PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATÓLICA MADRE Y MAESTRA

FACULTAD DE CIENCIA DE LA INGENIERÍA

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y
ELECTROMECÁNICA

ASIGNATURA: LAB. DE ELECTRONICA I

IEL222-172 (2020-2021/3)

PRACTICA #10

CURVAS CARACTERISTICA DE LOS TRANSISTORES

NOMBRES:

BILL MORETA

MATRICULA/ID:

2017-1503/ 10132374

PROFESOR:

PABLO CRISÓSTOMO

FECHA DE REALIZACION: 17-11-2020

FECHA DE ENTREGA: 17-11-2020

SANTIAGO DE LOS CABALLEROS; REPUBLICA DOMINICANA

 Índice

1-Objetivos. ................................................................................................................................. 3
2-Marco teórico. .......................................................................................................................... 3
3-Materiales y equipos. .............................................................................................................. 4
4-Procedimento. .......................................................................................................................... 4
5-Conclusión. ............................................................................................................................... 5
6-Bibliografia. .............................................................................................................................. 6

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 1- Objetivos
Determinar las curvas características de salida IC = f(VCE) / Ie = cte. de
un transistor en configuración emisor-común.
Determinar la curva de máxima disipación de colector.
Determinar el punto de operación (punto Q) de un circuito.

2- Marco Teórico

Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de

salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer
resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra prácticamente en todos los
aparatos electrónicos de uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y
video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los
llamados circuitos integrados.

Curvas caracteristicas del transistor

CURVA Ic/VBE PARA VCE CONSTANTE

Relaciona la intensidad lB, que circula por la entrada

del transistor, con la tensión que se aplica en el mismo circuito, V BE, para una tensión constante entre
colector y emisor. En realidad estas dos
magnitudes que relacionan la curva son
proporcionales, pues forman el circuito de una
unión N-P polarizada directamente. Por este
motivo, tanto los valores de VBEcomo los de le
son muy bajos.

CURVA Ic/Vc

Son, sin duda, las más utilizadas para la-

determinación de los puntos de tra- bajo del
transistor y sirven para relacionar la intensidad y
la tensión del circuito de salida, manteniendo
constante lB en un caso o VBEen el otro, dando
lugar a las dos variantes de este tipo de curvas que
se presentan en la figura 2-5, para un transistor de Ge, puesto que en los de Si la VSEoscila sobre los
0,6 V.

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Como la construcción de estas curvas es totalmente teórica, y en la práctica se precisan datos de
comportamiento real, existen cuatro parámetros universa- les que lo definen.

3- Procedimiento

Armando el siguiente circuito:

Con base abierta, IC en uA. Fijando VCC en 12V, IC=0.00115uA

Fijando el valor de IB con VBB. Variando VCC para obtener el valor de VCE deseado.

Medir y anotar el valor de

IC hasta llenar la tabla.

3
Vce         IC(mA          
)
Volt         IB(uA)          
  0 50 100 200 250 300 350 400 450 500
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0,5 0 4,77 9,987 15,234 19,822 25,222 30,001 40 45 49,97
1 0 4,77 9,987 15,234 19,822 25,222 30,001 40 45 49,97
1,5 0 4,77 9,987 15,234 19,822 25,222 30,001 40  
2 0 4,77 9,987 15,234 19,822  
2,5 0 4,77 9,987 15,234  
3 0 4,77 9,987  
3,5 0 4,77 9,987  
4 0 4,77 9,987  
4,5 0 4,77 9,987  
5 0 4,77 9,987              

 Variando RB para llenar la siguiente tabla:

4
RB IB(uA) IC(mA) VBE VCE
160000 47,6 4,76 0,815 1,41
33000 230 8,57 0,831 0,107
10000 757 8,68 0,834 0,704

4- Materiales y Equipos

1-computador.

2-simulador Multisim Live.

3-Calciladora graficadora.

4-Microsoft Teams, Excel, Word.

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5- Conclusión

Al β ser variable, sobre todo con la temperatura, es necesario dotar al transistor de circuitos

de polarización capaces de compensar dichas variaciones. Con la base abierta y Vcc en 12v,

Ic es una corriente de fuga con la cual se prueba la calidad del transistor, en este caso es una

simulación por lo que se supone que el transistor es prácticamente perfecto. Debido a esto

demuestra una corriente tan pequeña(1.15nA), la calidad del transistor depende de la

corriente mientras más pequeña es mejor. A medida que disminuimos el voltaje de la fuente

va disminuyendo esta mencionada corriente. Es importante destacar que en la región de corte

en el colector es aproximadamente cero, si la corriente de base es cero y en la región de

saturación la corriente del colector es la máxima, por otro lado la corriente en la región activa

está en función de la ganancia y la corriente de base.

En la simulación se utiliza un transistor equivalente al NTE123AP que es el 2N903, para este

transistor NPN La tensión colector emisor es 30v y la corriente del colector IC=25mA. La

disipación máxima del colector es 0.75w. La relación entre la corriente del colector y la base

(β)=10%, esto significa que el 10 por cierto de la corriente del colector pasa por la base. Por

lo tanto, el otro 90% es pasa por el emisor. Para la realización de esta práctica se recomienda

verificar que los elementos a utilizar en el circuito tengan un rango nominal de variación.

6- Bibliografía

BOYLESTAD, R. L. (2003). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, 8a.

ed. México: PEARSON EDUCACIÓN.

Unicrom. (23 de Mayo de 2017). Electronica Unicrom. Obtenido de

https://unicrom.com/duplicador-doblador-de-voltaje-de-media-onda/

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