TECNOLOGICO NACIONAL DE MEXICO

INSTITUTO TECNOLOGICO DE TUXTLA GUTIERREZ

DIODOS Y TRANSISTORES

Practica #1

Polarización fija

Asesor: Mtro. Roberto Ibáñez Córdoba

roberto.ic@tuxtla.tecnm.mx

Del Porte López Ángel Jhair

angeljhairdelportelopez@gmail.com

Ramos Gómez Gerardo Jesús ´

chuy23170931@gmail.com

A5A

Noviembre de 2023

Resumen Los valores calculados de RD y RS para lograr

estas condiciones de polarización se incluirán
La práctica consiste en construir un circuito
en la tabla de resultados, junto con las
autopolarizado con un transistor JFET canal
formas de onda y mediciones obtenidas del
N configurado como amplificador. El objetivo
circuito implementado.
es seleccionar apropiadamente los valores
de las resistencias RD y RS para polarizar el Palabras clave
JFET de manera que opere en la región activa
1. JFET
o lineal de su curva característica.
2. Amplificador
Esto se logra estableciendo el voltaje VRS
entre compuerta y fuente como la mitad del 3. Autopolarización
voltaje de pinch-off o corte VP del transistor.
De esta forma se polariza el JFET lejos de las 4. Región activa
zonas de corte y saturación, permitiendo 5. Resistencias de polarización
amplificar señales aplicadas entre su
compuerta y fuente. 6. Punto de corte

Se debe verificar experimentalmente, con un

osciloscopio, que el voltaje VDS entre
drenador y fuente no sea 0 ni igual al voltaje
de alimentación VDD, dado que en esos
puntos el JFET no funcionaría
apropiadamente como amplificador.
Introducción
El JFET (Junction Field Effect Transistor)
requiere ser polarizado adecuadamente
mediante resistencias para operar en su
región activa o lineal como amplificador de
pequeñas señales aplicadas entre su
compuerta y fuente. En esta práctica se
implementará un circuito de
autopolarización usando un JFET canal N.
El objetivo principal es seleccionar los
valores correctos de las resistencias RD y RS
para lograr una polarización estable en la
parte central de la curva característica Id vs
Vgs del transistor, de manera que pueda
amplificar sin distorsiones.
Se verificará el funcionamiento simulando
señales de entrada con un generador y
observando la forma de onda amplificada de
salida, así como midiendo los voltajes y
corrientes en los puntos clave para comparar
con los cálculos teóricos.
Esta configuración básica de
autopolarización con JFET ilustra un
concepto ampliamente utilizado en el diseño
práctico de amplificadores más complejos de
bajo ruido y alta impedancia de entrada para
aplicaciones de audio y radiofrecuencia.
Fundamento teórico
El transistor JFET se puede polarizar de
forma autónoma mediante un circuito con
resistencias realimentadas para estabilizar su
punto de operación en la región activa o
lineal de su curva característica. Esto permite
utilizarlo como amplificador de pequeñas
señales sin distorsionar.
La resistencia RS conectada entre compuerta
y fuente fija el voltaje VGS a un valor
constante VGSQ determinado por la relación
de división de voltaje con RD. La corriente ID
genera una caída de voltaje IDRD que
realimenta negativamente al punto de
polarización estable.
Las ecuaciones que modelan este punto
quiescente son:
VGSQ = IDQ·RD IDQ = IDSS·(1 - VGSQ/VP)2
Donde IDQ e IDSS son las corrientes para
VGSQ y VGS=0 respectivamente, y VP es el
voltaje de pellizco o corte. Escogiendo
VGSQ=VP/2 se polariza el JFET en la mitad de
la región activa para máxima excursión de
señal sin distorsión.
Los valores de RD y RS se calculan entonces
despejando las ecuaciones con VGSQ y la IDQ
deseada según el modelo specífico de JFET
utilizado.
Desarrollo de la práctica
1. Analizar el circuito identificando el
JFET canal N, las resistencias de
polarización RD y RS, y la fuente de
alimentación.
2. Investigar en la hoja de datos las
características del modelo específico
de JFET utilizado, específicamente Vp
y la curva ID vs VGS.
3. Calcular los valores de RD y RS para
autopolarizar el JFET con VGSQ=Vp/2
basado en las ecuaciones teóricas,
asumiendo un valor típico para IDQ.
4. Implementar el circuito en una
protoboard con el JFET y las
resistencias calculadas. Verificar
todas las conexiones.
5. Energizar el circuito midiendo
voltajes y corrientes en puntos
claves con multímetro y osciloscopio.
Tabular mediciones.
6. Comparar los valores medidos de
VGSQ e IDQ con los valores teóricos
calculados. Realizar ajustes finos
variando ligeramente RD y RS en
caso necesario.

7. Conectar un generador de señales a
la entrada y verificar la amplificación
de la señal a la salida con el
osciloscopio.
8. Apagar y desconectar el circuito una
vez completadas las pruebas.
Tabla de datos
Conclusión
La práctica permitió implementar
exitosamente el circuito de autopolarización
para un amplificador basado en un transistor
JFET canal N, siguiendo el procedimiento de
diseño teórico y seleccionando
apropiadamente los valores de las
resistencias involucradas.
Se logró estabilizar el punto de operación
quiescente o de reposo en la parte central de
la región activa del JFET, mediante
realimentación negativa, de manera que el
transistor pueda amplificar adecuadamente
pequeñas señales de entrada alternas sin
recortes por saturación o corte.
Los valores medidos de voltajes y corrientes
en los puntos claves presentan una
desviación aceptable respecto a los
parámetros teóricos calculados utilizando el
modelo ideal. Esta diferencia se atribuye
principalmente a tolerancias y temperatura.
La configuración implementada constituye la
base para desarrollar amplificadores más
avanzados de instrumentación y
comunicaciones aprovechando las
características ventajosas de alta impedancia
de entrada, bajo ruido y amplio ancho de
banda que distingue la tecnología JFET.
Referencias bibliográficas
[1] Boylestad, R. y Nashelsky, L. (2009).
Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. 10ma edición. Pearson
Educación.
[2] Franco, S. (2010). Diseño con
Amplificadores Operacionales y Circuitos
Integrados Analógicos. 3ra edición. McGraw-
Hill.
[3] Neamen, D. (2012). Circuitos
Electrónicos: Análisis y Diseño. 3ra edición.
McGraw-Hill.
[4] Malvino, A. y Bates, D. (2007). Principios
de Electrónica. 7ma edición. McGraw-Hill.
[5] Sedra, A. y Smith, K. (2010).
Microelectronic Circuits. 7th Edition. Oxford
University Press.
[6] Millman, J. y Halkias, C. (1972).
Electrónica Integrada. Hispanoamericana.

[7] Hoja de datos JFET 2N3819. Fairchild

Semiconductor. Disponible:
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/
2N/2N381