FUNDACIÓN UNIVERSITARIA LOS LIBERTADORES

LABORATORIO No. 2: Familiarización con los transistores

Jorge Andres Rozo Orozco - Nicolas Alberto Gonzales – Andres Felipe Garcia

jarozoo@libertadores.edu.co - nagonzalezl01@libertadores.edu.co–
afgarciam@libertadores.edu.co

1. OBJETIVOS
 Familiarizar al estudiante con diversos tipos de transistores
 Medir los efectos producidos por la polarización en directa (normal) y en inversa en la
corriente emisor- base del circuito emisor-base
 Medir los efectos producidos por la polarización en directa y en inversa en la corriente del
colector en el circuito emisor-base
 Medir ICBO

2. EQUIPOS
● Fuente de voltaje
● Multimetro
● Protoboard
● Cables banana caimán

2.2 Materiales

1
 Resistencias: de 100 y 820 Ω de W.
2
 Semiconductores: transistores 2N3904 y 2N3906 o su equivalente.
 Interruptores Simples
 Potenciómetro de 2.5 KΩ a 2 W;

3. MARCO TEORICO
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar
una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se encuentra
prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi
siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Funcionamiento de un Transistor

El transistor tiene una entrada de corriente (puede ser el emisor - E), una salida de corriente
(puede ser el colector - C) y una entrada de señal (la base - B) que cuando actúa facilita la
transmisión de electrones entre el emisor y el colector. Dicho de otra manera un transistor
actúa como un interruptor, únicamente pasará corriente entre E y C cuando actúe B. Las tres
regiones de trabajo que tiene un transistor son transistor en corte, saturación y en activo.

El transistor en corte es cuando entre colector y emisor no pasa corriente, por ejemplo si
utilizáramos un transistor para encender una bombilla, cuando hablamos de la región de
corte significa que por la bombilla no pasará nada de corriente por lo tanto estará apagada.

La otra opción que tenemos es utilizar la región saturación del transistor, en este caso
utilizando el ejemplo de la bombilla, la corriente estaría pasando por la bombilla y estaría
encendida.

El último caso sería utilizar el transistor en su zona activa, esto significa que si utilizamos el
ejemplo de la bombilla no estaría ni apagada ni totalmente encendida, sino que estaríamos
en una posición entre apagado y encendido, por ejemplo el mismo resultado que obtenemos
cuando regulamos con un potenciómetro la luminosidad de la bombilla. Dependiendo de la
polarización la región activa del transistor puede ser: región activa directa o región activa
inversa.

Modos de trabajo:
 Normalmente los transistores trabajan en la región activa directa, esta región es la que se
utiliza para amplificar la señal que entra por el transistor.

4. MONTAJE Y PROCEDIMIENTO

 1-Arme el circuito de la figura 1 con los interruptores S 1 y S2 abiertos. La configuración de

este circuito se llama amplificador de base común. La corriente de entrada (lE) se aplica
en la conexión del emisor, y la corriente de salida (l C) se mide en el circuito del colector.

 Configure el potenciómetro R2 para el valor de resistencia máxima; con ello se obtiene la

polarización mínima en el emisor al aplicar la alimentación eléctrica. R 1 es un resistor
limitador de corriente (o de polarización) en el circuito del emisor. R 3 es un resistor
limitador en el circuito del colector. Conserve la polaridad correcta de la batería y del
medidor. Configure el multímetro como amperímetro (M 1 y M2 son amperímetros que
miden la corriente del circuito).
2- Cierre S1 y S2. Observe y mida la corriente presente en los circuitos del emisor y colector.
Haga sus mediciones de manera precisa para advertir cualquier diferencia entre l E e IC. Anote
los datos en la tabla 1. Mida el valor de los voltajes emisor-base (V EB), colector base (VCB) y
colector-emisor (VCE) y anótelos en la tabla 1. Muestre la polaridad de cada voltaje.

3- Configure el potenciómetro R2 para el valor de resistencia mínima, es decir, para obtener

la polarización de emisor máxima. Cambie los intervalos del medidor según se requiera.
Observe y mida lE, le, VEB, VCB Y VCE· Anote los datos obtenidos en la tabla 10-1. Indique la
polaridad de cada voltaje.

