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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE EL SALVADOR

Escuela de Ingeniería Eléctrica


MEBLEC: Modalidad de Enseñanza B-Learning Constructivista

Guía de Aprendizaje 6
“Introducción a los Transistores Bipolares BJT”
V. 2.1

MISIÓN INSTITUCIONAL
Formar profesionales con Alto Sentido
Crítico y Ético, con capacidad de Autoformación y
con las Competencias Técnico-Científicas requeridas

Curso en Modalidad
para Resolver Problemas mediante Soluciones
enfocadas al Desarrollo Social y Respetuosas del

Semipresencial
Medio Ambiente

VISIÓN INSTITUCIONAL
Constituirse en modelo de calidad, diversidad de
servicios, pertinencia social e innovación, ubicándose a
nivel nacional como líder en educación semi presencial y
respeto al medio ambiente

VALORES INSTITUCIONAL
Excelencia, Perseverancia, Innovación
Respeto, Responsabilidad, Solidaridad1
Sección A
DATOS GENERALES PARA EL APRENDIZAJE

Carrera: Ingeniería Eléctrica


Asignatura: ELECTRÓNICA I.
Área de Formación en la Carrera: Electrónica y Control.
Unidad Didáctica III: El Transitores BJT y sus Configuraciones.
Tema: Introducción a los Transistores Bipolares BJT.

Objetivo
1) Exponer los principios fundamentales y sus configuraciones del
transistor de unión bipolar para el análisis de circuitos transistorizados.
2) Describir un método para la prueba de los transistores Bipolares.

En Abono a las Siguientes Competencias

1) INTERPRETAR documentación técnica y diagramas


electrónicos relacionados con Transistores Bipolares.

Objetivo de Rendimiento
Posterior a la exposición de los conceptos de esta guía, el estudiante logrará:
- Identificar las diferencias entre un BJT, PNP y uno NPN.
- Familiarizarse con las principales características técnicas que muestran
los fabricantes.
- Probar cuando un BJT está en buen estado.

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Sección B
FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA

B1. Aspectos Introductorios del Transistor Bipolar de Unión, BJT.

Este transistor es el clásico de la electrónica en materia de amplificación, fue desarrollado


por la Bell Telephone a finales de los años cuarenta y sus predecesores eran tubos al vacío; el nombre
de Bipolar es porque está basado en la teoría de portadores mayoritarios y minoritarios al igual que
pasa en el diodo semiconductor; también se le denomina de Unión en vista que es un dispositivo que
une cristales p y n tal como lo expresa el siguiente párrafo; la palabra Transistor es la unión de
“Transferencia + Resistor”. El BJT es un dispositivo de tres terminales y una de las ventajas
respecto a los tubos al vacío es su menor tamaño; sus tres terminales son Emisor (E), Base (B) y
Colector (C).

El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas; podemos tener una zona de material
tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor PNP, o bien
tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaríamos hablando de un
transistor NPN tal como muestra la siguiente figura:

Fig. 1: “Estructura Básica del BJT”

B1.1. Símbolo.

La siguiente figura muestra los símbolos de los dos tipos de BJT mencionados:

Fig. 2: “Símbolo del BJT”

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Tal como se observa en la fig.2, la flecha en el emisor indica el sentido convencional de la corriente a
la hora de polarizar este dispositivo.

A continuación, se muestra una figura con la estructura básica de un BJT y sus uniones:

Fig. 3: “Uniones en el BJT”

Concluimos con la fig. 3, que los BJT son dispositivos de tres terminales y dos uniones.

B1.2. Regiones de Operación en los BJT.

Los BJT, pueden operar en tres Regiones:

Región de Corte: En donde no hay ningún flujo de corriente entre las uniones del transistor, solo
aquellas que dependen de la difusión térmica.

Región de Saturación: En donde al transistor se le hace trabajar en su máxima transferencia de


corriente desde la entrada a la salida y es aquí en donde es utilizado como Interruptor electrónico.

Región Activa: Esta es una región intermedia de las anteriores, en esta zona es donde debe estar
trabajando el transistor para efectos de amplificación.

Su ubicación dentro de cualquiera región de las anteriores, depende de los niveles de voltaje
entre sus juntas o uniones a lo cual se le denomina en la electrónica como “Polarización del
Transistor”. A la hora de analizar las curvas características y las polarizaciones, se verá más claro
lo de estas regiones.

