Laboratorio Transmisores y Antenas

Informe n°2

Diseño de un divisor de potencia del tipo T-junction.

José Miguel Aramburú Hernández

Ismael Roberto Acevedo Pavez
Profesor: Alfonso José Zozaya Sahad

Universidad Tecnológica Metropolitana. Facultad de Ingeniería, Departamento de electricidad.

21 de octubre 2021 Santiago de Chile

Resumen
En este informe, se propone la construcción de un divisor de potencia, por lo cual se realiza un estudio
sobre líneas de microcinta sobre un sustrato de FR4 dispuestas en geometrías particulares para que
realicen la adaptación o división de la potencia, donde se debe tener una entrada y dos salidas, se
intenta proponer un modelo que tenga la menor perdida posible por lo cual se analizan desde las
microcintas de forma individual hasta varias propuesta de modelos por medio teórico y a través de
simulaciones con dos herramientas, una de media onda y otra de onda completa.

1. Objetivos

• Diseñar teóricamente un divisor de potencia del tipo T-Junction sobre un sustrato FR4 de 1.6 mm de
espesor para que opere a la frecuencia de 2.4 GHz con impedancias de carga y de fuente de 50 Ω, de
acuerdo con las indicaciones dadas en clases.
• Optimizar el diseño teórico usando QucsStudio, esto en el rango de 2.3 y 2.6 GHz.
• Optimizar el diseño teórico usando Sonnet Lite, esto en el rango de 2.3 y 2.6 GHz.
• Analizar los resultados obtenidos describiendo el funcionamiento del divisor de potencia en función
de los conceptos teóricos pertinentes y de su desempeño observado en las simulaciones.

2. Introducción
Para el desarrollo y diseño del divisor de potencia se utilizará la misma teoría que en el laboratorio 1, donde
se diseñaran de forma individual las microcintas y se realizaran varias simulaciones para validar los valores
obtenidos, para ello se utilizarán dos simuladores, primero QucsStudio como simulador de media onda y
Sonnet Lite como simulador de onda completa.
Adaptador de impedancia de lambda-cuartos (T-λ/4).

El T-λ/4 (“Quarter-Wavelength”) es el adaptador de impedancia más sencillo y utilizado para poder obtener
la impedancia deseada en una línea de transmisión, esta deberá tener una longitud de λ/4 de la frecuencia de
diseño. Por otro lado, el inconveniente de usar este tipo de adaptadores es que solo sirven impedancias reales,
si se quiere transformar una impedancia compleja en una impedancia real se necesita modificar la longitud
de las secciones o incluir algún elemento reactivo en serio o paralelo, pero no se puede conseguir
directamente con este tipo de adaptador [1], en la figura 1 se puede ver un ejemplo del adaptador λ/4.

Figura 1: Adaptador de impedancia de λ/4.

Las formulas de diseño asociadas al adaptador de λ/4 son:

𝑍1 = √𝑍0 ∙ 𝑍𝐿 (1)

𝜀𝑟 + 1 𝜀𝑟 − 1
𝜀𝑟𝑒𝑓𝑓 = + (2)
2 𝑤
2√1 + 12
ℎ

𝐶0
λ0 𝑓
λ= = (3)
√𝜀𝑟𝑒𝑓𝑓 √𝜀𝑟𝑒𝑓𝑓

Ecuaciones teórico-empíricas para el diseño de una línea de microcinta

Para diseñar una línea de microcinta con un determinado valor 𝑍0 de impedancia característica, dado el
espesor ℎ y la constante dieléctrica 𝜀𝑟 del sustrato, se pueden usar las ecuaciones mostradas a continuación
𝑤
de acuerdo con el valor de frontera ℎ , tal como se muestra con las ecuaciones de la (4) a la (7)

𝑤 8𝑒 𝐴 𝑤
= ; ( < 2) (4)
ℎ 𝑒 2𝐴 − 2 ℎ
𝑤 2 𝜀𝑟 − 1 0,61 𝑤
= {𝐵 − 1 − ln(2𝐵 − 1) + [ln(𝐵 − 1) + 0,39 − ]} ; ( > 2) (5)
ℎ 𝜋 2𝜀𝑟 𝜀𝑟 ℎ
Donde:
𝑍0 𝜀𝑟 + 1 𝜀𝑟 − 1 0,11
𝐴= √ + (0,23 + ) (6)
60 2 𝜀𝑟 + 1 𝜀𝑟

377𝜋
𝐵= (7)
2𝑍0 √𝜀𝑟

3. Método Teórico
El desarrollo teórico se realizará para obtener primer el ancho de las microcintas y por ultimo el largo para
el adaptador de lambda-cuartos.

