ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA

MECÁNICA Y ELÉCTRICA
UNIDAD AZCAPOTZALCO

ELECTRÓNICA DIGITAL APLICADA

UNIDAD I INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DE CONTROL

ELEMENTOS DE CONTROL ELECTRÓNICO

FET Y MOSFET

ELABORADO POR : M EN E ING. CARLOS ADRIÁN AMEZCUA MAGAÑA

ACADEMIA DE ELÉCTRICA – ELECTRÓNICA
ENERO 2022
 TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO (FET)
• LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) SON DISPOSITIVOS DE
TRES TERMINALES: FUENTE (SOURCE), DRENAJE (DRAIN) Y PUERTA (GATE)
QUE TRABAJA CONTROLANDO LA CORRIENTE ENTRE DRAIN Y SOURCE A
TRAVÉS DEL CAMPO ELÉCTRICO ESTABLECIDO MEDIANTE LA TENSIÓN
APLICADA A LA TERMINAL DE GATE Y SOURCE.
• LA TERMINAL DE GATE, QUE FUNCIONA COMO TERMINAL DE CONTROL, NO
MANEJA VIRTUALMENTE CORRIENTE, SALVO ALGUNA CORRIENTE DE
FUGA, PUES SE POLARIZA EN SENTIDO INVERSO. EL DISPOSITIVO PRESENTA,
EN CONSECUENCIA, UNA ELEVADA IMPEDANCIA DE ENTRADA (PUEDE
LLEGAR A VALORES DEL ORDEN DE 10 MΩ) QUE RESULTA ESENCIAL PARA
MUCHAS APLICACIONES

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 SÍMBOLOS PARA FET

Construcción
FET canal N

Símbolo para FET tipo Canal N Símbolo para FET tipo Canal P

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 TIPOS DE FET
SE CONSIDERAN CUATRO TIPOS PRINCIPALES DE
FET, ESTANDO DISPONIBLES EN DOS CLASES
(CANAL N Y CANAL P)
FET DE UNIÓN (JFET).
FET METAL ÓXIDO SEMICONDUCTOR DE
EMPOBRECIMIENTO (MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO).
FET METAL ÓXIDO SEMICONDUCTOR DE
ENRIQUECIMIENTO (MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO).
MOSFET DE ALTO VOLTAJE O SUPERMOSFET
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 VENTAJAS:

 SON DISPOSITIVOS SENSIBLES A LA TENSIÓN CON ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA (107 A 1012 Ω). YA QUE LA
IMPEDANCIA DE ENTRADA ES MAYOR QUE LA DE LOS BJT, SE PREFIEREN LOS FET A LOS BJT PARA LA ETAPA DE
ENTRADA A UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA.

 LA CORRIENTE DE ENTRADA ES PRÁCTICAMENTE NULA (IG).

 ES UN DISPOSITIVO UNIPOLAR, TIENE UN ÚNICO TIPO DE PORTADORES.

 GENERAN UN NIVEL DE RUIDO MENOR QUE LOS BJT.

 SON MAS ESTABLES CON LA TEMPERATURA QUE EL BJT.

 SE COMPORTAN COMO RESISTORES VARIABLES CONTROLADOS POR TENSIÓN PARA VALORES PEQUEÑOS DE
TENSIÓN DRAIN A SOURCE.
 PUEDE SER UTILIZADO COMO CONMUTADOR Y COMO ALMACENADOR DE CARGA (T DE ENTRADA GRANDE
(T=RC)).
 LOS FET DE POTENCIA PUEDEN DISIPAR UNA POTENCIA MAYOR Y CONMUTAR CORRIENTES GRANDES.

 TAMAÑO MAS PEQUEÑO QUE LOS BIPOLARES. ES DE FÁCIL FABRICACIÓN E INTEGRACIÓN

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 DESVENTAJAS:

X EXHIBEN UNA RESPUESTA EN FRECUENCIA POBRE

DEBIDO A LA ALTA CAPACITANCIA DE ENTRADA.
X ALGUNOS TIPOS DE FET PRESENTAN UNA LINEALIDAD
MUY POBRE.
X SE PUEDEN DAÑAR POR MAL MANEJO, DEBIDO A LA
ELECTRICIDAD ESTÁTICA.

