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Guía de Aprendizaje 6
“Introducción a los Transistores Bipolares BJT”
V. 2.1
MISIÓN INSTITUCIONAL
Formar profesionales con Alto Sentido
Crítico y Ético, con capacidad de Autoformación y
con las Competencias Técnico-Científicas requeridas
Curso en Modalidad
para Resolver Problemas mediante Soluciones
enfocadas al Desarrollo Social y Respetuosas del
Semipresencial
Medio Ambiente
VISIÓN INSTITUCIONAL
Constituirse en modelo de calidad, diversidad de
servicios, pertinencia social e innovación, ubicándose a
nivel nacional como líder en educación semi presencial y
respeto al medio ambiente
VALORES INSTITUCIONAL
Excelencia, Perseverancia, Innovación
Respeto, Responsabilidad, Solidaridad1
Sección A
DATOS GENERALES PARA EL APRENDIZAJE
Objetivo
1) Exponer los principios fundamentales y sus configuraciones del
transistor de unión bipolar para el análisis de circuitos transistorizados.
2) Describir un método para la prueba de los transistores Bipolares.
Objetivo de Rendimiento
Posterior a la exposición de los conceptos de esta guía, el estudiante logrará:
- Identificar las diferencias entre un BJT, PNP y uno NPN.
- Familiarizarse con las principales características técnicas que muestran
los fabricantes.
- Probar cuando un BJT está en buen estado.
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Sección B
FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA
El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas; podemos tener una zona de material
tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor PNP, o bien
tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaríamos hablando de un
transistor NPN tal como muestra la siguiente figura:
B1.1. Símbolo.
La siguiente figura muestra los símbolos de los dos tipos de BJT mencionados:
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Tal como se observa en la fig.2, la flecha en el emisor indica el sentido convencional de la corriente a
la hora de polarizar este dispositivo.
A continuación, se muestra una figura con la estructura básica de un BJT y sus uniones:
Concluimos con la fig. 3, que los BJT son dispositivos de tres terminales y dos uniones.
Región de Corte: En donde no hay ningún flujo de corriente entre las uniones del transistor, solo
aquellas que dependen de la difusión térmica.
Región Activa: Esta es una región intermedia de las anteriores, en esta zona es donde debe estar
trabajando el transistor para efectos de amplificación.
Su ubicación dentro de cualquiera región de las anteriores, depende de los niveles de voltaje
entre sus juntas o uniones a lo cual se le denomina en la electrónica como “Polarización del
Transistor”. A la hora de analizar las curvas características y las polarizaciones, se verá más claro
lo de estas regiones.
Bajo condiciones generales, el flujo de las corrientes en los BJT es el que muestra la siguiente
figura:
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Fig. 4: “Voltajes y Flujos de Corriente en los BJT”
d) Hay tres juntas (uniones) de voltaje en estos transistores, VBE, VCE y VCB, estas se presentan
en el BJT en sus diferentes valores de acuerdo a como esté polarizado.
Un análisis más exhaustivo presenta a los flujos de corrientes con sus polarizaciones de
voltaje entre uniones tal como se muestra en la siguiente figura:
Analicemos la acción simultánea de las polarizaciones de la Fig.5 a y b tal como muestra la figura
siguiente:
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La figura 6 muestra la polarización simultánea de los tres cristales y las dos uniones; en este
caso, los huecos inyectados por el emisor (que dan lugar a la corriente IpE) al llegar a la base, y a
través de un proceso de difusión, tienden a ir hacia el colector. En el momento que dichos huecos
alcancen la unión de colector, el campo eléctrico que tenemos debido a la polarización inversa de la
unión de colector atrapará a los huecos transportándolos hacia el colector (corriente IpC) es decir,
este campo eléctrico se encarga de recolectar los huecos inyectados por el emisor; evidentemente no
todos los huecos inyectados por el emisor conseguirán alcanzar el colector, ya que tienen que
atravesar la base (material tipo n) por lo que algunos se recombinarán en la zona de base dando lugar
a la corriente (IpE – IpC). Por otra parte, seguiremos teniendo la corriente InE debida a los electrones
que va de la base al emisor por efecto de la polarización directa de la unión de emisor y en la zona de
colector tendremos la corriente ICO por estar la unión de colector polarizada en inversa.