Cálculo teórico de parámetros geométricos de microcinta

De acuerdo con los valores de la Tabla 1 y considerando una impedancia característica de 50Ω:

Tabla 1
Parámetro Valor
Espesor de sustrato(h) 1,6[mm]
Espesor del cubrimiento de cobre (t) 35[um]
Constante dieléctrica (𝜀𝑟 ) 4,4~4,5

Se reemplaza en las expresiones (6) y (7) para determinar los valores de los parámetros 𝐴 y 𝐵.

Microcinta de 50 𝛀:

Dimensionamiento de w

𝑍0 𝜀𝑟 + 1 𝜀𝑟 − 1 0,11 50 4.5 + 1 4.5 − 1 0.11

𝐴= √ + (0,23 + )= √ + (0.23 + )
60 2 𝜀𝑟 + 1 𝜀𝑟 60 2 4.5 + 1 4.5

𝐴 = 1.5438 (11)

377𝜋 377𝜋
𝐵= =
2𝑍0 √𝜀𝑟 2 ∙ 50√4.5

𝐵 = 5.5832 (12)
𝑤
Con estos valores determinados, se utiliza las expresiones (6) y (7) para evaluar la relación ℎ .

𝑤 8𝑒 𝐴 8𝑒 1.5438
= 2𝐴 = 2∗1.5438 = 1.8799 (8)
ℎ 𝑒 −2 𝑒 −2
 𝑤 2 𝜀𝑟 − 1 0,61
= {𝐵 − 1 − ln(2𝐵 − 1) + [ln(𝐵 − 1) + 0,39 − ]}
ℎ 𝜋 2𝜀𝑟 𝜀𝑟

𝑤 2 4.5 − 1 0,61
= {5.5832 − 1 − ln(2 ∙ 5.5832 − 1) + [ln(4.5 − 1) + 0,39 − ]}
ℎ 𝜋 2 ∙ 4.5 4.5

𝑤 2 4.5 − 1 0,61
= {5.5832 − 1 − ln(2 ∙ 5.5832 − 1) + [ln(4.5 − 1) + 0,39 − ]}
ℎ 𝜋 2 ∙ 4.5 4.5

𝑤 2 3.5
= {2.2641 + [1.5072]} = 1.8813 (9)
ℎ 𝜋 9

𝑤
Como la condición < 2 se cumple solo para el resultado (8), se considera esta aproximación como la
ℎ
correcta, entonces:

𝑤
= 1.8779 → 𝑤 = 1.8799 ∙ ℎ = 1.8799 ∙ 1.6[𝑚𝑚]
ℎ

𝑤 = 3.0079[𝑚𝑚] (10)

Dimensionamiento de h

Utilizando las relaciones (2) y (3), se obtiene:

4.5 + 1 4.5 − 1
𝜀𝑟𝑒𝑓𝑓 = + = 2.75 + 0.3605 = 3.1105
2 2√1 + 12 ∗ 1.8799

3 ∗ 108
9 0.125
λ = 2.4 ∗ 10 = = 0.0708753 [𝑚]
√3.1105 1.7636

Por lo que el adaptador de lambda-cuartos queda:

λ 0.07087
= = 0.01771 = 17.71[𝑚𝑚]
4 4

Diseño del adaptador de lambda-cuartos:

Para poder conectar la cinta de 50 Ω de entrada con las dos cintas de salida de 50 Ω, se debe obtener la
impedancia que debe tener el adaptador de lambda-cuartos, esto se realizará con la ecuación (1):

