> Laboratorio Nº X: Nombre de la práctica Grupo:a Subgrupo: b< 1

Guia N°3
Dispositivos de 3 Terminales

Juan Alejandro Fernández Crespo

20191176187
Daniel Felipe González Fonseca
20191177932

GUIA: 8 mA 4
1. Para el transistor BJT ¿Cuál de las corrientes del transistor I C= = A ≅ 7.92 mA
1 505
es siempre la mayor? ¿Cuál es siempre la menor? ¿Cuáles de
las dos corrientes son relativamente cercanas en magnitud? ( 1+
100)
Solución:
1
-IE :esta corriente siempre será mayor ya que es la suma de I B= (7.92 mA)≅ 79.207 μA
tanto Ic como de IB
100

-IB :Esta corriente siempre es menor debido a el diseño del

transistor BJT es una corriente muy muy pequeña la que entra
por la base
Actividades Intermedias
3.Para el siguiente inversor NMOS K1= 1mA/V2, K2 =
- I C ≅ I B :para ambas corrientes su magnitud es muy parecida
4mA/V2, VTR1= VTR2 = 1V, si Vin = 2V y V DD=12V, determine
ya que Ie al ser la suma entre las corrientes de colector y base los valores de ID1, ID2 y Vo
toma la mayor parte de su magnitud de la corriente de colectro
esto por que la corriente de base posee una magnitud de
corriente muy muy pequeña.

2.Si la corriente del emisor de un transistor es de 8mA e I B es

de 1/100 de IC, determine los niveles de IC e IB

Solución:

I E =I C + I B
1
Reemplazamos I B= I
100 C
1 1
I E =I C + I C =I C (1+ )
100 100
Así pues, reemplazamos:

Solucion:

1 Observamos la configuracion del circuito y podemos ver que

8 mA =I C 1+ ( 100 ) ciertos factores para este circuito se cumplirán de forma que:

I D 1 =I D 2
> Laboratorio Nº X: Nombre de la práctica Grupo:a Subgrupo: b< 2

canal P tiene parámetros K1=-0.25 mA/V2 y VTR1 = -1V. el

V GS 2=V DS 2
Con esto en cuenta podemos realizar el problema utilizando
primero la ecuación(debido a que las igualdades anteriores nos
confrimar el estado de corriente continua):
dispositivo de canal N operará en la región de corriente
constante siempre que V2 no se haga demasiado pequeño.
¿Para qué valor de V1 entrará Q2 en la región tríodo si
VDD=10V?

I D 1 =I D 2=K 1 (VGS 1−Vtr )2

Observando que el voltaje en la configuración VGS1 es el

mismo voltaje de entrada en el mosfet 1 que denominamos
Vin podemos hacer la ecuación tal que:

I D 1 =I D 2=K 1 (Vin−Vtr )2
5.Diseñe un inversor lógico empleando un transistor BJT que
reemplazando valores: permita obtener para un voltaje de entrada bajo (0V) un
voltaje de salida de (5V) y para un voltaje de entrada alto (Vin
I D 1 =I D 2=1 mA /V 2 ( 2 V −1 V )2=1 mA >1V) un voltaje bajo en la salida (0.2V).

Solución:

Posteriormente podemos hallar finalmente el valor de voltaje Usaremos un esquematico de transistores para obtener las
de salida compuertas lógicas que necesitamos:

V o =VDD−¿

Reemplazando:
V o =12V −¿

4.Un MOSFET de canal N con VTR = 1V, lleva una corriente

ID = 1mA, VGS = 2V y VDS = 5V, para este dispositivo ¿Cuál es
el valor de K?

Observamos que el mosfet estará en región de corriente

constante así que utilizamos la formula.
Ahora realizamos el análisis teniendo en cuenta que
2 necesitamos que cuando halla un 1 logico la entrada en la
I D =K (VGS−Vtr )
Despejamos K salida habrá un 0 y si hay un 0 logico en la entrada habrá un
1,no colocaremos una resistencia en el emisor para facilitarnos
ID el diseño y tener una salida de voltaje fija entre 0 y 5 voltios.
K=
( VGS−Vtr )2 Ahora analizamos para las dos zonas de trabajo:

Zona de saturación:
1 mA
K= =1 mA /V 2
( 2 V −1 ) 2 VCC
V ce ≅ 0 → I c ( max )=
RC

Actividades Finales Podemos ver que cuando el voltahje colectro emisor alcanza
4.Considere el siguiente circuito, el dispositivo de canal N valores muy cercano a cero o en este caso el estado de
tiene parámetros K2=1mA/V2 y VTR2= 1V, el dispositivo de saturación pondr en el voltaje de salida 0 voltios obteniendo
nuestra primera compuerta y esto se dará cuando Ic alcance un
> Laboratorio Nº X: Nombre de la práctica Grupo:a Subgrupo: b< 3

valor máximo y esta misma variable depende de la corriente

de base o de entrada de la forma que:

I c =β I B
Logrando una relación directa entre el voltaje de salida y el
voltaje de entrada.

Zona de corte:

V CE =VCC → I C =0
Esto nos quiere decir que para que tengamos una señal de
salida fija debemos quitar la caída de voltaje de la resistencia
RC haciendo que la corriente de colector sea 0 Observamos en el diseño que para la primera condición que
establece que un voltaje de entrada 0 habra una salida de 5v
I c =β I B fijos debemos colocar el circuito en zona de corte conectando
la base del transistor a tierra.
Por lo tanto, necesitamos que en la entrada IB sea igual a 0
haciendo que nuestra segunda compuerta lógica se active de Para la segunda condición que dice que un voltaje de entrada
forma que si en la entrada hay un 0 logico en la salida habrá Vin>1V colocaremos el transistor en zona de corte para
un 1 logico. obtener un voltaje de salida de 0.2V conectando la base a la
fuente de entrada con el switch y utilizando los valores
Diseño:
calculados para saturación.
Utilizaremso un transistor BJT 2n2222 npn donde β=150
Definimos una corriente de saturación en 10mA y una fuente
de voltaje VCC=5V

5V REFERENCIAS
RC = =500 Ω
10 mA
[1] Disponible en la web:
10 mA http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap03.htm
I B= =66.66 μA
150
Denominamos un voltaje de entrada Vin o V1 como un valor
mayor a 1 como 10 v

10 V −0.7 V
RB ≈139513 Ω
66.66 μA
Pero queremos asegurarnos de que el circuito este en
saturación cuando a este se le pida por ende si tomamos un
valor emnoa este de RB matemáticamente aseguraremos que
Ic crecerá ya que IB crece en su magnituda y nos coloca en
saturación, por ende

139513Ω
R B= =69756Ω
2
> Laboratorio Nº X: Nombre de la práctica Grupo:a Subgrupo: b< 4

Juan Alejandro Fernández Crespo

20191176187 autoevalucaion:4.8
Daniel Felipe González Fonseca
20191177932 autoevalucion:4.8
> Laboratorio Nº X: Nombre de la práctica Grupo:a Subgrupo: b< 5

ANEXO: SIMULACIÓN
Imagen de simulacion del punto 2 actividades finales
,aumentado para observar mejor