Por lo tanto, desde el punto de vista de las corrientes en los terminales del transistor, y
teniendo en cuenta que estamos en la zona activa, tendremos:
IE = IpE + InE
IC = IpC + ICO
IB = InE + (IpE – IpC) - ICO
Si tenemos en cuenta que IpE >> InE , podremos decir que IpE ≈ IE.
Por otra parte podemos expresar a IpC = α.IpE, donde α representa la fracción de portadores que
inyectados por el emisor, alcanzan el colector; con lo se puede expresar la corriente de colector de
esta forma:
IC = α.IE + ICO Ec. 2
El parámetro Alfa (α) es conocido como ganancia de corriente en DC el cual tiene un valor aproximado
de 0.98 y muy cercano a 1.
Existen diferentes tipos de encapsulados, la siguiente figura muestra las más utilizadas:
Las hojas de especificaciones técnicas de los transistores bipolares tienen varias secciones
con información específica en cada una de ellas por ejemplo, tienen información del tipo general,
normalmente tienen el Pin-Out (identificación de pines), tienen características de operación Off o
sea cuando están apagados y en corte y algunas variables como voltajes entre sus uniones; tienen
características On, cuando están encendidos o en operación; presentan también características
técnicas para usos en pequeña señal o sea como amplificadores de señales; presentan
características cuando se utilizan como Switch si acaso aplica para un modelo determinado; a
continuación en la fig. 11, se presentan las hojas características del transistor bipolar NPN 2N2222 el
cual se utilizará en una de las prácticas de laboratorio.
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Fig. 11: “Hojas Técnicas para el Transistor Bipolar 2N 2222”
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B4. Prueba de un Transistor BJT.
PASO 1
Identificadas las puntas del tester, recordar que
en un analógico la polaridad está invertida; tal
como muestra la ilustración, se da un pulso
instantáneo al colector y la lectura deber ser
baja resistencia en vista que polarizamos en
directa la unión B-E.
PASO 2
Se invierten la puntas del tester respecto a los
terminales del BJT, siempre se da el pulso
instantáneo al colector como se muestra y el
medidor debe marcar alta resistencia en vista
que se está polarizando en inversa la unión B-E.
PASO 3
Cualquiera sea la polaridad que usemos,
cuando probamos en los terminales Emisor y
Colector, el medidor debe marcar alta
resistencia en vista que en medio de ellas está
la terminal de base la cual no está siendo
excitada.
Con los tres pasos anteriores, se comprueba que el BJT está en buenas condiciones; lo que en
realidad se mide es si las uniones no están cortocircuitadas y si la capacidad valvular entre la base y
el emisor está en buenas condiciones.
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B5. Curvas características de un Transistor BJT.
La figura siguiente muestra a un transistor NPN y PNP con sus polarizaciones respectivas
para Emisor Común:
Fig. 12: “Polarizaciones para PNP y NPN para Configuración de Emisor Común”
Fig. 13: “Familia de Curvas Características de Entrada para Configuración de Emisor Común”
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Fig. 14: “Familia de Curvas Características de Salida para Configuración de Emisor Común”
Esta región corresponde cuando la IB>0 y para tensiones superiores de VCE>0.2V., aquí se
cumple la Ec. 2 anteriormente mencionada:
IC = α.IE + ICBO
IC = α(IC+IB) + ICBO
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IC = αIC+αIB + ICBO
IC - αIC = αIB + ICBO
IC(1-α) = αIB + ICBO
α 1
IC = I + I Ec.4
1−α B 1−α CBO
Si denominamos a:
α
β= Ec.5
1−α
Sustituyendo 5 en 4 tenemos:
IC = β.IB + (β+1)ICBO
IC = β.IB Ec. 6
De la Ec. 6 vemos que IC no depende de la tensión VCE y en teoría depende únicamente de la corriente
de base. β normalmente anda entre 50 y más de 400 y es adimensional.