4-Abra S1. Abra el circuito emisor-base abriendo S1.

5-Cierre S1. Observe y mida el valor de lCB- Anote losdatos en la tabla 1. Este es el valor de
ICBO paralas condiciones del circuito. Mida el valor de V CB Yanótelo en la tabla 1. Indique la
polaridad delvoltaje.

POLARIZACION NPN

6-Abra: S1. Quite el transistor PNP del circuito y sustitúyalo por el transistor NPN, invierta
la polaridad de VCC y de VEE, como en la figura 2.

7- Cierre S1. Configure R2 para el valor de resistencia máxima. Cierre S 2. Observe y mida
el valor de IE y de lC. Anote los datos en la tabla 1. Mida los valores de V EB' VCB Y VCE y
anótelos en la tabla 1. Indique la polaridad.

8-Configure el potenciómetro R2 para el valor de resistencia mínima. Cambie los

intervalos del medidor según se requiera. Observe y mida lE,lC, VEB, VCB y VCE, Anote los
resultados en la tabla 1. Indique la polaridad del voltaje.

9-Abra S1, Abra el circuito emisor-base abriendo el interruptor S2

10-Cierre S1 Observe y mida lCBO Y VCB. Registre los datos en la tabla 1

 5. ANALISIS Y RESULTADOS

Circuito transistor PNP paso 2-3 S1 Y S2 Cerrados

Paso IE (mA) IC (mA) VEB VCB VCE ICBO IB (mA) VR3

2 0,266 0,263 0,542 5,78 6,32 - 0,003 0,217
3 0,365 0,362 0,55 5,7 6,25 - -0,003 0,299

Circuito transistor PNP paso 5 S1 cerrado, S2 abierto

IC (mA)-
Paso IE (mA) (uA) VEB VCB VCE ICBO IB (mA) VR3
5 0,00012 0,00001 0,055 5,99 0,05 7 0,00011 0,0001

TRANSISTOR NPN
 Circuito de emisor y colector de un transistor NPN paso 7-8 S1 y S2 cerrados

IC (mA)-
Paso IE (mA) (uA) VEB VCB VCE ICBO IB (mA) VR3
7 0,299 0,296 0,545 5,75 6,3 / 0,003 0,244
8 0,365 0,362 0,55 5,7 6,2 / 0,003 0,299

Circuito de un transistor NPN Paso 10 S1 cerrado y S2 abierto

IC (mA)-
Paso IE (mA) (uA) VEB VCB VCE ICBO IB (mA) VR3
10 0,00067 0,000012 0,05 5,99 0,05 7 0,000658 0,00011
 RECOPILACION DE DATOS

IC (mA)-
Paso IE (mA) (uA) VEB VCB VCE ICBO IB (mA) VR3
2 0,266 0,263 0,542 5,78 6,32 - 0,003 0,217
3 0,365 0,362 0,55 5,7 6,25 - -0,003 0,299
5 0,00012 0,00001 0,055 5,99 0,05 7 0,00011 0,0001
7 0,299 0,296 0,545 5,75 6,3 / 0,003 0,244
8 0,365 0,362 0,55 5,7 6,2 / 0,003 0,299
10 0,00067 0,000012 0,05 5,99 0,05 7 0,000658 0,00011

PREGUNTAS ORIENTADORAS:

1. ¿Cuáles son los voltajes y corrientes básicas a identificar en un transistor BJT?

R:/ Voltaje de emisor base que se puede considerar como la variable de control para
determinar la acció n del transistor, Voltaje colector base y voltaje base emisor que
controla el voltaje

Corriente de base es la corriente que entra al transistor por la base del mismo, corriente
del colector es la corriente de salida del transistor y la corriente del emisor es la mas
grande de las 3 y se comporta como fuente de electrones

2. ¿Qué efecto produce en la corriente del colector un aumento en la polarización del

emisor?
R:/ un incremento en la polarizació n del emisor produce como efecto un mayor flujo de
corriente en el colector
3. ¿Qué diferencias hay entre entre los valores de lC e lCBO?
R:/La diferencia entre IC e ICBO es que Ic es la corriente que circula por el colector estando
el circuito base-emisor abierto, mientras que ICBO o corriente de fuga es la corrienteque
circula por el colector sin tener ninguna tensión en la base.

