LABORATORIO ELECTRONICA III EE443 M

TEMA: CURVAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR

I.-Breve reseña del transistor
El transistor es un dispositivo de tres terminales que surge en los Laboratorios Bell de la
AT&T. Se buscaba un conmutador de estado sólido para ser utilizado en telefonía y para
reemplazar tanto a los reléscomo a los sistemas de barras. Luego se contempla la posibilidad
de obtener el reemplazo de la válvula (o tubo) de vacío.
Quentin Kaiser escribió: "Si no hubiese sido por las microondas o el radar de UHF,
probablemente nunca hubiéramos tenido la necesidad de detectores de cristal. Si no
hubiéramos obtenido detectores de cristal, probablemente no habríamos tenido el transistor,
salvo que hubiera sido desarrollado de algún modo completamente diferente". (Citado en
“Revolución en miniatura” de E. Braun y S. Macdonald).
II.-Responda las preguntas
1.-Los valores nominales máximos son valores límites de las condiciones de funcionamiento y de
reposo que no se deben rebasar.
2.-El símbolo VCEO representa el voltaje de colector emisor a tierra, si el circuito está abierto.
3.-Las tres características de temperatura que se deben considerar al utilizar un transistor son:
a )TC , temperatura critica;
b)T A , temperatura funcionamiento, y
c )TJ , temperatura reposo.
4.-La corriente de corte del colector base se especifica para determinado VCB cuando el emisor
está abierto.
5.-La relación de transferencia de corriente directa estática de un transistor con la configuración de
CE se simboliza por ___________ y representa ___________ ___________de un transistor.
6.-La ___________ de un transistor es la medida de la capacidad de la base para controlar la
corriente del colector.
7.-La ganancia en corriente de un transistor con la configuración CE se puede obtener mediante la
familia de ___________ ___________de características.
8.-En la gráfica de Ic vs Vce típica del transistor, para una VCE mayor a  1 V e I B  0.1 m A ,
2v es de hecho independiente de VCB .
9.-En las curvas Ic vs Vce típica, cuando VCB  4 V e I B  210uA m A, I C  40mA.
10.- ¿En el circuito mostrado, cual es la finalidad de cada potenciómetro?
Obtener diferentes corriente en la base

OBJETIVOS
 Graficar la curva característica de entrada de un transistor bipolar, a partir de
valores medidos.
 Graficar la familia de curvas características de salida de un transistor bipolar, a
partir de valores medidos.

MATERIALES Y EQUIPOS
Protoboard, cables, resistencias, transistor NPN (2N2222A), fuentes de alimentación,
multimetro.

PROCEDIMIENTO
1. Para el transistor NPN (2N2222A), identifique sus terminales (emisor, base,
colector) y con la utilización del multimetro realice la prueba del estado de este.

2. Busque el datasheet del transistor NPN (2N2222A) y en la siguiente tabla anote el

valor correspondiente a cada parámetro proporcionado en la hoja de
especificaciones del fabricante.

Máxima Corriente de Colector (ICMAX): Si se supera esta 0.8 A

corriente los diodos internos sufren daños.
Factor de Amplificación o Ganancia (HFE ó Beta): Este factor 190 h FE
indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base.
Máximo Voltaje Colector Emisor (VCEMAX): Similar al voltaje de 40v
ruptura en los diodos, pasado de este límite sufre daños
internamente el transistor.
Máximo Voltaje Base Emisor (VBEMAX): Es el máximo voltaje 6v
que se puede aplicar a la unión base emisor.
Máxima Potencia de Disipación (PD): En general depende del tipo .500W
 de empaque utilizado.

3. Monte el circuito de la Figura 1.

Figura 1

4. Ajuste el potenciómetro (RV1) para obtener los valores de corriente de base

(IB =microamperios) que se indican en la siguiente tabla y complétela.

IB (uA) Nominal 5 ─ 10 16 ─ 25 30 ─ 50 120 ─ 200

IB (uA) Real 8uA 23.3uA 40uA 130.4u A
VBE (Voltios) 0.6v 0.62v 0.64v 0.67v

5. Graficar los valores obtenidos en la tabla del punto anterior, en los ejes de
IB Vs VBE (Curva característica de entrada del transistor NPN).

6. Monte el circuito de la Figura 2.

 Figura 2

7. Para el circuito de la Figura 2, ajuste el voltaje de la fuente “VCC” para que el

Voltaje Colector─Emisor (VCE) tome cada uno de los valores indicados para cada
valor de corriente de base (IB), si es necesario ajuste el voltaje de la fuente “VBB”
para mantener IB constante, anotando el valor correspondiente de IC (Corriente
colector), llenando la siguiente tabla.

VCE IB0 = 0uA IB1 = 10uA IB2 = 20uA IB3 = 30uA IB4 = 40uA IB5 = 50uA
(Voltios) Ic0 (mA) Ic1 (mA) Ic2 (mA) Ic3 (mA) Ic4 (mA) Ic5 (mA)
0V 0 1.18 2.96 2.37 4.74 2.38
1V 0 2.25 4.50 5.95 8.48 10.4
2V 0 2.27 4.53 6.05 8.57 10.5
3V 0 2.29 4.57 6.10 8.64 10.5
4V 0 2.31 4.66 6.14 8.73 10.6
5V 0 2.34 4.68 6.18 8.81 10.7
6V 0 2.36 4.72 6.25 8.98 10.8
7V 0 2.39 4.76 6.30 9.00 10.9
8V 0 2.41 4.80 6.39 9.06 11
9V 0 2.43 4.84 6.45 9.14 11.1
10V 0 2.45 4.89 6.50 9.25 11.3
11V 0 2.47 4.92 6.57 9.32 11.3
12V 0 2.49 4.97 6.61 9.40 11.4

8. Graficar los valores obtenidos de las curvas IB en los ejes de IC Vs VCE (Curva
característica de salida del transistor NPN).