Universidad Autónoma del Estado de

México
Facultad De Ingeniería
Ingeniería en electrónica

Materia: Electrónica de Potencia 2

Profesor: Christian Castro Martínez

Práctica # 2.
“Conmutación Inferior del Transistor MOSFET de
Potencia Mediante C.I.IR2110”

Alumnos:
Cruz Maya María Fernanda
García Velázquez German
Huerta Colín Manuel
Martínez Martínez Rocío

Viernes, 29 de marzo 2019

Objetivo general
Diseñar e implementar un chopper como manejador de un motor de C.D. de 34 o
90 V en conmutación inferior utilizando el IR2110.
Objetivos particulares
El transistor MOSFET de potencia debe estar conectado en conmutación inferior.
El circuito manejador de compuerta debe ser el C.I. IR2110. Se utilizará el LM3524
como generador PWM. El voltaje de alimentación es de 34 o 90 VCD. La corriente
de carga depende del motor seleccionado. Se deben diseñar e implementar la
fuente de alimentación de potencia (Vo = 34/90 VCD).
Se deben diseñar e implementar las protecciones del transistor MOSFET de
potencia tal como la red Snubber y el diodo de freewheeling. La señal de Drain –
Source del transistor MOSFET de potencia deberá mostrar la correcta operación
del mismo en el estado de corte y saturación.
 MARCO TEÓRICO DEL MOSFET “IR2110”
Descripción
El IR2110PBF es un mosfet de alta tensión, de alta velocidad y controlador de
IGBT con canales laterales independientes de salida de referencia de alta y baja.
Los controladores de salida cuentan con una etapa buffer y con pulso alto
diseñado para la conducción mínima del conductor transversal.
 Bloqueo de bajo voltaje para ambos canales
 Compatible con nivel lógico de 3.3V
 Entradas CMOS con disparador Schmitt y pull-down
 La lógica de apagado se dispara por flanco ciclo por ciclo
 Retardo de propagación emparejado para ambos canales
 Salidas en fase con las entradas
 Aplicaciones: Control de Motor
Especificaciones
 Configuración del controlador: Lado Alto y Lado Bajo
 Corriente de pico de salida 2.5 A
 Tensión de alimentación mínima: 10 V
 Tensión de alimentación máxima: 20 V
 Retardo de entrada: 120 ns
 Retardo de salida: 94 ns
 Temperatura de trabajo mínima: -40°C
 Temperatura de trabajo máxima: 125°C
 Encapsulado: DIP
 14 pines
Diagrama de bloques de su funcionamiento
Asignación de pines

VSS es el suministro lógico a tierra. COM es "retorno de lado bajo" básicamente,

la conexión a tierra de lado de unidad baja. Parece que son independientes y
usted podría pensar que podría aislar las salidas y las señales de la unidad. Sin
embargo, estarías equivocado. Si bien no están conectados internamente, el
IR2110 es un controlador no aislado, lo que significa que VSS y COM deben estar
conectados a tierra.
HIN y LIN son las entradas lógicas. Una señal baja a HIN significa que desea
desactivar el MOSFET del lado alto, lo que significa que se proporciona una salida
baja en HO. La salida a HO - alta o baja - no es con respecto a tierra, sino con
respecto a VS. Cuando es bajo, el nivel en HO es igual a VS, con respecto a VS,
efectivamente cero.
Una señal alta para LIN significa que desea controlar el MOSFET del lado bajo, lo
que significa que se proporciona una salida alta en LO. La salida en LO es con
respecto a tierra. Cuando es bajo, el nivel en LO es igual al nivel en VSS, con
respecto a VSS, efectivamente cero.
SD se utiliza como control de apagado. Cuando este pin está bajo, IR2110 está
habilitado, la función de apagado está deshabilitada. Cuando este pin está alto, las
salidas se desactivan, deshabilitando la unidad IR2110.
 Simulación del circuito Conmutación Inferior del Transistor MOSFET de
Potencia Mediante C.I.IR2110
XSC1
Vc1
30V
V1 Tektronix
5V
RL1 P 1 2 3 4 T

86Ω Dm1
G

1N5408G
Ls1
C1 C2 660nH
100nF 22µF

U1 Q1
3 6
9 VCC VB IRF540 Cs1
VDD
XFG2
V2
10
12 HIN
7
HO 1 3nF
11 LIN LO
15V SD
R1 22Ω
COM

13
2 VSS 5
R3
COM VS D2 1kΩ
IR2110PBF Rs1 D1
MUR420 8.2kΩ 1N5408G

RESULTADOS
En la siguiente imagen se muestra el circuito de conmutación con el MOSFET
IR2110.
La señal PWM vista de Drain – Source del transistor MOSFET de potencia con
diferentes ciclos de trabajo.

Conclusiones
El circuito integrado IR2110 es un dispositivo que nos permite manejar el voltaje
de la compuerta del MOSFET, para poderlo conmutar a la frecuencia y ciclo de
trabajo que se requiera trabajar. Para realizar la conmutación inferior se debe
considerar lo siguiente: el pulso del PWM debe entrar en el pin 12 (LIN), y el pulso
de salida debe tomarse del pin 1 (LO), además la resistencia mostrada
corresponde al valor calculado de Rg sin embargo esta en nuestra practica tubo
que bajarse al valor de 10 ohms como se muestra en el diagrama eléctrico.
Otro punto importante para señalar es el diodo MUR420 el cual es un diodo de
conmutación rápida y que además soporta la corriente de la compuerta, en
nuestro caso seleccionamos este ya que soporta 4A y nuestra corriente en la
compuerta es de 0.701A por lo cual es lo suficientemente capaz de soportar esta
corriente sin ningún problema.
Al terminar esta practica concluimos que el IR2110 en conmutación inferior es muy
fácil de implementar y no requiere de muchos cálculos como en el caso del circuito
totem pole, solo se debe tener en cuenta los puntos anteriormente mencionados.