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 TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO METAL ÓXIDO
SEMICONDUCTOR (MOSFET)
UNA DE LAS CARACTERÍSTICAS MÁS IMPORTANTES DEL MOSFET ES SU TAMAÑO; ES
TAN PEQUEÑO COMPARADO CON UN TRANSISTOR BIPOLAR (BJT), QUE SÓLO OCUPA EL
20 O 30 % DEL ÁREA DEL CHIP QUE OCUPARÍA UN BJT TÍPICO. POR LO TANTO, LOS
MOSFET PUEDEN ALCANZAR DENSIDADES DE EMPAQUETAMIENTO MUY ELEVADAS
EN UN CIRCUITO INTEGRADO, DE ALLÍ QUE SE LOS UTILICE AMPLIAMENTE EN ELLOS.
ADEMÁS, TIENEN LA CAPACIDAD DE DISIPAR ALTAS POTENCIAS Y CONMUTAR
GRANDES CORRIENTES EN MENOS DE UN NANOSEGUNDO, MUCHA MÁS RAPIDEZ QUE
LA ACTUALMENTE ALCANZABLE UTILIZANDO UN BJT, ES POR ESTA RAZÓN QUE SE LO
UTILIZA COMO INTERRUPTOR DE ALTA POTENCIA Y ALTA FRECUENCIA.

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 MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
• El MOSFET de empobrecimiento, también llamado e MOSFET de deplexión, se
compone de una pieza de material tipo N con una zona P a la derecha denominada
sustrato o cuerpo, y una puerta aislada a la izquierda. Los electrones que deben circular
desde source hasta el drain, deben pasar por el estrecho canal entre el gate y la zona P.

• Se deposita una delgada capa de dióxido de silicio (sio2), que es como una capa de
vidrio y se comporta como un vidrio, que es un aislante, del lado izquierdo del canal.
En un MOSFET el gate es metálico y está aislado del canal y solo una muy pequeña
corriente circula aun cuando la polarización sea positiva
• Símbolo del MOSFET de empobrecimiento

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POLARIZACIÓN DE UN MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO
• MOSFET de empobrecimiento con una tensión de gate negativa, la
tensión VDD obliga a los electrones libres a circular desde source a
drain, esto circula por el canal izquierdo del sustrato P. Como sucede
con el JFET, la tensión del gate controla el ancho del canal. Cuanto mas
negativo sea la tensión de gate menor será la corriente de drain, cuando
la tensión es lo suficientemente negativa, la corriente del drain se
interrumpe, por lo que el MOSFET de empobrecimiento funciona de
manera similar a un FET cuando VGS es negativa.

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 Cuando se aplica una tensión positiva VGS, se incrementa los electrones

libres que circulan a través del canal, cuanto mas sea la tensión de VGS mayor

será la corriente IS
Al MOSFET de empobrecimiento se le denomina así porque su
conductividad depende de la acción de las capas de deplexión; conduce
cuando el voltaje de Gate es cero

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CURVA CARACTERÍSTICA DE
UN MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO

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 MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
Al MOSFET de enriquecimiento se le conoce así porque su
conductividad mejora cuando la tensión de gate es mayor que la tensión
de umbral
• Construcción
Para un MOSFET de enriquecimiento, el sustrato P se extiende a todo
lo ancho, hasta el dióxido de silicio, ya no existe un canal N entre source
y drain.

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 POLARIZACIÓN DEL MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO
Cuando la tensión VGS es nula, la corriente entre drain y source es nula. Por lo
que el MOSFET está en estado de corte. La única forma de tener I D, es polarizar
positivamente el gate. Al ser positiva la tensión del gate atrae electrones libres
dentro de la región P y se recombinan con los huecos cercanos al sio 2, cuando la
tensión de gate es lo suficientemente positiva desaparecen todos los huecos
cercanos la sio2 y los electrones libres empiezan a circular desde source hasta
drain. El efecto es idéntico al crear una delgada capa de material tipo N próxima
al sio2, denominada “capa de inversión tipo N”, lo que permite la libre circulación
de los electrones desde source a drain.

