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Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.

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Tema 4

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR.
BJT (Bipolar Junction Transistor).


1. Introduccin.
2. Estructura bsica.
3. Smbolos y convenios de signos.
4. Zonas de funcionamiento.
5. Corrientes en la zona activa
6. Ecuacin de Ebbers-Mll.
7. Curvas caractersticas en base comn.
7.1. Curvas Caractersticas de entrada
7.2. Curvas Caractersticas de salida
8. Curvas caractersticas en emisor comn.
8.1. Curvas Caractersticas de entrada
8.2. Curvas Caractersticas de salida
9. Curvas caractersticas en colector comn.
10. Curva de puntos caractersticos.
11. Punto de funcionamiento
12. Polarizacin del transistor
12.1. Circuito de polarizacin de base (polarizacin fija)
12.1.1. Dependencia con beta
12.1.2. Influencia de V
CC

12.1.3. Influencia de R
C

12.1.4. Influencia de R
B

12.2. Efecto de R
E

12.3. Circuito de polarizacin por divisor de tensin
13. El transistor como amplificador
14. El transistor como interruptor

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1.- INTRODUCCIN.
Hemos empezado la asignatura estudiando los materiales de los que estn
formados los principales dispositivos electrnicos de estado slido, los
semiconductores. Continuamos con el estudio del dispositivo semiconductor ms
sencillo, el diodo de unin. Dispositivo, que como hemos visto en los temas anteriores,
consta de dos partes diferenciadas con un terminal en cada una de ellas, es decir, se
trataba de un dispositivo de dos terminales. Siguiendo con el estudio de los dispositivos
electrnicos vamos a avanzar un paso ms y vamos a estudiar un dispositivo
semiconductor que consta de tres zonas distintas, con dos uniones pn y con un terminal
en cada una de las zonas, o lo que es lo mismo, estamos ante un dispositivo de tres
terminales: El transistor.
Sin ninguna duda, estamos ante uno de esos grandes inventos que han marcado
un punto de inflexin en la historia de la Humanidad, como en su da lo fueron el
descubrimiento del fuego, la invencin de la rueda o la mquina de vapor entre otros. El
descubrimiento del transistor a principios del siglo XX (1947) marc el comienzo de la
era de la electrnica. En apenas 60 aos el desarrollo experimentado y el grado de
penetracin en la vida cotidiana ha sido tal que hoy en da es difcil pensar en cmo
sera la vida sin los ordenadores, la telefona, la radio, la televisinY ha sido,
precisamente, el descubrimiento del transistor el culpable de esta revolucin
tecnolgica.
2.- CONSTRUCCIN DEL TRANSISTOR.
Aunque existen otros tipos de transistores (en este mismo curso veremos otros
en el tema 7) en este captulo vamos a abordar el estudio del transistor de unin bipolar,
tambin conocido por la iniciales de su denominacin en ingles BJT (Bipolar Junction
Transistor). El trmino bipolar hace referencia al hecho de que en la conduccin de la
corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El termino
junction (unin) hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como veremos a
continuacin tenemos dos uniones pn en el transistor y mediante la polarizacin de estas
uniones conseguiremos controlar el funcionamiento del dispositivo.
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El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de
material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina
transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo
caso estaramos hablando de un transistor npn.

npn pnp
Figura 4.1.- Estructura del transistor BJT.
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de
las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se
representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C
(colector).
La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada
de emitir o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un
transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp.
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se
trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misin es la
de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el
colector.
La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o
colectar los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la
base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.



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3.- SMBOLOS Y CONVENIO DE SIGNOS


Figura 4.2.- Sentidos de tensiones y corrientes en el BJT.
En la figura aparecen los smbolos que se utilizan para la representacin del
transistor de unin bipolar. Para las corrientes se han representado los sentidos reales de
circulacin de las mismas.
4.- ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Cuando en el tema 2 hablbamos de la unin pn veamos que tenamos dos
posibilidades de polarizacin de la misma, de tal forma que el diodo tena dos posibles
estados o zonas de trabajo: en directa y en inversa. Ahora estamos ante un dispositivo
que tiene dos uniones, una unin entre las zonas de emisor y base (que denominaremos
a partir de ahora unin de emisor J
E
) y otra unin entre las zonas de base y colector (de
que denominaremos unin de colector J
C
), cada una de las cuales puede ser polarizada
en las dos formas mencionadas anteriormente. As, desde el punto de vista global del
dispositivo tenemos cuatro zonas de funcionamiento posibles en funcin del estado de
polarizacin de las dos uniones.
De esta forma, si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el
transistor est trabajando en la zona de saturacin. En el caso de que la unin de emisor
la polaricemos en directa y la unin de colector en inversa, estaremos en la zona activa.
Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el transistor est en la zona
de corte. Por ltimo, si la unin de emisor se polariza en inversa y la unin de colector
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en directa, el transistor se encuentra en activa inversa. De las cuatro zonas, las 3
mencionadas en primer lugar son las ms interesantes desde el punto de vista del
funcionamiento del transistor, siendo la zona activa inversa una zona puramente terica
y sin inters prctico.

Figura 4.3.- Zonas de funcionamiento del transistor BJT.
Notar que en todo momento hablamos de polarizaciones en directa o en inversa
sin referirnos al signo de la tensin aplicada a dicha unin, ya que el mismo depender
del tipo de transistor npn o pnp en cuestin.
5.- CORRIENTES EN LA ZONA ACTIVA
Como acabamos de ver un transistor est trabajando en la zona activa cuando la
unin de emisor se polariza en directa y la unin de colector en inversa. En el caso de
un transistor pnp, para polarizar la unin de emisor en directa habr que aplicar una
tensin positiva del lado del emisor, negativa del lado de la base, o lo que es lo mismo
una tensin V
BE
positiva. De igual manera, para polarizar la unin de colector en
inversa hay que aplicar una tensin V
CB
negativa.
Vamos a comenzar el estudio suponiendo que la unin de emisor est polarizada
en directa y que la unin de colector est sin polarizar (figura 4.4a). En este caso
estamos ante una unin pn (la formada por el emisor y la base) idntica a la que
analizamos en el captulo 2 al abordar la polarizacin de la unin pn. En este caso,
aparece un campo elctrico que tiende a arrastrar a los huecos del emisor hacia la base y
a los electrones de la base hacia el emisor. Lo que origina una corriente neta en el
sentido de la zona p hacia la zona n, es decir, de emisor hacia la base. Dado que el
J
E
J
C
Zona de trabajo
Directa Inversa Activa
Directa Directa Saturacin
Inversa Inversa Corte
Inversa Directa Activa inversa
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emisor es mucho ms ancho que la base y adems su nivel de dopado es muy superior,
la cantidad de huecos en el emisor ser muy superior a la de los electrones en la base,
con lo que el trmino de corriente predominante ser el debido a los huecos. Es decir, la
corriente tendr dos trminos, uno debido a los electrones y otro debido a los huecos,
siendo predominante el segundo sobre el primero.

