INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE SAN ANDRES TUXTLA

ASIGNATURA: APLICACIONES INDUSTRIALES CLAVE: MCC-2007 HT-HP-CRD: 2-2-4

TEMA I. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA EXAMEN: B1. ORDINARIO (40%) GRUPO:802-A
COMPETENCIA ESPECÍFICA A DESARROLLAR. Comprender el principio de funcionamiento de los diferentes CAL:
dispositivos de potencia y los circuitos de disparo para activar el elemento final de potencia.
DOCENTE: ING. COSME HERNANDEZ LINARES FECHA:
TOTAL DE REACTIVOS: 18 ACIERTOS: 17/03/2021 ALUMNO:MARTINEZ MACIEL MIGUEL
ISIDRO
INSTRUCCIONES; Complementar la parte I con las oraciones de la parte II escribiendo en el paréntesis el
número correspondiente.
PARTE I: La respuesta correcta de cada paréntesis tiene un valor de 2.22 %.
A). Clasificación
(2) En estas aplicaciones los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasificar en estos grandes tipos?
(1) Como los dispositivos de potencia pueden trabajar como interruptores tanto en corriente alterna como en
corriente continua, su uso en estas aplicaciones se conocen cómo?
B). Diodos
(3) Los diodos de potencia funcionan de forma similar a los diodos comunes, pero pueden manejar niveles de tensión y
de corriente muy elevados. Presentan estados de funcionamiento bien definidos ?
(4) Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus límites de tensión y corriente ?
C). Tiristores
(7) El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega “ηθνρα”, que significa “una puerta”. El tiristor engloba una
familia de dispositivos semiconductores que trabajan en conmutación ?
(6) La conmutación desde el estado de bloqueo (“OFF”) al estado de conducción (“ON”) se realiza normalmente por
una señal de control externa ?
D). GTO
(8) El GTO tiene una estructura de 4 capas, típica de los componentes de la familia de los tiristores.?
(9) El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que está directamente polarizado, cuando se le
inyecta corriente a la puerta?
E). TRIAC
(12) El TRIAC (“Triode of Alternating Current”) es un tiristor bidireccional de tres terminales ? (
) Simplificando su funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se comporta como ?
F). Transistor Bipolar
(13) El transistor, fundamentalmente, puede trabajar en tres zonas de funcionamiento bien diferenciadas: La zona de
corte?
(14) El transistor, fundamentalmente, puede trabajar en tres zonas de funcionamiento bien diferenciadas: La zona
activa?
G). MOSFET
(17) De forma análoga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo bien diferenciadas: zona de
corte?
(16) De forma análoga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo bien diferenciadas: zona
ohmica?
H). IGBT
(18) Gracias a la estructura interna puede soportar tensiones elevadas, típicamente 1200V y hasta 2000V, con un control
sencillo de tensión de puerta?
(19) En términos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la región N- tiene su
conductividad modulada por la inyección de portadores minoritarios (agujeros), a partir de la región P+, una vez que J1
está directamente polarizada?
I). Consideraciones térmicas
(22) Al circular corrientes por los dispositivos y conmutar entre corte y saturación se producen unas pérdidas de
potencia en forma de calor en el dispositivo. Si este calor no es extraído del interior del dispositivo, provocará una
subida de la temperatura del semiconductor ?
(2 1 ) Puede observarse que un dispositivo funcionando a 75ºC durará unas cuatro veces más que si trabaja a su
temperatura máxima?

CCP. DIVISION DE IEM-Para su conocimiento.

ARCHIVO CONSECUTIVO/*CHL*
ASIGNATURA: APLICACIONES INDUSTRIALES.
TEMA I. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.
EXAMEN ORDINARIO B1.
PARTE II.- COMPLEMENTOS
1.- Interruptores estáticos o contactores de corriente alterna o de corriente continua.
2.- Diodos de potencia, transistores de potencia y tiristores.
3.- Conducción y corte.
4.- Permite la circulación de corriente en un único sentido
5.- En este caso, el diodo está formado por uniones P-N, aunque la estructura de un diodo de potencia es algo diferente
a la de un diodo de señal, puesto que en este caso existe una región N intermediaria con un bajo dopaje. El papel de esta
región es permitir al componente soportar tensiones inversas menos elevadas.
6.- La conmutación desde el estado “ON” al estado “OFF” se produce cuando la corriente por el tiristor es más pequeña
que un determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (“holding current”), específica para cada tiristor.
7.- Teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras en una secuencia P-N-P-N, la cual presenta un
funcionamiento biestable (dos estados estables).
8.- Su característica principal es su capacidad de entrar en conducción y bloquearse a través de señales adecuadas en el
terminal de puerta G.
9.- Circula corriente entre puerta y cátodo.
10.- Portadores libres (agujeros) presentes en las capas centrales del dispositivo son atraídas por la puerta, haciendo que
sea posible el restablecimiento de la barrera de potencial en la unión J3-1.
11.- Dos SCR en antiparalelo.
12.- Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y viceversa, y puede ser disparado con tensiones de puerta de
ambos signos.
13.- No se inyecta corriente a la base del transistor. Éste se comporta como un interruptor abierto, que no permite la
circulación de corriente entre colector y emisor. Por tanto, en ésta zona de funcionamiento el transistor está desactivado
o la corriente de base no es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones en polarización inversa.
14.- se inyecta corriente a la base del transistor, y éste soporta una determinada tensión entre colector y emisor. La
corriente de colector es proporcional a la corriente de base, con una constante de proporcionalidad denominada
ganancia del transistor, típicamente representada por las siglas β F o hF. Por tanto, en la región activa, el transistor actúa
como un amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante la ganancia y el voltaje vCE
disminuye con la corriente de base: la unión CB tiene polarización inversa y la BE directa.
15.- Se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la v CE y conseguir que el transistor se comporte como un
interruptor cuasi ideal. La tensión que soporta entre sus terminales es muy pequeña y depende del transistor. En éste
caso ambas uniones están polarizadas directamente. Se suele hablar de la tensión colector-emisor en saturación.
16.- Si la tensión entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande y la
tensión entre el drenador y la fuente es pequeña, el transistor se comporta como un interruptor cerrado, modelado por
una resistencia, denominada RON.
17.- La tensión entre la puerta y la fuente es más pequeña que una determinada tensión umbral (V T), con lo que el
dispositivo se comporta como un interruptor abierto.
18.- La velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs, pero permite trabajar en rangos
de frecuencias medias, controlando potencias bastante elevadas.
19.- Esta mayor conductividad produce una menor caída de tensión en comparación a un MOSFET similar.
20.- Si el transistor está cerrado, pero soporta una tensión drenador-surtidor elevada, éste se comporta como una fuente
de corriente constante, controlada por la tensión entre la puerta y el surtidor. La disipación de potencia en este caso
puede ser elevada dado que el producto tensión-corriente es alto.
21.- Por tanto es muy importante mantener la temperatura del cristal controlada, aún en las condiciones más
desfavorables (Máximas disipación de potencia y temperatura del medio ambiente).
22.- La temperatura en el cristal de silicio no puede superar un valor máximo, (normalmente Tjmax=125ºC), ya que:
♦ Empeoran las características funcionales del dispositivo.
♦ La vida media esperada disminuye al aumentar la temperatura.