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Fsica de Semiconductores

Instituto Tecnolgico de Nogales


Ingeniera Electrnica CARRERA ACREDITADA
Ing. Jorge Alberto Baturoni Encinas
Agosto 2014

Unidad IV
Dispositivos Bipolares y
Unipolares
4.1 Dispositivos bipolares.
4.1.1 Parmetros de corriente (alfa y beta);
corriente de fuga.
4.1.2 Funcionamiento del transistor bipolar BJT.
4.1.3 Curvas caractersticas y regiones de
operacin.
4.1.4 Configuraciones bsicas (BC, EC,CC).
4.1.5 Aplicaciones bsicas.

Unidad IV
Dispositivos Bipolares y
Unipolares
4.2 Dispositivos unipolares.

4.2.1 Parmetros elctricos (VP, VGS, IDSS, ID,


transconductancia).
4.2.2 Funcionamiento del JFET.
4.2.3 Funcionamiento del MOSFET.
4.2.4 Configuraciones bsicas.
4.2.5 Aplicaciones bsicas.

Dispositivos Bipolares.
Introduccin.
Los dispositivos bipolares son dispositivos
semiconductores que basan su proceso de
conduccin mediante la participacin de los dos
tipos de portadores de carga (electrones y
huecos). Se diferencian de los dispositivos
unipolares en que estos ltimos basan su
proceso de conduccin predominantemente en
la participacin de un solo tipo de portador. La
palabra transistor es un acrnimo que procede
del ingls (transfer resistor).

Dispositivos Bipolares
BJT
El transistor bipolar fue inventado en el ao 1947
en los Bell Laboratories. Desde esa fecha
hasta la actualidad, el transistor ha sufrido
cambios y continuas transformaciones, las
cuales han revolucionado la industria y el estilo
de vida actual.
El transistor bipolar es un dispositivo de
tres terminales emisor, colector y base, que,
atendiendo a su fabricacin, puede ser de dos
tipos: NPN y PNP. En la figura 4.1 se encuentran
los smbolos de circuito y nomenclatura de sus
terminales.

Dispositivos Bipolares.

Figura 4.1 Smbolos de circuito y nomenclatura


de sus terminales.

Dispositivos Bipolares
BJT
La forma de distinguir un transistor de tipo
NPN de un PNP es observando la flecha de la
terminal de emisor. En un NPN esta flecha
apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la
flecha apunta hacia dentro. Adems, en
funcionamiento normal, dicha flecha indica el
sentido de la corriente que circula por el emisor
del transistor.
En general se definen una serie de tensiones y
corrientes en el transistor, como las que
aparecen en las figuras 4.2 y 4.3

Dispositivos Bipolares
BJT

Figura 4.2 Corrientes del BJT

Figura 4.3 Tensiones del BJT

Dispositivos Bipolares
BJT
Estructura fsica: El transistor bipolar es
un dispositivo formado por tres regiones
semiconductoras, entre las cuales se forman
unas uniones (uniones PN). En la figura 4.4
observamos la construccin para anlisis de un
transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que
el dopaje de las regiones sea alterno, es decir,
si el emisor es tipo P, entonces la base ser tipo
N y el colector tipo P. Esta estructura da lugar a
un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es
tipo N, entonces la base ser P y el colector N,
dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN.

Dispositivos Bipolares
BJT

Figura 4.4 Estructura de un BJT tipo NPN

Dispositivos Bipolares
BJT
El transistor se fabrica sobre un
substrato de silicio, en el cual se difunden
impurezas, de forma que se obtengan las
tres regiones antes mencionadas. En la
figura 4.5 observamos el aspecto tpico de
un transistor bipolar real, de los que se
encuentran en cualquier circuito integrado.
Sobre una base n (substrato que acta
como colector), se difunden regiones p y
n+, en las que se ponen los contactos de
emisor y base.

Dispositivos Bipolares
BJT

Figura 4.5. Estructura real de un BJT

Dispositivos Bipolares
BJT

Es de sealar que las dimensiones


reales del dispositivo son muy importantes
para el correcto funcionamiento del mismo.
Obsrvese la figura 4.6, en ella se pretende
dar una idea de las relaciones de tamao
que deben existir entre las tres regiones
para que el dispositivo cumpla su misin.