a) Polarizacin de la unin de emisor b) Polarizacin de la unin de colector
Figura 4.4.- Polarizacin (por separado) de la uniones de emisor y colector en un BJT.
A continuacin vamos a analizar la unin de colector suponiendo que est
polarizada en inversa y que la unin de emisor est en circuito abierto(figura 4.4b). Al
igual que en el caso anterior este caso fue analizado en el captulo 2 al tratar la
polarizacin inversa de la unin pn. Ahora aparece un campo elctrico de la zona n
hacia la zona p (de la base hacia el colector) que aleja a los portadores mayoritarios en
las respectivas zonas de la unin. Sin embargo, se establece una corriente debida a los
portadores minoritarios de cada una de las zonas, los huecos de la base (por ser zona n)
y los electrones del colector (zona p). De esta forma se establece una corriente en el
sentido de la base hacia el colector denominada I
CO
y que corresponde a la corriente
inversa de saturacin de la unin de colector.
Analicemos ahora la polarizacin simultnea de ambas zonas (figura 4.5), en
este caso, los huecos inyectados por el emisor (que dan lugar a la corriente I
pE
) al llegar
a la base, y a travs de un proceso de difusin, tendern a ir hacia el colector. En el
momento que dichos huecos alcancen la unin de colector, el campo elctrico que
tenemos debido a la polarizacin inversa de la unin de colector atrapar a los huecos
transportndolos hacia el colector (corriente I
pC
). Es decir, este campo elctrico se
encarga de recolectar los huecos inyectados por el emisor, evidentemente no todos los
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huecos inyectados por el emisor conseguirn alcanzar el colector, ya que tienen que
atravesar la base (material tipo n) por lo que algunos se recombinarn en la zona de base
dando lugar a la corriente I
pE
I
pC
). Por otra parte, seguiremos teniendo la corriente I
nE

debida a los electrones que van de la base al emisor por efecto de la polarizacin directa
de la unin de emisor. Y en la zona de colector tendremos la corriente I
CO
por estar la
unin de colector polarizada en inversa.

Figura 4.5.- Zonas de funcionamiento del transistor BJT.
Por tanto desde el punto de vista de las corrientes en los terminales del transistor,
y teniendo en cuenta que estamos en la zona activa, tendremos:
( )
E pE nE
C pC CO
B nE pE pC CO
I I I
I I I
I I I I I
= +
= +
= +

Si tenemos en cuenta que
pE nE
I I , tendremos que
E pE
I I .
Por otra parte, podemos expresar
pC pE
I I o = , donde o representa la fraccin de
portadores que inyectados por el emisor alcanzan el colector.
Con lo que podemos expresar la corriente de colector en la forma

C E CO
I I I o = + (4,1)
De la expresin anterior podemos deducir
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C CO
E
I I
I
o

=
A partir de la cual podemos dar otra definicin de o: Es la relacin entre el
incremento de la corriente de colector desde el corte (I
C
= I
CO
) y la variacin de la
corriente de emisor desde el corte (I
E
= 0)
El parmetro o es conocido como ganancia de corriente en continua. En los
transistores comerciales, el valor real de dicho parmetro suele estar comprendido entre
0,9 y 0,998 y , en la mayora de los casos, ms cerca del segundo valor.
6.- ECUACIN DE EBBERS-MLL.
La expresin (4,1) slo es vlida en la regin activa (J
E
en directa y J
C
en
inversa). Donde la corriente de colector I
C
es independiente de la tensin de colector
V
CB
y depende nicamente de I
E
.
Si expresamos la corriente de emisor en funcin de la tensin V
BE

exp 1
EB
E ES
T
V
I I
V
| |
=
|
\ .

Si llamamos I
C
a la corriente que tendramos en el colector si el emisor
estuviera en circuito abierto
exp 1
CB
C CS
T
V
I I
V
| |
=
|
\ .

Donde I
CS
es la corriente inversa de saturacin o corriente de fugas de la unin
de colector

Figura 4.6.- Sentidos de las variables de la ecuacin de Ebbers-Mll.
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exp 1 exp 1
CB EB
C ES CS
T T
V V
I I I
V V
o
| | | |
=
| |
\ . \ .
Ecuacin de Ebbers Moll
En el tema 2, al estudiar la unin pn, veamos como para poder fijar el punto de
funcionamiento del diodo (V
D
e I
D
) necesitbamos un circuito de polarizacin. En el
caso que nos ocupa, tenemos dos uniones, lo que implica dos circuitos de polarizacin.
Dado que el transistor nicamente tiene tres terminales, estos dos circuitos de
polarizacin debern compartir un terminal, esto dar lugar a las configuraciones de
base comn, emisor comn y colector comn, en funcin de quien sea el terminal que
comparten ambos circuitos de polarizacin.

Base Comn Emisor Comn Colector Comn
Figura 4.7.- Configuraciones del BJT.
Por otra parte, en el estudio de la unin pn slo tenamos dos variables (V
D
e I
D
)
relacionadas con la ecuacin de Shockley, es decir, tenamos una nica curva. En el
caso del transistor tenemos hasta 6 variables involucradas (3 tensiones y 3 corrientes)
siendo la representacin grfica de las mismas no tan evidente como en el caso del
diodo. As, para representarlas grficamente, las variables se agrupan para formar lo que
se denomina curvas caractersticas de entrada y curvas caractersticas de salida.
Adems, estas curvas dependern del tipo de configuracin del transistor (base, emisor
o colector comn), con lo que a priori existirn 6 tipos de familias de curvas distintas:
- Curvas caractersticas de entrada en base comn.
- Curvas caractersticas de salida en base comn.
- Curvas caractersticas de entrada en emisor comn.
- Curvas caractersticas de salida en emisor comn.
- Curvas caractersticas de entrada en colector comn.
- Curvas caractersticas de salida en colector comn.
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7.- CURVAS CARACTERSTICAS EN BASE COMN.
7.1.- Curvas caractersticas de entrada.
Vamos a ver las curvas caractersticas de entrada para un transistor BJT pnp. Los
sentidos positivos de tensiones y corrientes son los representados en la figura 4.8.

