UNIVERSIDAD MILITAR NUEVA GRANADA

Codificación:
INGMCT-G-141

Número de
Guías de Prácticas de Laboratorio Revisión No.:
Páginas:

Fecha Emisión:

Laboratorio de: Electrónica y Laboratorio

Título de la Práctica de Laboratorio: CONFIGURACIONES BÁSICAS DE

AMPLIFICADORES, AMPLIFICADORES MULTI-ETAPA Y PUENTE H.

Elaborado por: Revisado por: Aprobado por:

DOCENTE(S) JEFE DE AREA DIRECTOR DEL
SERGIO CHAPARRO Y DARIO AMAYA HURTADO PROGRAMA
ANDRÉS CASTRO

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GUÍA PARA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA

LABORATORIO 1

EL DIODO Y SUS APLICACIONES.

1. FACULTAD O UNIDAD ACADÉMICA: INGENIERÍA

2. PROGRAMA: MECATRÓNICA

3. ASIGNATURA: ELECTRÓNICA

4. SEMESTRE: CUARTO

5. OBJETIVOS:

Diseñar, simular y montar circuitos usando las tres topologías básicas de

amplificadores usando transistores MOSFET, con la finalidad de verificar su
funcionamiento y comparar los resultados experimentales con los teóricos. En este
caso particular se utiliza el transistor NMOS 2N7000.

6. COMPETENCIAS A DESARROLLAR:

Competencia genérica:

Investigar: 1) Las acciones practicas dan lugar a reflexiones teóricas. 2) La

descripción de situaciones, soluciones o fenómenos discrimina sesgos que el
propio punto de vista puede estar introduciendo en ella. 3) El significado de datos
cuantitativos puede ser interpretado como una cualidad o un conjunto de ellas. 4)
Los informes sobre acciones prácticas y experimentales logran un nivel adecuado
de detalle.
Competencia Específica:

Investigar: 1) los fenómenos o procesos se explican usando conceptos y principios

matemáticos. 2) estos fenómenos y procesos se representan gráficamente.
Diseñar: 2) Los modelos matemáticos presentados son analizados en diferentes
situaciones que permiten experimentar con los resultados.

7. MARCO TEÓRICO:

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Conjuraciones básicas de amplificadores con MOSFETs Para los

transistores de efecto de campo, JFET, MOSFET de enriquecimiento y
MOSFET de empobrecimiento, las configuraciones basicas de amplificadores
son las mismas. Sin embargo, debe considerarse que cada tipo de FET se
polariza de forma particular de acuerdo a sus características. De igual manera
la transconductancia debe calcularse acorde al tipo de transistor
implementado. Por último, es importante resaltar que la resistencia de carga
puede reemplazarse por una carga activa, por ejemplo, una fuente de
corriente.

Etapa Surtidor-Común (CS)

Es una etapa inversora.

Etapa Puerta-Común (CG)

Esta etapa amplifica y no invierte

la señal de entrada.

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Etapa Seguidor de Surtidor (Drenador-Común) (CD)

Esta etapa da una ganancia < 1.

Sirve como búfer, ósea para
tolerar impedancias de carga
pequeñas.

Configuraciones básicas de amplificadores con polarización

Para el desarrollo de amplificadores es importante definir la polarización de los

transistores involucrados. Los transistores MOSFET deben estar en la región
de saturación para amplificar de forma adecuada, y este punto de operación
puede garantizarse mediante alguno de los métodos de polarización
estudiados. Sin embargo, los métodos de polarización pueden afectar el
desempeño en señal del amplificador como se muestra a continuación.

Etapa Surtidor-Común (CS) con polarización

a) Divisor resistivo, IR1= IR2. No

afecta la ganancia, pero
disminuye la impedancia de
entrada a Zin = R1||R2.

b) El capacitor C2 hace que RS

no existan en pequeña señal y por
lo tanto la ganancia sea la de un
CS sin degeneración.

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Etapa Puerta-Común (CG) con polarización

R1 y R2 forman un divisor
resistivo para polarizar M1 junto a
R3. C1 hace que ID fluya por R3.

Etapa Seguidor de Surtidor (Drenador-Común) (CD) con polarización

Esta etapa no se ve afectada por

la polarización con divisor
resistivos, solo se modifica su
impedancia de entrada que deja
de ser infinita.

Preguntas previas para el desarrollo de la práctica

1. ¿Cuáles son las condiciones y regiones de operación de un MOSFET de

enriquecimiento?
2. ¿Qué métodos de polarización se pueden aplicar a las etapas con transistores
MOSFET?
3. ¿Para qué sirve una etapa seguidor de surtidor?
4. ¿Cuál de las configuraciones de amplificadores invierte la señal de entrada?
5. ¿Cuáles configuraciones basicas de amplificadores tienen ganancia equivalente
en magnitud?