Figura 4.6.
Dimensiones de un
BJT

Dispositivos Bipolares
BJT
El emisor ha de ser una regin muy dopada
(de ah la indicacin p+). Cuanto ms
dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de
portadores podr aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco
dopada, para que tenga lugar poca
recombinacin
en
la
misma,
y
prcticamente toda la corriente que
proviene de emisor pase a colector.
Adems, si la base no es estrecha, el
dispositivo puede no comportarse como un
transistor, y trabajar como si de dos diodos
en oposicin se tratase.

Dispositivos Bipolares
BJT
El colector ha de ser una zona menos
dopada que el emisor. Las caractersticas
de esta regin tienen que ver con la
recombinacin de los portadores que
provienen del emisor.
En la figura 4.7 se observa el resto de
componentes de un transistor bipolar, que
son los contactos metlicos y las
terminales (recordemos que el transistor es
un dispositivo de 3 terminales).

Dispositivos Bipolares
BJT

Figura 4.7 Construccin final del BJT

Dispositivos Bipolares
BJT

Gracias a que el transistor bipolar es


un dispositivo de tres terminales, es posible
controlar un gran potencia a partir de una
pequea. En la figura se puede ver un ejemplo
cualitativo del funcionamiento del mismo.
Entre las terminales de colector (C) y emisor
(E) se aplica la potencia a regular, y en la
terminal de base (B) se aplica la seal de
control gracias a la que controlamos la
potencia.
Con pequeas variaciones de corriente
a travs de la base, se consiguen grandes
variaciones a travs de las terminales de
colector y emisor.

Dispositivos Bipolares
BJT

Figura 4.8 Ejemplo del funcionamiento


de un BJT

Dispositivos Bipolares
BJT
En un transistor bipolar uno de los
aspectos ms interesantes para su anlisis
y uso, es el conocer las relaciones
existentes entre sus tres corrientes (IE, IB e
IC). En las ecuaciones siguientes, tenemos
las dos primeras relaciones. Otras
relaciones se pueden obtener definiendo
una serie de parmetros dependientes de
la estructura del propio transistor.
Definimos los parmetros y (de
continua) como la relacin existente entre la
corriente de colector y la de emisor, o la de
emisor y la de base, es decir:

Dispositivos Bipolares
BJT

Relacin de corrientes en un BJT


IE=IB+IC;

IC=IB;

IC=IE;

IE=IB+IB=IB(+1)
Operando las dos primeras relaciones, podemos
relacionar los parmetros y de la siguiente
forma:

Dispositivos Bipolares
BJT

En general el parmetro ser muy


prximo a la unidad (la corriente de emisor ser
similar a la de colector) y el parmetro tendr
un valor elevado (normalmente > 100).
La relacin de respect a es:

Dispositivos Bipolares
BJT
Dentro del BJT, cuando esta polarizado,
existe un parmetro denominado corriente de
fuga o corriente de saturacin inversa (Similar a
la de un diodo), a este parmetro se le define con
las siglas ICBO. Esta corriente es la que circula
por el colector , cuando la corriente de emisor es
cero (Emisor abierto), por lo que dicho flujo de
corriente se da a travs de la unin C-B, estando
esta polarizada inversamente. Observe dicho
efecto en la figura 4.9.

Dispositivos Bipolares
BJT

Figura 4.9 Definicin de la corriente de


Fuga ICBO

Funcionamiento
El modelo Ebers-Moll describe el
funcionamiento en continua del BJT. Nos
centramos en el transistor npn ya que todas
las ecuaciones que vamos a presentar para
ste son aplicables al pnp sin ms que
cambiar el signo de todas las corrientes y
voltajes (Cambio de polaridad).
Aparentemente, el BJT no es ms que
dos uniones pn enfrentadas que comparten el
nodo (la base del transistor). Por ello una
primera aproximacin al modelado podra
consistir en la propuesta de la siguiente
(Figura 4.10).

