UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARIA

Facultad de Ciencias e Ingenierías Físicas y

Formales

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECÁNICA,

MECANICA-ELECTRICA Y MECATRONICA

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

INFORME: Transistor BJT

DOCENTE: Ing. Christiam G. Collado Oporto

INTEGRANTES:
- LAZO PORTALES, ALONZO JESUS
- LOYOLA CANALES, GASTON ALONSO
- MORAN TREVIÑO, KIHER JANDIR
- ROMERO BEJARANO, SANDRO FABRIZZIO

GRUPO: “06”
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LAB N° 03 Lab. CE1

TRANSISTOR BJT
JP: Ing. Christiam G. Collado Oporto

OBJETIVOS

Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.

Determinar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT
Analizar las características de transistores BJT
Calcular la curva de los transistores BJT

MARCO TEÓRICO

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen
dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que
se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que

si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas
(base), el entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta,
en un factor que se llama amplificación. Este factor se llama b
(beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:

 Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b

(factor de amplificación) por Ib (corriente que pasa por la
patilla base).
 Ic = β * Ib
 Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo
valor que Ic, sólo que, la corriente en un caso entra al
transistor y en el otro caso sale de él, o viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del

voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo
hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia
Vcc. Ver figura 1.
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En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a más corriente la curva es
más alta
Regiones operativas del transistor
Región de corte: Un transistor está en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (Como no
hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base = 0 (Ib =0)
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una
corriente de colector β veces más grande. (Recordar que Ic = β * Ib)
Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en
una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias
que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región es la mas importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como un amplificador.

CUESTIONARIO PREVIO
1. ¿Qué tipos de transistores existen según su tecnología de fabricación? Explique.
a. TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
Primer transistor, consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia
que se "ve" en el colector.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso, en
la actualidad ha desaparecido.
b. TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
El transistor de unión, se fabrica básicamente sobre un mono cristal de
Germanio o Silicio, que tienen cualidades de semiconductores, estado
intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el
diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy
controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores (cargas positivas).
Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al
Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre
corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo
y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación (impurezas adicionadas intencionalmente) entre
ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
c. TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO
El transistor de efecto campo es una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar
la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales,
empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal.
Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET, MOSFET y MISFET.
d. FOTOTRANSISTOR
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en
ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el
fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:
1.- Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
2.- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo
de iluminación).
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Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos,

etc. Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con
fotodiodos p-i-n.
También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando
forman parte de un sensor de proximidad.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED,
formando interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del
haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de
reflexión.

e. DISIPADORES DE CALOR
Un disipador es un componente metálico generalmente de aluminio que se
utilizan para evitar que los transistores bipolares se calienten y se dañen.
Por ello una manera de aumentar la potencia de un transistor es deshacerse
del calor interno del encapsulado.

f. TRANSISTOR DE POTENCIA
Son similares a los transistores comunes, con la diferencia que soportan altas tensiones
e intensidades que soportan, pero debido a ello también tienen que disipar altas
potencias y su recalentamiento es prolongado; para evitar el sobre calentamiento se
usa los disipadores.
Tipos de transistores de potencia:
- Bipolar.
- Unipolar o Transistor de Efecto de Campo.
- IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada).

2. ¿Qué materiales se utilizan en la fabricación de transistores? Indique sus características.

Los transistores suelen construirse de Ge o de Si según la técnica usada. Los transistores de aleación
prácticamente se usan sólo con el Ge, debido en gran parte a su temperatura de fusión mucho más baja que la
del Si.

Características:
El germanio e silicio forma parte de los elementos denominados metaloides o semimetales. Este tipo
de elementos tienen propiedades intermedias entre metales y no metales. En cuanto a su
conductividad eléctrica, este tipo de materiales al que pertenece el germanio, son semiconductores.
El estado del germanio en su forma natural es sólido. El germanio es un elemento químico de aspecto
blanco grisáceo y pertenece al grupo de los metaloides. El número atómico del germanio es 32. El
símbolo químico del germanio es Ge. El punto de fusión del germanio es de 1211,4 grados Kelvin o
de 939,25 grados Celsius o grados centígrados. El punto de ebullición del germanio es de 3093 grados
Kelvin o de 2820,85 grados Celsius o grados centígrados.
El estado del silicio en su forma natural es sólido (no magnético). El silicio es un elemento químico de
aspecto gris oscuro azulado y pertenece al grupo de los metaloides. El número atómico del silicio es
14. El símbolo químico del silicio es Si. El punto de fusión del silicio es de 1687 grados Kelvin o de
1414,85 grados Celsius o grados centígrados. El punto de ebullición del silicio es de 3173 grados
Kelvin o de 2900,85 grados Celsius o grados centígrados.
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3. ¿Qué curvas características nos permiten explicar el funcionamiento del transistor?

Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en la
representación de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente el paso de la región de corte a la
de saturación. En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica, puesto que el primero la VGS
positiva hace crecer rápidamente IG.

En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones lineal y de saturación
(Figura 9). En la región lineal, para una determinada VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensión VDS.
Sin embargo, este crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturación, en donde ID
sólo depende de VGS.

Nótese que, según esta gráfica, la región de saturación del JFET se identifica con la región activa normal de los
transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de colector sólo depende de la de base, aquí la magnitud
de control es la tensión VGS. Por el contrario, si la resistencia del JFET en la región lineal es muy pequeña puede
encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturación del BJT.

4. ¿En su estructura, en qué se diferencian los transistores PNP y NPN?

TRANSISTORES BIPOLARES NPN Y PNP
Es un componente semiconductor que tiene tres terminales BASE (b), EMISOR (e), COLECTOR (c) Internamente
está formado por un cristal que contiene una región P entre dos N (transistor NPN) * O una región N entre dos
regiones P, (transistor PNP) La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la polaridad de
sus electrodos
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un multímetro: Este dispone de dos orificios para
insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario
insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP.
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
1. ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente
constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parámetro lo suele proporcionar el
fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de colector dada (Ic); además de esto, suele
presentar una variación acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no
podemos conocer su valor. Algunos polímetros son capaces de medir este parámetro pero esta medida hay que
tomarla solamente como una indicación, ya que el polímetro mide este parámetro para un valor de corriente de
colector distinta a la que circulará por el BJT una vez en el circuito.
2. SATURACIÓN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos
digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.
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3. CORTE: El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y
podemos considerar las Corrientes que lo atraviesan prácticamente nulas (y en especial Ic).
4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de interés.

EQUIPOS Y MATERIALES

 Protoboard
 Resistencias
 Transistor BC548
 Multímetro
 Fuente DC
 Potenciómetros

PROCEDIMIENTO

Identificación del transistor.

Identifique los terminales del transistor BJT

Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM.

Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la lectura del DMM.

Tabla 1.
Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM
1 2 0
2 1 837
1 3 0
3 1 0
2 3 842
3 2 0

Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla.

Tabla 2.

Terminal BASE 2 (P)

Terminal COLECTOR 1 (N)
Terminal EMISOR 3 (N)
Tipo del Transistor NPN
Material del Transistor Si (Silicio)
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Esquema

1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor: deducción del tipo de transistor (NPN o
PNP en los BJT), configuración de cada patilla y β (hFE).

- Transistor: BC548B
- Tipo: NPN – BJT
- β (hFE) = 289

2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la correspondencia de cada
patilla, colocar adecuadamente en el multímetro para medir β en el caso de un BJT. De esta forma se puede deducir si
se trata de un PNP, de un NPN si son BJT’s.

3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de transistor, configuración de cada
patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima, β (hFE) y frecuencia de corte.
- VCEMax = 30 V, ICMax = 0.1 A, FCorte = 500 MHz

4. En el circuito, T1 = BC548B; Vref = 15V; Rb1= 4.7KΩ; Rb2 = 5MΩ; Rc1= 100Ω y Rc2 = 10KΩ. Se requiere ajustar Rb2
de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2 de forma de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo
en los distintos casos la corriente IC.

VCE = 0 V VCE = 0.5 V VCE = 1 V VCE = 1.5 V

Ib = 25uA Ic = 1.511 8.6 8.62 8.66
Ib = 50uA Ic = 1.511 15.05 16.67 17.0
Ib = 75 uA Ic = 1.511 19.9 25.17 25.22
Ib = 125 uA Ic = 1.511 27.4 37.2 37.6

5. Grafique VCE vs IC.

Vce Vs. Ic
37.2 37.6
40
27.4 25.17 25.22
30
19.9
15.05 16.67 17
20
8.6 8.62 8.66
10
1.511
0

Ic = Ic = Ic = Ic =
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6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para IB igual a 50uA, 75uA y
125uA. Grafique VCE vs IC para cada caso.

Características del Colector

a. Construya el circuito de la fig. 2.

b. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a 10uA como se indica en la Tabla
3.

c. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea de la Tabla 3.

d. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.

e. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores que aparecen en la Tabla 3. Notar que
IB CE.

f. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.

g. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor de V RB establecerá un nivel
diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.

h. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de I C = VRC / VC y el valor de IE = Ic + IB. Use los valores
medidos de Rc.

i. Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 La curva es I C vs. VCE para los
diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para Ic e indique cada valor de I B.