4. Qué relación hay entre el voltaje en la resistencia de carga (V R3 ) y el voltaje

entre base y emisor (VEB) de un transistor
R:/La relación entre VR3 y VEBes que el valor de VR3 se va a ver afectado por el voltaje
presente en el diodo de VEB

5. La ganancia de un amplificador se calcula dividiendo la corriente de salida

(lC en este experimento) entre la corriente de entrada (l E).
R:/
IC (mA)-
(uA) IE (mA) Ganancia β
0,263 0,266 0,9887218
0,362 0,365 0,99178082
0,00001 0,00012 0,08333333
0,296 0,299 0,98996656
0,362 0,365 0,99178082
0,000012 0,00067 0,01791045
6. ¿Qué es y cuál es la ganancia en corriente de un amplificador de base común
(como el utilizado en este experimento)

R/: En condiciones normales de operación la ganancia en corriente del amplificador de

base común es 1 mA PNP y NPN

REFERENCIAS Y BIBLIOGRAFIA

BOYLESTAD, ROBERT L. Introducción al análisis de circuitos.

P. MALVINO. principios de electrónica. 6ª Edición. Mc Graw Hill. 2007.

 FUNDACIÓN UNIVERSITARIA LOS LIBERTADORES

LABORATORIO No. 2 Parte B: Transistor de efecto de campo de Union (JFET)

Jorge Andres Rozo Orozco - Nicolas Alberto Gonzales – Andres Felipe Garcia

1. OBJETIVOS:

 Determinar el efecto del voltaje de drenaje a compuerta, V DS, en la corriente de drenaje, lD, y
voltaje de compuerta a fuente de polarización en inversa, V GS.
 Determinar y graficar la familia de curvas características del drenaje de JET
 Determinar y graficar la curva de transferencia de JET, l D, contra VGS para un valor
especificado de VDS

2. MATERIAL:

2.1. Equipos
2.1.1. Fuente de alimentación variable de bajo voltaje independientes.
2.1.2. Equipo: multímetro digital; miliamperímetro de 0 a 10 mA.
2.2. Materiales
2.2.1. Semiconductores: JFET de canal N (2N5484) o equivalente
2.2.2. Interruptor simple

3. FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA:

MARCO TEORICO

TRANSISTOR FET (Introducción).

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos
inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. 

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia
de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se
llama transistor de efecto campo.

2) Explicación de la combinación de portadores.

            Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán
desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que notar
que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el
diodo formado por la unión canal – puerta, esta polarizado inversamente.

            En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen
hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal
positivo de la misma.

            Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta
VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres  

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el
esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores
máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el
dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la
temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura,
siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores
críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos.

3) Explicación de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada
canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal
una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero
(d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra  el croquis de un FET con canal N

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas
donadoras o aceptadoras de electrones. 
Su estructura y representación se muestran en la tabla.

Modelo de transistor
FET canal n

Modelo de transistor
FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de tal forma que no
existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a la longitud
efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión inversa (tensión de
puerta).
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

 ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia
variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la
resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rdson), y distintos valores de VGS.
 ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como
una fuente de corriente gobernada por VGS

3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus
papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico).

4. PROCEDIMIENTO:

COMPUERTA EN CORTO CIRCUITO CON LA FUENTE VGS = 0

1. Conecte el circuito de la figura 1, con S 1 abierto. Remueva VGG y ponga en corto circuito la
compuerta a tierra.
2. Establezca la salida de VDD en 0 V; cierre S1. Mida y registre en la tabla 1 la corriente de
drenaje, ID. para VDS = 0, VGS = 0.
3. Incremente la salida de VDD a VDS = 0.5 V. Mida y registre en la tabla 1 la corriente de drenaje,
ID. para VDS = 0.5 V, VGS = 0.
4. Haga que VDS adopte los valores que se listan en la tabla. Para cada valor de V DS mida y
registre en la tabla1 el valor de ID’
Figura 1. Circuito experimental para determinar las caracteristicas del drenaje de un JET canal N
5. Abra S1. Remueva el corto circuito entre la compuerta y tierra.