Funcionamiento
En dicha figura,
aparecen dos diodos pn
enfrentados y dispuestos
de tal forma que los
nodos
de
ambos
coinciden en el terminal
de base del transistor. El
diodo de la izquierda
representa a la unin de
emisor y el de la
derecha a la de colector.
Figura 4.10 El BJT
visto
como
dos
diodos enfrentados

Funcionamiento
Llamemos IF a la corriente que
atraviesa la unin de emisor e IR a la que
fluye por la de colector. Utilizando el modelo
exponencial del diodo podemos escribir

donde el factor de idealidad se asume igual a


la unidad y las corrientes inversas de
saturacin de las uniones de emisor y
colector son IES e ICS, respectivamente. Vt se
llama tensin trmica y a la temperatura
ambiente su valor es 0.026 V.

Funcionamiento
Con la ayuda de la Figura 4.10 podemos
escribir

Sin embargo, este modelo ignora algo


esencial en el dispositivo: la base es muy
estrecha y por ende, las uniones pn estn
muy prximas; tan prximas que la corriente
que fluye por una, afecta a la corriente que
atraviesa la otra. Este fenmeno se llama
inyeccin de portadores y lo podemos
modelar
mediante
sendas
fuentes
dependientes conectadas segn indicamos
en la Figura 4.11.

Funcionamiento

Figura 4.11. Modelo de Ebers-Moll del BJT npn

Funcionamiento
Las fuentes son fuentes de corriente
controladas por la corriente que atraviesa la
otra unin. Los parmetros de control se
llaman ganancia en corriente directa en base
comn ( F ) y ganancia en corriente inversa
en base comn ( R ). La explicacin del
significado preciso de las palabras ganancia,
directa, inversa y base comn se har
ms adelante.
El modelo de la Figura 4.11 constituye
el modelo de Ebers-Moll en esttica y de
dicha figura, obtenemos las ecuaciones de
Ebers-Moll.

Funcionamiento
Ec. 4.1
Ec. 4.2

Ec. 4.3
El llamado postulado de reciprocidad
establece una relacin entre los parmetros
del modelo
Ec. 4.4

Funcionamiento
Es decir, junto a las ecuaciones 4.1, 4.2
y 4.3 son necesarios slo tres parmetros para
dar cuenta del funcionamiento del BJT (el
cuarto se obtiene de la relacin 4.4. Se suele
introducir el parmetro IS definido por:
y se utilizan IS , F y R. En
la tabla siguiente damos
algunos valores tpicos.

A partir de estos valores numricos tendremos


que:

Funcionamiento
la corriente inversa de saturacin de la unin de
emisor ( ES I ) es menor que la de colector.
Resulta conveniente expresar la corriente
de base utilizando el postulado de reciprocidad.
As, tomando
e introducindolas en
la ecuacin 4.3 resulta

Funcionamiento
Definamos ahora dos nuevos parmetros:
la ganancia en corriente directa en emisor
comn, F, y la ganancia en corriente inversa en
emisor comn, R ; dados por las ecuaciones
Ec. 4.5
con ellos la corriente de base queda

Ec. 4.6

Funcionamiento
Las relaciones anteriores expresan las
corrientes en las terminales del BJT en
funcin de las tensiones VBE y VBC, que en el
modelo son las variables independientes. En
los siguientes prrafos presentamos unas
expresiones alternativas.
Ahora analicemos el modelo de Ebers-Moll
en funcin de las corrientes: A veces es
preferible operar con las ecuaciones de
Ebers-Moll expresadas en funcin de las
corrientes en las terminales.

Funcionamiento
A continuacin, vamos a manipular
algebraicamente las ecuaciones para darles
una forma distinta; aunque al final las
ecuaciones tengan otro aspecto su significado
seguir siendo exactamente el mismo.
En primer lugar tenemos por la ecuacin (4.1)

que sustituyndola en la Ec. 4.2 resulta

Funcionamiento
Ec. 4.7
Sea ICB0 la corriente inversa de saturacin del
diodo de colector cuando el emisor est en
circuito abierto. Esta corriente se suele
denominar corriente de fuga de colector o
corriente de corte del colector ( Figura 4.12).
Segn lo expresado, haciendo IE=0 en la
ecuacin (4.7) nos queda.

