TRANSISTOR BIPOLAR PNP AC128
CARACTERSTICAS BSICAS
CDIGO : AC128
DESCRIPCIN Y APPLICACION : PNP-Ge
ESTILO DE CAJA : T01
MXIMA CORRIENTE DE COLECTOR (Ic) : 1 A
VOLTAJE COLECTOR EMISOR: 32 V
VOLTAJE BASE COLECTOR : 32 V
VOLTAJE BASE COLECTOR : 10 V
CORRIENTE DELATERA TPICA HFE () : 90
MXIMA DISIPACIN DEL COLECTOR : 1.4 watts
FRECUENCIA TPICA : 1.5 MHz
TRANSISTOR BIPOLAR NPN 2SC784
CARACTERSTICAS BSICAS
CDIGO : 2SC784
DESCRIPCIN Y APPLICACION : NPN-Si
ESTILO DE CAJA : T092
MXIMA CORRIENTE DE COLECTOR (Ic) : 0.05 A
VOLTAJE COLECTOR EMISOR: 40 V
VOLTAJE BASE COLECTOR : 40 V
VOLTAJE BASE COLECTOR : 4 V
CORRIENTE DELATERA TPICA HFE () : 30 (mn)
MXIMA DISIPACIN DEL COLECTOR : 0.425 watts
FRECUENCIA TPICA : 600 MHz
. TEMA: EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP. CARACTERSTICAS BSICAS.
. OBJETIVOS:
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.
2. Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor
bipolar PNP.
. INTRODUCCIN TERICA
V. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:
Multmetro
Miliampermetro
Microampermetro
Voltmetro c.c.
Transistor 2N3906
Osciloscopio
Resistores (330, 1K, 56K, 22k)
Condensadores (0.1F, 3.3F)
Fuente de c.c. variable
Cables conectores
Potencimetro
Tres placas con zcalo de 2 terminales
Placa con zcalo de 3 terminales
V. PROCEDIMIENTO
1. Se verifica el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro. Llenar
la tabla 1.
Resistencia Directa () Inversa ()
Base emisor 708 4.71 M
Base colector 704 4.61 M
Tabla 1 Colector Emisor >30 M >30 M
2. Amar el siguiente circuito:
a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic)
y la base (Ib). Obtener el (P1 = 0).
b) Medir los voltajes entre colector emisor (Vce),
entre base- emisor (Vbe), y entre emisor tierra
(Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.
d) Cambiar R1 a 68 K, repetir los pasos (a) y (b), y
anotar los datos en la tabla 3(por ajuste de P1).
e) Aumentar la resistencia de P1 A 100 K, 250 K, 500 K Y 1M K. Observar
lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce. Llenar la tabla 5.
3. Ajustar el generador de seales a 50 mv. pp, 1KHz., onda senoidal, observar
la salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la Tabla 4.
Valores(R1=56K) Ic(mA.) Ib(A.) V ce(v). V be(v). Ve(v.)
(Q1) Tericos
Tabla 2. Medidos 6.2m A 35 A 177 3.62 0.618 2. 053
Valores(R11=68K) Ic(mA.) Ib(A.) V V Ve(v.)
(Q1) ce(v). be(v).
Tabla 3. Tericos
Medidos 4.5 23. 8 189.07 5. 60 0. 691 1.5
Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)
2(Q1)
Tabla 4. 3(Q2) 800 m V 9.2 V 2V 2 /800 KV
P1 100 K 250 K 500 K 1 M
Ic(m A.) 3.23 0.66 0 0
Ib ( A.) 16.5 3.3 0.1 0
Tabla 5. Vce( v.) 7.38 10.83 11.74 11.74
Q3 Q4 Q5 Q6
VI. CUESTIONARIO FINAL:
1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin operativa
con el ohmmetro.
2. Representar la recta de carga en un grfico Ic vs Vce del circuito del
experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2, 3 y 5.
3. En que regiones de trabajo se encuentra los puntos de las tablas 2 y 3.
4. Que sucedera con el punto de operacin R1 a 120 K.
5. Explicar comparativamente lo ocurrido en la tabla 4.
6. Exponer sus conclusiones acerca del experimento.