𝑍1 = √50 ∙ 100 = 70.71 Ω

Microcinta de 70.71 𝛀

𝑍0 𝜀𝑟 + 1 𝜀𝑟 − 1 0,11 70.71 4.5 + 1 4.5 − 1 0.11

𝐴= √ + (0,23 + )= √ + (0.23 + )
60 2 𝜀𝑟 + 1 𝜀𝑟 60 2 4.5 + 1 4.5

𝐴 = 2.1162 (11)

377𝜋 377𝜋
𝐵= = = 3.9480 (12)
2𝑍0 √𝜀𝑟 2 ∙ 70.71√4.5
𝑤
Con estos valores determinados, se utiliza las expresiones (6) y (7) para evaluar la relación ℎ .

𝑤 8𝑒 𝐴 8𝑒 2.1162
= = = 0.9927 (13)
ℎ 𝑒 2𝐴 − 2 𝑒 2∗2.1162 − 2

𝑤 2 4.5 − 1 0,61
= {3.9480 − 1 − ln(2 ∙ 3.9480 − 1) + [ln(3.9480 − 1) + 0,39 − ]}
ℎ 𝜋 2 ∙ 4.5 4.5

𝑤 2 3.5
= {1.0170 + [1.3355]} = 0.9781 (14)
ℎ 𝜋 9
𝑤
Como la condición < 2 se cumple solo para el resultado (13), se considera esta aproximación como la
ℎ
correcta, entonces:
𝑤
= 0.9927 → 𝑤 = 0.9927 ∙ ℎ = 0.9927 ∙ 1.6[𝑚𝑚]
ℎ

𝑤 = 1.5883[𝑚𝑚] (15)

Dimensionamiento de h

Utilizando las relaciones (2) y (3), se obtiene:

4.5 + 1 4.5 − 1
𝜀𝑟𝑒𝑓𝑓 = + = 2.75 + 0.9740 = 3.7240
2 2√1 + 12 ∗ 0.9927

3 ∗ 108
9 0.125
λ = 2.4 ∗ 10 = = 0.06477 [𝑚]
√3.7240 1.9297

Por lo que el adaptador de lambda-cuartos queda:

λ 0.06477
= = 0.0.01619 [𝑚] = 16.19[𝑚𝑚]
4 4
Para efecto de los simuladores todos los valores obtenidos se aproximarán a un solo decimal, y se exponen
en la tabla 2, mostrada a continuación.

Tabla 2
Microcinta 50 Ω Microcinta 70.71 Ω
w [mm] 3.0 1.6
L [mm] 17.7 16.2

4. Método Experimental
Para el método Experimental se revisarán varias simulaciones y se compararan los resultados obtenidos en
dos softwares, los cuales son QucsStudio y Sonnet Lite.

Simulación circuital en QucsStudio

Lo primero que se realizará en QucsStudio, será revisar el ajuste de las cintas calculadas y revisar el error
versus los valores que entrega la herramienta de diseño de líneas de transmisión de la plataforma.

Figura 2 ilustra el esquema para la línea de 50Ω.

Para la simulación mostrada en la figura 2, con un w = 3 [mm] y L = 17.7 [mm] se obtiene un parámetro S11
a 2.4 GHz de -44.4 dB, para esta microcinta los valores recomendados por la herramienta de diseño en
QucsStudio, son w = 2.98 [mm] y L = 16.86 [mm], como ya se mencionó los valores solo se trabajarán con
un decimal por lo cual la aproximación de los valores con los que se trabajará en la simulación son w = 3
[mm] y L = 16.9 [mm], para estos valores se tiene un parámetro S11 a 2.4 GHz de -44.05 dB, en ambos casos
la impedancia está adaptada ya que la carga tiene una resistencia de 50 Ω.

Para la simulación mostrada en la figura 3, con un w = 1.6 [mm] y L = 16.2 [mm] se obtiene un parámetro
S11 a 2.4 GHz de aproximadamente -10.04 dB, para esta microcinta los valores recomendados por la
herramienta de diseño en QucsStudio, son w = 1.55 [mm] y L = 17.35 [mm], como ya se mencionó los
valores solo se trabajarán con un decimal por lo cual la aproximación de los valores con los que se trabajará
en la simulación son w = 1.6 [mm] y L = 17.4 [mm], para estos valores se tiene un parámetro S11 a 2.4 GHz
de -10 dB, en este caso se adaptan de mejor manera a una impedancia de 100 Ω los valores entregados por
QucsStudio.

