V -

RS Con RL constante y Vi variable

RS IS Vi Vz
+

RS

+ -

Iz IL

IL

1k -

RL V o

RL V o
-

Figura 1.46

Figura 1.44

I S m in
I S m in
I Smx

I z m in

I Lcte

(1.28) (1.29) (1.30) (1.31)

I Smx

Vi m in V z RS I zmx I Lcte Vimx Vz RS

RS

Con RL Variable y Vi Constante

+ -

IS Vi Vz

Iz IL

RL V o
-

Figura 1.45

Solucin: Primero se tiene que comprobar si el diodo zener est en la zona de operacin activa o no, para esto se debe cumplir: VTH Vz, ecuacin (1.23). 22Vx1k Calculando VTH 20V 1.1k Como se cumple la condicin, entonces podemos decir: Vo = Vz = 10V, ecuacin (1.25). Por tanto de la ecuacin (1.26) se calcula: 10V IL 10mA 1k Ejemplo # 2 Entre que valores puede variar RL en el circuito de la figura 1.47, de modo que el diodo zener siempre regule. Pzmx = 100mW.
470 + + 6V8 30V -

RS

I Scte
I L m in

I z m ax
Vo R Lmx

I L m in

(1.32) (1.33)

IL VO

RL
-

I Scte
I Lmx

I z m in
Vo R L m in

I Lmx

(1.34) (1.35)
Figura 1.47

Solucin: De la ecuacin (1.23) se tiene VTH Vz para que el diodo zener funcione. 30VxR L m in VTH 6.8V R L m in 470 Despejando RLmin, se obtiene: 6.8Vx470 RL min 137.76 30V 6.8V 19

De la ecuacin (1.32) se tiene: IScte = Izmx + ILmin ; De la ecuacin (1.33):

Despejando Vimx resulta: Vi mx 19.3432V

I L m in I zmx

Vz R Lmx pzmx 100 mW Vz 6.8V

14 .7 mA

Sustituyendo en la ecuacin (1.32): 30V 6.8V 6.8V 14 .7 mA 470 RLmx 6.8V Despejando RLmx 196.18 34.66mA RL 196 .18 Entonces: 137 .76 Ejemplo # 3 Entre que valores puede variar Vi en el circuito de la figura 1.48, de modo que Vo = 10V y que no exceda la potencia mxima que soporta el diodo zener, que es de 600mW.
120 + + +

12.14V Vi 19.3432V Ejemplo # 4 En el circuito de la figura 1.49 el diodo zener tiene Vz = 12V y una rz = 1.4. Si al medir se obtiene aproximadamente 20V en la carga Qu componente est defectuoso?. Explique porqu.
240 + 30V -

RS

+
12V

IL

Figura 1.49

560 -

RL V O

RS

IL

vi

10V -

560 -

RL V o

Figura 1.48

Solucin: De la ecuacin (1.23) se tiene VTH Vz para que el diodo zener funcione. 560 xVi min VTH 10V 120 560 Despejando Vimin, se obtiene: 10V (120 560 ) Vi min 12.14V 560 De la ecuacin (1.30) se tiene: Ismx = Izmx + ILcte ; 10V I Lcte 17.86mA 560 Pzmx 600mW I zmx 60mA Vz 10V Vi mx 10V 60mA 17.86mA 120

Solucin: El componente que est defectuoso en este caso es el diodo zener. Estara abierto, ya que: 30Vx500 Vo 20.27V 740 Ejemplo # 5 Utilizando un diodo zener y cualquier numero de resistores disponibles, disee un circuito de reduccin de voltaje que permita que un radio porttil, normalmente alimentado por una batera de radio transistores estndar de 9V quede alimentada en su lugar a partir de una batera de automvil de 12V. La potencia mxima que puede ser disipada por los zeners disponibles es de 1W. La radio requiere de un mximo de 0.5 W de energa, a todo volumen. Note que el voltaje de la batera de automvil puede de hecho variar en un rango de 12V hasta 13.6V, dependiendo de su estado y de la corriente total utilizada por el automvil. El valor 13.6V representa el voltaje real en circuito abierto en una batera de plomo de cido de seis celdas.

