Crecimiento epitaxial El crecimiento epitaxial o epitaxia es uno de los procesos en la fabricacin de circuitos integrados.

A partir de una cara de un cristal de material semiconductor se hace crecer un substrato con la misma estructura cristalina; el sustrato debe poseer dos condiciones esenciales. La primera es que debe tener sitio de nucleacin donde los tomos a depositar pierdan su energa y lleguen a formar parte de la estructura cristalina del slido. La segunda es que el sustrato debe poseer una temperatura tal que, una vez alcanzada la superficie por los tomos que contribuirn al crecimiento, estos puedan moverse fcilmente hasta situarse en un lugar de la red cristalina . Mediante esta tcnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carcter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusin y se pone en contacto con el material de base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada. La capa crecida se extiende sobre toda la superficie del sustrato no de forma localizada como en la difusin. TIPOS DE EPITAXIA Segn sea el material que vamos a crecer sobre el sustrato: HOMOEPITAXIA Consiste en la deposicin de un material sobre el mismo material Ej. Si sobre Si Se obtiene mayor control del dopado y mejor calidad de la red cristalina HETEROEPITAXIA Aqu la deposicin de un material se hace sobre otro material Ej: Si sobre Ge(4%); AlGaAs sobre GaAs (1%o) La heteroepitaxia presenta algunos problemas: Generacin de tensiones(entre las diferentes capa) Aparicin de un espesor critico Estos problemas requieren un mayor control de las condiciones de crecimiento Dependiendo de la forma de transportar el material a crecer desde la fuente hasta el substrato existen tres tcnicas fundamentales de crecimiento epitaxial. Crecimiento epitaxial en fase lquida (LPE). Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE). Crecimiento epitaxial en fase vapor (VPE). Crecimiento epitaxial en fase lquida (LPE).

La epitaxia en fase liquida es el crecimiento de capas epitaxiales sobre sustratos cristalinos por precipitacin de un solido directamente desde una fase liquida. Es un proceso muy utilizado en compuestos IIIV y IIVI, pudiendo realizarse estructuras multicapa con composiciones y dopajes homogeneos y bien controlados. Para la obtencin de estructuras que contengan varias capas con diferentes composiciones, en la actualidad se utiliza una tecnica llamada barquilla deslizante. Esta barquilla se compone de dos partes: el tronco y el deslizador como se observa en la figura2. El tronco generalmente no se mueve y tiene unas cavidades hechas sobre un bote de grafito de alta pureza donde se alojan las fases lquidas de diferentes composiciones. Cada una de estas composiciones posee los elementos necesarios y los dopantes que originan las capas epitaxiales. El deslizador tambien de grafito tiene una cavidad en la cual se deposita el substrato, ste se desliza en relacin con el tronco y de esta manera el substrato se pone en contacto con cada una de las fases lquidas contenidas en las cavidades del tronco. Un termopar es introducido en el interior de la barquilla para indicar exactamente la temperatura existente en el sustrato, dato que debe ser perfectamente conocido y controlado. El conjunto esta colocado en un tubo cerrado de cuarzo, por ambos lados y calentado por un horno que permite saltos de temperatura de forma controlada. Durante la epitaxia un flujo de H2 purificado recorre el tubo eliminando el oxigeno y el vapor de agua que pudiera contaminar el proceso. Si al mismo tiempo se baja la temperatura del horno, entonces sobre la superficie del substrato se van a cristalizar capas epitaxiales; la composicin de estas capas depende de la temperatura y de las composiciones de las fases lquidas. El espesor de algunas de las capas se puede regular variando el intervalo de la temperatura en el que se realiza el proceso de cristalizacin o bien variando el volumen de la fase lquida. Cabe sealar que la epitaxia por fase lquida, desde el punto de vista tcnico, es bastante sencillo, econmica, y no usa gases txicos, pero es difcil hacer una produccin masiva con ella. Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE). El termino Molecular Beam Epitaxy ( MBE ), describe el crecimiento epitaxial de laminas delgadas de semiconductores compuestos mediante la reaccin de haces moleculares trmicos de los elementos constituyentes con la superficie de un sustrato cristalino, mantenido a temperatura adecuada y en condiciones de ultravaco. Consiste en la evaporacin de fuentes slidas de manera que se producen haces moleculares y se dirigen sobre un sustrato caliente sobre el cual se deposita el material. Es una tcnica habitual en el crecimiento de heteroestructuras de semiconductores por la gran perfeccin cristalina que alcanza. Los haces moleculares inciden sobre un sustrato y diversas reacciones qumicas ocasionan la deposicin de monocapas sucesivas. Mediante el adecuado control de las especies qumicas de los haces se puede variar la composicin de las capas epitaxiales. Esta tcnica, se ha de realizar en condiciones de ultravaco, ya que cualquier impureza daara nuestra capa. Adems, los materiales a epitaxial han de ser de gran pureza. Dentro de las ventajas de este mtodo se 2

encuentran las siguientes: Control de espesores con muy alta precisin Baja temperatura de crecimiento Posibilidad de fabricar estructuras complicadas Inconvenientes: Se ha de realizar en cmaras de vaco Complejidad de instalacin y uso Alto coste Epitaxia en fase de vapor (VPE) La VPE es un proceso en el que el material es trasportado al sustrato en forma de vapor, generalmente formado por compuestos. Estos, una vez alcanzado el sustrato se descomponen, y se incorporan a su superficie. Es hoy en DIA el proceso mas ampliamente utilizado. El equipo empelado, es un tubo rodeado de unas bobinas de induccin. Los sustratos de silicio estn colocados sobre una cesta de grafito, la cual es calentada por las bobinas de induccin hasta una temperatura prxima a los 1200 C. Al calentarse a esta temperatura, un flujo de gases atraviesa el tubo en el que queda encerrado todo el conjunto, siendo la composicin de estos gases muy controlada mediante vlvulas. En el interior del tubo se produce la siguiente reaccin: Si Cl4 Si (slido) + 4 Cl H En este caso, es el Si en estado slido el que se deposita en nuestro sustrato. Esta reaccin se tiene que producir muy lentamente, ya que si no se depositaria silicio policristalino en lugar de el silicio buscado. Horno usado para la VPE Por ultimo se muestra una tabla en la que se comparan algunos de los parmetros de las distintas tcnicas usadas en el mundo industrial. PARAMETROS tipo de proceso LPE fisico, cambio de fase MBE fisico, evaporacin y absorcin 10 amstrongs 1 m / h si vaco VPE cintica de gases + reaccin qumica 2 m 0,1 a 1 m/h no gases portadores de la sustancia

espesores min. 0,2 m vel de crecimiento 0,1 a 1 m/h versalitidad de dopajes no atm en que se realiza posibilidad de multicapas numero y tamao de sustratos H2 si

si, cambiando la fuente si, combinando los gases oblea entera 3

con barquilla, deslizamiento oblea entera de un cm

utilidad industrial coste

poca muy bajo

media alto

muy alta bajo