LECCION 1

Las caractersticas del transistor de efecto de campo

1. OBJETIVOS
Al completar esta leccin, usted habr aprendido a:

2.

Trazar la curva caractersticas de drenaje a partir de valores

conocidos.
Trazar la curva caractersticas de transferencia a partir de valores
medidos.
Determinar la resistencia del canal (RDS) a partir de valores medidos.
Conectar el FET en un crculo atenuador.

EQUIPOS NECESARIOS
1 Computador base PU-2000.
1 tablero maestro.
1 tarjeta de circuito impreso ES-112.
1 generador de funciones.
1 osciloscopio de dos canales.

3. CORRELACION CON TEORIA

El FET tiene dos modos principales de funcionamiento:
1
2

Con tensin reducida VDS reducida, VDS/IDS constante V llamado

RDS.
En tensin VDS elevada, mayor que VP(tambin conocida como
VDS(off), e ID casi invariable con el aumento de VDS.

En el primer modo el FET se usa como atenuador o como resistor variable.

El segundo modo el FET se utiliza como amplificador o como fuente de
corriente.
Esta leccin se usa un FET de canal N.

NOTA: existen dispersin de parmetros entre FETS de un mismo tiempo, por

ejemplo VP puede valer -0, 5V en una unidad y -6v en otra.

4. PROCEDIMIENTO
1.- Enchufe la Tarjeta EB-112 introducindola por las guas del PU-2000
hasta el conector.
2.- enciende el tablero maestro.
3.- ejecute los pasos de la fig.1 de la informacin general para inicializar
el PU-2000.
4.- Busque el circuito de la fig. 1. En la tarjeta.

Fig.1 El circuito del FET

5.- conecte los puentes como se indica en la fig 1. Las flechas indican
los puentes de conexin de los puentes.

LAS CURVAS CARACTERISTICAS DE DRENAJE.

6.- teclee * para llevar el ndice a 2.
7.- Haga VGS = 0 ajustando la fuente de poder PS-2 a 0. Varie VDS
ajustando la fuente de poder PS-1 para obtener los valores de tensin,
indicados en la fig 2. Mida y anote los valores de tensin y de corriente
de drenaje ID para cada caso.
0
VDS(V)

0.1

0.25

0.5
1.0
Id(mA)

2.0

10

Vgs(V)
0
-0.5
-1.0
-1.5
-3

0.02
0.01
0.01
.00
0

0.32
0.73
1.37
2.38
3.40
0.24
0.56
1.03
1.71
2.23
0.17
0.38
0.68
1.02
1.18
0.09
0.20
0.31
0.38
0.41
0
0
0
0
0
Fig 2: Las caractersticas de drenaje.

3.81
2.41
1.25
0.43
0

3.87
2.46
1.29
0.45
0

8.- repita el paso 7 para los dems valores de VGS especificaciones en la

fig 2 .
9.- en la fig. 3 trace las curvas caractersticas de drenaje, graficando los
valores de la fig 2

Fig 3: las caractersticas de drenaje

10.- el siguiente paso del experimento consiste en analizar la
caracterstica de transferencia. Usando los resultados de la fig2 anote la
variacin de la corriente de drenaje ID correspondiente a la variacin de
tensin de compuesta VGS, para los tres valores de tensin de drenaje
indicamos en la fig 4
Vgs(
V)
Vds(V)
0.1
1
10

-0.5

-1.0
Id(mA)

-1.5

0.32
0.24
0.17
0.09
2.38
1.71
1.02
0.38
3.87
2.46
1.29
0.45
Fig. 4: caractersticas de transferencia.

-3

0
0
0

11.- En la fig. 5 grafique los valores de la fig. 4 obteniendo las

caractersticas de transferencia.

fig.5: Curva caractersticas de transferencia.

LA RESISTENCIA DEL CANAL (RDS)

12.- conecte el circuito de prueba de la fig.6 para determinar la
resistencia de canal (RDS). Para ello conecte el borne ven 1 (vin1) al
borne de la fuente de alimentacin PS-1 con un cable de conexin.

Fig. 6: Medicin de la resistencia de conduccin.

13.- Presione * para llevar el ndice a 3.
14.- Ajuste la fuente de poder PS-1 a 1V.
15.- Mida la tensin de drenaje VDS y antela en la fig. 7
Vds(mV)
VPS-1(V)
Rds(on) ohmios
0.0
1
0.212
0.06
2
0.309
Fig.7: Medicin de la resistencia del canal.
16.- Calcule la resistencia de conduccin RDS (on) con la siguiente
expresin:
RDS(on)=

R 3 x VDS
(Ven VDS )

Donde R3=10k

Teclee el FET como atenuador, como se muestra en la fig 8

Fig 8: el fet como atenuador

Ajuste la frecuencia del generador de seales a 1khz y su amplitud a 200mVp-p

con un offset de 100mV, como se indica en la fig 9

Fig 9: la seal de entrada

Mida la tensin de drenaje VDS y antela en la fig 10. Al mismo tiempo mida y
anote el valor de la tensin de entrada.

Vgs V
0
-1
-2
-3
-4
-5

Vds(mV)
0
0
02.5
07.6
07.6
07.7
Fig 10: mediciones en el atenuador

Ven (mV)
00.7
00.7
02.4
07.70
07.7
07.6

Calcule con esta expresin y comprela con el resultado que

obtuvo anteriormente

Fig 11: medicin de la transconductansia

PRACTICA 2
EL AMPLIFICADOR A FET
1.- objetivos
Al completar esta leccin, usted habr aprendido.