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 CURVA CARACTERÍSTICA DE
SALIDA
LA CURVA CARACTERÍSTICA DE SALIDA INDICA QUE LA I D DEPENDE DE LA POLARIZACIÓN DE V GS,
LA CURVA CASI VERTICAL CORRESPONDE A LA ZONA ÓHMICA Y LA ZONA CASI HORIZONTAL
CORRESPONDE A LA ZONA ACTIVA. EL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO PUEDE FUNCIONAR BIEN EN
LAS 2 ZONAS, O SEA, PUEDE FUNCIONAR COMO UNA RESISTENCIA O COMO UNA FUENTE DE
CORRIENTE, PREDOMINANDO SU OPERACIÓN EN LA ZONA ÓHMICA

a) CARACTERÍSTICA DE SALIDA. B) CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA

CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA DE VOLTAJE DE UN MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO.

LA CORRIENTE DE DRAIN SOLO SE PRESENTA HASTA QUE EL VOLTAJE DE GATE, ES MAYOR AL V GS(TH),
A PARTIR DE ESE MOMENTO LA ID SE INCREMENTA DE MANERA IMPORTANTE HASTA ALCANZAR LA
CORRIENTE DE SATURACIÓN ID(SAT), MAS ALLÁ E ESTE PUNTO EL MOSFET ESTÁ POLARIZADO EN LA
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REGIÓN ÓHMICA Y LA ID YA NO SUFRE INCREMENTO AUN QUE SE INCREMENTE V GS. PARA ASEGURAR
LA SATURACIÓN FUERTE, SE USA COMO V GS UN VALOR MUCHO MAS ALTO DE VGS(TH).
 OPERACIÓN DEL MOSFET EN LA
ZONA ÓHMICA
CUANDO UN MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO SE POLARIZA EN LA
ZONA ACTIVA, ES EQUIVALENTE A UNA RESISTENCIA RDS(ON), QUE ES
UN DATO INCLUIDO EN LAS HOJAS DE DATOS DEL DISPOSITIVO PARA
UNA ID Y UNA VGS ESPECÍFICA, DANDO COMO RESULTADO APLICAR
LA LEY DE OHM PARA CONOCER EL DATO

PARÁMETRO RDS(ON)

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 EJERCICIO 5

 CALCULAR LA RDS(ON) PARA EL MOSFET VN2406L QUE TIENE UN VDS(ON) DE 1V A UNA ID DE 100MA

LA ID DE SATURACIÓN ESTÁ DEFINIDA POR LA LEY DE OHM

DONDE LA TENSIÓN DE CORTE ESTÁ DEFINIDA POR EL VOLTAJE DE ALIMENTACIÓN V DD. LA RECTA DE
CARGA DEL MOSFET CANAL N SE MUESTRA EN LA GRÁFICA SIGUIENTE, DONDE SE TIENEN DOS
PUNTOS IDENTIFICABLES, EL PUNTO DE CORTE Y EL DE SATURACIÓN, EL PUNTO DE CORTE SE
OBTIENE CUANDO VGS=0V Y VDS=VDD; CUANDO VGS=VGS(ON) ID ESTÁ EN SU PUNTO MÁXIMO
DENOMINADO ID(SAT); EL MOSFET ESTÁ POLARIZADO EN LA REGIÓN ÓHMICA CUANDO SE DA LA
SIGUIENTE CONDICIÓN:

ID(SAT)< ID(ON) CUANDO VGS=VGS(ON)

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• RECTA DE CARGA DE UN MOSFET CANAL N

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 BIBLIOGRAFÍA
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• T., F. (2008). DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS (8° ED.). MÉXICO: PEARSON EDUCACIÓN.