LABORATORIO DE ELECTRONICA II

(EE-442O)
Informe Previo 1: AMPLIFICADOR MULTIETAPA
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú
Zavala Magariño Daniel Cama Raymundo Jesús Josemaría Perez Gil José Luis
zavala2891997@gmail.com jesuscamaraymundo@gmail.com joseperu2503@gmail.com
20160593D 20160602C 20160110C

1. Detallar las condiciones para los que un BJT 𝑑𝐼𝑐2 −𝛽

y/o FET puede operar en baja frecuencia. =
𝑑𝑉𝑏𝑒 𝑅𝑏 + (𝑅7 + 𝑅8)(1 + 𝛽)
Finalmente:
Se necesita linealidad entre las características de
𝑑𝐼𝑐2
la señal de entrada y la salida. Es necesario que
tenga pequeña amplitud, aproximadamente menor 𝑑𝑇
a los 25Mv Y frecuencias bajas entre los 100 a los 1+𝛽 𝑑𝐼𝑐𝑏𝑜
=( ).
10KHz. 𝑅7 + 𝑅8 𝑑𝑇
1+( )
𝑅𝐵 + 𝑅7 + 𝑅8
−𝛽 𝑑𝑉𝑏𝑒
2. Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en +( ).
𝑅𝐵 + (𝑅7 + 𝑅8)(1 + 𝛽) 𝑑𝑇
estudio, escriba la ecuación 𝒅𝑰𝒄𝟐/𝒅𝑻 , tal que
𝑰𝒄𝟐 = 𝒇(𝑰𝒄𝒃𝒐, 𝑽𝒃𝒆) y considerando que los BJT 3. Fundamente las razones por los que se diseña
son de silicio. la ganancia y otros parámetros de un
Amplificador independiente del 𝒉𝒇𝒆,𝒉𝒊𝒆, etc,
Se sabe que: del BJT por ejemplo.
𝑑𝐼𝑐 𝑑𝐼𝑐 𝑑𝐼𝑐
𝑑𝐼𝑐 = 𝑑𝐼𝐶𝐵𝑂 𝑑𝐼𝐶𝐵𝑂 + 𝑑𝑉𝑏𝑒 𝑑𝑉𝑏𝑒 + 𝑑𝛽 𝑑𝛽
Pero el enunciado nos indica que depende de ICBO Eso se debe a que estos parámetros varían con la
y Vbe. temperatura, dicho comportamiento es indeseado
Entonces, ya que se requiere una amplificación constante
𝑑𝐼𝑐 𝑑𝐼𝑐 𝑑𝐼𝐶𝐵𝑂 𝑑𝐼𝑐 𝑑𝑉𝑏𝑒 para cualquier temperatura. Es por ello que se
= . + .
𝑑𝑇 𝑑𝐼𝐶𝐵𝑂 𝑑𝑇 𝑑𝑉𝑏𝑒 𝑑𝑇 busca la amplificación en función de las
La corriente en el colector de Q2 es resistencias.
𝐼𝑐2 = (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵𝑂 + 𝛽𝐼𝑏
Si derivamos respecto a Ic2:
𝑑𝐼𝐶𝐵𝑂 𝛽𝑑𝐼𝑏2
1 = (𝛽 + 1) +
𝑑𝐼𝑐2 𝑑𝐼𝑐2
Despejando
𝑑𝐼𝑐2 1+𝛽 1+𝛽
= =
𝑑𝐼𝐶𝐵𝑂 1 − 𝛽. 𝑑𝐼𝑏2 𝑅7 + 𝑅8
1 + 𝑅𝑏 + 𝑅7 + 𝑅8
𝑑𝐼𝑐2
Para la malla de la base-emisor de Q2 se tiene:
𝑉𝑏 = 𝐼𝑏2𝑅𝑏 + (𝐼𝑐2 + 𝐼𝑏2)(𝑅7 + 𝑅8)
Se deriva respecto a Ic2
4. Diseñe el circuito amplificador ARGOS 1 bajo
las siguientes premisas:
 Fuente de Operación DC 12V
 Elementos Activos 2N2222A o similar
 Señal de prueba 1 KHz 10 mV con
resistencia 10 KΩ
 Corrientes 𝐼𝑐𝑞 mayor o igual a 1 mA
 Frecuencia de Corte fi = 100 Hz y fs = 5
KHz
 Ganancia a frecuencias medias 350
(aprox.)

CIRCUITO ARGOS 1:

Respuesta del amplificador ARGOS 1 a una onda

de prueba de 1kHz.

5. Simular el circuito y grafique los principales

parámetros del amplificador.
6. Comprobar que las junturas Base-Emisor
trabajan en el régimen lineal y de mínima
Distorsión armónica, basado en los diagramas
de bode del circuito ARGOS 1 obtenidos de
la simulación.
 V7 vs V6:

Se observa q los transistores trabajan

aproximadamente 0.7 v. V9 vs V1:

Se observa que los transistores están polarizados

Linealmente.
7. Presente los diagramas de bode obtenidos de
la simulación.

V2 vs V1:

V12 vs V9:

V6 vs V1:
V15 vs V12: 8. Implementación
Equipo y Material Básico:
 1 Osciloscopio
 1 Generador de Señales
 1 Multímetro digital
 1 Fuente DC
Lista de Componentes:
 Transistores:
Q1, Q2, Q3, Q4 2N2222A
 Resistencias
R1, RL 10 KΩ
R2 100 KΩ
R3, R9 68 KΩ
R4, R8 2.2 KΩ
R5, R11 3.9 KΩ
V16 vs V12:
R6, R13 3.3 KΩ
R7, R14 100 Ω
R9 68 KΩ
R10 22 KΩ
R12 1.5 KΩ
R15 680 Ω
 Capacitores
C1,C4 0.22 µF
C2,C5 47 µF
C3 0.15 µF
C6 1.8 nF
C7 1.2 nF
9. Bibliografía

[1] Rashid, Muhammad H, “Circuitos

V16 vs V1: Microelectrónicos”,
México D.F. Internacional Thomson Editores ,
2000.
[2] Kunst Zurich. Amplificadores diferenciales.
[En línea].http://www.slideshare.net/Volta/tema-
7amplificador-diferencial-presentation