INFORME DE LABORATORIO DE

ELECTRONICA I – EE 428

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

DOCENTE: ING. VIRGINIA ROMERO F.

ALUMNO: CONDORI RIVERA JORGE LUIS

CICLO: 2021-1

ESPECIALIDAD: ELECTRICA (L1)

2021-1
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones
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INFORME PREVIO N° 3

TRANSISTORES BIPOLARES CURVAS CARACTERISTICAS

Docente: Ing. Virginia Romero Fuentes
Alumno: Condori Rivera Jorge Luis
Email alumno: jcondorir@uni.pe

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I. OBJETIVO
Esta experiencia, tiene como finalidad:

• Obtener las curvas características del transistor bipolar

• Conocer las tres zonas de funcionamiento de un transistor bipolar.
• Conocer las relaciones ente las corrientes de Base, Emisor y Colector
• Enumerar algunas de las limitaciones de trabajo del transistor bipolar
• Familiarizar al alumno en el uso de software de simulación para determinar el comportamiento
ideal de un circuito.

II. INTRODUCCION

2.1 Transistor bipolar

La estructura física de un transistor bipolar consta de dos uniones PN dispuestas una a continuación
de la otra. Entre los terminales de emisor y base hay una unión PN, denominada unión emisora, y
entre los de base y colector otra unión PN, llamada unión colectora.

2.1.1 Tipos
Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el PNP. Estos nombres proceden de la descripción
de su estructura física. En el transistor NPN el emisor es un semiconductor tipo N, la base es tipo P
y el colector es tipo N. La estructura física del transistor PNP es dual a la anterior cambiando las
regiones P por regiones N, y las N por P.
El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje tenga el
emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinación en la misma,
y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector. Además, si la base no es
estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos
en oposición se tratase.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características de esta región tienen
que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor.

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Figura 2.1 Transistor np.n Figura 2.2 Transistor pnp.

2.1.2 Funcionamiento
Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal de
base (B) se aplica la señal de control gracias a la que se controla la potencia. Con pequeñas
variaciones de corriente a través del terminal de base, se consiguen grandes variaciones a través de
los terminales de colector y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variación de
corriente en variaciones de tensión según sea necesario.

2.1.3 Corrientes en la zona activa

Como acabamos de ver un transistor está trabajando en la zona activa cuando la unión de emisor se
polariza en directa y la unión de colector en inversa. En el caso de un transistor pnp, para polarizar
la unión de emisor en directa habrá que aplicar una tensión positiva del lado del emisor, negativa del
lado de la base, o lo que es lo mismo una tensión VBE positiva. De igual manera, para polarizar la
unión de colector en inversa hay que aplicar una tensión VCB negativa. Vamos a comenzar el estudio
suponiendo que la unión de emisor está polarizada en directa y que la unión de colector está sin
polarizar (Figura 2.3). En este caso estamos ante una unión pn (la formada por el emisor y la base)
idéntica a la que analizamos en el capítulo 2 al abordar la polarización de la unión pn. En este caso,
aparece un campo eléctrico que tiende a arrastrar a los huecos del emisor hacia la base y a los
electrones de la base hacia el emisor. Lo que origina una corriente neta en el sentido de la zona p
hacia la zona n, es decir, de emisor hacia la base. Dado que el emisor es mucho más ancho que la
base y además su nivel de dopado es muy superior, la cantidad de huecos en el emisor será muy
superior a la de los electrones en la base, con lo que el término de corriente predominante será el
debido a los huecos. Es decir, la corriente tendrá dos términos, uno debido a los electrones y otro
debido a los huecos, siendo predominante el segundo sobre el primero.

Figura 2.3. Polarización (por separado) de la uniones de emisor y colector en un BJT.

2.2 Curvas características en emisor común.
2.2.1 Curvas características de entrada.
En la Figura 2.4 aparecen representados los convenios de tensiones y corrientes positivas que se
han tenido en cuenta para representar las distintas curvas. Nótese que a diferencia del caso anterior
ahora vamos a trabajar con un transistor npn.

