2016

AMPLIFICACION Y
ACONDICIONAMIENTO DE
SEÑ ALES

PROYECTO FINAL:
Profesor: ROLANDO SIBAJA PALAFOX
“DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR CLASE AB”

INTEGRANTES:

SANTIAGO BAEZ EDGAR

MARTINEZ MENDEZ ADRIAN
13/06/2016
INTRODUCCION

ESTRUCTURA DE UN BJT

La estructura básica de un transistor de unión bipolar (BJT) determina sus características de

operación. En esta sección aborda la forma en que se utilizan materiales semiconductores para
formar un BJT; usted aprenderá, además, los símbolos estándar de BJT.
Al terminar esta sección, usted será capaz de:
◆ Describir la estructura básica del BJT (transistor de unión bipolar)
◆ Explicar la diferencia entre la estructura de un transistor npn y un pnp
◆ Identificar los símbolos para transistores npn y pnp
◆ Nombrar las tres regiones de un BJT y sus designaciones

El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas
por dos uniones pn, como lo muestra la estructura plana epitaxial de la figura 4-1(a). Las
tres regiones se llaman emisor, base y colector. En las figuras 4-1(b) y (c) se muestran
representaciones
físicas de los dos tipos de BJT. Un tipo se compone de dos regiones n separadas por
una región p (npn) y el otro tipo consta de dos regiones p separadas por una región n (pnp). El
término
bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de corriente
en la estructura de transistor.

Figura1.

Construcción Básica de un BJT

La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión base-emisor.
La unión pn que une la región de la base y la región del colector se llama unión base-colector, como
la figura lo muestra: un conductor conecta a cada una de estas tres regiones. Estos conductores
se designan E, B y C por emisor, base y colector, respectivamente. La región de la base
está ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las regiones del emisor,
excesivamente
dopada, y la del colector, moderadamente dopada.
 Figura2.

Características y Parámetros de un BJT

Dos parámetros importantes, β CD (ganancia de corriente de cd) y α CD se introducen y utilizan

para analizar un circuito BJT. Además se presentan las curvas características de un transistor
y usted aprenderá cómo se puede determinar la operación de un BJT con estas curvas.
Finalmente, se discuten los valores nominales máximos de un BJT.

Beta de cd ( β CD) y alfa de cd (α CD)

La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd del colector

(IC) entre la corriente de cd de la base (IB) y se expresa como beta de cd (βCD).

β IC
CD=
IB

Los valores típicos de β CD van desde 20 hasta 200 o más, β CDnormalmente se expresa como un
parámetro híbrido (h) equivalente, h FEen hojas de datos de los transistores.

h FE= β CD

El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor (IE) es el
alfa de cd (α CD ¿.

α IC
CD=
IE

Saturación

Cuando la unión base-emisor se polariza en directa y la corriente en la base se incrementa, la

corriente
en el colector también lo hace (IC _ β CDIB) y VCE se reduce a consecuencia de más caída
a través del resistor del colector (VCE _ VCC _ ICRC) (figura 4-14). Cuando VCE llega a su valor
de saturación, VCE(sat), la unión base-colector se polariza en directa e IC ya no puede
incrementarse
más, incluso con un incremento continuo de IB. En el punto de saturación, la relación IC _
β CDIB ya no es válida. VCE(sat) para un transistor ocurre en alguna parte debajo de la inflexión de
las curvas de colector y normalmente es de sólo unos cuantos décimos de un volt.

Saturación: Conforme IB se incrementa

a medida que VBB lo hace, IC también se
incrementa y VCE se reduce a causa de la
caída de voltaje incrementada a través
de RC. Cuando el transistor se va a saturación,
I C ya no se incrementa más pese
al incremento adicional de IB. Las uniones
base-emisor y base-colector se polarizan
en directa.

Figura3.

