FISICA DE SEMICONDUCTORES

UNIDAD 3

“DISPOSITIVOS DE UNION”

ALUMNO: RODRIGUEZ CASTILLO BRYAN

GIOVANNI

N°CONTROL:18070175
 DIODO
Es un componente electrónico que permite el paso de la corriente en un solo
sentido. La flecha de la representación simbólica muestra la dirección en la que
fluye la corriente
Constan de la unión de dos tipos de material semiconductor, uno tipo N y otro tipo
Separados por una juntura llamada barrera o unión. Los electrones y huecos que
se encuentran cerca de la unión se combinan formando una barrera llamada región
de saturación.

El diodo se puede puede hacer funcionar de 2 maneras diferentes:

POLARIZACIÓN DIRECTA:
Cuando la corriente circula en sentido directo, es
decir del ánodo A al cátodo K, siguiendo la ruta de la
flecha (la del diodo). En este caso la corriente
atraviesa el diodo con mucha facilidad
comportándose prácticamente como un corto
circuito. El diodo conduce.

Polarización inversa:
Cuando una tensión negativa en bornes del diodo
tiende a hacer pasar la corriente en sentido inverso,
opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del
cátodo al ánodo. En este caso la corriente no
atraviesa el diodo, y se comporta prácticamente
como un circuito abierto. El diodo está bloqueado.
 Características Generales de los diodos

Tensión Umbral, de codo o partida:

La grafica nos indica el comportamiento de las I-V en un diodo; se puede apreciar

que
para tensiones pequeñas hay corrientes pequeñas. La tensión para que la corriente
empieza a aumentar rápidamente se llama tensión umbral del diodo. Para un diodo
de
silicio, la tensión umbral puede aproximarse a la barrera de potencial,
aproximadamente 0.7 volts. Un diodo de germanio, por otra parte, tiene una tensión
umbral de aproximadamente 0.3v

CORRIENTE MAXIMA

Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseño del mismo.
CORRIENTE INVERSA DE SATURACION

Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la

formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se
duplica
por cada incremento de 10º en la temperatura.

CORRIENTE SUPERFICIAL DE FUGA

Además de la corriente inversa de saturación existe una pequeña corriente que

circula
sobre la superficie de cristal. Esta corriente se denomina Corriente superficial de
fugas,
que es causada por impurezas en la superficie del cristal e imperfecciones en su
estructura atómica.

TENSIÓN DE RUPTURA

Los diodos admiten unos valores máximos en las tensiones que se les aplique. Por
tanto,
existe un límite para la tensión máxima en inversa con que se puede polarizar un
diodo
sin correr el riesgo de destruirlo.

Si se aumenta continuamente la tensión inversa, llegara un momento en que se

alcance
la tensión de ruptura del diodo. La tensión de ruptura se muestra en la hoja de
características del diodo.

Una vez alcanzada la tensión de ruptura, una gran cantidad de portadores

minoritarios
aparece repentinamente en la región de saturación y el diodo conduce
descontroladamente.
 DIODO ZENER

El diodo zener es capaz de trabajar en la región en la que se da el efecto del mismo

nombre cuando las condiciones de polarización así lo determinen y volver a
comportarse como un diodo estándar una vez que la polarización retorne a su zona
de trabajo habitual.

Resumiendo, el diodo zener se comportará como un diodo normal, salvo que

alcance la tensión zener para la que ha sido tarado en fábrica, momento en que
dejará pasar a través de él una cantidad ingente de corriente.

Este efecto se produce en todo tipo de circuitos reguladores, limitadores y

recortadores de tensión. La aplicación zener, sobre todo a fuentes de alimentación,
será tratada con profusión algo más adelante.
CARACTERÍSTICAS:
- Variando el nivel de dopaje de los diodos de silicio, el fabricante puede producir
diodos zener con tensiones de ruptura que van desde 2 a 200 V y coeficientes de
potencia de W a 50 W.

- Un diodo zener recibe a veces el nombre de diodo regulador de tensión porque

mantiene la tensión entre sus terminales constante, incluso cuando la corriente
sufra
cambios.

- En condiciones normales, el diodo zener debe trabajar en la polarización inversa;

pera trabajar en la zona zener, le tensión de la fuente debe ser mayor que la
tensión de ruptura

- Para detección de averías y análisis preliminares, la zona se puede aproximar

mediante una recta vertical. En consecuencia, la tensión es constante incluso
cuando la corriente cambie, lo cual equivale a ignorar la resistencia zener.