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Figura 2.4. Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas de entrada en un BJT npn en emisor común.
En las curvas características de entrada en base común se representa
𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐵𝐶 )
Como se puede ver en la Figura 2.5, no hay una única curva que relacione IB con VBE, sino que hay una familia de curvas
en función de VCE. De nuevo, al igual que en el caso anterior, este desdoblamiento de curvas se debe al efecto Early.

Figura 2.5. Curvas Características de Entrada en Emsior Común para un BJT npn.
2.2.2 Curvas características de salida.

Figura 2.6. Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas de salida en emisor
común en un BJT npn.
En las características de salida en emisor común se representa
𝐼𝑐 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐵 )
Los sentidos positivos de tensiones y corrientes son los que aparecen representados en la Figura
2.3.

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Figura 2.7. Curvas características de salida en Emisor Común en un BJT npn.

III. RESPUESTAS A PREGUNTAS

a. Realizar los cálculos teóricos para completar la tabla

Realizamos los calculos del primer circuito.

b. Con estos datos, hacer las gráficas solicitadas.

Los resultados de las curvas de los calculos teoricos:

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IV. DATA SHEET Y HOJA DE DATOS

Realizaremos la simulacion con el software Multisim y Proteus, que son unas aplicaciónes para la
ejecución de proyectos de construcción de equipos electrónicos en todas sus etapas: diseño del
esquema electrónico, programación del software, construcción de la placa de circuito impreso,
simulación de todo el conjunto, depuración de errores, documentación y construcción.

Figura 4.1 Multisim Figura 4.2 Proteus 8

En este presente informe trabajamos con un Transistor 2N222.

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Figura 4.3 Hoja de especificaciones del transistor.

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CARACTERISTICAS DE SEÑAS PEQUEÑA DE AUDIO
Figura de ruido

Figura 4.4 Variaciones de la frecuencia Figura 4.5 Resistencia de la fuente

V. EQUIPOS Y MATERIALES

• Una computadora
• 02 Condensadores electrolíticos de 47μF
• Software de simulacion
• 01 Multímetro
• 01 Resistor de 180KΩ, 56KΩ, 22KΩ, 15KΩ,3.3KΩ
• 02 Fuentes de Alimentación
• 02 Resistor de 1KΩ, 4.7 KΩ, 10 KΩ, 100 Ω
• Un transistor 2N2222 o 2N3904
• 01 potenciómetro lineal de 50KΩ, 500 KΩ
• 02 Diodos LED

VI. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA

Armar el circuito de la fig.6.1, tenga cuidado de colocar correctamente los terminales del transistor,
utilice el software Multisim, Proteus u otro de su preferencia.

Figura 6.1

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1. Polarizar el dispositivo y midiendo C V y B V ,obtener la siguiente tabla:

2. A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida C V vs V3. Si es

necesario, tomar medidas de puntos intermedios.

3. Graficar la curva de transferencia de corrientes ( C I vs B I ) y el beta de las mismas (BETA vs

C I ).

4. Armar el circuito de la figura 2

Figura 6.2

5. Medir las tensiones C V , E V y B V para trazar la recta de carga del circuito, variando R6.

6. Determinar las corrientes y graficar la recta de carga en el plano C I vs CE V del transistor.

Indicar la zona de operación correspondiente.

7. Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando las zonas de
operación. Adjuntar las fotocopias de los manuales con los datos de los transistores
utilizados.

8. Usar el circuito de la figura 1, conectar los diodos LED en serie con las resistencias R1 y R2,
colocar en V3 una fuente DC y reemplazar R1 por un potenciómetro.

9. Para determinar la región activa varíe el voltaje de entrada V3 y realice las mediciones
necesarias, de tal forma que pueda determinar el intervalo de voltaje (V(min) < V3 < V(max))
que mantiene al transistor operando en la región activa.