20

Solucin: Se requiere de un circuito que pueda convertir una fuente de voltaje directa de 12V a una fuente de voltaje directa de 9V. Dicho circuito deber aceptar 12V en las terminales de entrada y proporcionar 9V a la carga en sus terminales de salida. El circuito ser el mostrado en la figura 1.50.
R1
I1 + +

Solucin: El circuito ser el que se muestra en la figura 1.51.

120ac

n:1

I1 R1 C Vz
+ + -

IL

60 Hz

Vi

Iz VL R L -

IL
+

Figura 1.51

Iz

VBAT
-

radio portatil

VO

12V a 13.6V

Vz =9V -

Figura 1.50

Pradiomx 0.5W 56 mA VL 9V I1 = Iz + IL = 1mA+ 56mA= 57mA (Tomando Iz = 1mA, corriente de ruptura inversa). V BAT VO 12V 9V R1 52 .63 I1 57 mA Para R1 se seleccionar el valor estndar de 51. 13 .6V 9V I1mx 90 .2mA 51 PZ I1VZ 90 .2mAx 9V 0.81W El limite mximo de potencia 1W para el zener no se ha excedido, incluso para VBAT =13.6V. (13 .6V 9V ) 2 PR1 VR1 I 1 0.41W 51 Deber seleccionarse para esta aplicacin un resistor con una potencia nominal de por lo menos 0.5W. Ejemplo # 6 Disee una fuente de alimentacin con puente rectificador, regulado por un diodo zener de 10V. La alimentacin deber ser capaz de entregar a la carga hasta 50mA. I Lmx

El voltaje pico del condensador es: Vcmx = Vz + VR1 Asumiendo una cada de VR1=3V. Entonces: Vcmx = 10V + 3V= 13V. Por tanto: Vsp = 13V +1.4V = 14.4V 120 2V 11 .79 Calculando n 14 .4V El valor real ser n =12. Con este valor Vsp = 14.14V Vcmx = 12.74V y VR1 = 2.74V. 2.74V R1 53.73 (Con 1mA como 51mA corriente de ruptura inversa del diodo zener). Para el clculo de C asumiremos: Vr = 1%Vcmx = 0.1274V Por tanto de (1.20): I1 51mA C 3,336 uF . 120 Vr 120 x0.1274 V PROBLEMAS Considere VF = 0.7V. a menos que se diga otra cosa. 1.1 Determine I3 en el circuito de la Figura P1.1. a) Utilizando modelo ideal. b) Utilizando 2da aproximacin. c) Considerando diodos con VF = 0.7V y RF = 10.

21

10

R1

D1 D2

D3 I3 R3
80

(V1) y RL2 (V2), adems calcule el voltaje promedio V1,2.

120ac 2:1

+ 5V

D4 R4
100

1 60 Hz

R2
50

C1
1000uF

RL1
2k

vs Figura P1.1

1000uF

C2

RL2
1k 2

1.2 Para el circuito de la figura P1.2. a) Dibuje y calcule el voltaje promedio en la carga sin filtro. b) Dibuje y calcule el voltaje promedio en la carga con filtro.
120ac 5:1 +

Figura P1.5

1.6 Para el circuito mostrado en la figura P1.6, calcule el voltaje promedio en RL1 (V1) y RL2 (V2), adems calcule el voltaje promedio V1,2.
120ac 2:1 1 + 60 Hz + V1,2

RL
1k

C
60 Hz 1000uF

Vo
-

RL1
2k

Vi Figura P1.2

V1 V2
+

Vi

1k

RL2
-

1.3 Para el circuito de la figura P1.3. a) Dibuje y calcule el voltaje promedio en la carga sin filtro. b) Dibuje y calcule el voltaje promedio en la carga con filtro.
120ac 5:1