Tabla 1. Datos para las características del drenaje [1]

Tabla 2. Datos para las características de transferencia [1]

Tabla 2. Datos para las características de transferencia [1]

 LA COMPUERTA SE POLARIZA EN INVERSA
6. Reemplace VGGen el circuito de la figura 1. Abra S1 y S2.
7. Establezca las salidas de VDD y VGG en 0 V. Cierre S1 y S2. Encienda la fuente.
8. Ajuste VGG y haga que VGS mida -0.25 V. Manténgalo en este nivel para los pasos 9 y 10.
9. Mida ID y registre su valor en la tabla 1 para VDS = 0.
10. Incremente VDD para cada valor de VDS listado en la tabla. Para cada valor de V DS mida y
registre ID en la tabla 1.
11. Reduzca VDD a 0 V. Incremente VGG a -0.5 V. Manténgalo en este nivel para el paso 12.
12. Repita los pasos 9 y 10 para cada valor de VDS listado en la tabla 1.
13. Repita los pasos 11 y 12 para cada valor de V GS y VDS listados en la tabla 1, hasta que se
alcance la corriente de drenaje de corte.
14. Apague la fuente.

CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA
15. S1 y S2 están abiertos. Fije VDD en 15 V, VGG = -2.5 V.
16. Cierre S1 y S2. Mantenga VDS constante en 15 V; mida y registre en la tabla 2 los valores de I D
para cada valor de VGS. Abra S1.
17. Dibuje en papel milimétrico la familia de curvas características del drenaje con los datos de la
tabla 23-1. VDS es el eje horizontal, e ID el vertical. Identifique cada curva característica por su
valor VGs. Identifique Vp.
18. Dibuje por separado en papel milimétrico la característica de transferencia con los datos de la
tabla 23-2. VGS es el eje horizontal, e ID el vertical.

ANALISIS Y RESULTADOS

Tabla.1 Datos caracteristicas del drenaje

 Grafica.1 Curvas de drenaje

Tabla2. Datos de las caracteristicas de transferencia

PREGUNTAS

● ¿Cuáles son los voltajes y corrientes de interés en los transistores FET

● R/:Para que el fet funcione, se aplica un voltaje ligeramente positivo entre los
terminales D y S, y. Con estos voltajes, la fuente VDS atrae electrones del canal N
haciendo que circule una pequeñ a corriente de drenaje I D = IS . A medida que aumenta
VDS, aumenta I D ; y para pequeñ as variaciones de VDS , la corriente de drenaje I D tiene
un comportamiento aproximadamente lineal. A medida que VDS siga aumentando, la
regió n de agotamiento se hace cada vez má s grande y se reduce la anchura del canal.
Cuando VDS alcanza el valor VP el canal se reduce al mínimo, la resistencia se vuelve
muy grande y la corriente de drenaje I D adquiere un valor má ximo debido al alto valor
de VDS . Esta corriente se conoce con el nombre de I DSS , que quiere decir corriente de
drenaje de saturació n. Si se aumenta VDS má s allá de VP , la corriente de drenaje
permanece en su valor I DSS y el fet se comporta como una fuente de corriente
controlada por voltaje
● ¿Qué es el voltaje de encendido Vgs, o voltaje de estrangulamiento VP?
● R:/El voltaje al cual la corriente se vuelve prá cticamente constante se conoce como
Voltaje de Estrangulamiento y se denomina como Vp. El valor al cual se estabiliza la
 corriente de drenaje (ID) se conoce como Corriente de Drenaje a Fuente con Compuerta
Cortocircuitada
● ¿Qué factores ayudan a identificar VP?
● R:/Para identificar Vp se tiene en cuenta que el voltaje entre el gate y el source es VGS=
0V (cortocircuito) y cuando la línea de corriente es lineal
● ¿Qué es y cuál es el valor de IDSS?
● R:/La IDss es la corriente de drenaje cuando el transistor FET se encuentra en
configuració n de fuente comú n y se cortocircuita la puerta y la fuente;cuando el valor de
VGS=0 es 65,2mA
●
● ¿Qué es más efectivo para controlar la corriente de drenaje, V DS o VGS?
● R/: Es mas efectivo VGS para controlar ID ya que se comporta como una puerta e
internamente a medida que se varia el voltaje VGS, también varia la puerta que esta en el
interior abriendo y cerrando, permitiendo el paso de corriente hacia el drenaje