APLICACIONES:
- Estos diodos se usan comúnmente en fuentes de tensión, donde proporcionan un
valor estable de tensión, sobre un amplio rango de condiciones térmicas y de
carga.
 DIODO TUNEL

Como se ha comentado anteriormente, en un diodo de unión p-n con fuerte dopado

puede producirse el efecto túnel o zener en condiciones de polarización inversa. En
el caso que ambas regiones semiconductoras estén muy fuertemente dopadas (del
orden de 1000 veces más que en un diodo zener), la zona de agotamiento es muy
estrecha y el campo eléctrico en la zona de agotamiento es tan grande que el
efecto túnel o zener deviene también importante para el caso de polarización
directa. En estas condiciones, la característica corriente-tensión del diodo cambia
drásticamente observándose una región en que la corriente disminuye cuando
aumenta la tensión de polarización directa (zona de resistencia negativa, con dV/dI
< 0). Un diodo operando de esta manera es llamado diodo túnel o también diodo
degenerado. Generalmente se suele fabricar de AsGa en vez de Si o Ge.

Conforme aumenta la polarización directa, la corriente aumenta con mucha rapidez

desde cero hasta el valor de pico de iD (Ip) en que se produce la ruptura. Entonces
la corriente cae hasta Iv (corriente de valle), dando lugar a la región de resistencia
negativa. Dicha región se desarrolla de manera característica en el intervalo de 50
mV a 250 mV. A partir de la tensión de valle Vv, el diodo túnel se comporta
prácticamente como un diodo normal. La tensión de ruptura inversa no existe y, por
tanto, el diodo túnel no es capaz de bloquear tensiones inversas como otros
diodos. Como, debido a su funcionamiento, no hay procesos de almacenamiento
de portadores minoritarios, el diodo túnel es útil en aplicaciones de alta velocidad
La principal utilidad del diodo túnel está en la zona de resistencia negativa. Esta se
puede utilizar en conjunción con un circuito sintonizado para producir un oscilador de alta
frecuencia y alta Q. Modificando adecuadamente el dopado del diodo túnel es posible hacer
que en condiciones de polarización directa el efecto túnel casi no se produzca haciendo
desaparecer la zona de resistencia negativa. Si nos limitamos a bajos valores de la tensión de
polarización (inferiores a 0,7 V) se tiene que, en ese caso, la corriente inversa sería mayor
que la directa, de ahí que el dispositivo resultante reciba el nombre de diodo unitúnel o
diodo "backward".
Empleando este diodo en el sentido inverso y para bajos niveles de la tensión de
polarización,
la caída de tensión en dicho diodo es muy pequeña. Es por ello que dicho diodo suele
utilizarse para la detección de señales muy débiles. Otra aplicación es la rectificación de
señales pequeñas. Como no hay almacenamiento de portadores minoritarios tiene una buena
respuesta en frecuencia.
 DIODO VARACTOR

En este diodo se ha modificado el perfil y el nivel de dopado de forma que se ha

aumentado mucho su capacidad de unión. Además esta capacidad de unión se podrá
modificar según la tensión aplicada inversamente al diodo. Así si aumentamos la tensión
inversa aplicada:
1. La zona de agotamiento aumenta, lo que aumenta la distancia neta entre cargas.
2. Se producen más iones positivos y negativos (generamos más carga).
La capacidad de unión variará por tanto con la tensión inversa aplicada y cuanto más
tensión se aplique menor capacidad tendremos. La expresión matemática ya se vio en el
punto referente a las capacidades parásitas.

Su utilización es básicamente como elemento de sintonía en receptores de FM o televisión

como parte del tanque resonante LC

La utilización más solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir
a complejos sistemas mecánicos de condensador variable en etapas de
sintonía en todo tipo de equipos de emisión y recepción. Por poner un
ejemplo, cuando actuamos en la sintonía de un viejo receptor de radio
estamos variando (mecánicamente) el eje del condensador variable que
incorpora éste en su etapa de sintonía; pero si, por el contrario, actuamos
sobre la ruedecilla o, más comúnmente, sobre el botón (pulsador) de sintonía
de nuestro moderno receptor de TV color lo que estamos haciendo es variar
la tensión de polarización inversa de un diodo varactor contenido en el
módulo sintonizador del equipo.
 DIODO PIN

Dispositivo electrónico compuesto de 3 tipos de semiconductores: tipo N, tipo P y

semiconductor intrínseco entre ellos.
Debido a su composición, existe el contacto entre el semiconductor intrínseco y el
semiconductor de tipo P, por lo que los electrones libres del intrínseco ocupan los
huecos
del elemento tipo P, asimismo con el elemento tipo N, los huecos del intrínseco son
ocupados por portadores mayoritarios tipo N quedando así ambos en equilibrio.

