UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL VILLA MARÍA

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

UNIDAD N° 3 – Transistores Bipolares

Tema: Física del Transistor Bipolar – Polarización

1 - La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al

desplazamiento de portadores de dos polaridades: huecos positivos y electrones
negativos.

2 - Un transistor de unión bipolar está formado por dos uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
• Emisor: esta fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se
debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
• Base: es la capa intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Está
ligeramente dopada.
• Colector: de extensión mucho mayor. Muy poco dopado.

3 – BJT es la sigla para “Bipolar Junction Transistor” (Transistor Bipolar de Unión) este
dispositivo se clasifica según el orden de sus junturas, a saber:
• NPN: Unión de semiconductores Tipo N, Tipo P, Tipo N en ese orden.
• PNP: Unión de semiconductores Tipo P, Tipo N, Tipo P en ese orden.

4 – Un transistor cuenta con 3 terminales, cada una con un nombre distintivo a su función:
• Emisor (E)
• Colector (C)
• Base (B)

Cada tipo de transistor tiene un símbolo representativo:

Tipo NPN Tipo PNP

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5 – Para lograr una operación de amplificación mediante un transistor BJT las uniones
deben estar:
• Unión Base-Colector: en polarización inversa.

• Unión Base-Emisor: en polarización directa.

Esto puede realizarse mediante el uso de la región activa mediante una configuración de
base común o emisor común.

6 – La corriente de colector tiene dos componentes es la suma entre la corriente de

base ( I B ) y la corriente de emisor ( I E ). Dichas componentes no tienen la misma
magnitud ya que la corriente de emisor es mucho mayor a la corriente de base y a su
vez la corriente de colector es obviamente mayor que ambas.

7 - Para la configuración de base común con transistores PNP y NPN, la terminología

de la base común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada
(Emisor) como a la salida (Colector) de la configuración.

Existe una relación de proporcionalidad entre la corriente de salida (IC) y la corriente de

entrada (IE) en la configuración base común: IE ≈ IC. La relación de proporcionalidad

viene dada por el factor de amplificación de corriente de base común ( α).
IC
El valor de α se evalúa en C.C. para voltaje de salida constante como: α=
IE
Como IEIC , α ≈ 1 siguiendo la ley de Ohm para EB y BC y considerando la
entrada y salida de corriente prácticamente iguales, se puede lograr una amplificación de
V
tensión modificando R. Según la relación: I cte=
R
La señal de entrada y salida están en fase.

8 – La ganancia de corriente en una etapa amplificadora en conexión emisor común se

representa mediante un factor denominado Beta (ß), que relaciona las magnitudes de
IC
corriente de colector con corriente de base de la forma: ß=
IB
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9 – Los limites de operación sobre las características de salida de un BJT son:

• La corriente de colector máxima ( I CMax )

• La tensión colector-emisor máxima ( V CEMax )

• Y del producto de las anteriores se obtiene una tercera magnitud limite, la

potencia máxima ( PMax )

Un punto de funcionamiento estático en la región activa en la conexión de emisor

común se determina (gráficamente) sobreponiendo la recta de carga (obtenida a partir
de los elementos del circuito) en las gráficas de las curvas características de cada
transistor en particular (para cada corriente de base). El punto de intersección entre
ambas curvas, se denomina punto de trabajo Q.

10 – Existen una gran variedad de formas posibles de conexión para cualquier transistor
para lograr una amplificación de potencia, pero en todas la acción de amplificación se
produce gracias (además del dispositivo mismo) a la acción de las tensiones continuas
aplicadas externamente para polarizar dicho elemento. En sí, debido al aporte de esta
tensión continua (que se suma a la señal de entrada) se obtiene una amplificación de la
señal de entrada.

11 – La polarización de un transistor consiste en la asignación de un determinado

potencial a cada una de las terminales del mismo; dependiendo si estos potenciales son
altos o bajos y de la forma en que estos se realicen, se tendrán polarizaciones directas
o indirectas, se definirá como será su funcionamiento y su zona de trabajo.

12 – La estabilidad del punto de operación (determinado por todo el sistema, circuito-

transistor) puede especificarse mediante un factor de estabilidad el cual indica el grado
de cambio en el punto de operación debido a una variación de temperatura. Dicha
estabilidad puede mejorarse implementando diversos tipos de polarizaciones
determinados por distintas configuraciones de circuito. En orden creciente de estabilidad
estas son:
• Polarización Fija

• Polarización Estabilizado en Emisor

• Polarización por Divisor de Voltaje