Figura 3 ilustra el esquema para la línea de 70.71Ω.

Lo siguiente que se revisará, serán los resultados de los elementos combinados para revisar el rendimiento
del divisor de potencia del tipo T-junction.

Figura 4 ilustra el circuito en forma T-Junction con valores teóricos.

Al revisar los resultados del circuito de la figura 4 con los valores de diseño, en este caso en forma de T (en
simulaciones posteriores se buscará ver el rendimiento de la antena al doblar los brazos de la T), se obtienen
los resultados mostrados en la figura 5.
Figura 5 ilustra los gráficos a la izquierda de los parámetros S11, S21 y S31 y a la derecha de la resistencia y reactancia de
entrada.

Los resultados obtenidos con los valores presentados por la herramienta de diseño de QucsStudio (circuito
mostrado en la figura 6), son los mostrados en la figura 7.

Figura 6 ilustra el circuito en forma T-Junction con valores de herramienta de diseño de QucsStudio.

Al comparar los resultados obtenidos en la figura 5 y 7, se puede ver que el ajuste de impedancia sucede de
mejor manera en el circuito simulado con los valores que entrega la herramienta de diseño de QucsStudio,
ya que el parámetro S11 es mucho menor en la frecuencia deseada (2.4 GHz) y el ajuste de la impedancia en
50 Ω, es mucho mejor en este caso.
Figura 7 ilustra los gráficos a la izquierda de los parámetros S11, S21 y S31 y a la derecha de la resistencia y reactancia de
entrada.

Luego de obtener una propuesta para los valores de diseño del circuito, que en este caso se escogerá como
valores de diseño los mostrado en el esquema circuital expuesto en la figura 6, se revisan algunas opciones
para doblar los brazos del T-Junction.

Figura 8 ilustra T-junction con los brazos doblados, modelo 1.

Como se puede ver en la figura 8, para el diseño del T-junction se optó por utilizar una unión en T para la
unión de la impedancia de 50 Ω de la entrada y la impedancia de 70.71 Ω y dos esquinas para doblar la
impedancia de 70.71 Ω, también por recomendación se utiliza la proporción 1:2 para el largo de los trozos
utilizados para cada tramo de la línea de 70.71 Ω.

Como resultado se tienen los gráficos mostrados en la figura 9.

Figura 9 ilustra gráficos de S11, S21 y S31 de la T-junction modelo 1 y de la parte real e imaginaria de la Zin.

Como se observa en la figura 9 se obtiene una impedancia de entrada de Zin = 50 - j10 = 50.99 ˪-11.3° Ω, a
una frecuencia de 2.4 GHz.

Como segunda opción se revisa como diseño realizar el dobles de la T-Junction en la parte de 50 Ω, dejando
intacta la parte de 70.71 Ω, el esquema circuital se puede ver en la figura 10.

Figura 10 ilustra T-junction con los brazos doblados, modelo 2.

Como resultado se obtienen los gráficos mostrados en la figura 11.

Figura 11 ilustra gráficos de S11, S21 y S31 de la T-junction modelo 2 y de la parte real e imaginaria de la Zin.

Como se observa en la figura 11 se obtiene una impedancia de entrada de Zin = 44.8 + j7.5 = 45.42 ˪9.5° Ω,
a una frecuencia de 2.4 GHz.

Simulación circuital en Sonnet Lite

Al igual que en QucsStudio, se revisar el ajuste de las cintas calculadas, tanto los valores teóricos como los
valores obtenidos en la herramienta de diseño de QucsStudio.

Figura 12 ilustra el esquema para la línea de 50Ω.

