Está en la página 1de 116

Tema 1

Dispositivos de
Potencia

Regiones operativas de componentes

El Diodo de Potencia

Tcnicas para mejorar la VBD.

V1 V 2 V1 V2
da

db

El Diodo de Potencia

RecitificadoresAlta
Tensin
PropsitoGeneral
Recuperacinrpida
DiodosSchottky
ZnerdePotencia

Vmx
30Kv

Imx
0.5A

Vdirecto
10V

Tconmut
100n

Aplicaciones
Altatensin

5Kv
3Kv
120v
300v

10KA
2KA
300A
75W

0,7a2,5V
0,7a1,5V
0,2a0,9V

25u
<5u
30n

Rectificadoresa50Hz
Circuitosconmutados
Circuito sconmutadosBT
Referenciasdetensiones

El Diodo de Potencia

Caractersticas de catlogo:

Tensin inversa de trabajo, VRWM= mxima tensin inversa que puede soportar de
forma continuada sin peligro de avalancha.

Tensin inversa de pico repetitiva, VRRM= mxima tensin inversa que puede
soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y su
frecuencia de repeticin inferior a 100Hz.

Tensin inversa de pico nico, VRSM= mxima tensin inversa que puede soportar
por una sola vez cada 10 ms minutos si la duracin del pico es menor a 10ms.

Caractersticas Dinmicas

Prdidas en los diodos

Diodo Schottky de potencia

BJT de potencia

Definicin de corte: Cuando se aplica una tensin VBE ligeramente negativa


para que
IE

0 ; IC

IB

I C0

Funcionamiento del BJT. Zona


activa

Funcionamiento del BJT. Cuasisaturacin

El lmite de la zona activa se alcanza cuando VCB=0

Funcionamiento del BJT.


Saturacin.

Funcionamiento del BJT.


Ganancia

BJT en conmutacin. Corte

BJT en conmutacin. Saturacin

BJT en conmutacin. Potencia


disipada.

PON

OFF

Pconduccin

tr t f
1
.V CC . I Cmx .
6
T
t
V CEsat . I C.
T

Circuitos de excitacin de transistores bipolares.

Dispositivo controlado por corriente.

Tiempo de puesta en conduccin depende de la rapidez con la


que se inyecte las cargas necesarias en la base del transistor.

Velocidades de conmutacin de entrada se pueden reducir


aplicando inicialmente un pico elevado de corriente de base y
disminuyendo la corriente hasta la necesaria para mantener el
transistor en conmutacin. Igualmente se necesita un pico de
corriente negativa en el apagado.

Excitacin en funcin a la
posicin de la carga

Esquema ejemplo.

Formulacin.
Cuando la seal pasa a nivel alto
R2 estar cortocircuitada
inicialmente. La corriente de base
inicial ser IB1.
Cuando C se cargue, la corriente
de base ser IB2.
Se necesitar de 3 a 5 veces la
constante de tiempo de carga del
condensador para considerarlo
totalmente cargado.
La seal de entrada pasa a nivel
bajo en el corte y el condensador
cargado proporciona el pico de
corriente negativa.

Vi VBE
R1
V V
I B 2 i BE
R1 R2
I B1

R1.R2
RE .C
.C
R1 R2

Forma de onda de la IB

Comparacin de IB con y sin L

Ejemplo.
Disear un circuito de excitacin de un BJT (TIP31C). Que tenga un
pico de 1A de corriente de base y de 0.2A en conduccin. La tensin
de excitacin es de 0 a 5V, cuadrada, con un ciclo de trabajo del
50% y una frecuencia de conmutacin de 25Khz.

I B1

Vi VBE 5 1

1 A R1 4
R1
R1

IB2

Vi VBE
5 1

0, 2 A R2 16
R1 R2 4 R2
R1.R2
20u
4.16
.
C

.
C

C 1,25uF

5
4 16
R1 R2

RE .C

Simulacin del ejemplo

Potencias perdidas en ambos casos

Enclavador Baker

Se usa para reducir los tiempos de conmutacin del transistor bipolar.


Mantiene al transistor en la regin de cuasi-saturacin.
Evita que VCE sea muy baja.
Las prdidas son mayores.