B1.3. Voltajes y Flujo de Corriente en los BJT.

Bajo condiciones generales, el flujo de las corrientes en los BJT es el que muestra la siguiente
figura:

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Fig. 4: “Voltajes y Flujos de Corriente en los BJT”

Estos flujos son en la dirección convencional y podemos deducir y concluir lo siguiente de la


anterior figura:
a) La fecha en el Emisor indica la dirección de la corriente.
b) Se podría decir que la mayor de las corrientes sale o entra del terminal Emisor y la menor del
terminal de base.
c) En estos transistores están presentes estas tres corrientes, IE ,IB y IC. Para los transistores
se cumple la siguiente ecuación.
IE = IB + IC Ec.1
Donde:
IE = es la corriente de emisor.
IB = es la corriente de base.
IC = es la corriente de colector

d) Hay tres juntas (uniones) de voltaje en estos transistores, VBE, VCE y VCB, estas se presentan
en el BJT en sus diferentes valores de acuerdo a como esté polarizado.

Un análisis más exhaustivo presenta a los flujos de corrientes con sus polarizaciones de
voltaje entre uniones tal como se muestra en la siguiente figura:

Fig. 5: “Polarizaciones y Corrientes en los BJT”


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De la figura 5 se observa lo siguiente para un BJT pnp:

a) La unión BE se polariza en directa tal como muestra la Fig.5a.


b) La unión CB se polariza en inversa tal como se ve en la Fig.5b.
c) Las dos polarizaciones anteriores de “a y b” polarizan al BJT en su zona activa la cual es la
zona más frecuente de trabajo en el caso de estos transistores.
d) En el caso de un transistor NPN, para polarizar la unión de emisor en directa habrá que aplicar
una tensión positiva del lado del emisor, negativa del lado de la base, o lo que es lo mismo una
tensión VBE positiva. De igual manera, para polarizar la unión de colector en inversa hay que
aplicar una tensión VCB negativa.
e) Suponiendo que la unión de emisor está polarizada en directa y que la unión de colector está
sin polarizar (figura 5a), en este caso estamos ante una unión pn (la formada por el emisor y
la base). En este caso, aparece un campo eléctrico que tiende a arrastrar a los huecos del
emisor hacia la base y a los electrones de la base hacia el emisor, lo que origina una corriente
neta en el sentido de la zona p hacia la zona n, es decir, de emisor hacia la base.
f) Dado que el emisor es mucho más ancho que la base y además su nivel de dopado es muy
superior, la cantidad de huecos en el emisor será muy superior a la de los electrones en la
base, con lo que el término de corriente predominante será debido a los huecos. Es decir, la
corriente tendrá dos términos, uno debido a los electrones y otro a los huecos, siendo
predominante el segundo sobre el primero.
g) Ahora, analizando la unión de colector suponiendo que está polarizada en inversa y que la
unión de emisor está en circuito abierto (figura 5b), al igual que en el caso anterior, en este
caso aparece un campo eléctrico de la zona n hacia la zona p (de la base hacia el colector)
que aleja a los portadores mayoritarios en las respectivas zonas de la unión. Sin embargo, se
establece una corriente debida a los portadores minoritarios de cada una de las zonas, los
huecos de la base (por ser zona n) y los electrones del colector (zona p); de esta forma se
establece una corriente en el sentido de la base hacia el colector denominada ICO y que
corresponde a la corriente inversa de saturación de la unión de colector.

Analicemos la acción simultánea de las polarizaciones de la Fig.5 a y b tal como muestra la figura
siguiente:

Fig. 6: “Polarización Conjunta en los BJT”

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La figura 6 muestra la polarización simultánea de los tres cristales y las dos uniones; en este
caso, los huecos inyectados por el emisor (que dan lugar a la corriente IpE) al llegar a la base, y a
través de un proceso de difusión, tienden a ir hacia el colector. En el momento que dichos huecos
alcancen la unión de colector, el campo eléctrico que tenemos debido a la polarización inversa de la
unión de colector atrapará a los huecos transportándolos hacia el colector (corriente IpC) es decir,
este campo eléctrico se encarga de recolectar los huecos inyectados por el emisor; evidentemente no
todos los huecos inyectados por el emisor conseguirán alcanzar el colector, ya que tienen que
atravesar la base (material tipo n) por lo que algunos se recombinarán en la zona de base dando lugar
a la corriente (IpE – IpC). Por otra parte, seguiremos teniendo la corriente InE debida a los electrones
que va de la base al emisor por efecto de la polarización directa de la unión de emisor y en la zona de
colector tendremos la corriente ICO por estar la unión de colector polarizada en inversa.

