Informe de Laboratorio 3

Técnicas Digitales y Analógicas

Jorge Enrique Sierra Navarro – 2202197

I. Objetivos
Caracterizar experimentalmente un transistor de unión bipolar (Bipolar Junction
Transistor-BJT).
II. Introducción
Los transistores BJT, siglas de Bipolar Junction Transistor (Transistor de Unión
Bipolar), son dispositivos electrónicos fundamentales en la electrónica. Estos
componentes permiten controlar el flujo de corriente eléctrica en un circuito mediante la
modulación de la corriente que fluye entre dos terminales, llamados emisor y colector, a
través de una corriente que fluye hacia la base. Los transistores BJT se dividen en dos
tipos principales: NPN y PNP, que difieren en la polarización y dirección de la
corriente.
Los transistores BJT se utilizan en una amplia variedad de aplicaciones, incluyendo
amplificadores, interruptores electrónicos y circuitos de regulación de señales. Su
capacidad para amplificar señales eléctricas los convierte en componentes esenciales en
la electrónica moderna. Estos dispositivos operan mediante el principio de control de
corriente a través de una unión semiconductor bipolar, lo que los hace versátiles y
esenciales en la construcción de circuitos electrónicos.
III. Desarrollo de la práctica
1. Obtención experimental de la característica i-v de entrada del BJT2N3904

Figura 1: Circuito de la curva característica i-v de entrada

Ajustar la fuente de voltaje Vcca 15 [V]. Variar gradualmente el voltaje de la fuente
VBB de tal manera que obtenga los valores de IB lo más cercanos posible, indicados en
 la tabla. Una vez fijada cada corriente, registrar en la tabla el valor de VBE medido por
el multímetro.
2. Obtención experimental de la característica de transferencia del BJT 2N3904

Figura 2: Circuito de la característica de transferencia

Variar gradualmente el voltaje de la fuente de voltaje VBB de manera que obtenga los
valores de corriente descritos en la tabla, lo mejor posible. Una vez fijada cada
corriente, registran en la tabla el valor de IC medido.
3. Obtención experimental de la característica de salida del BJT 2N3904

Figura 3: Circuito de la característica de salida

Hacer variar el voltaje de la fuente de alimentación VBB para ajustar el voltaje de VR1
necesario para obtener IB= 0μA(VR1=R1∗IB). Mantener el ajuste anterior mientras se
hace variar el voltaje de la fuente VCC de manera que VCE tome los valores
correspondientes a la fila marcada con IB= 0μA en tabla 3. Registrar en esa tabla el
valor de VCE correspondiente. Al mismo tiempo registrar el valor correspondiente de
ICv en la misma tabla.
IV. Análisis de los resultados
Ib (uA) 0 2 5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
VBE (V) 14,95 14,95 14,95 14,94 14,93 14,92 14,9 14,89 14,88 14,86 14,85 14,83 14,82

Tabla 1: Ib vs VBE
 Figura 4: Gráfica de Ib vs VBE
Para la gráfica de Ib vs VBE, se puede observar que, con el incremento de la tensión de
base a emisor, la corriente de base disminuye su valor.

Ib (uA) 0 2 5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Ic (uA) 2 407 1088 2050 4820 7670 10630 14170 17600 21700 25500 29800 33700

Tabla 2: Ic vs Ib

Figura 5: Gráfica de Ic vs Ib

Para la gráfica de la corriente de colector contra la corriente de base, se puede denotar

un comportamiento casi lineal.
 R=99.1K VCE
VR1 Ib 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
0 0 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00
0,1982 2 0,00 0,03 0,09 0,10 0,10 0,10 0,10 0,10 0,10 0,10 0,11 0,11 0,11 0,11 0,11 0,11
0,4955 5 0,00 0,10 0,40 0,44 0,44 0,44 0,44 0,45 0,45 0,46 0,46 0,47 0,48 0,48 0,49 0,49
0,9910 10 0,01 0,23 1,07 1,17 1,17 1,17 1,18 1,19 1,21 1,23 1,24 1,26 1,28 1,29 1,31 1,32
1,9820 20 0,02 0,48 2,48 2,76 2,76 2,77 2,79 2,82 2,86 2,90 2,94 2,98 3,01 3,05 3,09 3,12
2,9730 30 0,03 0,73 3,92 4,39 4,41 4,42 4,44 4,50 4,56 4,62 4,68 4,74 4,80 4,86 4,92 4,98
5,9460 60 0,06 1,46 8,08 9,26 9,31 9,32 9,38 9,51 9,64 9,76 9,89 10,01 10,14 10,27 10,39 10,52
6,9370 70 0,07 1,70 9,40 10,85 10,90 10,91 10,99 11,14 11,28 11,43 11,58 11,73 11,88 12,02 12,17 12,32
7,9280 80 0,08 1,93 10,66 12,38 12,45 12,46 12,55 12,72 12,89 13,06 13,23 13,39 13,56 13,73 13,80 13,97
8,9190 90 0,09 2,16 11,89 13,91 13,98 14,00 14,10 14,29 14,48 14,66 14,86 15,04 15,24 15,42 15,61 15,80
9,9100 100 0,10 2,38 13,08 15,39 15,47 15,49 15,60 15,81 16,02 16,23 16,44 16,65 16,86 17,07 17,28 17,39
Ic (mA)

Tabla 3

Figura 6: Gráfica de Ic en función de VCE

La zona celeste corresponde a la zona de saturación y la zona verde corresponde a la

zona activa, la zona de corte corresponde al punto de inicio, donde tanto Ic e Ib tienen
un valor de 0. La estrella corresponde al punto de operación, el cual corresponde a la
corriente de base 90 microamperios.
 Figura 7: Ic en función de VCE datasheet 2N3904
Con la gráfica del datasheet se observa un comportamiento similar en la zona de
saturación, debido a que en la figura 7 se lleva la corriente de colector a valores más
altos de los que se realizó en la práctica, en la zona activa se puede observar un
comportamiento similar, y la diferencia puede deberse a que se debieron tomar más
valores de VCE para que la gráfica obtuviera una forma más curvada como la de la
figura 7.
V. Anexos
Anexo 1: Montaje de la parte 1 de la práctica

Anexo 2