El BJT como Amplificador

Amplificación es el proceso de incrementar linealmente la amplitud de una señal eléctrica y es

una de las propiedades importantes de un transistor. Como lo aprendió, un BJT presenta una
ganancia
de corriente (llamada β ). Cuando se polariza un BJT en la región activa (o lineal), como
previamente se describió, la unión BE tiene baja resistencia debido a la polarización en directa y
la unión BC tiene una alta resistencia debido a la polarización en inversa.

Esta aplicación es la base de nuestro diseño de la segunda etapa de nuestro amplificador que nos va
a interesar utilizar.

Amplificación de voltaje mediante un transistor

Como ya se aprendió, un transistor amplifica corriente porque la corriente al colector es igual a

la corriente en la base multiplicada por la ganancia de corriente, β. La corriente en la base en un
transistor es muy pequeña comparada con las corrientes en el colector y emisor. Por eso, la corriente
en el colector es aproximadamente igual a la corriente en el emisor.
 Figura4.

El Punto de Operación en CD

Un transistor debe ser apropiadamente polarizado con un voltaje de cd para que opere
como amplificador lineal. Se debe ajustar el punto de operación en cd de modo que las
variaciones de la señal en la terminal de entrada se amplifiquen y reproduzcan con
precisión en la terminal de salida, cuando se polariza
un transistor se establece el voltaje de cd y los valores de corriente. Esto significa, por
ejemplo, que en el punto de operación en cd, IC y VCE tienen valores especificados. El
punto de operación en cd a menudo se conoce como punto Q.

El JFET

El JFET (transistor de efecto de campo de unión) es un tipo de FET que opera con una
unión pn polarizada en inversa para controlar corriente en un canal. Según su estructura, los
JFET caen dentro de cualquiera de dos categorías, de canal n o de canal p.

Figura5.
Operación Básica

El JFET siempre opera con la unión pn de compuerta-fuente polarizada en inversa. La polarización

en inversa de la unión de compuerta-fuente con voltaje negativo en la compuerta produce
una región de empobrecimiento a lo largo de la unión pn, la cual se extiende hacia el canal n, y
por lo tanto, incrementa su resistencia al restringir el ancho del canal.
El ancho del canal y, consecuentemente, su resistencia pueden controlarse variando el voltaje en
la compuerta, controlando de esa manera la cantidad de corriente en el drenaje, ID.

Características y Parámetros de JFET

El JFET opera como un dispositivo de corriente constante controlado por voltaje. En esta
sección se abordan el corte y el estrangulamiento, así como las características de transferencia
del JFET.

Transconductancia en directa de un JFET

La transconductancia en directa (conductancia de transferencia), gm, es el cambio de la corriente

en el drenaje (∆ I D ) correspondiente a un cambio dado del voltaje entre compuerta y fuente
(∆V GS) con el voltaje entre drenaje y fuente constante. Se expresa como un cociente y su unidad
es el siemens (S).

∆ ID
gm =
∆ V GS

Otras designaciones comunes para este parámetro son gfs y y fs (admitancia de transferencia en
directa).
Como se verá en el capítulo 9, gm es importante en amplificadores con FET como factor
importante al determinar la ganancia de voltaje.
Debido a que la curva de transferencia de un JFET no es lineal, gm cambia de valor de acuerdo
con la ubicación en la curva determinada por VGS. El valor de gm es más grande cerca del extremo
superior de la curva (cerca de VGS_0) que cerca del extremo inferior (casi VGS(corte))
 gm varía según el punto de
polarización (VGS).

Figura6.

Polarización con Divisor de Voltaje

La figura muestra un JFET de canal n con polarización mediante divisor de voltaje. Éste, en
la fuente del JFET, debe ser más positivo que el voltaje en la compuerta para mantener la unión
compuerta-fuente polarizada en inversa.

Un JFET de canal n con

polarización mediante
divisor
de voltaje (IS _ ID).
Figura7.

