Explora Libros electrónicos
Categorías
Explora Audiolibros
Categorías
Explora Revistas
Categorías
Explora Documentos
Categorías
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
2 - Un transistor de unión bipolar está formado por dos uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
• Emisor: esta fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se
debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
• Base: es la capa intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Está
ligeramente dopada.
• Colector: de extensión mucho mayor. Muy poco dopado.
3 – BJT es la sigla para “Bipolar Junction Transistor” (Transistor Bipolar de Unión) este
dispositivo se clasifica según el orden de sus junturas, a saber:
• NPN: Unión de semiconductores Tipo N, Tipo P, Tipo N en ese orden.
• PNP: Unión de semiconductores Tipo P, Tipo N, Tipo P en ese orden.
4 – Un transistor cuenta con 3 terminales, cada una con un nombre distintivo a su función:
• Emisor (E)
• Colector (C)
• Base (B)
5 – Para lograr una operación de amplificación mediante un transistor BJT las uniones
deben estar:
• Unión Base-Colector: en polarización inversa.
Esto puede realizarse mediante el uso de la región activa mediante una configuración de
base común o emisor común.
10 – Existen una gran variedad de formas posibles de conexión para cualquier transistor
para lograr una amplificación de potencia, pero en todas la acción de amplificación se
produce gracias (además del dispositivo mismo) a la acción de las tensiones continuas
aplicadas externamente para polarizar dicho elemento. En sí, debido al aporte de esta
tensión continua (que se suma a la señal de entrada) se obtiene una amplificación de la
señal de entrada.