● REFERENCIAS Y BIBLIOGRAFIA

● BOYLESTAD, ROBERT L. Introducción al análisis de circuitos.

● P. MALVINO. principios de electrónica. 6ª Edición. Mc Graw Hill. 2007.

 ●

● FUNDACIÓN UNIVERSITARIA LOS LIBERTADORES

● LABORATORIO No. 2 Parte C: Circuitos de aplicación.

● Jorge Andres Rozo Orozco - Nicolas Alberto Gonzales – Andres Felipe Garcia

Vamos a realizar en esta parte C del laboratorio la respetiva simulación y explicación del
funcionamiento de un transistor BJT.

INTRUMENTO DE LA PRACTICA SIMULADA:

1) Bombilla

2) Batería 9V

3) Resistencia 10 Kohm

4) Transistor BJT

5) Potenciómetro 20 Kohm

BOMBILLA:

Un bombillo led es una lámpara de estado sólido que usa leds, como fuente lumínica.
Debido a que la luz que emite un led no es muy intensa, para alcanzar una luminosidad
similar a las de lámparas incandescentes o fluorescentes compactas las lámparas led están
compuestas por agrupaciones de varios leds, según la intensidad luminosa deseada.
BATERIA 9V:

La batería de 9 voltios es una batería eléctrica. Es llamada regularmente una batería aun

transistor debido a su gran utilización en las primeras radios a transistores. La batería tiene
la forma de un prisma rectangular con las aristas redondeadas con un conector que posee
dos terminales, uno positivo y uno negativo, sobre uno de sus lados.

RESISTENCIA DE 10 Kohm:

Se denomina resistencia o resistor al componente electrónico diseñado para introducir

una resistencia eléctrica determinada entre dos puntos de un circuito eléctrico, se emplean
resistencias para producir calor aprovechando el efecto Joule. Es un material formado por
carbón y otros elementos resistivos para disminuir la corriente que pasa. Se opone al paso de la
corriente.
TRANSISTOR BJT:

Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor),
son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar el paso de
corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales.

Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero

comúnmente son utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de señales o
como conmutadores de baja potencia. Como ejemplo se usan para controlar motores,
accionar reveladores y producir sonidos en bocinas. Estos transistores son muy comunes y
de uso general los cueles pueden encontrarse en cualquiera de los aparatos de uso
cotidiano como en radios, alarmas, automóviles, ordenadores.
POTENCIÓMETRO 10Khom:

Un potenciómetro es una Resistencia Variable. Estos limitan el paso de la corriente

eléctrica (Intensidad) provocando una caída de tensión en ellos al igual que en una
resistencia. Su valor de corriente y su tensión se puede variar cambiando el valor de su
resistencia.

PARTE EXPERIMENTAL:

La batería se conecta con

una terminal en positivo y
una en negativa para la
respectiva conexión, la
bombilla va conectada e la
terminal c del transistor ya que es el conector, luego se utiliza una resistencia para
conectarla en una terminal que tenga una relación con la base del transistor luego realice
una conexión de la parte del emisor del transistor a la parte negativa donde se señala la
letra e del transistor donde se muestra en la imagen, luego utilizamos el potenciómetro ya
que tiene tres conexiones, la conexión de la derecha se utiliza para que sea un conector
positivo, la conexión de la izquierda es para la parte negativa y la conexión del centro va
hacer la conexión neutral para poder conectarla con la otra patica de la resistencia.

al obtener ya todo conectado le damos iniciar la simulacion, se correo el potenciómetro de

izquierda a derecha para poner iniciar la simulación y que el bombillo pueda encender.