Funcionamiento

Figura 4.12. Definicin de la corriente inversa de


saturacin ICB0

Funcionamiento
esta relacin es la ecuacin constitutiva de un
diodo colocado entre la base y el colector
(Figura 4.12) y cuya corriente inversa de
saturacin es:

Reescribiendo la ecuacin 4.7 resulta


Ec. 4.8

Funcionamiento
Procediendo de manera anloga (ver Figura
4.13) tenemos tambin que:
Ec. 4.9
Donde:

IEB0 se llama corriente de fuga de emisor o


corriente de corte del emisor y, como antes es
una corriente inversa de saturacin.

Funcionamiento

Figura 4.13. Definicin de la corriente


inversa de saturacin IEB0

Funcionamiento
Para la corriente de base, restando
las ecuaciones 4.8 y 4.9, tenemos que:
Ec. 4.10
donde, para escribir de manera compacta hacemos

A continuacin, presentamos un cuadro


resumiendo los resultados de las ecuaciones
del modelo de Ebbers-Moll para facilitar futuras
referencias.

Funcionamiento

Curvas caractersticas y
Regiones de Operacin
Al ser el transistor bipolar un dispositivo
con tres terminales, es necesarios seis
parmetros para determinar el estado elctrico
del mismo:
tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las
leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden
presentarse dos ecuaciones:
VCE=VBC+VBE

IE=IC+IB

Por ello, los parmetros independientes se


reducen a cuatro.

Curvas caractersticas y
Regiones de Operacin
En un circuito determinado y bajo la
accin de unas excitaciones concretas,
existirn unos valores de estos cuatro
parmetros que caracterizan por completo el
estado del transistor. Dicho cuarteto se
denomina punto de operacin (Q).
Las
curvas
caractersticas
ms
empleadas en la prctica son las que
relacionan VBE con IBy VCE con IC e IB. Con
frecuencia, estas curvas son facilitadas por
los fabricantes.

Curvas caractersticas y
Regiones de Operacin
Caractersticas VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los
efectos que producen las variaciones de la
tensin de polarizacin VBE sobre la corriente
de base IB. Estas grficas reciben el nombre
de curvas caractersticas de transferencia.
Las curvas que se obtienen son similares a la
de un diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prcticamente
constantes, por lo que sern de gran ayuda
para localizar averas en circuitos con
transistores.

Curvas caractersticas y
Regiones de Operacin
La funcin que
liga VBE con IB es la
caracterstica de un
diodo,
y
puede
aplicarse dado que la
unin base - emisor, es
una pn , y al polarizarla
seguir el mismo comportamiento. La curva
representada en la figura sigue la expresin:

Curvas caractersticas y
Regiones de Operacin
Caractersticas VCE-IC
Estas
caractersticas
tambin
son
conocidas como familia de colector, ya que
son las correspondientes a la tensin e
intensidad del colector. En la siguiente
figura, se muestran una familia de curvas
de colector para diferentes valores
constantes de la corriente base.
Idealmente, en la Regin Activa, la
corriente
de
colector
depende
exclusivamente de la de base, a travs de
la relacin IC=IB

Curvas caractersticas y
Regiones de Operacin
Por lo tanto, en el
la
plano
VCE-IC
grafica esta formada
por
rectas
horizontales que no
depende de VCE
para los diversos
valores de IB (Ejemplo para =100).

Curvas caractersticas y
Regiones de Operacin
Parmetros de salida: corriente de colector
IC y voltaje colector base VCB para varios
niveles de corriente de entrada IE.
A medida que IE aumenta la
IC aumenta a una magnitud
esencialmente igual a IE. De
acuerdo a esto, una primera
aproximacin es IC E IE .Las
curvas
horizontales
de
IE indican que el efecto de
VCB sobre IC son casi de
efecto despreciable.

Curvas caractersticas y
Regiones de Operacin

Figura 4.10 Curvas caractersticas y


Regiones de Operacin

Curvas caractersticas y
Regiones de Operacin

Curvas caractersticas y
Regiones de Operacin

Curvas caractersticas y
Regiones de Operacin

Configuraciones Bsicas
(BC, EC,CC).
Las caractersticas de los parmetros de
entrada y salida establecen la operacin del
BJT. La caracterstica de salida tiene tres
regiones de inters: regin activa, regin de
corte y regin de saturacin. La regin de corte
y saturacin es deseable cuando el transistor es
utilizado como conmutador (interruptor) y la
regin activa cuando es utilizado como
amplificador.
A continuacin se mencionan cada una de ellas.