Para la simulación mostrada en la figura 12, con un w = 3 [mm] y L = 17.7 [mm] se obtiene un parámetro
S11 a 2.4 GHz de -32.11 dB, la impedancia en este caso es de 43.71 Ω, para esta microcinta los valores
recomendados por la herramienta de diseño en QucsStudio, son w = 2.98 [mm] y L = 16.86 [mm], como ya
se mencionó los valores solo se trabajarán con un decimal por lo cual la aproximación de los valores con los
que se trabajará en la simulación son w = 3 [mm] y L = 16.9 [mm], para estos valores se tiene un parámetro
S11 a 2.4 GHz de -32.15 dB, la impedancia es 47.68 Ω.

Para la simulación mostrada en la figura 13, con un w = 1.6 [mm] y L = 16.2 [mm] se obtiene un parámetro
S11 a 2.4 GHz de aproximadamente -10.11 dB, con una impedancia de entrada de 94.42 Ω, para esta
microcinta los valores recomendados por la herramienta de diseño en QucsStudio, son w = 1.55 [mm] y L =
17.35 [mm], como ya se mencionó los valores solo se trabajarán con un decimal por lo cual la aproximación
de los valores con los que se trabajará en la simulación son w = 1.6 [mm] y L = 17.4 [mm], para estos valores
se tiene un parámetro S11 a 2.4 GHz de -10.06 dB, en este caso la impedancia de entrada es de 95.67 Ω.

Figura 13 ilustra el esquema para la línea de 70.71Ω.

Lo siguiente que se revisará, serán los resultados de los elementos combinados para revisar el rendimiento
del divisor de potencia del tipo T-junction.

Figura 14 ilustra el circuito en forma T-Junction con valores teóricos.

Al revisar los resultados del circuito de la figura 14 con los valores teóricos de diseño, en este caso en forma
de T (en simulaciones posteriores se buscará ver el rendimiento de la antena al doblar los brazos de la T), se
obtienen los resultados mostrados en la figura 15, 16 y 17.
Figura 15 ilustra los valores de los parámetros S11, S21 y S31 de la T-junction con valores teóricos.

Figura 16 ilustra el valor de la parte real de la Zin de la T-junction con valores teóricos.
 Figura 17 ilustra el valor de la parte imaginaria de la Zin de la T-junction con valores teóricos.

Los resultados obtenidos con los valores presentados por la herramienta de diseño de QucsStudio (circuito
mostrado en la figura 18), son los mostrados en la figura 19, 20 y 21.

Figura 18 ilustra el circuito en forma T-Junction con valores de herramienta de diseño de QucsStudio.

Al comparar los resultados obtenidos en Sonnet Lite para los valores de diseño teóricos y los entregados por
la herramienta de QucsStudio, se puede ver que el ajuste de impedancia sucede de mejor manera en el circuito
simulado con los valores que entrega la herramienta de diseño de QucsStudio, ya que el parámetro S11 es
mucho menor en la frecuencia deseada (2.4 GHz) y el ajuste de la impedancia en 50 Ω, es mucho mejor en
este caso, esto sucede de la misma forma que con QucsStudio.
Figura 19 ilustra los valores de los parámetros S11, S21 y S31 de la T-junction con valores de QucsStudio.

Figura 20 ilustra el valor de la parte real de la Zin de la T-junction con valores de QucsStudio.
 Figura 21 ilustra el valor de la parte imaginaria de la Zin de la T-junction con valores de QucsStudio.

Luego de obtener una propuesta para los valores de diseño del circuito, que en este caso se escogerá como
valores de diseño los entregados por la herramienta de QucsStudio, a continuación, se muestran los
resultados para doblar los brazos de la T-junction con las mismas técnicas que en las simulaciones anteriores,
esto para comparar las mismas geometrías asociadas a las antenas.

Figura 22 ilustra T-junction con los brazos doblados, modelo 1.

Como se puede ver en la figura 22, para el diseño del T-junction se optó por utilizar una unión en T para la
unión de la impedancia de 50 Ω de la entrada y la impedancia de 70.71 Ω y dos esquinas para doblar la
impedancia de 70.71 Ω, también por recomendación se utiliza la proporción 1:2 para el largo de los trozos
utilizados para cada tramo de la línea de 70.71 Ω.