Por lo tanto, desde el punto de vista de las corrientes en los terminales del transistor, y
teniendo en cuenta que estamos en la zona activa, tendremos:

IE = IpE + InE
IC = IpC + ICO
IB = InE + (IpE – IpC) - ICO
Si tenemos en cuenta que IpE >> InE , podremos decir que IpE ≈ IE.

Por otra parte podemos expresar a IpC = α.IpE, donde α representa la fracción de portadores que
inyectados por el emisor, alcanzan el colector; con lo se puede expresar la corriente de colector de
esta forma:
IC = α.IE + ICO Ec. 2

Despejando α nos queda:


IC −ICO
α= Ec. 3
IE

El parámetro Alfa (α) es conocido como ganancia de corriente en DC el cual tiene un valor aproximado
de 0.98 y muy cercano a 1.

B2. Diferentes Encapsulados para los BJT.

Existen diferentes tipos de encapsulados, la siguiente figura muestra las más utilizadas:

Fig. 7: “Encapsulado TO3 y TO220 de los más Utilizados”


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Fig. 8: “Encapsulado TO-92 para control de transistores de Potencia”

Fig. 9: “Encapsulado TO-18 para control de transistores de Potencia”

Fig. 10: “Encapsulado SOT-23”

B3. Hojas Técnicas en los BJT.

Las hojas de especificaciones técnicas de los transistores bipolares tienen varias secciones
con información específica en cada una de ellas por ejemplo, tienen información del tipo general,
normalmente tienen el Pin-Out (identificación de pines), tienen características de operación Off o
sea cuando están apagados y en corte y algunas variables como voltajes entre sus uniones; tienen
características On, cuando están encendidos o en operación; presentan también características
técnicas para usos en pequeña señal o sea como amplificadores de señales; presentan
características cuando se utilizan como Switch si acaso aplica para un modelo determinado; a
continuación en la fig. 11, se presentan las hojas características del transistor bipolar NPN 2N2222 el
cual se utilizará en una de las prácticas de laboratorio.

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Fig. 11: “Hojas Técnicas para el Transistor Bipolar 2N 2222”

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B4. Prueba de un Transistor BJT.

A los transistores bipolares se le hacen diferentes combinaciones de pruebas por lo menos


tres para determinar si no tienen fuga entre sus uniones, las siguientes ilustraciones muestran una
manera de cómo probar un BJT con multitester analógico:

PASO 1
Identificadas las puntas del tester, recordar que
en un analógico la polaridad está invertida; tal
como muestra la ilustración, se da un pulso
instantáneo al colector y la lectura deber ser
baja resistencia en vista que polarizamos en
directa la unión B-E.

PASO 2
Se invierten la puntas del tester respecto a los
terminales del BJT, siempre se da el pulso
instantáneo al colector como se muestra y el
medidor debe marcar alta resistencia en vista
que se está polarizando en inversa la unión B-E.

PASO 3
Cualquiera sea la polaridad que usemos,
cuando probamos en los terminales Emisor y
Colector, el medidor debe marcar alta
resistencia en vista que en medio de ellas está
la terminal de base la cual no está siendo
excitada.

Con los tres pasos anteriores, se comprueba que el BJT está en buenas condiciones; lo que en
realidad se mide es si las uniones no están cortocircuitadas y si la capacidad valvular entre la base y
el emisor está en buenas condiciones.

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B5. Curvas características de un Transistor BJT.

Para hablar de las curvas características de un transistor debemos ubicarnos de que


configuración de las tres posibles estamos hablando; para los BJT, existen tres configuraciones:

- Configuración de Emisor Común.


- Configuración de Base Común.
- Configuración de Colector Común o Seguidor de Emisor.

En cualquiera de las tres configuraciones hay curvas características de entrada y curvas


características de salida, a continuación, se mostrarán las principales configuraciones y sus curvas:

B5.1. Configuración de Emisor Común.