IC vc VCE
17.04
18.00
16.00 14.61
13.88
14.00
11.42 12.00
12.00 10.46 10.88
10.00 8.01 8.12
7.29 7.52 7.77
7.12
8.00
6.00 3.91 3.98 4.10
3.46 3.56 3.65 3.72 3.81
4.00
2.00
0.00
0 5 10 15 20
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Tabla 3
VRB (V) IB (μA) VCE (V) VRC (V) IC (mA) VBE (V) IE (mA) α β
(medido) (calculado) (medido) (medido) (calculado) (medido) (calculado) (calculado) (calculado)
3.3 10 2 3.39 3.46 0.66 3.47 0.997 345.92
3.3 10 4 3.49 3.56 0.65 3.57 0.997 356.12
3.3 10 6 3.58 3.65 0.65 3.66 0.997 365.31
3.3 10 8 3.65 3.72 0.65 3.73 0.997 372.45
3.3 10 10 3.73 3.81 0.64 3.82 0.997 380.61
3.3 10 12 3.83 3.91 0.64 3.92 0.997 390.82
3.3 10 14 3.9 3.98 0.63 3.99 0.997 397.96
3.3 10 16 4.02 4.10 0.63 4.11 0.998 410.20

6.6 20 2 6.98 7.12 0.67 7.14 0.997 356.12

6.6 20 4 7.14 7.29 0.66 7.31 0.997 364.29
6.6 20 6 7.37 7.52 0.66 7.54 0.997 376.02
6.6 20 8 7.61 7.77 0.65 7.79 0.997 388.27
6.6 20 10 7.85 8.01 0.64 8.03 0.998 400.51
6.6 20 12 7.96 8.12 0.64 8.14 0.998 406.12
6.6 20 14 - - - - - -

9.9 30 2 10.25 10.46 0.68 10.49 0.997 348.64

9.9 30 4 10.66 10.88 0.67 10.91 0.997 362.59
9.9 30 6 11.19 11.42 0.66 11.45 0.997 380.61
9.9 30 8 11.76 12.00 0.64 12.03 0.998 400.00
9.9 30 10 - - - - - -

13.2 40 2 13.6 13.88 0.68 13.92 0.997 346.94

13.2 40 4 14.32 14.61 0.67 14.65 0.997 365.31
13.2 40 6 - - - - - -
13.2 40 8 - - - - - -

16.5 50 2 16.7 17.04 0.69 17.09 0.997 340.82

16.5 50 4 - - - - - -
16.5 50 6 - - - - - -
16.5 50 8 - - - - - -

Variación de α y β
Para cada línea de la Tabla 3 Calcule los niveles correspondientes de α y β usando las siguientes ecuaciones:

α = Ic / IE
β = Ic / IB
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CUESTIONARIO FINAL
1. La gráfica VCE vs IC, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el eje ‘x’ i ‘y’ qué
representan?
Representa la recta de carga del BJT, donde se puede apreciar la zona de corte y de saturación
y los puntos de trabajo del transistor.

2. ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?
Los puntos de trabajo son distintos para cada caso de corriente de base, siendo la zona de corte
igual para cada uno y a mayores voltajes suben de forma proporcional a la corriente de base.

3. ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da esta caso en la práctica?
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros terminales; se dice
entonces que el transistor está en corte, es como si se tratara de un interruptor abierto. El transistor
está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se permite la circulación
de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor
cerrado.

4. Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿Se logra en la práctica?

Para que el transistor entre en saturación, la VCE = 0, en teoría entre el colector y el emisor habrá
un cortocircuito, en realidad la VCE nunca es cero, pero para facilitar los cálculos se asume que es
cero.

5. Indique la relación entre IC e IB que encontró en la práctica.

IC e IB se determinan en un punto de operación particular en las características. Para dispositivos
prácticos el nivel de β por lo general varía de aproximadamente 50 a más de 400, con la mayoría
de los valores en el intervalo medio.
Los valores para β encontrados en la práctica están la Tabla 3.

CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES

 Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del
emisor, la región de la base y la región del colector.
 El transistor permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.
 Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente
que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente.
 Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está
en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (I C) depende
principalmente de la corriente de base (IB).
 Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en
electrónica analógica.
 NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren
a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.
 La ganancia de corriente emisor común está representada por (β) hFE. Esto es aproximadamente
la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región activa
directa y es típicamente mayor a 100.
 Se recomienda ver la data sheet del transistor proporcionada por el fabricante en caso de no tener
algún dato.