Figura 4.8.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de entrada en un BJT
pnp en base comn
En las curvas caractersticas de entrada en base comn se representa
( ) ,
E EB CB
I f V V =
Estas curvas aparecen representadas en la figura 4.8. En principio, si
observamos, es como si tuvisemos la curva caracterstica correspondiente a la unin de
emisor [I
E
= f(V
EB
)], sin embargo, la relacin entre estas dos variables se ve
influenciada por la tensin que tenemos a la salida (V
CB
). As, no tenemos una nica
curva, sino que tenemos una familia de curvas en funcin de la tensin V
CB
,. El origen
de este desdoblamiento de curvas est en lo que se denomina Efecto Early.
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Figura 4.9.- Curvas Caractersticas de Entrada en Base Comn en un BJT pnp.
Efecto Early
El efecto Early es tambin conocido como efecto de modulacin de anchura de
la base. Y es que al aumentar la polarizacin inversa de la unin de colector, la zona de
carga espacial correspondiente aumenta, por lo que la anchura efectiva de la base (la
zona n en un transistor pnp) disminuye. O al contrario, es decir, si la polarizacin
inversa de la unin de colector disminuye, la anchura efectiva de la base aumenta. En
resumen, vemos que hay una variacin de la anchura de la base con la tensin inversa
aplicada a la unin de colector.

2 1
2 1
CB CB
B B
V V
W W
>
<

Figura 4.10.- Modulacin de la anchura efectiva de la base por efecto Early.
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Efecto Early en la caracterstica de entrada en base comn
En la curva caracterstica de entrada en base comn, al disminuir la anchura de
la base, el gradiente de la concentracin de huecos en la base aumenta, con lo que la
corriente de difusin aumentar.

1 1
n
pB pE p
dp
I I D
dx
= =
,
2 2
n
pB pE p
dp
I I D
dx
= =
2 1 E E
I I >
Figura 4.11.- Efecto Early. Aumento de la corriente de emisor.
De ah que, para una V
EB
dada, cuanto mayor sea la tensin inversa aplicada a la
unin de colector, mayor ser I
E
.
Figura 4.12.- Efecto Early en las caractersticas de entrada.
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7.2.- Curvas caractersticas de salida.

Figura 4.13.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de salida en un BJT
pnp en base comn
En las curvas caractersticas de salida en base comn se representa:
( ) ,
C CB E
I f V I =
Los sentidos positivos de tensiones y corrientes aparecen en la figura 4.12.
Figura 4.14.- Curvas caractersticas de salida en Base comn en un BJT pnp.
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En estas curvas aparecen claramente diferenciadas las tres zonas de inters
prctico del transistor: corte, saturacin y activa.
Regin de corte:
Est delimitada por la curva con I
E
= 0

Figura 4.15.- Corrientes en un BJT en Base Comn en la zona de corte.
Si el emisor est en circuito abierto (I
E
= 0). La nica corriente que tendremos en
el transistor ser la que hemos llamado I
CO
debida a la polarizacin inversa de la unin
de colector.
Como I
CO
es del orden de unos pocos A o incluso de los nA, aparece pegado al
eje.
I
CBO
es la notacin usada ms frecuentemente en la hojas de caractersticas (data
sheets) que proporcionan los fabricantes. I
CBO
es despreciable para transistores de
propsito general, pero es muy sensible con la temperatura, por lo que habr que tenerlo
presente segn que aplicaciones. La corriente I
E
ser 0 cuando el emisor est en circuito
abierto, aunque si la unin de emisor est en inversa (o incluso an estando en directa
pero con tensiones inferiores a la tensin de codo), estaremos en una situacin donde I
E

es prcticamente 0, por lo que las corriente por los tres terminales del transistor son
nulas a efectos prcticos.
En resumen cuando las dos uniones estn polarizadas en inversa no hay
corrientes por el transistor, por eso se dice que estamos en la zona de corte.
Zona activa:
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El transistor trabaja en esta zona cuando la unin de emisor est polarizada en
directa y la unin de colector lo est en inversa.

Figura 4.16.- Polarizacin del BJT pnp en la zona activa.
En esta zona se cumple
C E CO
I I I o = +
Podemos despreciar I
CO
frente a oI
E
Por lo que I
C
= oI
E
como
C E
(0, 9 0, 998) I I s o s
Por tanto en la zona activa vemos como la corriente I
C
es igual a I
E
e
independiente de V
CB
.
Efecto Early en la caracterstica de salida en base comn
En realidad s que hay un pequeo aumento de la corriente de colector a medida
que aumenta (en valor absoluto) la tensin V
CB
. Es decir, las curvas no son
perfectamente horizontales sino que tienen una pequea pendiente positiva. Esto se debe
al efecto Early o de modulacin de anchura de la base.
Al aumentar el mdulo de la tensin V
CB
(recordemos que es positiva del lado
del colector para un transistor pnp) estamos aumentando la polarizacin inversa de la
unin de colector. Esto har que la zona de carga espacial correspondiente a esta unin
aumente, por lo que la anchura efectiva de la base (donde existen portadores)
disminuir. Esta disminucin de la anchura efectiva de la base tendr como
consecuencia que los portadores inyectados por el emisor van a tenerlo ms fcil a la
hora de atravesar la misma. Es decir, aumentar en nmero de portadores que llegarn al
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colector o, lo que es lo mismo, aumentar o. Si o aumenta y si tenemos en cuenta que
I
C
= oI
E
. Para un determinado valor de I
E
, a medida que aumenta V
CB
aumenta o y por
lo tanto aumenta I
C
.

Figura 4.17.- Efecto Early en las caractersticas de salida.
No obstante, esta dependencia de I
C
con V
CB
es apenas apreciable ya que
aunque, efectivamente se produzca un aumento de o, el valor del mismo siempre ser
muy prximo a la unidad por lo que se seguir cumpliendo que
C E
I I . De ah que las
curvas, en la zona activa, incluso considerando el efecto Early sean prcticamente
horizontales, es decir, el dispositivo, en esta zona se comporta como una fuente de
corriente.
Regin de saturacin:
En esta zona de trabajo las dos uniones del transistor estn polarizadas en directa

Figura 4.18.- Polarizacin del BJT pnp en la zona de saturacin.
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En esta zona las dos uniones estn polarizadas en directa, anulndose la corriente
de colector en apenas 0,2 V.
Manteniendo la polarizacin directa de la unin de emisor, es decir, para una
corriente de emisor dada, para tensiones negativas de V
CB
o incluso positivas por debajo
de la tensin de codo (menores de 0,6 V aproximadamente) estamos en la situacin de
zona activa (curvas horizontales).
A medida que polarizamos en directa la unin de colector, en dicha unin
aparece una corriente (que crece exponencialmente con la tensin aplicada) que se
opone a la debida a los portadores que vienen desde el emisor atravesando la base. Si
adems tenemos en cuenta que al polarizar la unin de colector en directa estamos
aplicando un campo elctrico que tambin se opone a la llegada de portadores desde la
base, tenemos como resultado que en apenas unas pocas dcimas de voltio la tensin
por el terminal de colector cae a 0.
Figura 4.19.- Detalle de corrientes en la zona de saturacin.
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8.- CURVAS CARACTERSTICAS EN EMISOR COMN.
8.1.- Curvas caractersticas de entrada.
En la figura aparecen representados los convenios de tensiones y corrientes
positivas que se han tenido en cuenta para representar las distintas curvas. Ntese que a
diferencia del caso anterior ahora vamos a trabajar con un transistor npn.