Medir los valores de CD del circuito amplificador a fet

Determinar la respuesta en frecuencia a partir de tensin a causa
de variaciones del resistor de carga.

Las caractersticas del amplificador de fuente comn:

Fig 1 amplificador a FET de fuente comn circuito de polarizacin.

Ajuste la fuente de poder PS-1 para obtener VDD=12V

Ajuste la tensin de polarizacin a VD= x VDD con RV1
Mida las tensiones directas de fet y antelas en la fig 2
VS (V)
VD(V)
VGL(V)
1.3
6
0
Fig 2: Polarizacion del amplificador de fuente comn

Fig3:amplificador fet de fuente comn- parmetros de c.a

Calcule la ganancia de tensin AV=Vsal/Ven y anote los

resultados en la fig 4.
F (kHz)
Ven (V)
Vsal(V)
AV
0,1
0.10
2.30
23
1KHz
0.14
2.32
26.57
10KHz
0.26
3.02
11.61
50KHz
0.30
3.20
10.66
100KHz
0.31
3.40
10.92
Fig 4: respuestas en frecuencia del amplificador de fuente
comn en funcin de la tensin de compuerta a fuente.

Vari RL a R2 y repita las mediciones y clculos. Antelos en la

fig 5. La tensin de entrada debe ser igual a la del paso 9.
RL(k

Ven(V)

Vsal(V)

AV

RL=10 k
R2=2.2 k
Fig 5: influencia de la carga en la ganancia de tensin del
amplificador de fuente comn.

LECCION 3
EL VMOS FET
Procedimiento

Enchufe la tarjeta EB-112 introducindola por las guias del PU-2000

hasta el conector
Encienda el tablero maestro.

NOTA: ponga el PU-2000 en el mismo modo de funcionamiento y con el mismo

ndice de experimentos que tenia al final de la leccin anterior.

Teclee *para poner el ndice en 11.

Busque el circuito de la fugura 1 en la tarjeta EB-112.

Fig 1: circuito de VMOS

Ajuste VGS=0 con la fuente de poder PS-2 y mida la corriente de drenaje

ID para los distintos valores de VDS mostrados en la fig. 2

Vd(V)
Vgs(V)
0
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-4
-5

0.05

0.1

0.25

0.5

1
Id(mA)

0
0
.10
0.1
8
0.1
8
0.1
8
0.1
9
0.1
9

0
0
0.26
0.38

0
0
0.44
0.74

0
0
1.01
1.77

0
0.01
1.56
3.27

0
0.13
1.96
5.99

0.44

0.84

2.15

4.34

8.57

0.47

0.95

2.21

4.46

9.2

0.53

0.95

2.29

4.48

9.01

0.49

0.94

2.27

4.90

9.9

7.5

10

0
0.15
4.65
10.9
5
17.4
9
19

0
0.17
4.87
23.6

0
0.17
4.91
30.9

0
0.18
5.01
36.6

46.7

67

72.8

46.7

69.6

93.3

18.1
2
19.2

48

71.2

94.9

47.5

71.5

95.4

Fig.2: caractersticas del VMOS.

Dibuje las curvas caractersticas de la fig.3 para los diferentes valores de

VDS y VGS que configuran en la fig. 2. El resultado ser una serie de 8
curvas diferentes.

Fig.3: caractersticas de salida del VMOS

Pregunta:a qu otro dispositivo se parece el Vmos? Cul es la principal

diferencia entre ambos?

LA RESPUESTA A LA ONDA CUADRADA.

Arme el circuito mostrado en la fig.4.

Teclee*para poner el ndice en 12.
Ajuste el generador de seales en onda cuadrada de 0 a 5 V (o salida
TTL), con 10kHz. Ajuste la fuente de poder PS-1 a 5V.
Mida con el osciloscopio las ondas de entrada y de salida. Dibjelas en la
fig.5 indicando los valores de tensin.

Fig.4: el VMOS como llave electrnica.

Fig.5: las caractersticas de conmutacin.

Repita las mediciones con los siguientes valores de frecuencia: 1Hz,

10Hz, 1KHz, 100KHz y 1MHz.

PREGUNTA: Cmo es la respuesta en frecuencia? Hay distorsin? Compare la

linealidad con un circuito con un circuito similar pero construido con un
transistor bipolar.

LA LLAVE ANALOGICA

Conecte el VMOS FET como la llave analgica, como se indica en la fig.6.

Teclee * para poner el ndice en 13.

Fig.6.: llave analgica.

Al conectar R6 a +5V o a masa se hace conmutar al VMOS FE#T a

conduccin o a corte, respectivamente. Nunca ponga ambos puentes a
la vez.
Muestre el generador de seales a onda senoidal, con Ven en t-0.2<y<4
Volts, 1 KHz de frecuencia.
Conmute el VMOS FET a conduccin y a corte, y dibuje las ondas de
entrada y de salida en la fig.7.

Fig.7: forma de onda en la llave analgica.

Conmute el VMOS al corte y determine si actua como llave ideal a

frecuencias 10 Hz, 100Hz, 10KHz y 100KHz.
Cambie la forma de onda a onda cuadrada. Cmo es la respuesta del
VMOS?
Ponga el generador de seales en onda sinusoidal de -3V<Vin<+3V y
observe la onda de salida con el osciloscopio, conmutando el VMOS de
conduccin a corte.

PREGUNTAS: el VMOS FET es una llave analgica bidireccional?

Qu ocurrira si usted usara V2(variable) en lugar de +5V?