La figura siguiente muestra a un transistor NPN y PNP con sus polarizaciones respectivas
para Emisor Común:

Fig. 12: “Polarizaciones para PNP y NPN para Configuración de Emisor Común”

Fig. 13: “Familia de Curvas Características de Entrada para Configuración de Emisor Común”

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Fig. 14: “Familia de Curvas Características de Salida para Configuración de Emisor Común”

De las figuras 13 y 14 podemos decir lo siguiente:

a) Esta configuración muestra curvas características de entrada (Fig.13) y curvas características


de salida (Fig.14).
b) Notar que ambas familias de curvas relacionan tres variables.
c) Las curvas de entrada (fig.13) relacionan, dos variables de entrada IB(en µA) y VBE(en Voltios)
con una variable de salida VCE (en voltios)
d) Las curvas de salida (fig.14) relacionan, dos variables de salida IC(en mA) y VCE(en voltios) con
una variable de entrada IB(en µA).
e) Notar en la fig.14, las tres regiones comentadas anteriormente en esta guía, Región de
saturación, Región activa y Región de corte. En esta misma figura se puede notar que las
curvas de IB no son tan horizontales lo que lleva a concluir que el VCE tendrá alguna influencia
sobre la magnitud de IC.
f) En la región activa de esta configuración, la unión base-emisor se encuentra polarizada en
directa mientras que la unión colector-base se encuentra polarizada en inversa.

Para la Región Activa:

Esta región corresponde cuando la IB>0 y para tensiones superiores de VCE>0.2V., aquí se
cumple la Ec. 2 anteriormente mencionada:

IC = α.IE + ICBO

Sustituyendo la Ec.1 de esta guía en esta anterior nos queda:

IC = α(IC+IB) + ICBO
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IC = αIC+αIB + ICBO
IC - αIC = αIB + ICBO
IC(1-α) = αIB + ICBO

Trasladando términos se llega a la siguiente ecuación:

α 1
IC = I + I Ec.4
1−α B 1−α CBO

Si denominamos a:
α
β= Ec.5
1−α

Sustituyendo 5 en 4 tenemos:

IC = β.IB + (β+1)ICBO

Si despreciamos el valor de ICBO:

IC = β.IB Ec. 6

De la Ec. 6 vemos que IC no depende de la tensión VCE y en teoría depende únicamente de la corriente
de base. β normalmente anda entre 50 y más de 400 y es adimensional.

Tal como se puede notar de la Fig. 12, esta configuración se denomina de Emisor Común
porque tal como se aprecia, el emisor es común a la base como al colector; se ha comenzado por esta
configuración en vista que es la más utilizada en los circuitos transistorizados.

Ahora se obtendrá una relación entre la corriente de emisor y la corriente de base así:

Partiendo de la Ec. 1:

IE = IC + IB
Sustituyendo la Ec. 6 en la 1:

IE = βIB + IB
Llegamos a la siguiente ecuación:

IE = (β+1)IB Ec. 7

Finalmente diremos que con ésta configuración, se obtiene una buena ganancia de corriente
(Ai) y por ende puede tener una buena ganancia de voltaje (Av), también se tiene una moderada alta
impedancia de entrada (Zi) y una moderada baja impedancia de salida (Zo).

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B5.2. Configuración de Base Común.

En esta configuración, la base del transistor es común para la entrada como para la salida; la
siguiente figura muestra las polaridades para esta configuración para los transistores NPN y PNP:

Fig. 15: “Polarizaciones para PNP y NPN para Configuración de Base Común”

Las curvas características para esta configuración se muestran en las siguientes figuras:

(a) (b)
Fig. 16: “Familia de Curvas características de Entrada y Salida para la configuración de Base Común”

De la figura 16 podemos decir lo siguiente:

a) Se muestra curvas de entrada (Fig.16a) y curvas de salida (Fig.16b).