10. Para determinar cuando el transistor está en corte o está en saturación, aumentar de 1v en 1v el
V(max) DC de V3; hasta encontrar un cambio en V0. Luego repetir el procedimiento disminuyendo
V(min) de V3 desde el último valor de v, hasta cero.

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En la simulación determinar la resistencia R1 que facilite el corte y saturación de manera más rápida
y usar ese valor en la práctica de laboratorio.

11. Tomar datos y completar la siguiente tabla.

12. Implementar el circuito de la figura 3.

Figura 6.3

Nota: En la figura la resistencia de 100k reemplazar por una resistencia de 100 Ω

Si usa un transistor equivalente busque en el datasheet sus características y modifique
si es necesario el voltaje de entrada.

13. Verifique las conexiones con el multímetro, ajuste la fuente a 12 DC V y conéctela al circuito.
La corriente de base ( B I ) obtenida en el informe previo, la puede ajustar con el potenciómetro de
500 KΩ. La corriente de base ( B I ) la puede medir indirectamente con la tensión en la resistencia
de 10KΩ. La tensión de colector-emisor ( CE V ) la puede ajustar con el potenciómetro de 50KΩ.
La corriente de colector ( C I ) la puede medir indirectamente con la tensión en la resistencia de 100
Ω si solo cuenta con un amperímetro.

14. Para determinar las curvas C I vs CE V , ajuste y mantenga B I en 40μA y llene la siguiente tabla:
15. Obtener las Curvas Ic vs Ib
16. Obtener las curvas Ib VBE

VII. SIMULACIÓN

1. Realizamos el primer circuito en Multisim de la figura 6.1.

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Figura 7.1 Circuito 1 en multisim

Medimos las tensiones y las corrientes con el multimetro :

Figura 7.2. Lectura de los multímetros para V3=1V.

Para V3= 1V , obtenemos:

Vb = 196.375 mV

Vc = 197.068 mV

Ic = 197.068 uA

Ib = 1.091 uA
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Para calcular β dividimos Ic/Ib

β = 180.73

Luego se aumenta la tension (V1) a 2V medimos las tensiones y corrientes, y asi sucesivamente.
Realizamos las mediciones igual que el proceso anterior hasta completar el cuadro.

2. Con los datos obtenidos realizamos los gráficos de Vc vs V3 e Ic vs Ib mediante excel.

Gráfica Vc vs V3
4.5
4
3.5
3
Vc (v)

2.5
2
1.5
1
0.5
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
V3 (V)

Figura 7.3. Curva Vc vs V3.

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Gráfica Ic vs Ib
4.5
4
3.5
3
Ib (uA)

2.5
2
1.5
1
0.5
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Ic (mA)

Figura 7.4. Curva Ic vs I3

3. Con los datos obtenidos realizamos el gráfico de β vs Ic mediante excel.

Gráfica β vs Ic
250

200

150
β

100

50

0
0 1 2 3 4 5
Ic (mA)

Figura 7.5. Curva β vs Ic

5. Medir las tensiones VC , VE y VB para trazar la recta de carga del circuito, variando R6.

𝑅6 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝑐 𝑅𝑐 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸
56𝐾 1.5774 𝑉
47𝐾 2.4 𝑉
22𝐾 6.0888 𝑉
15𝐾 7.7523 𝑉
3.3𝐾 11.6746 𝑉

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𝑅6 56𝐾 47𝐾 22𝐾 15𝐾 3.3𝐾

𝑉𝐵 (𝑉) 0.50963 0.47705 0.16783 0.08754 0.001665
𝑉𝐶 (𝑉) 5.2 4.79 2.95 2.12 0.16
𝑉𝐸 (𝑉) 5.2226 4.81 2.9612 2.1277 0.1654
𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 5.2 4.79 2.95 2.12 0.16
𝐼𝐵 (𝑢𝐴) 22.6 20.3 11.2 7.7 0.54
𝑍𝑜𝑛𝑎 Activa Activa Activa Activa Activa

6. Determinamos las corrientes y graficar la recta de carga en el plano C I vs VCE del transistor.
Indicar la zona de operación correspondiente

𝐼𝐶 𝑉𝐶 𝑍𝑜𝑛𝑎
𝑅𝑐 = 0 5.2 mA 0 Activa
𝑅𝑐 = 1𝑘 5.2 mA 5.2 Activa
𝑅𝑐 = 3.3𝑘 5.2 mA 17.16 Saturación

7. Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando las zonas de
operación. Adjuntar las fotocopias de los manuales con los datos de los transistores utilizados.