1csn
V
0
D

VCE VBE nV
. D VDs

Darlington
Incrementar la Beta del
transistor equivalente, con
el fin de mejorar la
excitacin

MOSFET. Curvas caractersticas.

zona de saturacin , V GS V T V DS iD

k W
.
V GS V T
2 L

zona hmica , V GS V T V DS , i D k
R DS ON

V DS
W
. V GS V T .V DS
L
2

1
W
k.
V GS V T
L

Diodos en antiparalelo asociados

Efecto de las capacidades


parsitas en VG

El efecto de la conmutacin de otros dispositivos puede provocar variaciones importantes en


la tensin de puerta debido al acoplamiento capacitivo parsito.
Cuanto menor sea RG, menos se notar este efecto

Apagado y encendido en un MOSFET

Caractersticas dinmicas

PON

OFF

Pconduccin

tr t f
1
.V . I
.
6 CC Dmx
T
t
2
I D . r DS ON .
T

Circuitos de excitacin de MOSFET

Es un dispositivo controlado por tensin.

Estado de conduccin se consigue cuando la tensin puerta-fuente


sobrepasa la tensin umbral de forma suficiente.

Corrientes de carga son esencialmente 0.

Es necesario cargar las capacidades de entrada parsitas.

Velocidad de conmutacin viene determinada por la rapidez con que la


carga de esos condensadores pueda transferirse.

Circuito de excitacin debe ser capaz de absorber y generar corrientes


rpidamente para conseguir una conmutacin de alta velocidad.

Carga de las capacidades parsitas

Diferencias de excitacin con


el BJT

Detalles

Detalles

Ejemplo
Calcular la excitacin de un Mosfet
de potencia que tiene las siguientes
caractersticas:
VTH=2 a 4V.
VGSmx=20V
VDSmx=100V
Capacidades parsitas= las de la figura.

Se precisa que el Mosfet conmute al


cabo de 50ns o menos. Si la tensin
de excitacin es de 12V y la de
alimentacin es de 100V calcular la
corriente necesaria y la RB que la
limite.

Solucin

Vemos que las capacidades de entrada y salida a ms de 60V es de


300pF y 50pF respectivamente. Como ambas se tienen que cargar,
necesitaremos:

dVDG
100V 12V
50 pF .
88mA
dt
50ns
dV
12V 2V
IG CGS . GS 300 pF .
60mA
dt
50 ns
Total 148 mA
IDG CDG .

Circuito propuesto.
RB

12V 4V 54 ; 50
148mA

normalizado

Simulacin.

Funcionamiento del SCR.

Caracterstica esttica del SCR

Mecanismo de cebado.

Curvas V e I del SCR durante


conmutacin.

Formas de provocar el disparo en


un SCR
Corriente de puerta.
Elevada tensin nodo-ctodo.
Aplicacin de Vak positiva antes de que el bloqueo haya
terminado.
Elevada deriva Vak.
Temperatura elevada.
Radiacin luminosa.

Autodisparo

Autodisparo

Disparo normal

TRIAC

TRIAC. Caracterstica esttica

Cuadrantes de disparo del TRIAC

Disparo de un triac.

Formas alternativas de disparo

Circuitos auxiliares

Ejemplo de V e I en una aplicacin

Circuito equivalente del IGBT

IGBT. Curva caracterstica

Caractersticas de conmutacin.

Valores lmites del IGBT

Capacidades parsitas en un
IGBT

Caracterstica esttica del GTO

Funcionamiento del GTO

IG

IA
OFF

2
OFF

Formas de onda de IG

Para entrar en conduccin se necesita una subida rpida y valor IG suficientes.


Se mantiene una Igon
Para cortar se aplica una IG negativa muy grande.
Debe mantenerse una VG negativa para evitar que conduzca de forma espontnea

Circuito de excitacin de puerta


del GTO

Conmutacin del GTO

Encendido por corriente positiva.

Apagado del GTO por corriente


negativa

Comparacin entre los dispositivos de


potencia

UJT
El transistor uniunin (UJT, unijunction transistor) es un dispositivo de conmutacin del tipo
ruptura. Sus caractersticas lo hacen muy til en muchos circuitos industriales, incluyendo
temporizadores, osciladores, generadores de onda, y ms importante an, en circuitos de control de
puerta para SCR y TRIACs.
Cuando el voltaje entre emisor y base1 Veb1, es menor que un cierto valor denominado voltaje de
pico, Vp, el UJT est CORTADO, y no puede fluir corriente de E a B1 (Ie=0). Cuando Veb1
sobrepasa a Vp en una pequea cantidad, el UJT se dispara o CONDUCE. Cuando esto sucede, el
circuito E a B1 es prcticamente un cortocircuito, y la corriente fluye instantneamente de un
terminal a otro. En la mayora de los circuitos con UJT, el pulso de corriente de E a B1 es de corta
duracin, y el UJT rpidamente regresa al estado de CORTE.