Figura 4.20.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de entrada en un BJT
npn en emisor comn
En las curvas caractersticas de entrada en base comn se representa
( ) ,
B BE CE
I f V V =
Como se puede ver en la figura, no hay una nica curva que relacione I
B
con
V
BE
, sino que hay una familia de curvas en funcin de V
CE
. De nuevo, al igual que en el
caso anterior, este desdoblamiento de curvas se debe al efecto Early.

Figura 4.21.- Curvas Caractersticas de Entrada en Emsior Comn para un BJT npn.
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
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Efecto Early en la caracterstica de entrada en emisor comn
Si observamos las tensiones aplicadas en la figura 4.20, vemos como la tensin
V
BE
es positiva, con lo que la unin de emisor estar polarizada en directa. Por otra
parte, la tensin V
CE
tambin es positiva. Si observamos en el tringulo de tensiones en
los terminales del transistor, podemos obtener la tensin entre colector y base, que es
precisamente la que nos dice el estado de polarizacin de la unin de colector.
CB CE BE
V V V =
Por tanto siempre que estemos aplicando tensiones V
CE
> V
BE
, tendremos que la
tensin V
CB
ser positiva y por tanto la unin de colector estar polarizada en inversa, es
decir, estaremos en la zona activa.

Figura 4.22.- Tringulo de tensiones en un BJT.
De la misma expresin se deduce que si mantenemos V
BE
constante, un aumento
de V
CE
implica un aumento de la tensin V
CB
, o lo que eso mismo, estamos aplicando
una mayor polarizacin inversa a la unin de colector, lo que lleva implcito (como ya
se ha descrito anteriormente) una disminucin de la anchura efectiva de la base. Es
decir, el parmetro disminuye (habr menos portadores que se recombinan en la base).
Las componentes de las corrientes, en este caso sern:
( )
E nE pE
C nC CO
B pE nE nC CO
I I I
I I I
I I I I I
= +
= +
= +

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Si tenemos en cuenta que
nC nE
I I o = , tendremos que
( ) 1
B pE nE CO
I I I I o = + , de donde deducimos que si aumenta, I
B
disminuye. De ah
que no tengamos una nica curva de entrada, sino que la relacin entre I
B
y V
BE

depende de la tensin V
CE
. Y cuando mayor sea V
CE
, menor es la corriente I
B
.
Figura 4.23.- Efecto Early en las caractersticas de entrada.
8.2.- Curvas caractersticas de salida.

Figura 4.24.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de salida en emisor
comn en un BJT npn.
En las caractersticas de salida en emisor comn se representa
( ) ,
C CE B
I f V I =
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Los sentidos positivos de tensiones y corrientes son los que aparecen
representados en la figura 4.20
Figura 4.25.- Curvas caractersticas de salida en Emisor Comn en un BJT npn.
Al igual que en el caso anterior, vamos a intentar justificar el porqu de la forma
de las curvas en cada una de las zonas de inters:
Zona activa:
Se corresponde con la zona no sombreada de las curvas, por encima de la curva
I
B
= 0 y para tensiones V
CE
superiores a 0,2 V.
En la zona activa se sigue cumpliendo
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
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C E CO
I I I o = +
Si tenemos en cuenta que las corrientes que aparecen representadas en las curvas
son I
C
e I
B
, eliminamos la variable I
E
sabiendo que
E B C
I I I = + , transformamos la
expresin 4,1 en:
1
1 1
C B CO
I I I
o
o o
= +


Si denominamos
1
o
|
o
=

la expresin anterior se transforma en


( ) 1
C B CO
I I I | | = + + (4,2)
Si despreciamos el valor de I
CO

C B
I I |
Tenemos que I
C
no depende de la tensin V
CE
y depende nicamente del valor
de I
B
. As, las curvas en la zona activa deberan ser perfectamente horizontales. Esto
sera cierto si fuera constante, pero como vimos en el caso anterior, el parmetro
depende de la tensin V
CE
debido al efecto Early.
Efecto Early en la caracterstica de salida en emisor comn.
Anteriormente se analiz que un aumento de la polarizacin inversa de la unin
de colector (en este caso mediante un aumento de la tensin V
CE
) trae consigo una
disminucin de la anchura efectiva de la base, lo que se traduce en un aumento del del
transistor. En las curvas de salida en base comn las corrientes implicadas eran I
C
e I
E

que estaban relacionadas precisamente mediante (I
C
= I
E
). Sin embargo, debido a que
mantiene sus valores muy prximos a la unidad, las variaciones del mismo no afectan
significativamente a las curvas de salida, por eso en la zona activa las curvas eran
horizontales a todos los efectos.
En el caso que nos ocupa, las corrientes estn relacionadas a travs de |, no de
como en el caso anterior. As, mientras los valores de estn comprendidos tpicamente
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
100

entre 0,9 y 0,998, los valores de | correspondientes variarn entre 9 y 499. Lo cual nos
viene a demostrar que pequeas variaciones de implican grandes cambios de |. Por
ello las curvas caractersticas de salida en emisor comn, en la zona activa, estn
sensiblemente ms inclinadas que las de base comn.

Figura 4.26.- Efecto Early en las caractersticas de salida.
En el ejemplo de la figura, podemos observar como un incremento en el valor de
del 0,1 % implica un incremento en el valor de | del 25 %
1
0,1%
1 2
25%
1 2
0, 9 0, 998 9 499
0, 995 0, 996
199 249
o
|
o
o
|
o |
o o
| |
=

A =
A =
s s s s
= =
= =

Es por ello que van a haber grandes diferencias para cada transistor individual
dentro de las misma familia, esto es, dos transistores idnticos (misma numeracin, del
mismo fabricante, en principio, exactamente iguales) pueden tener valores de |
completamente dispares.

Figura 4.27.- Especificaciones de la ganancia de corriente ( h
FE
) de un BJT.
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
101

Figura 4.28.- Especificaciones de la ganancia de corriente ( h
FE
) de un BJT.
Es interesante hacer notar que el dato que ofrece el fabricante de transistores es
la ganancia de corriente en continua (h
FE
)

C
FE
B
I
h
I
= (4,3)
Por otra parte, de la expresin (4,2) podemos obtener el valor de |

C CO
B CO
I I
I I
|

=
+
(4,4)
Comparando las expresiones (4,3) y (4,4), podemos ver como h
FE
y | no son
exactamente lo mismo, aunque a efectos prcticos sus valores son realmente similares
(debido al pequeo valor de I
CO
). Es por ello que en la prctica se habla indistintamente
de h
FE
o | sin hacer distinciones
Regin de Corte:
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
102

Queda delimitada por la curva I
B
= 0 que marca el lmite entre las zonas activa y
de corte.