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8. MATERIALES, REACTIVOS, INSTRUMENTOS, SOFTWARE, HARDWARE O

EQUIPOS:

 Transistores 2N7000 (4),

 Capacitores (>25V): 10uF (5) y 100uF (4),
 Resistencias (1/2Watt): 22KΩ (2),120KΩ (2), 3.9KΩ (2), 470Ω (2), 47KΩ (2),
22Ω (1), 15Ω (1), 150Ω (1) y 47Ω (1).
 Multímetro (Amperímetro).
 Multímetro (Voltímetro).
 Fuentes de voltaje.
 Cables de conexión.
 Caimanes.
 Protoboard.

9. PRECAUCIONES CON LOS MATERIALES, REACTIVOS, INSTRUMENTOS

Y EQUIPOS UTILIZAR:

Los equipos deben ser entregados al laboratorista en el mismo estado en el

que fueron prestados al estudiante.
Tener cuidado con no exceder voltajes y corrientes.

10. CAMPO DE APLICACIÓN:

 Electrónica
 Sensórica
 Electrónica de potencia

11. PROCEDIMIENTO, METODO O ACTIVIDADES:

Antes de la práctica, realizar la conexión sobre protoboard de los circuitos que se

muestran en la figura 1 y realizar la verificación respectiva (Cada circuito en un
protoboard diferente). El transistor M1 corresponde al transistor 2N7000. También,
se recomienda incluir de 2 condensadores (uno de 100 uF y uno de 10 uF) en
paralelo ubicados entre los nodos de alimentación y tierra. El terminal V in
corresponde al nodo donde debe conectarse el generador de señales y V out es el
nodo de salida donde se evalúa la ganancia del amplificador.

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1. Identificar las configuraciones de los circuitos de la figura 1.

Figura 1a =
Figura 1b =

2. Conectar la alimentación en el circuito de la figura 1a), y medir las tensiones V

DS, VGS, las corrientes ID eIR1. Con los valores obtenidos identificar en que
región de operación se encuentra el transistor y calcular la transconductancia del
mismo. VGS=_____ VDS= _____ID=_____ IR1=_____ Región de operación
=___________ Calculo de gm_____.

a) Con los datos obtenidos en el ítem anterior, realizar el cálculo del consumo de
potencia del circuito.
b) Con los datos obtenidos en el ítem anterior, realizar el cálculo teórico de la
ganancia del circuito.
c) Conectar el generador de señales y generar una señal senoidal de 200mV pp y
10KHz. Visualizar en el osciloscopio las señales de entrada y salida, y esbozar la
gráfica en el informe de laboratorio (figura 3).

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d) Realizar la medición de la ganancia en el osciloscopio. ¿El valor se aproxima al

valor calculado?

e) Conectar un condensador de 10F en paralelo a la resistencia ubicada en el

surtidor del transistor y visualizar de nuevo la entrada y la salida en el
osciloscopio. ¿Qué sucedió con el amplificador? Medir la ganancia para este caso,
realizar el cálculo teórico y comparar.

¿Qué sucedió con el amplificador? ________________________________

¿Porque?:________________________ Av,medida=______ Av,teorico=______.

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f ) Conectar una resistencia de 47Ω como carga, observar y reportar (figura 4) las
señales de entrada y salida en el osciloscopio. Explicar porque la ganancia cambio
y realizar el cálculo teórico.

¿Qué sucedió la ganancia?________________________________

¿Porque?:________________________ Av,medida=______ Av,teorico=______.

g) Modificar el circuito de la figura 1 a) para obtener el circuito de la figura 5,

donde M2 es un transistor 2N7000, el condensador C3 del ítem anterior no
está y los condensadores de 100uF entre VDD y tierra deben mantenerse.
Conectar el generador de señales con la misma señal usada en el ítem
anterior, reportar el grafico obtenido en el osciloscopio y medir la ganancia del
circuito.

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Av,medida=_____.
¿Qué tipo de amplificador forma M2 y ¿cuál es su utilidad en este caso de
acuerdo a lo visto en el ítem
anterior?:_________________________________.

3. Conectar la alimentación en el circuito de la figura 1b), y repetir los ítem 2 a

2d). VGS=_____ VDS=_____ ID=_____ IR1=_____Región de operación
=_____ Calculo de gm_____ PD=_____ AV calculado=_____ Av,medida=______.

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12. RESULTADOS ESPERADOS:

Cálculos, simulación y medición en laboratorio en los cuales el estudiante entiende

lo que hay detrás de los resultados y propone mejoras con base a lo analizado y a
los resultados obtenidos.

13. CRITERO DE EVALUACIÓN A LA PRESENTE PRÁCTICA

 Preparar el laboratorio con anterioridad, cálculos y demás puntos
solicitados.
 Simulaciones.
 Montaje.
 Análisis de los resultados.
 Informe.
 Diseño PCB (Printed Circuit Board).

14. BIBLIOGRAFIA:
1
BOYLESTAD Robert L y NASHELSKY L. Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos.10 ed. Estado de México: Pearson Educación, 2009.p. 1-49.
2
DONALD Neamen, A. Dispositivos y circuitos electrónicos. 4 ed. New York:
McGraw-Hill,2010.p.9-54.
3
SEDRA Abel y Smith Kenneth. Circuitos Microelectronicos,4ed.Mexico:
Oxford University Press,1999.p.139-217.

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