b) Notar que ambas curvas, también relacionan tres variables.
c) Las curvas de entrada relacionan, dos variables de entrada IE(en mA) y VBE(en Voltios) con
una variable de salida VCB (en voltios)
d) Las curvas de salida relacionan, dos variables de salida IC(en mA) y VCB(en voltios) con una
variable de entrada IE(en mA).
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e) Notar en la fig.16b, las tres regiones comentadas anteriormente en esta guía, Región de
saturación, Región activa y Región de corte. En esta misma figura se puede notar que, a
diferencia de las curvas de salida para Emisor Común, para Base común estas curvas son
más horizontales.
f) Al igual que para Emisor Común, en la región activa de Base Común, la unión base-emisor se
encuentra polarizada en directa mientras que la unión colector-base se encuentra polarizada
en inversa.
g) Las polarizaciones para región activa, están identificadas en la figura 15 para ambos tipos de
transistores.
h) Cuando IE es cero decimos que la entrada está abierta y solo circula una pequeña corriente de
colector denominada ICO sin embargo en las hojas características es mejor identificada como
ICBO, esta es sensible a la temperatura como el caso de “IS” para los diodos.
i) Notar también en la Fig. 16b que al ir aumentado la IE aumenta en la misma proporción la
corriente de colector IC, esto explica lo horizontal de estas curvas. Una buena aproximación
para esta configuración nos dice que IC ≈ IE.
j) La región de corte se define cuando la IC es igual a cero mA.
k) La región de saturación se define cuando VCB es igual a cero, notar en la fig. 16b como cuando
esta unión es cero voltios, la corriente aumenta de manera exponencial.
l) Tal como sucedía en los diodos, cuando el transistor se encuentra en estado encendido el
voltaje VBE = 0.7v.
m) Para esta configuración se cumple también la relación IC = αIE en donde α anda alrededor de
0.90 a 0.998.

Finalmente podemos decir que esta configuración, no tiene ganancia de corriente o al menos
es menor que 1 tal como lo muestra el literal “m” anterior; puede tener una moderada ganancia de
voltaje Av en dependencia de las polarizaciones de salida del circuito; tiene una muy baja impedancia
de entrada Zi y una moderada alta impedancia de salida Zo.

B5.3. Configuración de Colector Común o Seguidor de Emisor.

Esta configuración de Colector Común, normalmente se utiliza para propósitos de


acoplamiento de impedancias, debido a que tiene una alta impedancia de entrada Zi y una baja
impedancia de salida Zo, contrariamente a las otras dos configuraciones; no posee ni ganancia de
corriente ni de voltaje. La figura siguiente muestra la configuración básica:

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Fig. 17: “Estructura básica de la configuración de Colector Común”

En la práctica, las curvas características de la configuración de Emisor Común se aplican a


esta configuración de Colector común debido a la aproximación de que IC = αIE y tomando en cuenta
que α es aproximadamente 1, bien podemos utilizar las curvas características de entrada y de salida
haciendo esta aproximación; la principal diferencia se verá cuando se utiliza con excitación para
pequeña señal.

Sección C
CUESTIONARIO A RESOLVER Y ENTREGAR

En esta sección se presenta un cuestionario que debes contestar y entregar según las
indicaciones que se te den; este cuestionario tiene como objetivo inducir al estudiante a la
comprensión y en algunas preguntas, fomentar el aspecto investigativo sobre el tema.

1) Investigar a cerca del encapsulado TO 247 y agregar al menos una imagen identificando los
terminales del transistor.
2) Explicar porque la unión Colector-Base suele polarizarse en inversa en los transistores
bipolares de unión.
3) Explicar que es ICO.
4) Explicar que son los parámetros α y β.
5) Utilizar las curvas de la figura 14 de esta guía y graficar e identificar la corriente de colector
para una corriente de base de 30 µA y para VCE 5 y 12.5 voltios.
6) Para la pregunta anterior, ¿Es proporcional la variación de VCE con la IC?
7) Investigar y explicar cómo se prueba un BJT con un tester digital.

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8) En la sección 3.10 del libro de Boylestad, cuarta edición, sobre la prueba de un transistor, aquí
se habla a cerca de un trazador de curvas; investigar para que sirve, que se obtienen con estos
y como se utiliza. (En nuestros laboratorios hay trazadores, puedes pedir asesoría)
9) Hacer un resumen de la Hoja de características técnicas del transistor 2N4123 en el libro de
Boylestad en la sección 3.9 de la cuarta edición.
10) Hacer un resumen de una página del tema 3.8 “Límites de Operación” del libro de Boylestad
cuarta edición.
11) Hacer un resumen de un par de páginas del Video 1 de la Secuencia Didáctica 5.
12) Hacer un resumen de un cuatro páginas del Video 2 de la Secuencia Didáctica 5.

Sección D
FUENTES DE CONSULTA

1) Boylestad, Robert L.; Nashelsky, Louis; “Electrónica: Teoría de Circuitos”; Sexta Edición;
Editorial Prentice-Hall; México, 1997.
2) Algunas fuentes de Internet especificadas en cada figura utilizada en esta Guía de Aprendizaje.
3) Apuntes e Interpretaciones del Tutor de la asignatura.

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