Figura 4.29.- Corrientes en un BJT en Emisor Comn en la zona de corte.
Para I
B
= 0, segn la ecuacin (4,2)
( ) 1
C CO CEO
I I I | = + =
Pero |, segn hemos visto anteriormente, puede valer hasta 499, lo cual nos
indica que a pesar de tener la entrada en circuito abierto, podemos tener una corriente
entre el colector y el emisor de 500 I
CO
. Y si bien el valor I
CO
, suele ser muy pequeo,
en determinadas condiciones (altas temperaturas, transistores de germanio, etc.) y al
estar multiplicado por un factor de 500, la corriente I
CEO
puede tener una importancia
relativa. Es por esto que la curva de I
B
= 0 esta sensiblemente ms separada del eje
horizontal que en el caso de las curvas en base comn.
Regin de Saturacin:
Razonando de forma anloga a como lo hicimos en las caractersticas de salida
en base comn. Vemos como en apenas 0,2 V (para un transistor de silicio) la corriente
de colector cae a 0 debido a que al estar las dos uniones polarizadas en directa, las
corrientes se anulan entre s.
Figura 4.30.- Cada de las corrientes en la zona de saturacin.
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
103

9.- CURVAS CARACTERSTICAS EN COLECTOR COMN.
Desde el punto de vista de diseo de un circuito con un transistor en la
configuracin colector comn, se utilizan las caractersticas de emisor comn.
En el caso de las caractersticas de entrada, en colector comn tendramos
( ) ,
B CB EC
I f V V = , que seran muy similares a las de emisor comn. Respecto a las
caractersticas de salida, en emisor comn seran ( ) ,
E EC B
I f V I = . Teniendo en cuenta
que debido a que 1;I
C
I
E
,portantolascaractersticasencolectorcomn
serancasiidnticasalasdeemisorcomn.Esporelloque,comosehadicho
anteriormente,paraeldiseodecircuitosdetransistoresencolectorcomn,se
utilizanlascaractersticasenemisorcomn.
10.- CURVA DE PUNTOS CARACTERSTICOS
Como se ha visto en los apartados anteriores, la corriente de colector depende de
la corriente presente en el terminal de base, que a su vez depende principalmente de la
tensin aplicada a la unin emisor-base. Con el fin de delimitar las distintas zonas de
funcionamiento del transistor, y en consecuencia conseguir la polarizacin adecuada
segn las distintas aplicaciones que se quiera realizar del mismo, resulta til representar
la corriente I
C
frente a la tensin V
BE
. El resultado obtenido es la grfica de la figura
4.31. Teniendo en mente el circuito en emisor comn que aparece en la figura anterior,
para valores negativos de V
BE
el transistor se encuentra en corte, por lo que la corriente
I
C
toma un valor muy pequeo, prximo a I
C0
. Lo mismo sucede para tensiones positiva
que se encuentran por debajo de la tensin de codo o tensin umbral de la unin emisor-
base (figura 4.23) ya que para esas tensiones la corriente de base es prcticamente cero,
y por lo tanto tambin lo ser I
C
. Una vez superada la tensin umbral, la corriente de
base crece exponencialmente con la tensin V
BE
, obtenindose valores muy altos de la
corriente de colector, hasta que se alcanza la saturacin. En la figura 4.31 se muestran
valores caractersticos que se obtienen a partir de esta grfica y que servirn de
referencia para desarrollar los modelos equivalentes del transistor trabajando en gran
seal.
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
104


Figura 4.31.- Grfica de la corriente de colector en funcin de la tensin base-emisor. En la tabla se muestran los
valores ms caractersticos de dicha grfica para transistores de Silicio y germanio.
11.- PUNTO DE FUNCIONAMIENTO.

Figura 4.32.- Circuito para la polarizacin de un BJT.
Analizando las tensiones de la malla de entrada
BB B B BE
V R I V = + (4,5)
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
105

Esta expresin en el plano de las caractersticas de entrada es una recta, cuya
interseccin con la curva V
CE
correspondiente nos dara el par de valores I
B
, V
BE
del
punto de funcionamiento. Sin embargo, no conocemos V
CE
, para calcularla tenemos que
analizar la malla de salida.
CC C C CE
V R I V = +
Ahora la interseccin de esta recta con la curva de I
B
correspondiente nos
proporciona el punto I
C
, V
CE
de polarizacin. Pero desconocemos I
B
, y para calcular I
B

necesitamos V
CE
y para calcular I
B
hay que saber V
CE
. Estamos, aparentemente, en un
punto sin salida. Para resolver este problema necesitamos el uso de mtodos numricos
iterativos.
En primer lugar agrupamos todas las curvas caractersticas de entrada en una
nica. Encontramos la interseccin con la recta (4,5) con dicha curva procediendo de
forma anloga a como hicimos en el captulo 2 para obtener el punto de funcionamiento
en la unin pn (mtodo iterativo partiendo de una solucin inicial). De esta forma
obtenemos una solucin inicial I
B1
. Con este valor podemos ir a las caractersticas de
salida y obtener I
C1
y V
CE1
. Si ahora suponemos el valor V
CE1
calculado anteriormente
podemos volver a las caractersticas de entrada y calcular el nuevo I
B2
y V
BE2
. De forma
que ahora la nueva corriente de base es I
B2
con lo que tenemos un nuevo punto I
C2
,
V
CE2
. As seguiramos iterando hasta que la solucin converja en un punto, de forma
que tendramos determinado el punto de funcionamiento.
Vemos como la obtencin del punto de funcionamiento, o punto de polarizacin
del transistor, necesita de mtodos de clculo relativamente complejos, abordables
nicamente con el empleo de potentes calculadoras, o en su defecto, ordenadores
personales. Es, por tanto, evidente la necesidad del empleo de simplificaciones para
calcular el punto de funcionamiento.


Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
106

a) b)
Figura 4.33.- Obtencin del punto Q de funcionamiento en las curvas caractersticas de entrada (a) y en las de
salida (b).
Teniendo en cuenta los puntos ms representativos de la caracterstica tensin
corriente I
C
-V
BE
, indicados en la tabla de la figura 4.31, podemos suponer que no hay
corriente de base hasta que la tensin emisor-base supera la tensin umbral, punto a
partir del cual la corriente I
C
, y por tanto I
B
, crecen de forma brusca. As, a efectos
prcticos, podemos sustituir las caractersticas de entrada y de salida de la configuracin
en emisor comn por las representadas en la figura 4.34
Figura 4.34.- Aproximacin de las caractersticas de entrada y de salida de un transistor en la configuracin de
emisor comn cuando se trabaja en gran seal.
En el caso de las caractersticas de entrada, consideraremos una nica curva,
como se ha comentado anteriormente, y adems supondremos que no hay corriente por
el terminal de base hasta que no se supere la tensin umbral de 0,7V. A partir de este
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
107

punto, por el terminal de base puede circular cualquier corriente, valor que estar
limitado por el circuito de polarizacin.
En cuanto a las caractersticas de salida, para cualquier valor de la corriente de
base, el transistor se comporta como una fuente de corriente, manteniendo el valor de I
C

constante hasta que la tensin V
CE
cae por debajo de los 0,2V, momento en que se corta
la corriente por el terminal de colector, ya que el valor de V
BE
es inferior a la tensin
umbral. Concretando:
0
BE BE ON C
CE CE sat C B
BE BE ON
CE CE sat C B
V V I Corte
V V I I Activa
V V
V V I I saturacin
,
,
,
,
|
|
< =
> =

=

< <


Esta aproximacin la utilizaremos siempre que trabajemos con el transistor
como amplificador para seales de entrada por encima de algunos cientos de mV y
tambin en las aplicaciones como interruptor.
12.- POLARIZACIN DEL TRANSISTOR.
La polarizacin del transistor consiste en aplicar las tensiones adecuadas a las
uniones de emisor-base y colector -base que permitan situar al transistor en la regin de
funcionamiento adecuada a la aplicacin que se persigue, en ausencia de la seal de
entrada. Si la aplicacin que se persigue es la utilizacin del transistor como
amplificador, situaremos el punto de trabajo en aquella zona dnde tenga un
comportamiento ms o menos lineal. Como ya se ha visto en la curva de puntos
caractersticos del transistor, este comportamiento se puede apreciar en la zona activa,
tal y como muestra la figura 4.35.
Aplicando una seal variable a la unin base-emisor (V
BE
) obtenemos una
corriente de salida, en este caso I
C
, de forma muy semejante a la seal aplicada. Si lo
que se pretende es que el transistor se comporte como un circuito abierto, situaremos el
punto de funcionamiento en la regin de corte. En esta regin para cualquier variacin
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
108

de la tensin V
BE
, obtendremos la misma corriente I
C
, cuyo valor es tan pequeo que se
puede considerar cero. De igual modo, si lo que se busca es el comportamiento como
cortocircuito, nos situaremos en la zona de saturacin, dnde podemos obtener
cualquier valor de I
C
sin cambios apreciables en la tensin V
BE
. Una vez elegida la zona
de funcionamiento, hay que procurar que el punto de trabajo sea lo ms estable posible,
con el fin de asegurar su correcto funcionamiento para un amplio rango de seales de
entrada.

Figura 4.35.- Ilustracin del comportamiento aproximadamente lineal del transistor en la zona activa.
La polarizacin del transistor se logra a travs de los circuitos de polarizacin
que fijan sus corrientes y tensiones. En la figura 4.36 se muestran los circuitos de
polarizacin ms tpicos basados en resistencias y fuentes de alimentacin.
La eleccin de un circuito u otro depender de la aplicacin y del grado de
estabilidad que se desea del punto de polarizacin.

Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
109




Polarizacin de base Polarizacin de base con R
E


Polarizacin por divisor de tensin Polarizacin por divisor de tensin con R
E



Polarizacin por realimentacin
de emisor
Polarizacin por realimentacin
de colector (autopolarizacin)
Polarizacin de emisor con dos
fuentes de tensin
Figura 4.36.- Diferentes circuitos empleados en la polarizacin de un transistor
12.1.- Circuito de polarizacin de base (polarizacin fija).
Como punto de partida en el anlisis de la estabilidad del punto de polarizacin
segn el circuito de polarizacin seleccionado, nos fijaremos en el circuito de
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
110

polarizacin fija. En la figura 4.37 se indican los sentidos de las corrientes y tensiones
reales cuando se encuentra el transistor trabajando en la zona activa.
Tomando como punto de partida para el anlisis de dicho circuito la malla de
entrada:
CC BE B B
V V R I = +
CC BE
B
B
V V
I
R

= (4,5)
Planteando la expresin de la malla de salida:
CC CE C C
V V R I = +
Figura 4.37.- Sentidos de las corrientes y tensiones en el circuito de polarizacin fija trabajando en la zona activa..
Si representamos dicha expresin sobre las curvas caractersticas del
transistor en la configuracin en emisor comn obtenemos la recta de carga esttica de
dicho circuito, cuya interseccin con la curva de I
B
, obtenida a travs de la expresin
(4,5), nos fija el punto de polarizacin. En esta figura 4,38 se han indicado los valores
mximos y mnimos de la tensin V
CE
para la zona activa en funcin del valor fijado
para I
B
.
C B
I I | =
CC CE C B
V V R I | = +
Si 0
B
I =
CE
V
CE CC
V V =
Si
, B B sat
I I =
, CE CE sat
V V =
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
111


Figura 4.38.- Representacin de la recta de carga esttica de un circuito de polarizacin fija sobre las
caractersticas de salida en emisor comn.
12.1.1.- Dependencia con
Tomando un valor de I
B
que nos sita el punto de trabajo en la zona intermedia
de la zona activa, analizaremos la estabilidad de dicho punto ante posibles variaciones,
tanto de los parmetros internos del transistor, como de las variables externas. Como es
sabido, un incremento en la temperatura provoca un incremento en la del transistor,
efecto que se ve representado en la figura 4,39. Si en un principio se ha fijado el punto
de trabajo en la posicin Q
1
para una I
B
constante establecida por el circuito de entrada,
un incremento de la temperatura de T
1
a T
2
nos llevar a una nueva del transistor de
forma que el nuevo valor
2
>
1
. Si aumenta la , permaneciendo constante la I
B
, se
obtienen mayores valores de la corriente I
C
, ya que I
C
~ I
B
, por lo que el punto de
trabajo se ha trasladado a la posicin Q
2
, caracterizado por los nuevos valores de I
C2
y
V
CE2
.
De forma analtica:
|
|

=

=
`

=
)
CC BE
B
CC BE
B C
B
C B
V V
I
V V
R I
R
I I


Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
112

Dnde podemos confirmar la dependencia directa de la corriente I
C
con la del
transistor.