MARCO TEORICO

NI MULTISIM
NI Multisim (anteriormente MultiSIM) es un sistema electrónico de captura esquemática
programa de simulación y que forma parte de un conjunto de programas de diseño de circuitos,
junto con NI Ultiboard . Multisim is one of the few circuit design programs to employ the original
based software simulation. Multisim es uno de los pocos programas de diseño de circuitos para
emplear el original Berkeley SPICE software de simulación basado. Multisim was originally
created by a company named , which is now a division of . Multisim fue creado originalmente por
una compañía llamada Electronics Workbench , que es ahora una división de National Instruments .
Multisim includes microcontroller simulation (formerly known as MultiMCU), as well as integrated
import and export features to the layout software in the suite, . Multisim incluye la simulación
microcontrolador (anteriormente conocido como MultiMCU), así como las características
integradas de importación y exportación a la placa de circuito impreso software de diseño en el
baño, NI Ultiboard .

Multisim is widely used in academia and industry for circuits education, electronic schematic
design and SPICE simulation. Multisim es ampliamente utilizado en el mundo académico y la
industria para la educación circuitos, diseño esquemático electrónico y simulación SPICE.

Figura8.

Desarrollo
 Figura9.

En la figura se puede observar el circuito teorico de diseño del amplificador que a continuation se
incluyen los calculos de diseño.

Para el desarrollo de la actividad se van a proponer los siguientes datos:

* VCC = 12 [V]
* RL = 39[KΩ]
* R8 = RC = 390[Ω]
* ICQ = 5 [mA]
* VCEQ = 6 [V]

Se tiene también el transistor BC547A el cual cuenta con una β minCD=125

Se comenzara por la etapa del transistor, ya que contamos con los datos propuestos
será la más directa de trabajar.
Calculo de r’e
25 [mV ]
r ' e=
I QC

25 [ mV ]
r ' e= = 5[Ω]
5 [ mV ]

Calculo de RE

VCC −VCEQ
ℜ= -RC
IC

RE = 810[Ω]

Calculo de R9

10 r ' e ≤ R 9 ≤ ℜ

Con esta condición obtenemos la siguiente formula.

R 9=10r ' e

R 9=10 ( 5 [ Ω ] )

R 9=50 [ Ω ]

Se tendría como valor R9=47[Ω] ya que es el valor comercial. Cuando se realicen las pruebas en el
circuito se verá como es el comportamiento del circuito con esta resistencia. En caso de que el
circuito sea afectado por este cambio se ajustara para que tenga un funcionamiento óptimo.

RE es la resistencia total del emisor y se tiene tres resistencias, por lo cual se tendrá que repartir
equitativamente 810[Ω] a esas resistencias.

Obtendríamos

ℜ=R 9 A + R 9 B+ R 11

ℜ=50 [ Ω ] +270 [ Ω ] +500[Ω]

Calculo de R6
Calculo de R7
La amplificación total quedaría como:

Con los datos obtenidos podemos simular la segunda etapa del circuito en modo DC y
conocer así su comportamiento.
Los datos obtenidos son:
El circuito ensamblado en modo DC quedaría como en el siguiente diagrama
Figura10.
Se puede apreciar que el voltaje Colector-Emisor es el buscado con los cálculos. También notamos
que la resistencia R9 aunque no es la que calculamos nos permite trabajar con buenos resultados.

Ahora probamos el circuito en modo AC

 Figura11.

Con el osciloscopio podemos observar que no hay distorsión en la señal. También podemos
observar que se obtuvo una Delta = 3.92 [V].

Calculo de la Primera Etapa

Para esta etapa propondremos VG = 3.5 [V] y sabemos que VGSQ= -0.06 [V]

R3 se asigna con ese valor ya que es el comercial más cercano al valor del cálculo.
Calculamos AV

Ahora calculamos RD

Calculamos RL

R11 no está en la ecuación ya que lo que estamos calculando es en ganancia máxima y para eso
tenemos que poner el potenciómetro en 0[Ω]

Despejamos a RD
En este último cálculo nos percatamos de que tenemos una resistencia negativa así que
compensamos el circuito con R9B.

La primera parte en CD quedaría.

Figura12.

