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(2 ,5 y 8)
a) la corriente que se consume en la fuente Vcc cuando una entrada de una NANO está ~
en BAJO I e.e.\-\ . . . ,., (' J.,l,~ .¿ ~
b) cuando una salida en BAJO recibe corriente de la entrada del cIrcuIto ~ue íl')a¡neJa9-A-' ""\o
c) él intervalo de valores de Vcc permitidos para TTL LS. LI, . =t-5\J O... ~ .>t_SV
(3,6 y 9) t.
a) el tiempo requerido para que una salida cambie del estado 1 al O Pt\L ~ -, 0 di~
b) el número de entradas distintas que puede manejar una salida en fo~a ..s~fl:lra . ';., =.u
O _ ~ \. ~
c) cuando una salida en AL TO suministra corriente a una c a r g a ~ ~ e,~ f-'\J ~Q., ..
1. b) ¿Cuáles de las siguiente son ventajas que, por lo general, CMOS tiene en
comparación con TTL?
(0 ,4 y 7)
)(i. Mayor densidad del encapsulado b) Menor impedancia de salida
-~ Menor Po (por debajo de 1 MHz)
1zs y 8) '
a) Mayor velocidad ~Proceso de fabricación más simple
~Los transistores son el único elemento del circuito
(3 ,6 y 9)
"'A. Mayor capacidad de carga )Q__Es más apropiado para la LSI.
c) Menor capacitancia de entrada
4. a) PAR: Calcular la ganancia del circuito amplificador operacional de la figura para los
dos estados de la entrada SELECCIÓN GANANCIA. Este circuito muestra el
principio básico de la amplificación de señales mediante el control digital.
b) IMPAR: Explicar si el circuito de la figura funcionará correctamente. Si no funciona,
explicar en forma breve pero clara si es posible hacerlo funcionar sin usar
lógica adicional. Dibujar el circuito resultante.
5. a) PAR: Dibujar el circuito lógico (usando los símbolos de los transistores) de una
com~u~rta NA_ND _CMO~ de dos entradas con salida tipo drenaje abierto.
b) IMPAR: D1buJar el circuito lógico (usando los símbolos de los transistores) de una
compuerta NOR CMOS de dos entradas con salida tipo drenaje abierto. ,
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1
CMOS TTL 1
1 l
' Parámetro 4000B 74HC 74HCT 74/1,C 74ACT' 7.CAHC 74AHCT 74 74LS · 74ÁS 74AI..S
l~H(mln) 3.5 3.5 2.0 3.5 2.0 3.85 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0
ViL(mllx) 1 .5 1.0 0.8 1.5 o.a 1.65 o.a o.a o.a o.a o.a
VoH(mln) 4.95 4.9 4.9 4.9 4.9 4.4 3.15 2.4 2.7 2.7 2.5
VoL(mllx) 0 .05 o., o., 0.1 o., 0.44 o., 0.4 0 .5 0.5 0.5
1 · CMOS, ;.<
¡>,,, TTl.. .< ~. ., .. l
¡ Parámetro 4000B 74HC/HCT 74A~/ACT 74AHC/AHCT ,i J4ts ·. 74~5 74ÁLS ' ,.•74F , 1
lu;(máx) 1 µA 1 µA 1 µA 1 µA 40 A 20µA 20µA 20µA 20µA
/!L{máx) 1 µA 1 11.A 1 µA 1 µA 1.6mA 0.4 rnA 0.5 mA 100A 06mA
loH(máx) 0.4mA 4mA 24 rnA B rnA 0.4 mA 0.4 mA 2mA 400mA 1.0 rnA
loL(máx) 0.4mA 4mA 24 mA 8 mA 16mA 8mA 20mA BmA 20mA
4 a) 4 b)
100 kil