Figura 4.39.- Modificaciones del punto de trabajo en un circuito de polarizacin fija cuando se producen
variaciones en la temperatura (T
2
>T
1
)
12.1.2.- Influencia de V
CC
.
La inestabilidad del punto de trabajo con la temperatura se ve acentuada con el
incremento en la tensin de alimentacin del circuito, tal y como se muestra en la
figura 4.40. Cuanto mayor sea V
CC
, mayor ser el desplazamiento del punto Q ante una
variacin de .

Figura 4.40.- Desplazamiento del punto de trabajo en un circuito de polarizacin fija cuando se producen
variaciones en la temperatura e incrementos en la tensin de alimentacin V
CC
.
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
113

12.1.3.- Influencia de R
C
Los desplazamientos en el punto Q se pueden compensar, en cierta medida,
modificando algunos elementos del circuito. Como se aprecia en la figura 4,41, cuanto
mayor sea R
C
menor ser el desplazamiento del punto Q ante una variacin de .

Figura 4.41.- Compensacin del desplazamiento del punto de trabajo en un circuito de polarizacin fija a medida
que aumenta R
C
.
12.1.4.- Influencia de R
B
En cambio, si se intenta compensar estas variaciones modificando el valor de R
B

se corre el riesgo de entrar en la regin de saturacin. Por ejemplo, si se toma el valor de
R
B
= R
C
nos encontramos en el lmite con dicha regin (figura 4.42)

1
,
CC BE CC BE
C C sat
B
C
V V V V
I I
R
R
|

= = ~
Para valores de R
B
< R
C
se garantiza que llevamos el transistor a saturacin
2
CC BE CC BE
C
B
C
V V V V
I Saturacin
R
R
|

= >
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
114

Figura 4.42.- Riesgo de llevar el transistor a la zona de saturacin al intentar compensar las variaciones del punto
Q modificando R
B
.
12.2.- Efecto de R
E
.
El problema del desplazamiento del punto Q con las variaciones de que
acabamos de analizar, se puede compensar aadiendo una resistencia en el terminal de
emisor, tal y como se muestra en la figura 4.43
Figura 4.43.- Polarizacin de base con resistencia de emisor
Partiendo de la malla de entrada
.
CC E E BE B B
V R I V R I cte = + + = (4,6)
Por otro lado tenemos:
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
115

1 |
| |
= + +
=
`
=
)

E B C
E C E C
C B
I I I
I I I I
I I

Por lo tanto, si aumenta, aumenta la corriente I
C
, y en consecuencia la I
E
.
Debido a este aumento de I
E
, aumentar la cada de tensin en la resistencia de emisor
R
E
I
E
. Si tenemos en cuenta la expresin (4,6), en la que podemos considerar constante
la tensin V
BE
, el razonamiento anterior nos lleva a que la cada de tensin en la
resistencia de base debe disminuir (R
B
I
B
), por lo tanto, debe disminuir la corriente I
B
.
Si disminuye I
B
, disminuye I
C
, compensando de esta manera el incremento que dicha
corriente ha experimentado debido al aumento de . En definitiva, la resistencia de
emisor origina una tensin que contrarresta las variaciones de . En otras palabras,
podemos decir que el circuito reacciona oponindose a la causa que ha originado la
perturbacin.
En la figura 4.44 se ha comparado ambos tipos de circuito de polarizacin de
base, sin y con resistencia de emisor. En el caso de tener R
E
(figura 4.43), la nueva recta
de carga esttica ser:
( )

CC C C CE E E
E C
CC C E C CE
V R I V R I
I I
V R R I V
= + +
~
= + +

Cuya pendiente ser -1/(R
C
+R
E
), menor que en el caso de polarizacin de base
sin resistencia de emisor (-1/R
C
)
La curva indicada por I
B2
(T
2
) se corresponde con la nueva corriente de base
debida a la compensacin realizada por la R
E
. A pesar de la perdida en la tensin V
CE

del punto de polarizacin se ve claramente la disminucin en las variaciones del punto
Q, que son incluso menores que las que se produciran en el caso de modificar la I
B
al
mismo valor en el caso de polarizacin de base sin R
E
.

Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
116


Figura 4.44.- Correccin de la variacin del punto Q debido al efecto opuesto de la resistencia de emisor.
El valor de la R
E
no puede ser cualquiera, como es lgico, sino aquel que nos
haga el punto Q estable frente a las variaciones de . Teniendo en cuenta la expresin
(4,6):

1
CC E E BE B B
C CC BE
C B B C
B
E
E C
V R I V R I
I V V
I I I I
R
R
Si I I
|
|
|
|
= + +


= = =
`


~
)


Si 100
B B
E E
R R
R R
| |
| |
>
|
\ .
, la expresin anterior se puede simplificar
a
CC BE
C
E
V V
I
R

= , lo que convierte al circuito insensible a las variaciones de . En este


caso se dice que el circuito es estable.
El anlisis realizado se puede llevar a cabo para el resto de circuitos
representados en la figura 4.36, observndose que unos circuitos son ms estables que
otros debido a su configuracin.


Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
117

12.3.- Circuito de polarizacin por divisor de tensin.
Uno de los circuitos ms empleados en amplificacin es el que utiliza
polarizacin por divisor de tensin, que ya ha sido presentado en la figura 4.36, y en el
cual el valor de R
1
y R
2
determinan la ubicacin del punto Q. El motivo de su
utilizacin es la mejora que se obtiene en la estabilidad del punto de polarizacin. La
razn fsica de esta mejora tambin se encuentra en la resistencia de emisor R
E
. Si I
C

tiende a aumentar como consecuencia del aumento de la del transistor, se produce un
aumento de la cada de tensin en la R
E
, y por tanto una disminucin de la tensin en la
unin emisor-base. Al disminuir V
BE
, si tenemos en cuenta las caractersticas de entrada
en la configuracin de emisor comn, disminuye I
B
, por lo tanto, I
C
aumentar menos de
lo que lo hara de no haberse instalado la resistencia R
E
.
Con el fin de analizar este circuito, una herramienta muy prctica es la
simplificacin del circuito de base empleando el teorema de Thvenin, como se muestra
en la figura 4.45.


a) b) c)
Figura 4.45.- Circuito de polarizacin por divisor de tensin: (a) sentidos de las corrientes y tensiones trabajando
en la zona activa. (b) Puntos de referencia para realizar la simplificacin mediante el teorema de
Thvenin. (c)Circuito resultante.
Tomando como referencia los puntos A y B de la figura 4.45b se obtiene un
circuito de dos mallas, dnde la tensin y resistencia efectiva vista desde el terminal de
la base son:
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
118

1 2
1 2
1 2
2
1 2

= =
+

=
+

TH
CC
TH
R R
R R R
R R
V R
V
R R

Es necesario determinar R
1
y R
2
para establecer el punto de polarizacin
requerido, as como lograr la mxima estabilidad posible del mismo. Analizando el
circuito equivalente resultante:



Si en esta expresin hacemos que 100
TH TH
E E
R R
R R
| |
| |
>
|
\ .
, se puede
simplificar a
TH BE
C
E
V V
I
R

=
Consiguindose un circuito estable frente a las variaciones de .
Segn lo comentado anteriormente, si se eligen R
1
y R
2
de tal forma que
1
100
| <
TH E
R R , habremos conseguido lo que se denomina un Circuito Estable,
pero en ciertas aplicaciones interesan valores de R
TH
mayores, por lo que es habitual
considerar
1
10
| <
TH E
R R obtenindose lo que se conoce como Divisor Firme.
A partir de la condicin de estabilidad tambin podemos calcular R
1
y R
2
. Una
vez obtenido el valor de R
TH
,
1 |
| |
|
= + +
= +
+
= ~
`
=
)

=
+
TH E E BE TH B
E B C
E C E C
C B
TH BE
C
TH
E
V R I V R I
I I I
I I I I
I I
V V
I
R
R
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
119

1 2
1 2
1 2

= =
+

TH
R R
R R R
R R

En la mayora de las aplicaciones R
1
>R
2
, por lo tanto:
1 2 2
2
2
1 2
1
1

= =
+
+

TH
R R R
R R
R
R R
R

Para el caso de un circuito estable:
2
1
100
| <
E
R R , y en el caso de un divisor
firme:
2
1
10
| <
E
R R .
13.- EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR.
Atendiendo a las condiciones de estabilidad del punto Q, el circuito sta
completamente especificado. Se conocen los valores de R
E
, R
1
y R
2
que satisfacen esta
condicin, pero tal vez el punto de polarizacin no est colocado de manera ptima y,
de hecho, se puede descubrir que el transistor se encuentra en la zona de corte o de
saturacin.
Si la aplicacin que se persigue es como amplificador de una seal, tenemos que
colocar el punto de trabajo en una posicin que me permita la mxima amplitud y la
mnima distorsin en la seal de salida. En el circuito de la figura 4.46a, a parte de la
tensin de polarizacin V
BB
se ha introducido una seal variable v
b
, que es la seal que
se quiere amplificar. Si sobre la caracterstica de entrada trazamos la recta que
representa al circuito de entrada, considerando v
b
= 0
BB B B BE
V R I V = +
obtenemos la posicin del punto Q (figura.4.46b)

Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
120



a) b)


c) d)
Figura 4.46.- Circuito amplificador, (a) sentido de las corrientes y tensiones, (b) caracterstica de entrada con la
situacin del punto Q, (c)Tensin total aplicada a la entrada, (c)variacin en la corriente de base
segn el valor de v
BB
.
Para cualquier otro valor de la tensin v
b
, el punto de trabajo de mover hacia
arriba y hacia abajo a lo largo de la curva caracterstica, tal y como se indica en la
figura 4.46b (v
BB
=V
BB
+v
b
). Como esa parte de la caracterstica de entrada se puede
considerar lineal, la corriente i
B
= I
B
+i
b
adquirir una forma similar a la seal de
entrada.
Trasladando el punto de trabajo a las caractersticas de salida, y teniendo en
cuenta que i
C
~ i
B
, la seal que se obtiene a la salida, v
CE
, es similar a la de la entrada
pero amplificada (figura. 4.47). Si queremos obtener la mxima excursin (amplitud de
la seal sin distorsin) de v
ce
, el punto Q lo hemos de situar en el centro de la recta de
carga, de esta manera aseguramos la mxima distancia hacia corte y hacia saturacin.
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
121

Figura 4.47.- Desplazamiento del punto Q a lo largo de la recta de carga segn la seal de entrada y tensin v
CE

que se obtiene a la salida
Si el punto de trabajo lo situamos cerca de la zona de corte, para el mismo valor
de pico de la seal de entrada anterior, se corre el riesgo de que la seal de salida salga
recortada (distorsionada) por alcanzar dicha regin (distorsin por corte) (fig.4.48a). Lo
mismo ocurre si situamos el punto Q cerca de la zona de saturacin, siendo, por
consiguiente, la distorsin es por saturacin (fig.4.48b)

a) b)
Figura 4.48.- Distorsin de la seal de salida, (a) por corte, (b) por saturacin
Si, por otra parte, la seal de entrada es pequea, el punto Q se puede situar en
valores ms bajos de I
B
, y por tanto de I
C
, obteniendo as una seal de salida sin
distorsin con una menor disipacin de potencia en condicin esttica.
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
122

14.- EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR.
La polarizacin de base es muy til en los circuitos digitales, la razn es que, por
lo general, estos circuitos se disean para funcionar en las regiones de saturacin y
corte. Por ello, se va a obtener a la salida una tensin prxima a la de alimentacin
(valor alto de tensin) y tambin prxima a cero (valor bajo de tensin). Dicho de otra
manera, no se emplea ningn punto Q que no est situado en la regin de saturacin o
corte, por lo que la estabilidad de dicho punto pasa a un segundo plano. En la figura
4.49a se muestra un esquema de polarizacin de base al cual se le aplica una tensin v
i

que puede tomar valores muy altos, prximos a V
CC
, o bien prximos a cero.
Si en dicho circuito se hace que v
i
= 0, la tensin en la unin emisor-base no ser
suficiente para que haya una corriente de base apreciable, por lo que se puede
considerar que I
B
= 0, y en consecuencia I
C
= 0.


a) b)
Figura 4.49.- Circuito de polarizacin de base. (a) esquema de circuito apto para funcionar como interruptor. (b)
puntos de trabajo de dicho circuito sobre las caractersticas de salida.
En esta situacin, la cada de tensin en la resistencia de colector ser nula, y
toda la tensin de alimentacin, V
CC
, la tenemos en los terminales de colector y emisor,
por tanto, a la salida, V
0
= V
CC
. Esta situacin se corresponde con el punto de trabajo Q
1

mostrado en la fig.4.49b. Por el contrario, si v
i
= V
CC
, la corriente de base ser muy
elevada, al igual que I
C
, llevando el transistor a la zona de saturacin, posicin
representada por Q
2
. En esta zona V
CE
~ 0,2V, valor que se puede considerar cero en
comparacin con las tensiones que estamos manejando y, por tanto, V
0
= 0. En la figura
4.50 se han representado los circuitos equivalentes del transistor trabajando en ambas
situaciones. Si v
i
= 0 el transistor se comporta como un circuito abierto (4.50a) y si
v
i
= V
CC
se puede considerar al transistor como un cortocircuito (4.50b).
Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
123


a) b)
Figura 4.50.- Circuito equivalente del transistor, (a) trabajando en la zona de corte, (b) trabajando en saturacin