Los valores obtenidos por los multímetros son

 Figura13.

Con el valor obtenido por el multímetro XMM1 vemos que la corriente IS corresponde a la
corriente calculada.

Y en AC el diagrama es el siguiente
 Figura14.

Con el osciloscopio podemos observar que no hay distorsión en la señal. También podemos
observar que se obtuvo una Delta = 217 [mV].

Acoplamiento de las dos etapas.

 Figura15.

Mediante la lectura de los multímetros nos percatamos de que los valores en el transistor no son
lo que se calcularon y que están por debajo de lo requerido por el diseño.

Figura16.

Al acoplar las dos etapas con los valores obtenidos y aumentando la ganancia al máximo
obtenemos una Delta = 3.5 [V]. Por lo tanto el diseño se tendrá que ajustar para poder
obtener los 3 Vp deseados.
Lo primero que haremos será aumentar el voltaje VB esto se lograra aumentando la resistencia R8,
iterando valores se encontró que la resistencia comercial adecuada para obtener VRL≈ 3Vp es 1.2
[KΩ].

Con el osciloscopio obtenemos la siguiente gráfica

 Figuea17.

La señal se distorsiona en la parte negativa, pero se obtuvo un Delta aproximado al que

deseamos.
El siguiente paso es hacer que la señal no se sature o se reduzca la saturación. La resistencia RD se
modificara para hacer que el acoplamiento sea mejor entre las dos etapas, después de las
iteraciones de valor se encontró que la resistencia comercial más adecuada para el acoplamiento
es RD=1.5 [KΩ].

La señal mostrada por el osciloscopio es la siguiente.

Figura18.

Se puede observar que el Delta se redujo de 5.77 [V] a 5.2 [V] pero la señal está menos satura.
El siguiente paso es hacer que la señal no se sature en la parte negativa. EL valor que será
cambiado es el de R6. El valor final para R6 = 6.6 [KV] este valor es comercial y nos permite tener
el Delta deseado.

La gráfica muestra el Delta y el valor pico deseados.

Figura19.

Circuito Rediseñado para trabajar

 Figura20.

El valor inicial del Delta es 712[mV]

 Figura21.

Con este circuito rediseñado obtenemos Delta = 6 [V] y el valor RL≈3 Vp así como una
compensación térmica con R9B.
Por lo tanto nuestro diseño cumple con las especificaciones de diseño requeridas.

Circuito Físico Y Ajustado

Figura22.
Interfaz de Potencia

Para finalizar incluimos la interfaz de potencia para acoplar la bocina de nuestro amplificador clase
AB, que básicamente empleamos un par de transistores Darlington NPN y PNP, TIP142 y TIP147.
VCC
20V
R5
R6
470Ω
10kΩ
25 %
Key=A
XSC1
Q3
TIP142G
Tektronix
D4EsteDiodoNoVaEnLPlaca
1N4001 P 1 2 3 4 T
G

D1
1N4001

D2
1N4001

R1 C1 XMM1

D3 470KΩ 2200µF
1N4001

Q1
R2
TIP147G
4Ω

R3 C2 Q5
2N3904
V1 100Ω 220µF
R7
3Vpk
1kHz 10kΩ
0° 100 %
Key=A
R4Ponerde120

470Ω VEE
-20V

Figura23.

Conclusiones
No siempre los valores obtenidos son los adecuados para poder hacer que el circuito trabaje de la
manera que deseamos. En este caso aun que se probaron por separado las dos etapas y se
mostraron resultados positivos, al momento de acoplar los resultados no fueron los esperados. Sin
embargo siempre se puede ajustar el circuito para poder obtener el resultado deseado.

Apéndice

*Hoja Técnica de especificaciones de transistor BC547A

*Hoja Técnica de especificaciones de JFET 2SK117

Bibliografía.
Dispositivos Electrónicos, Thomas L.Floyd, 8 ª edición, Alfaomega.
Apuntes de clase de Amplificación y Acondicionamiento de Señales.