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Semana 04:
TEMA: TRANSISTOR BJT
Integrante:
1
Ing. Electrónica – Circuitos Electrónicos
I. Introducción
II. Desarrollo
1. EL TRANSISTOR BJT:
Conmutador
Resistencia
variable
La base suele ser mucho más estrecha que colector y emisor, que tampoco
suelen ser del mismo tamaño.
El emisor debe estar muy dopado, la base poco dopada y colector menos
dopado que el emisor.
TRANSISTOR EN CORTE:
TRANSISTOR EN
SATURACION:
Al estar las dos uniones
polarizadas en directa, la
tensión entre el colector y el
emisor en saturación será:
VCE = VBE-ON – VBC-ON
La tensión VBE-ON es
aproximadamente 0’7 V,
mientras que VBC-ON es de
0’5 V, por tanto, VCE=0’2V.
TRANSISTOR EN REGION
ACTIVA:
Al estar la unión B-E polarizada
en directa y la unión B-C en
inversa, se produce el “efecto
transistor” que se caracteriza
por:
- Conducción a través de
la unión B-C pese a estar
polarizada en inversa.
- La corriente de base es
muy inferior a la de
colector.
- La corriente de colector
es proporcional a la
corriente de base, es
decir, la corriente en
colector está controlada
por la corriente en la
base.