Configuraciones BC.

Configuraciones BC.
La base es comn tanto para la entrada como
para la salida. Si tomamos a la configuracin
como si fuera un solo nodo y aplicamos Ley de
Corriente de Kirchhoff IE=IC+IB
Los parmetros de entrada: corriente de emisor
IE y voltaje base emisor VBE para varios niveles de
voltaje de salida VCB.
Parmetros de salida: corriente de colector IC y
voltaje colector base VCB para varios niveles de
corriente de entrada IE.

Configuraciones BC.

Configuraciones BC.
A medida que IE aumenta la
IC aumenta a una magnitud esencialmente
igual a IE. De acuerdo a esto, una primera
aproximacin es IC E IE .Las curvas
horizontales de IE indican que el efecto de
VCB sobre IC son casi de efecto
despreciable.

Configuraciones BC.
La caracterstica de entrada muestra que para
valores fijos de VCB, a medida que VBE aumenta, IE se
incrementa de forma que se asemeja a la caracterstica
de un diodo. Niveles de aumento de VCB tienen efecto
insignificante sobre las caractersticas, es decir, la
variacin debida a los cambios en VCB puede ignorarse
y se dibuja una sola curva caracterstica de entrada.
Cuando IE es cero, se presenta una corriente inversa de
saturacin (debido a portadores minoritarios, recuerda
que IC = IE + ICO denominada ICO (muy pequea) y se
ignora para BJT de propsito general de baja a mediana
potencia. En BJT de mayor potencia tiene un efecto
importante, ya que se incrementa con la temperatura.
Los fabricantes la indican como ICBO

Configuraciones BC.
Para todo anlisis de CD se utilizar un
modelo equivalente para la unin Base-Emisor, es
decir, una vez que el transistor se encuentre en
estado encendido, se supondr que VBE =
0.7V bajo el argumento de que para cualquier
variacin de VCB y que la pendiente de la
caracterstica de entrada se omitir, dando una
buena aproximacin a la respuesta real sin
involucrarse demasiado en las variaciones de los
parmetros de menor importancia. Adems, una
primera aproximacin a la relacin entre IE e IC en
la regin activa est especificada por IC E IE

Configuraciones BC.
La regin activa unin Colector - Base se
polariza inversamente, mientras que la unin
Emisor - Base se polariza directamente.
En la regin de corte, tanto la unin Colector Base como la unin Base - Emisor tienen
polarizacin inversa.
En la regin de saturacin, tanto la unin
Colector - Base como la unin Emisor-Base
estn en polarizacin directa.

Configuraciones EC.
El emisor es comn, tanto para la
entrada como para la salida.

Parmetros de entrada: corriente


de base IB y voltaje base emisor
VBE para varios niveles de voltaje
de salida VCE.
Parmetros de salida: corriente
de colector IC y voltaje colector
emisor VCE para varios niveles de
corriente de entrada IB.

Configuraciones EC.

Tambin la caracterstica de salida tiene tres


regiones de inters; regin activa, regin de corte
y regin de saturacin.
La regin de corte y saturacin es deseable
cuando el transistor es utilizado como
conmutador (interruptor) y la regin activa cuando
es utilizado como amplificador.

Configuraciones EC.

AL igual que la
configuracin anterior,
Tambin se aplica que
IE = IB + IC y que
IC = IB

Configuraciones EC.

Configuraciones EC.
Las curvas de IB no
son tan horizontales
como las de IE en
base comn, esto es
debido a que el
voltaje VCE afecta la
magnitud de la IC.
En la regin activa, la unin Colector - Base se
polariza inversamente mientras que la unin Base
- Emisor se polariza directamente.

Configuraciones EC.
En la regin de saturacin un aumento
de IB no produce un aumento proporcionado de
IC. Del mismo modo que la configuracin de
base comn, niveles de aumento de VCE tienen
efecto insignificante sobre las caractersticas,
es decir, la variacin debida a los cambios en
VCE puede ignorarse y se dibuja una sola curva
caracterstica de entrada.