Figura P1.6

1.7 Para el circuito mostrado en la figura P1.7, dibuje y calcule Vo. Considere diodos ideales.
-25/25V 1:2 1k

R1 D1 D2

R2 +
60 Hz

1k

C
1000uF

Vo -

RL
2k 2k

60 Hz

RL
10k

Vo
-

Vi Figura P1.7

Vi

Figura P1.3

1.4 Para el circuito mostrado en la figura P1.4 calcule el voltaje promedio en la carga con filtro y sin filtro.
120ac 5:1

1.8 Para el circuito mostrado en la figura P1.8 Qu valor de capacitor se requiere para obtener un voltaje de salida que no vara ms de 5%?. Dibuje la forma de onda de salida.
5k

D1
+ + -

+ 100Vrms 60Hz

RL
10k

Vo
60 Hz

560

Vo
-

Vi Figura P1.4

D2

1000uF

RL

Figura P1.8

1.5 Para el circuito mostrado en la figura P1.5 calcule el voltaje promedio en RL1 22

1.9 Disee una fuente de potencia de cd no regulada de onda completa que tenga una entrada de 220Vrms a 60Hz y un mximo de voltaje de salida de 19.5V y un mnimo de 15V. Esta alimentacin ser necesaria para proporcionar potencia a una carga que requiere una corriente mxima de 500mA. Suponga diodos y transformador ideales. Determine: a) La configuracin del circuito (dibujo). b) Relacin de vueltas del transformador. c) El tamao del capacitor. 1.10 Un circuito integrado requiere voltajes positivo y negativo para su operacin. Empleando el circuito que se muestra en la figura P1.10, determine la relacin de vueltas del transformador y el tamao del capacitor que se necesita para obtener un mximo de 14V y mnimo de 12V en la salida, cuando el voltaje de entrada es 120Vrms a 60Hz. Considere la 2da aproximacin para los diodos e ignore las perdidas en el transformador.
120ac

1.12 Para el circuito de la figura P1.12, calcule el valor mximo del capacitor que se puede utilizar. IDmx = 1A.
10:1 120ac

60 Hz

RL C Figura P1.12
1k

vs

1.13 Para el circuito de la figura P1.13, calcule: VL e IL.

RS
100 + 22V 10V + +

IL

2k -

RL V L

Figura P1.13

1.14 Para el circuito de la figura P1.14, calcule: VL e IL.

RS
560 + 22V 10V + +

n:1

IL

220 -

RL V L

1 60 Hz

Vi

C C
2

100

Vo1 Vo2

Figura P1.14

100

Figura P1.10

1.11 Para el circuito de la figura P1.11, calcule el valor mximo del capacitor que se puede utilizar. IDmx = 1A.
10:1 120ac +

1.15 Entre que valores puede variar Vi en el circuito de la figura P1.15, de modo que VL = 10V constante y que no exceda la potencia mxima que soporta el diodo zener, que es de 600mW.
5:1

Is

180

IL

Rs
60 Hz

RL
1k

vi

1000uF 10V -

Iz

60 Hz

VL RL 680
-

Vi Figura P1.11

Figura P1.15

23

1.16 Para el circuito de la figura P1.16, calcule: a) Vprom1 b) Vprom2 c) Vprom1,2.

5:1 120ac 1

60 Hz

C1
1000uF

Vi

C2
1000uF 2

Figura P1.16

1.17 Un diodo Schottky D1 con VF = 0.3V y un diodo de unin PN de silicio D2 con VF = 0.7V estn conectados en paralelo en el circuito de la figura P1.17,. Determine el voltaje de cada diodo y la corriente I1.
1k

R1

I1 V1
5V

D1

D2
SCHOTTKY

Figura P1.17

24