Punto de operación para cada resistencia.

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RESISTENCIA 𝑅6 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸
56K 5.2 1.5774 𝑉
47K 4.79 2.4 𝑉
22K 2.95 6.0888 𝑉
15K 2.12 7.7523 𝑉
3.3K 0.16 11.6746 𝑉

Características de operación de un transistor 2N222, cuando se le polariza en nuestro circuito

dado.

Análisis de circuito para el primer punto.

Análisis en DC del punto de trabajo donde se opera en zona activa

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Figura 7.6 Punto de trabajo en la zona activa

Resumen del total de rectas de carga :

Figura 7.7 Rectas de carga

8. Usar el circuito de la figura 1, conectar los diodos LED en serie con las resistencias R1 y R2,
colocar en V3 una fuente DC y reemplazar R1 por un potenciómetro.

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Figura 7.8 Circuito 1 con los diosos en Proteu.

9. Para determinar la región activa varíe el voltaje de entrada V3 y realice las mediciones
necesarias, de tal forma que pueda determinar el intervalo de voltaje (V(min) < V3 < V(max))
que mantiene al transistor operando en la región activa.

Figura 7.9 Circuito 1 variando le V3.

10. Para determinar cuando el transistor está en corte o está en saturación, aumentar de 1v en 1v
el V(max) DC de V3; hasta encontrar un cambio en V0. Luego repetir el procedimiento
disminuyendo V(min) de V3 desde el último valor de v, hasta cero.

En la simulación determinar la resistencia R1 que facilite el corte y saturación de manera más

rápida y usar ese valor en la práctica de laboratorio.

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Figura 7.10 Circuito cuando esta en ocorte

11. Tomar datos y completar la siguiente tabla.

Zona de corte Zona activa Zona de saturación

VBE(corte) <0 0< VBE <16.7v VBE(sat) =16.7v

IB(corte) =0 0< IB <1.98mA IB(sat) =1.98mA

IC(corte) =0 0< IC <9.47mA IC(sat) =9.47mA

IE(corte) =0 0< IE <207 IE(sat) =207mA

VCE(corte) =12 0.03< VCE <12 VCE(sat) =0.03v

12. Implementamos el circuito de la figura 6.3

Figura 7.11 Circuito 3 en Proteus.

13. Completamos el cuadro

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14. Ajustamos y mantenemos Ib en 80µA y llenamos la siguiente tabla, para obtener la

curva Ic vs Vce

Figura 7.12 Curva Ic vs Vce para Ib=40 µA

Figura 7.13 Curva Ic vs Vce para Ib=80 µA

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15. Obtenemos las Curvas Ic vs Ib : ( Ic/Ib ) , vs Ic . Mantenemos Vce = 5V y llenamos la
tabla:

Figura 7.14 curva Ic vs IB

16. Obtenemos las curvas IB vs VBE . Mantenemos VCE = 5V y llenamos la tabla:

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Figura 7.15 Curva IB vs VBE

VIII. BIBLIOGRAFÍA

Colocar la bibliografia que han usado para presentar su informe previo del siguiente modo:

[1] Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky, Electronica: Teoria de circuitos y dispositivos
electronicos, 10ma edición.
[2] Millman Jacob and Halkias Christos, Dispositivos y circuitos electrónicos, Ed. Anaya.
[3] Guía de laboratorio de electronica I – EE428

IX. FECHA
Lima, 20/06/2021

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