Universidad de Panamá

Facultad de Ciencias Naturales Exactas y Tecnología

Escuela de Química

Licenciatura Tecnología Química Industrial

Grupo:

Ronny Peralta 8-908-1901

Nayrene Mejía 3-740-757

Jorge Castillo 8-921-1242

Jaime Serrano 4-794-2489

Profesor Del Curso: Ing. Fermín A. Póvaz

Informe Laboratorio #8

El Transistor BJT

Fecha: 09/07/2019
 Introducción

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí,
que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de
la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BiCMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento

normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy
angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado
de actividad.

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la

región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
Objetivos

- Probar las terminales de un transistor tipo NPN y PNP.

- Realizar las respectivas mediciones de voltajes y corrientes de polarización de un
transistor BJT.
- Comprobar de forma experimental el efecto de la variación de la corriente de base
en la corriente de colector en un transistor.

Materiales y Equipos

 Fuente de Alimentación DC
 Voltímetro Digital
 Transistores BC547 y BC557 o equivalentes
 Resistencias de 1KΩ, 2.2KΩ, 4.7KΩ, y 10 KΩ
 1 potenciómetro de 100KΩ
 Protoboard
 Jumpers

Procedimiento A: Prueba de Transistores.

1. Realizar la prueba de transistor con el transistor NPN. Mida la resistencia

entre las siguientes terminales.
 R-emisor-base (directa)= 7.27 MΩ
 R-emisor-base (inversa)= ∞ Ω
 R-colector-base (directa)= 6.86 MΩ
 R-colector-base (inversa)= ∞ Ω
 R-colector-emisor (directa)= ∞ Ω
 R-colector-emisor (inversa)= ∞ Ω

2. Repita el paso 1, utilizando un transistor PNP.

 R-emisor-base (directa)= 7.59 MΩ
 R-emisor-base (inversa)= ∞ Ω
 R-colector-base (directa)= 7.40 MΩ
 R-colector-base (inversa)= ∞ Ω
 R-colector-emisor (directa)= ∞ Ω
 R-colector-emisor (inversa)= ∞ Ω
 3. Se puede diferencia el terminal de base-emisor, que el de base-colector.

4. Realizar la prueba a cada transistor utilizando la opción de probador de

diodos e identificar el tipo de transistor y la configuración de sus terminales,
tanto para el NPN como para el PNP. Anote los voltajes de las terminales.
PNP = BCE
NPN = ECB

5. Inserte cada transistor en el medidor de factor β (hFE) del multímetro,

registre el resultado e identifique las terminales del transistor y el tipo por
este medio.
PNP = BCE = 3046
ECB = 225
NPN = EBC = 3075
BCE 157

Procedimiento B: Curvas de un Transistor NPN y PNP.

1. Monte el circuito tal como aparece en la figura No. 1. El circuito se alimenta desde
y GND, debe ajustar el voltaje de Vcc a 15Volts. Mida los valores reales de R1 y R2
y anótelos.

R1= 10 KΩ

R2= 1KΩ_

2. Ahora mida en los terminales de R1, y ajuste el potenciómetro hasta alcanzar el

primer valor de la tabla No. 1 es decir =0V, una vez alcanzado este valor mida el
voltaje en R2 en los terminales del resistor, proceda a calcular Ib=VR1/R1 e
Ic=VR2/R2, anótelos en la tabla No. 1, repita este procedimiento hasta completar la
tabla No. 1.

VR1 (V) 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4

VR2 (V) 0 0.72 1.59 2.40 2.89 3.83 4.78 5.38 6.21

Ib (µA)

Ib (mA)
 3. Una vez completada la tabla No. 1, proceda a graficar Ic vs Ib.

4. ¿Qué comportamiento le da la gráfica?

Explique__________________________________.

5. Determine la pendiente de la gráfica.

Pendiente =_________________________________.

6. ¿Qué parámetro importante del transistor representa esta

gráfica.________________________________________________________________
____________________________________

7. Proceda armar el circuito como se indica en la figura No. 2.

8. Repita los pasos del 1 al 6.

1. Monte el circuito tal como aparece en la figura No. 1. El circuito se alimenta desde
y GND, debe ajustar el voltaje de Vcc a 15Volts. Mida los valores reales de R1 y R2
y anótelos.

R1= 10 KΩ

R2= 1KΩ_

2. Ahora mida en los terminales de R1, y ajuste el potenciómetro hasta alcanzar el

primer valor de la tabla No. 1 es decir =0V, una vez alcanzado este valor mida el
voltaje en R2 en los terminales del resistor, proceda a calcular Ib=VR1/R1 e
Ic=VR2/R2, anótelos en la tabla No. 1, repita este procedimiento hasta completar la
tabla No. 1.

VR1 (V) 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4

VR2 (V) 0 0.72 1.59 2.40 2.89 3.83 4.78 5.38 6.21

Ib (µA)

Ib (mA)

3. Una vez completada la tabla No. 1, proceda a graficar Ic vs Ib.

4. ¿Qué comportamiento le da la gráfica?

Explique__________________________________.
 5. Determine la pendiente de la gráfica.

Pendiente =_________________________________.

6. ¿Qué parámetro importante del transistor representa esta

gráfica.________________________________________________________________
____________________________________

Procedimiento C: Polarización de un Transistor BJT.

1. Arme el montaje del circuito como aparece en la figura No. 3.

2. El circuito se alimenta desde +VCC y GND. Previamente debe estar ajustado a un

voltaje de 9Volts. Mida los valores prácticos de los resistores y anótelos como
aparece a continuación:

RB1= 9.96 KΩ

RB2= 2.16 KΩ

RC= 4.64 KΩ

RE= 1 KΩ

3. Proceda a medir con el voltímetro los voltajes que se representan en la tabla No 3

Vb Ve Ie Ic Vc Vce VRB1 VRB2 VRC VRE

Medido 1.06 0.5 8.96 8.98 8.98 1.60 8.98 0.5
Teórico

4. Una vez obtenido los valores medidos debe realizar los cálculos teóricos y
colocarlos en la tabla No. 3.

5. ¿Compare estos valores medidos y teóricos, son parecidos, o son diferentes?

Explique la razón
_____________________________________________________________________.

6. Deje todo ordenado.

7. Concluya.
Cuestionario

1. ¿Qué diferencia hay entre un dispositivo bipolar y uno unipolar? De un

ejemplo de cada uno de ellos.

Los motores de paso a paso unipolares sólo requieren una fuente de alimentación y los
motores paso a paso bipolares tienen dos fuentes de alimentación.

2. ¿Cuáles son las características principales de un transistor bipolar?

La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente dependiente
de corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es
controlada por la corriente en el terminal de base.

3. ¿Qué es β? ¿Se puede aplicar este parámetro para relacionar Ib e Ic en

cualquier circunstancia de funcionamiento de un transistor bipolar?

El parámetro Beta de un transistor bipolar o BJT nos indica la eficiencia del transistor,
relacionando la corriente de colector con la corriente de base, cuanto mayor es el número
de Beta más eficiente es el transistor, es decir que con una corriente de base pequeña es
capaz de entregar una corriente de colector grande (ganancia de corriente del transistor),
en algunos libro se lo suele encontrar como hfe que también se refiere a la ganancia pero
analizada desde los parámetros H de teoría de cuadripolos.

Conclusiones

 Jorge Castillo

 Jaime Serrano

 Nayrene Mejía

 Ronny Peralta
 Mitchel Jiménez