Configuraciones EC.
Beta ().
En niveles de CD, las corrientes IC e IB se
relacionan entre s por una cantidad
denominada beta que se define por:

IC e IB se determinan para un punto de operacin


(punto Q) en particular sobre la curva caracterstica
(IC = 3.1 mA, IB = 30 mA representa un punto de
operacin), tal y como se ilustra en la siguiente
grafica.

Configuraciones EC.

Configuraciones CC.

Configuraciones CC.

Configuraciones CC.
Desde un punto de vista de diseo, no
se requiere de un conjunto de curvas
caractersticas de colector comn para elegir
los parmetros del circuito. Puede disearse
utilizando las caractersticas de emisor comn
para todo propsito prctico, las caractersticas
de salida para la configuracin de colector
comn son las mismas que para la
configuracin de emisor comn.
Para la configuracin de colector comn, las
caractersticas de salida son una grfica de
IE en funcin de VEC para un rango de valores
de IB.

Configuraciones CC.
Por lo tanto, la corriente de entrada es la
misma tanto para las caractersticas del emisor
comn como para las de colector comn.
Lmites de Operacin
Cada transistor presenta una regin
de
operacin sobre la caracterstica que asegurar
que no se excedan los valores mximos y que
la seal de salida presente la mnima
distorsin.
La potencia del transistor para niveles de CD
est dada por PC = VCE IC.

Configuraciones CC.

Observa como en la regin de corte y


saturacin la potencia ser muy pequea, es
decir, a medida que la Ic aumenta,
VCE disminuye y de forma inversa, a medida
que Ic disminuye, el Voltaje de colector
emisor aumenta.
Saturacin: PC = ICmax VCEsat
Corte: PC = VCE ICO
Tanto VCEsat como ICO (= ICEO) son cantidades
muy pequeas.

Configuraciones CC.

Resumen de las Configuraciones


En resumen las caractersticas de cada
una de las configuraciones es como sigue:
Emisor Comn
La entrada es por base y salida por colector,
su ZIN es baja y su ZOUT alta o bien RC, Su I
es media y V alta. Su Angulo de
desfasamiento es 180.
Colector Comn
La entrada es por base y salida por emisor, su
ZIN es alta y su ZOUT baja, Su I es alta y V
tiende a ser 1. Su Angulo de desfasamiento es
0.

Resumen de las
Configuraciones
Base Comn
La entrada es por emisor y salida por colector,
su ZIN es baja y su ZOUT alta, Su I tiende a ser
1 y V es alta, Su Angulo de desfasamiento es
180.

Aplicaciones Bsicas
El transistor bipolar se emplea en
numerosas aplicaciones, y en infinidad de
circuitos diferentes ya sea analgicos y/o
digitales.
Cada una de dichas aplicaciones,
requiere una polariza de forma determinada.
Las aplicaciones del BJT, se pueden dividir en
dos, aquellas en las que se utiliza como un
interruptor o drive y en las que funciona como
una amplificador.

Aplicaciones Bsicas
Conmutador o Interruptor.- Estas
aplicaciones requieren nicamente utilizar las
regiones de Corte y Saturacin del transistor, ya
que su funcin se basa en la de un interruptor de
encendido y apagado.
Cuando la unin B-E del BJT se polariza
inversamente, este dejara de conducir,
funcionando como un interruptor abierto y
cuando este es polarizado directamente,
aplicando una corriente de base capaz de hacer
circular una corriente en colector igual a la IC(MAX)
especificada por el fabricante, decimos que esta
en saturacin. (Interruptor encendido).

Aplicaciones Bsicas
Asi mismo a esta aplicacin tambin se
le conoce como DRIVE o manejador de
corriente y sirve para activar dispositivos que
requieren mas corriente de la que puede
producir un dispositivo de control.
Amplificador.- Estas aplicaciones, requieren
de una red de polarizacin mucho mas
completa, ya que es necesario operar al BJT
en la regin activa. Para esto es necesario
establecer un punto de operacin en CD para
despus aplicar la seal que se desea
amplificar.

Dispositivos Unipolares
4.2 Dispositivos unipolares.
4.2.1 Parmetros elctricos
(VP, VGS, IDSS, ID, gm o transconductancia).
4.2.2 Funcionamiento del JFET.
4.2.3 Funcionamiento del MOSFET.
4.2.4 Configuraciones bsicas.
4.2.5 Aplicaciones bsicas.