INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA

Electrónica I - SEL307
LABORATORIO N. 6

CATEDRÁTICO: ING. CARLOS CORDÓN

ALUMNO: JUAN CARLOS GOMEZ MARTINEZ

CUENTA: 21711065

17 de junio 2020. San Pedro Sula, Cortes

Honduras
 Índice

Índice................................................................................................................................... 1
Objetivos ............................................................................................................................. 2
Materiales............................................................................................................................ 2
Introducción ........................................................................................................................ 3
Procedimiento experimental ............................................................................................... 4
Conclusiones ....................................................................................................................... 8

1
 Objetivos

Medir las corrientes de polarización de un transistor NPN.

Medir los voltajes de colector-emisor, base-colector.

Medir los efectos de la variación de I B en el valor de I C.

Determinar el valor de la ganancia (ß).

Materiales
• 1 transistor 2N3904 (NPN).

• Multímetro.

• Resistencias de 100, 820, 470K,

• 282K (equivalente), 10K, 2.2K,

• 1K y 3.3K Ω.

• Fuente DC de 15 V.

2
 Introducción
El transistor es el componente semiconductor probablemente mas importante de la
electrónica actual, se dice que fue el componente que marco el verdadero inicio de la revolución
electrónica, puesto que ha sido el punto de partida para la invención de la mayoría de los
dispositivos que hoy conocemos (radios, televisores, reproductores de audio, video,
computadoras, teléfonos), entre algunas de sus características más importantes están la de
conmutador o switch y amplificador de señal.

Los transistores bipolares se construyen con una fina capa de material semiconductor de
tipo P entre dos capas de material tipo N. A esta estructura se le denomina N-P-N. Si bien
existen diferentes geometrías posibles para la implementación de transistores bipolares, el
estudio de los mismos pue-de hacerse mediante una estructura simplificada. A cada una de
las regiones semiconductoras utilizadas se les conecta un conductor para que sea posible su
conexión a otros componentes de circuito como componentes activos, resistores, capacitores,
induc-tores, etc. Se denominan a cada uno de los conductores (también denominados
terminales) y a las regiones semiconductoras a las que están conectados como colector, base y
emisor.

3
 Procedimiento experimental
Polarización fija de base
1. Armar el siguiente circuito:

2. Medir las corrientes de polarización (I C, I B, I E) así como los voltajes V CE y VCB, anotarlos
en la tabla y calcular ß.

4
 3. Hacer los cálculos teóricos con ß proporcionado y llenar la tabla.
Práctico Teórico
IC 11.5mA 17mA
IB 51.0uA 51.0uA
IE 11.5mA 17mA
VCE 5.59
VCB 4.83
ß 225 294

4. Varíe el voltaje de la fuente conectada a la base. Explique los resultados obtenidos.

VBB VCC Práctico I c Teórico I c
10 15 8.28mA 8.04
11 15 8.97mA 8.4
12 15 9.63mA 8.9
15 12 10.9mA 10.2
15 11 10.8mA 10.6
15 10 10.6mA 9.98

5. Realice las siguientes mediciones para el mismo circuito de antes pero con
realimentación del colector (Cambie el cable que va hacia V BB y conéctelo hacia el
colector del BJT.
Práctico Teórico
IC 7.48mA 7.02mA
IB 29.1uA 0.02uA
IE 7.48mA 7.4mA
VCE 8.86V 7.44v
VCB 8.13V 8.15v
ß 257 268

Polarización con Realimentación del Emisor

1. Armar el siguiente circuito:

5
2. Medir las corrientes de polarización (I C, I B, I E) así como los voltajes V CE y VCB, anotarlos en
la tabla y calcular ß.

3. Hacer los cálculos teóricos con ß proporcionado y llenar la tabla.

Práctico Teórico
IC 7.43mA 6.98mA
IB 28.8uA 0.023mA
IE 7.36mA 7.2mA
VCE 8.25V 8.3
VCB 7.52V 7.4
ß 265 283

Polarización por Divisor de Voltaje

1. Armar el siguiente circuito:

6
2. Medir las corrientes de polarización (I C, I B, I E) así como los voltajes V CE y VCB, anotarlos en
la tabla y calcular ß.

3. Hacer los cálculos teóricos con ß proporcionado y llenar la tabla.

Práctico Teórico
IC 1.99mA 2mA
IB 7.37uA 0.07mA
IE 2mA 2.01mA
VCE 6.42V
VCB 5.73V
ß 270 255

7
 Conclusiones

• Aprendimos la forma de utilizar, medir y conocer las aplicaciones de los transistores

así como sus materiales de composición y los instrumentos para tomas lecturas.

• Verificamos la polaridad del transistor NPN (o PNP en su caso).

• Podemos afirmar a qué electrodo corresponde cada patilla, bien sea: BASE,
COLECTOR o EMISOR.

• Idealizamos un idea bastante aproximada de la ganancia del transistor en términos

teóricos.