UJT. Circuito equivalente.


VBB : Tensin interbase.
rBB : Resistencia interbase
VE : Tensin de emisor.
IE : Intensidad de emisor.
VB2 : Tensin en B2, (de 5 a 30 V para el UJT
polarizado).
VP : Tensin de disparo
IP : Intensidad de pico (de 20 a 30 A.).
Vv : Tensin de valle de emisor Iv : Intensidad
valle del emisor. VD : Tensin directa de
saturacin del diodo emisor (de 0,5 y 0,7 V).
: Relacin intrnseca (de 0,5 a 0,8)
r BB r B1 r B2
r B1
r B1 r B2
V P V R1 V D

UJT. Funcionamiento
El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la figura se
muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidos como emisor E, base1 B1 y base2
B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases rBB con
valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs, se carga el condensador C a travs
de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en circuito abierto. La constante de tiempo del circuito de
carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a
travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando
el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el
ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de oscilacin,
T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por:

T RC ln

1
1

PUT.
El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo
tiristor con el smbolo de la figura. Un PUT se puede utilizar
como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra. El
voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin
mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y
determina el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp
est fijado por el voltaje de alimentacin, pero en un PUT
puede variar al modificar el valor del divisor resistivo R1 y
R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de
compuerta VG, se conservar en su estado inactivo, pero si
el voltaje de nodo excede al de compuerta ms el voltaje de
diodo VD, se alcanzar el punto de disparo y el dispositivo
se activar. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv
dependen de la impedancia equivalente en la compuerta RG
= R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en Vs. En
general Rs est limitado a un valor por debajo de 100 Ohms.

RC ln 1

R2
R1

Aplicacin con UJT


RT (resistencia de carga de CT): De
ellos depende la frecuencia de
oscilacin.
UJT: Proporciona el impulso VOB1 a
la puerta del SCR.
R1: Proporciona un paso a la corriente
de base del UJT (IBB) antes de
dispararlo. Evita que IBB circule por
la puerta del SCR produciendo un
disparo indeseado.
Valor: El necesario para que VGK
est por debajo de la mnima tensin
de disparo.
R2: Estabiliza el funcionamiento del
dispositivo frente a aumentos de
temperatura.

Aplicacin con UJT

RT mx
RT mn
T

V BB V P
IP
V BB V V

RT

R T mn

IV
VP
1
donde
1
V BB
r BB .V GK mn
R2 100 a 300
V BB

R T .C T . ln

R1 mx

R T mx

DIAC
Diac (Diode Alternative Current): dispositivo bidireccional simtrico (sin
polaridad) con dos electrodos principales, MT1 y MT2, y ninguno de control.
Su estructura es la representada. En la curva caracterstica tensin-corriente se
observa que: V(+ ) < VS ; el elemento se comporta como un circuito
abierto. V(+ ) > VS; el elemento se comporta como un cortocircuito. Se
utilizan para disparar esencialmente a los triacs .

Otros dispositivos de disparo

Optoacopladores
Tambin se denominan optoaisladores o dispositivos de acoplamiento ptico. Basan su funcionamiento en
el empleo de un haz de radiacin luminosa para pasar seales de un circuito a otro sin conexin elctrica.
Fundamentalmente este dispositivo est formado por una fuente emisora de luz, y un fotosensor de
silicio, que se adapta a la sensibilidad espectral del emisor luminoso.

Optoacopladores

Optoacopladores

Circuito con optoacopladores

Acopladores Inductivos

Circuito Equivalente

Ejemplo de acoplo inductivo

Problemas generados por el calor

Tiempo medio entre fallos para diversos semiconductores. MIL-HDBK-217

Produccin de calor
Resistores:

PR Vm .I m

Capacitores:

PC 0,5. .C.VM2 .sen 2 t


Inductores:

PL 0,5.L.I M2 . .sen 2 t
m
Pcore 6,51. f n .Bmx

Transferencia de calor

Transferencia de calor
qc = flujo de calor por conveccin desde la superficie.
hc = coeficiente de transferencia de calor de conveccin.