Tal como se puede notar de la Fig. 12, esta configuración se denomina de Emisor Común
porque tal como se aprecia, el emisor es común a la base como al colector; se ha comenzado por esta
configuración en vista que es la más utilizada en los circuitos transistorizados.
Ahora se obtendrá una relación entre la corriente de emisor y la corriente de base así:
Partiendo de la Ec. 1:
IE = IC + IB
Sustituyendo la Ec. 6 en la 1:
IE = βIB + IB
Llegamos a la siguiente ecuación:
IE = (β+1)IB Ec. 7
Finalmente diremos que con ésta configuración, se obtiene una buena ganancia de corriente
(Ai) y por ende puede tener una buena ganancia de voltaje (Av), también se tiene una moderada alta
impedancia de entrada (Zi) y una moderada baja impedancia de salida (Zo).
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B5.2. Configuración de Base Común.
En esta configuración, la base del transistor es común para la entrada como para la salida; la
siguiente figura muestra las polaridades para esta configuración para los transistores NPN y PNP:
Fig. 15: “Polarizaciones para PNP y NPN para Configuración de Base Común”
Las curvas características para esta configuración se muestran en las siguientes figuras:
(a) (b)
Fig. 16: “Familia de Curvas características de Entrada y Salida para la configuración de Base Común”
Finalmente podemos decir que esta configuración, no tiene ganancia de corriente o al menos
es menor que 1 tal como lo muestra el literal “m” anterior; puede tener una moderada ganancia de
voltaje Av en dependencia de las polarizaciones de salida del circuito; tiene una muy baja impedancia
de entrada Zi y una moderada alta impedancia de salida Zo.
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Fig. 17: “Estructura básica de la configuración de Colector Común”
Sección C
CUESTIONARIO A RESOLVER Y ENTREGAR
En esta sección se presenta un cuestionario que debes contestar y entregar según las
indicaciones que se te den; este cuestionario tiene como objetivo inducir al estudiante a la
comprensión y en algunas preguntas, fomentar el aspecto investigativo sobre el tema.
1) Investigar a cerca del encapsulado TO 247 y agregar al menos una imagen identificando los
terminales del transistor.
2) Explicar porque la unión Colector-Base suele polarizarse en inversa en los transistores
bipolares de unión.
3) Explicar que es ICO.
4) Explicar que son los parámetros α y β.
5) Utilizar las curvas de la figura 14 de esta guía y graficar e identificar la corriente de colector
para una corriente de base de 30 µA y para VCE 5 y 12.5 voltios.
6) Para la pregunta anterior, ¿Es proporcional la variación de VCE con la IC?
7) Investigar y explicar cómo se prueba un BJT con un tester digital.
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8) En la sección 3.10 del libro de Boylestad, cuarta edición, sobre la prueba de un transistor, aquí
se habla a cerca de un trazador de curvas; investigar para que sirve, que se obtienen con estos
y como se utiliza. (En nuestros laboratorios hay trazadores, puedes pedir asesoría)
9) Hacer un resumen de la Hoja de características técnicas del transistor 2N4123 en el libro de
Boylestad en la sección 3.9 de la cuarta edición.
10) Hacer un resumen de una página del tema 3.8 “Límites de Operación” del libro de Boylestad
cuarta edición.
11) Hacer un resumen de un par de páginas del Video 1 de la Secuencia Didáctica 5.
12) Hacer un resumen de un cuatro páginas del Video 2 de la Secuencia Didáctica 5.
Sección D
FUENTES DE CONSULTA
1) Boylestad, Robert L.; Nashelsky, Louis; “Electrónica: Teoría de Circuitos”; Sexta Edición;
Editorial Prentice-Hall; México, 1997.
2) Algunas fuentes de Internet especificadas en cada figura utilizada en esta Guía de Aprendizaje.
3) Apuntes e Interpretaciones del Tutor de la asignatura.
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