CARACTERISTICAS

-Se puede trabajar con longitudes de onda de 1100 y Hola 1600

-El voltaje de ruptura de polarización es inversa es de aproximadamente 1100 v

-En polarización directa se podría deducir como un dispositivo con resistencia

modulada

-Se considera el diodo pin en polarización inversa como un circuito abierto, no

permite el flujo de los portadores mayoritarios

APLICACIÓN

-conmutadores de radio de frecuencia

-resistencia variable

-Protector de sobre voltaje

-fotodetector
 FUNCIONAMIENTO:

Polarización directa:

Cuando el diodo PIN esta polarizado en sentido directo los huecos del
semiconductor tipo P se difunden en la región PI creando una capa de tipo P de
baja resistividad. Como la corriente es debida al flujo de los electrones y de los
huecos cuyas afectaciones con aproximadamente iguales en las regiones, en la
condición de polarización directa la caída de tensión en la región es muy pequeña
debido a que la zona de saturación es muy estrecha además al igual que un diodo
PN cuando aumenta la corriente disminuye la resistencia.

Polarización inversa:

Recordando el funcionamiento del diodo PN al aplicar esta polarización los

portadores mayoritarios de cada semiconductor se redujeron por lo que la zona de
saturación crece y la diferencia de potencial para lograr la conductividad deberá ser
mayor, análogamente para el diodo PIN, sin embargo, la zona de saturación es
más grande debido al semiconductor intrínseco que se interpone entre ellos de
modo que el voltaje de ruptura es mucho mayor.
 DIODO SCHOTTKY

Los diodos Schottky no presentan almacenamiento de carga, por lo que solucionan

el problema de los diodos rectificadores de pequeña señal que debido
principalmente al uso frecuente ya no son capaces de conmutar lo suficientemente
rápido para producir una señal de media onda bien definida.

Los diodos Schottky son, relativamente, dispositivos de alta corriente capaces de

conmutar rápidamente a la vez que proporciona corrientes en directa, alrededores
de 50 A. Presentan tensiones de ruptura bajas comparadas con las de los diodos
rectificadores normales de unión PN.

CARACTERÍSTICAS:

- A la diferencia en el tamaño de los orbitales (entre la región N y el metal), se le

llama barrera Schokky.

- Un diodo Schottky tiene una barrera de potencial de solo 0.25 V. Puede rectificar
con facilidad frecuencias superiores a 300 MHz.

- La región N tendrá un dopaje relativamente alto, buscando reducir la perdida de

conducción, por esto el voltaje máximo que puede soportar este tipo de diodo esta
alrededor de los 100 V.

- Se denomina a veces diodo de portadores activos, debido a que la polarización

directa incrementa la energía de los electrones en el lado N a un nivel mayor que la
de los electrones en el lado metálico.
APLICACIONES:

- En las fuentes de alto voltaje en las cuales las caídas en los rectificadores son
significativas.

- En circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes

velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite
poco gasto de energía

- Variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el monitor al
variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades

FUCIONAMIENTO:

Almacenamiento de carga:

Al estar polarizado el diodo directamente, los electrones cruzan la región de

saturación y se desplazan hacia la región P antes de recombinarse. De manera
similar, los huecos han atravesado la región y se han desplazado a la región N
antes de producirse la recombinación. Cuanto mayor es el tiempo de vida, mayor
número de cargas pueden desplazarse antes de producirse la recombinación.

El almacenamiento temporal de los electrones libres en la región de mayor energía

(P) y de los huecos en la región de menor energía (N) es lo que se conoce como
almacenamiento de cargas.

El almacenamiento de cargas produce en los diodos rectificadores una corriente

inversa, debido a que, si el diodo se polariza en inversa de manera repentina,
las cargas almacenadas podrían circular en la dirección inversa durante un breve
periodo de tiempo

DIODO AVALANCHA

Un diodo avalancha, es un dispositivo semiconductor diseñado especialmente para

trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión
en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que
han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran
debido al campo eléctrico incrementando su energía cinética, de forma que al
colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su vez, se aceleran y
colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también, produciéndose
una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por
el diodo sin apenas incremento de la tensión.

Un diodo avalancha, es un dispositivo semiconductor diseñado especialmente para

trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión en
polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que
han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran
debido al campo eléctrico incrementando su energía cinética, de forma que al
colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su vez, se aceleran y
colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también, produciéndose
una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por
el diodo sin apenas incremento de la tensión
Una aplicación común es la protección de circuitos electrónicos contra los dañinos
altos voltajes. El diodo de avalancha está conectado al circuito de manera que es
polarizado inversamente. En otras palabras, su cátodo es positivo con respecto a
su ánodo. En esta configuración, el diodo es no conductor y no interfiere con el
circuito. Si la tensión aumenta más allá del límite de diseño, el diodo entra en
ruptura por avalancha, causando la tensión perjudicial para llevarse a cabo a tierra.
Cuando se utiliza de esta manera, ellos se refieren a menudo como los diodos de
fijación o supresores de transitorios de tensión, ya que "sujetan" la tensión máxima
a un nivel predeterminado. Diodos de avalancha son normalmente especificados
para este papel por su tensión de fijación VBR y la cantidad máxima de energía
transitoria que pueden absorber, especificado por la energía o. Avalancha desglose
no es destructiva, siempre y cuando el diodo se evita el sobrecalentamiento.