Como resultado se tienen los gráficos mostrados en la figura 23, 24 y 25.

Figura 23 ilustra los valores de los parámetros S11, S21 y S31 de la T-junction modelo 1.

Figura 24 ilustra el valor de la parte real de la Zin de la T-junction modelo 1.

 Figura 25 ilustra el valor de la parte imaginaria de la Zin de la T-junction modelo 1.

Como se ve en las figuras 24 y 25 se obtiene una Zin = 39.59 + j4.96 = 39.90 ˪7.14° Ω, a una frecuencia de
2.4 GHz.

Como segunda opción se revisa como diseño realizar el dobles de la T-Junction en la parte de 50 Ω, dejando
intacta la parte de 70.71 Ω, el esquema circuital se puede ver en la figura 26.

Figura 26 ilustra T-junction con los brazos doblados, modelo 2.

Como resultado se obtienen los gráficos mostrados en la figura 27, 28 y 29.

Figura 27 ilustra los valores de los parámetros S11, S21 y S31 de la T-junction modelo 2.

Figura 28 ilustra el valor de la parte real de la Zin de la T-junction modelo 2.

 Figura 29 ilustra el valor de la parte imaginaria de la Zin de la T-junction modelo 2.

Como se observa en las figuras 28 y 29 se obtiene un Zin = 47.12 + j6.442 = 47.56 ˪7.78° Ω, a una frecuencia
de 2.4 GHz.

5. Análisis de Resultados
El divisor de potencia T-junction debe permitir el paso de la potencia de entrada, y transmitirla en relación
1:1 a las salidas del sistema, con la menor perdida posible.

Para ellos se debió realizar el cálculo teórico del ancho y largo de las microcintas de cobre que van a
componer el sistema, lo primero tres impedancias de 50 Ω y después 2 impedancias de 70.71 Ω, como el
trabajo solicita una iteración de simulaciones para encontrar valores óptimos de diseño, se resuelve en una
primera etapa evaluar varias formas de realizar esto, donde finalmente en este trabajo se ven reflejados dos
cálculos a tomar en consideración, donde los valores para la primera prueba con un modelo que se construyó
en forma de T, fueron los teóricos obtenido con las aproximaciones entregadas en clases y se compararon
con los que entrega la herramienta de diseño de QucsStudio, para posteriormente realizar el análisis de 2
modelos para doblar los brazos del divisor de potencia.

Al comparar los valores teóricos con los valores brindados por la herramienta de QucsStudio, al igual que
en el primer laboratorio, el modelo simulado -en ambas herramientas- con los segundos valores obtienen un
rendimiento mejor para el modelo T, por lo que los comentarios siguientes solo se hablara sobre estos
resultados.

Para considerar dentro de la evaluación de los modelos, solo se revisará que los parámetros S 21 = S31, esto
porque como se está estudiando un divisor de potencia, lo esperado es que estas respuestas sean siempre
iguales entre sí y el parámetro que sirve para discriminar si hay perdidas o no, será el parámetro de dispersión
S11.
Para el modelo configurado en T revisado en QucsStudio, se obtiene un parámetro de dispersión S11 menor,
con lo cual se obtienen menores perdidas, y una impedancia de entrada prácticamente de 50 Ω sin parte
imaginaria -despreciable- a la frecuencia de diseño.

Para el modelo configurado en T revisado en Sonnet Lite, ocurre algo similar, obteniendo parámetros de
dispersión menores y una impedancia de entrada de Zin = 47.66 - j0.3167 Ω, con lo cual este valor es mucho
más cercano a los 50 Ω, con una perdida mucho menor que con los otros valores.

Luego de realizar la selección del modelo en T con el que se va a trabajar, que es el modelo diseñado con
los valores entregados por la herramienta de diseño de QucsStudio, se revisan dos modelos para doblar los
brazos de la T, donde el primero dobla el adaptador de lambda-cuartos y el segundo modelo dobla las
impedancias de 50 Ω de la salida del circuito.

Para los dos modelos propuestos se revisarán los resultados obtenidos en ambos simuladores y luego
dependiendo de su desempeño se escogerá un modelo para la antena.