Conveccin

qc
hc .As

As = superficie de transmisin de calor.


q = flujo de calor por conduccin.
L = longitud de conduccin.

q. L
T
k . Ac

Ac = rea transversal de conduccin.


k = coeficiente de conductividad trmica del material.
T = diferencia de temperaturas.

Conduccin

qr . .F1,2 . A T14 T24

coeficiente de emisividad (0 a 1)
Constante de Stefan-Boltzmann
= rea de radiacin
T1 y T2 = diferencias de temperatura superficial
F1,2 = factor de diferencia entre las dos superficies de
los diferentes cuerpos

Conductividad trmica

Resistencias trmicas

Resistencias trmicas

T1,2 P. RTh1,2

Impedancia trmica

Comportamiento dinmico

Disipadores

Transitorios en las lneas de alimentacin

Topologa de proteccin

Componentes para proteccin

Caractersticas

Circuitos de proteccin
a) Proteccin en lneas equilibradas de
comunicaciones.
b) Proteccin contra descargas en antenas. Insuficiente
proteccin de componentes posteriores.
c) Gran capacidad de absorcin de corriente. Ideal
para lneas de red.
d) Circuito mejorado. El inductor permite la
conmutacin de sobrecorriente del varistor al
descargador.
e) Evita la corriente de seguimiento de la red.
f)

Tambin evita la corriente de seguimiento de la red,


pero mejora el anterior.

Circuitos de proteccin
g) Dobla la capacidad energtica de
limitacin de sobretensiones.
h) Igual que el anterior pero ms rpido.
i) Ideal para lneas de comunicaciones,
es mejor que el circuito d, pero
peor cuando los impulsos de
sobretensin tienen una pendiente
lenta.
j) El automatismo sirve para evitar que el
varistor quede cortocircuitado en
caso de envejecimiento.
k) Circuito bsico de proteccin en
modo comn.

Protecciones contra excesos elctricos

Dispuestos de mayor a menor capacidad de disipacin de energa y de menor a mayor


velocidad de respuesta.

Protecciones para red


El primero es un circuito bsico
que puede proteger una lnea de
red en modo diferencial y en
modo comn.
El segundo es un circuito de
proteccin en modo comn con
tres escalones. Puede quedar un
cierto nivel de tensin
diferencial.
El tercero es un circuito
completo de proteccin en modo
comn y en modo diferencial.

Protecciones para lneas de entrada de


datos.

Protecciones para lneas de entrada de


datos.

Protecciones con diodos supresores de


sobretensiones.

Protecciones con diodos supresores de


sobretensiones.

Protecciones terciarias contra


sobretensiones de alta frecuencia.

Proteccin de alta seguridad.

Filtros de red comerciales

Proteccin contra transitorios.


Snubbers

IL

ivP

Circuito de proteccin de transistor

ILs
D
C

v
i

P
v

v
i
i
P

Prdidas en funcin a C

Formulacin.
1 t I Lt
I Lt 2

0 t f dt 2Ctf ..................................0 t t f
C

1 t
I Lt f
IL
VC t
I
dt

v
t

....t f t tx

L
c
f
f

tf
C
C
2
C

VS ..................................................................t tx

Si la corriente del interruptor llega a cero antes


de que el condensador se cargue por completo la
tensin del condensador se calcula a partir de la
primera ecuacin, saliendo:

I L .t f
2V f

El condensador se elige a veces de forma que


la tensin del interruptor alcance su valor
final al mismo tiempo que la corriente vale
cero

I L .t f
2VS

Formulacin.

Para calcular el valor de la resistencia, sta se elige de forma


que el condensador se descargue antes de que el transistor
vuelva a apagarse. Se necesitan de 3 a 5 intervalos de tiempo
para que se descargue el condensador.
tON

tON f 5RC , R

5C

1
CVS2
2
1
CVS2
1
PR 2
CVS2 f
T
2

Formulacin.

Las prdidas en el transistor varan con el circuito que se aade. La


primera frmula se refiere a las prdidas en el transistor sin circuito
de proteccin.

1
PQ I LVS t s t f f
2
tf
1 T
IL t 2
PQ vQ iQ dt f

0 2Ct
T 0
f

t
I L2 t 2f f
I L 1
dt

tf
24 C

Comparacin sin y con snubber.