UTILIDAD

Los diodos avalancha generan ruido de radio frecuencia; son comúnmente

utilizados como fuentes de ruido en equipos de radio frecuencia. También son
usados como fuentes de ruido en los analizadores de antena y como generadores
de ruido blanco.
 FOTODETECTORES

Los fotodetectores son dispositivos que responden de una u otra forma a cualquier
tipo de radiación óptica, incluyendo la luz visible, infrarroja, ultravioleta, etc. y las
convierten en señales eléctricas. Estos son utilizados en múltiples aplicaciones,
incluyendo instrumentación médica, codificadores, censado de posiciones,
sistemas de comunicaciones de fibra óptica, y procesamiento de imágenes; todo
esto sin necesidad de un contacto físico directo.

Los primeros sensores fotoeléctricos, desarrollados en la década de 1950,

utilizaban una lámpara incandescente como fuente de luz y una celda conductiva o
fotocelda como elemento sensible. Actualmente se utilizan elementos de estado
sólido para estas funciones, los cuales son más eficientes, no «envejecen», no se
calientan, soportan vibraciones, discriminan la luz ambiente, etc.

Un sensor fotoeléctrico moderno, en general, lo constituyen tres bloques

fundamentales (Figura 1). Un emisor, un receptor y una circuitería electrónica. El
emisor en particular utiliza uno o varios Leds para producir un haz de luz modulada
roja o infrarroja que viaja hacia el receptor a través del espacio, una fibra óptica u
otro medio.

Se utilizan leds infrarrojos y luz modulada porque de esta forma se garantiza una

gran inmunidad a otras formas de luz ambientales, un alto rendimiento luminoso,
una alta velocidad de respuesta, la insensibilidad a los golpes y vibraciones, y una
larga vida útil. La luz roja se utiliza para transmisión por fibra óptica plástica y en
detectores réflex polarizados.

al igual que las fuentes luminosas, los detectores ópticos están fabricados

con semiconductores de estado sólido, que sobre la base de la teoría de las
uniones P-N generan un flujo de corriente cuando captan un fotón; su grado de
respuesta depende de los materiales empleados y de la longitud de onda de
trabajo. La explicación de los principios físicos bajo los cuales funcionan los
fotodiodos es un análisis amplio en electrónica por lo que nos limitaremos
simplemente a mencionar algunos aspectos relacionados con
dichos detectores ópticos.

Entre otros parámetros de operación, es deseable que los fotodiodos sean

altamente eficientes, que tengan un bajo nivel de ruido, un amplio ancho de
banda (es decir, que respondan de manera uniforme y rápida en todas
las longitudes de onda de la señal), que sean poco sensibles a las variaciones
de temperatura, baratos, pequeños, etc.

La eficiencia de un fotodiodo está relacionada con su expansividad, es decir, la

cantidad de electrones que es capaz de generar en relación con los fotones
recibidos. Dicho de otra forma, es la corriente eléctrica que entrega a la salida en
relación con la potencia óptica de entrada.
 FOTODEMISORES

Los fotoemisores son uniones PN específicamente diseñados para la detección de

luz; funcionan bajo condiciones de polarización inversa y poseen una ventana o un
tipo de lente, el cual permite que la luz pase por el encapsulado hasta la unión PN.

En un fotoemisor, cuando la luz se proyecta sobre su unión PN, se realiza una

transferencia de energía de las ondas luminosas viajeras incidentes (en forma de
fotones) a la estructura atómica, lo cual deslinda electrones de valencia y produce
electrones libres y huecos; cuanto más intensa sea la luz, mayor será el número de
portadores minoritarios y mayor será la corriente inversa. Esto puede ser
representado en la siguiente gráfica, a diferentes niveles de intensidad. La corriente
oscura es la que se dará sin iluminación aplicada .

CARACTERÍSTICAS:

Son posibles dos modos de operación:

1. Operación fotovoltaica: El fotodiodo se convierte en una fuente de corriente

cuando es iluminado.

2. Operación foto conductiva: La fotoemisor es polarizado inversamente. Una

corriente fluye cuando la unión PN se ilumina (en la obscuridad, una pequeña
corriente llamada corriente obscura fluirá).

Respuestas espectrales relativas para silicio, germanio y selenio,

comparadas
con las del ojo humano.
Se observa que el Ge abarca un espectro más amplio de longitudes de onda que el
Si, lo que lo convierte en un elemento adecuado para la luz incidente en la región
infrarroja. El Ge posee una corriente oscura más alta que el Si y también un nivel
más alto de corriente inversa.