Modelo 1, QucsStudio: en este simulador lo que vale mencionar para saber cuál de los dos modelos es mejor
es la impedancia resultante, ya que los parámetros de dispersión para ambos modelos son iguales, la
impedancia obtenida en este caso es Zin = 50 - j10 = 50.99 ˪-11.3° Ω.

Modelo 1, Sonnet Lite: para este caso se obtiene para los parámetros S21 = S31 = -3.194 dB y S11 = -17.82
dB y una impedancia de entrada Zin = 39.59 + j4.96 = 39.90 ˪7.14° Ω.

Modelo 2, QucsStudio: en este simulador lo que vale mencionar para saber cuál de los dos modelos es mejor
es la impedancia resultante, ya que los parámetros de dispersión para ambos modelos son iguales, la
impedancia obtenida en este caso es Zin = 44.8 + j7.5 = 45.42 ˪9.5° Ω.

Modelo 2, Sonnet Lite: para este caso se obtiene para los parámetros S21 = S31 = -3.187 dB y S11 = -22.79
dB y una impedancia de entrada Zin = 47.12 + j6.442 = 47.56 ˪7.78° Ω.

En base a lo anterior el desempeño del segundo modelo es mejor en base a que el parámetro de dispersión
S11 es menor, lo que se traduce en menos perdidas, la diferencia entre lo obtenido en ambos simuladores es
muy poca y por último el desempeño del modelo 2 en el simulador de Onda completa nos entrega una
impedancia de entrada muy cercana a 50 Ω versus lo obtenido para el modelo 1 que si bien tiene menor fase,
la magnitud más alejada de los 50 Ω indica un mayor desacople de las impedancias por lo cual se traduce en
más perdidas.

6. Conclusiones

• Se puede decir que las ecuaciones de diseño teóricas que se utilizan para la línea de microcinta dan
un punto de partida para poder diseñar el divisor de potencia, ya que la herramienta de diseño
computacional entrega valores con los cuales se obtienen mejores rendimientos, posiblemente esto
se deba primero, a la baja cantidad de decimales con los que se está trabajando y lo segundo, es que
las fórmulas teóricas ya se encuentran aproximadas, por lo que otra aproximación aumenta la
diferencia entre lo obtenido de forma teórica y los valores entregados por una herramienta
computacional.
 • Al comparar los resultados del simulador de media onda y el de onda completa, se puede ver que son
muy distintos ya que al revisar los diseños en ambos simuladores se obtienen respuestas distintas,
aunque el de media onda sirve para trastear valores como punto de partida y obtener una simulación
circuital, en el simulador de onda completa uno debe diseñar la pieza y configurar rigurosamente los
valores antes de realizar cualquier simulación, a diferencia del primero que es más rápido de usar ya
que se cambian solo los valores.

• Hay que tener mucho cuidado con la geometría de la antena que se va a comparar en los simuladores,
ya que los diseños deben ser rigurosamente diseñados en los dos sistemas ya que una pequeña
diferencia puede significar estar comparando dos geometrías completamente distintas, con lo cual los
resultados esperados se alejan completamente.

• Por último, el simulador de onda completa es el más preciso en cuanto rendimiento, por esto, después
de comparar los resultados obtenidos para todos los modelos propuestos se prefiere optar por el
diseño que presentó los mejores valores de desempeño en este sistema, el modelo seleccionado es el
modelo número dos, que propone dejar la línea de transmisión de 70.71 Ω intacta, mientras la
conexión se realiza en las líneas de transmisión de 50 Ω.

7. Bibliografía

[1] Adrián López Ibáñez et al. Diseño de adaptadores de impedancias en tecnología coaxial para divisores
radiales de potencia. B.S. thesis, 2015.
[2] C. Balanis, Antenna Theory. Analysis and design., John Wiley & Sons, 2005.
[3] Sonnet. High Frequency Electromagnetic Software. Sonnet. Suites 15. Getting Started. 2014.
[4] Sonnet. High Frequency Electromagnetic Software. Sonnet. Suites 15. User’s Guide. Sonnet Software,
Inc., 2015.