1

Amplificadores Multi-etapa Hbridos

Edixon Len Cardozo
Cristian Camilo Gonzalez
Cristian Camilo Guevara
Andrs Felipe Buitrago

Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas

Bogot D.C, Colombia
I. INTRODUCCIN

Considerando un amplificador emisor

condensador en el emisor.

comn

sin

En el siguiente informe se analizar el comportamiento de

amplificacin del transistor FET (transistor de efecto de
campo) en cascada con un transistor BJT, dado por la unin de
dos polarizaciones universales o tambin llamada divisor de
voltaje, esta se trabajar con el transistor 2N3819(FET) y
2N3904(BJT) e implementando acoplamiento capacitivo
permitiendo disear cada etapa por aparte; y de esta manera
obtener la seal que se requiere de salida, la cual es sin
distorsin y poca amplificacin de ruido, para lograr este
efecto se puede implementar amplificadores multietapa
hbridos.
Fig.1.Amplificador con etapas en cascada

II. OBJETIVOS
Disear e implementar amplificadores multietapa hbridos
con transistores FET y BJTR por acoplamiento con
condensador.
Identificar las ventajas de utilizar amplificaciones de tipo
hbrido en amplificadores de pequea seal.

III. MARCO TEORICO

Los llamados amplificadores multietapas son circuitos
electrnicos formados por ms de un transistor, estos pueden
ser transistores BJT o FET, los cuales se pueden acoplar de
forma directa o por medio de un capacitor. [1]
El acoplamiento establece la forma en la cual se conectan las
distintas etapas amplificadoras. El acoplamiento capacitivo o
por condensador se usa para interconectar distintas etapas, en
las cuales solo se desea amplificar seal. El trabajo del
capacitor es anular las corrientes continuas, permitiendo as
solo la amplificacin de seales en corriente alterna. Esto
genera mayor libertad en el diseo ya que polarizacin de una
etapa no afecta la otra.
En el acoplamiento capacitivo considerando la relacin de
ganancia del sistema ser:

Ecuacin.1. Para hallar la ganancia de voltaje del circuito

Al implementar un acoplamiento capacitivo se puede realizar

el diseo por aparte.
A. Transistor de Efecto de campo
Est formado por una barra de semiconductor N o P que se
llama el canal, tiene un cinturn o estrechamiento del otro tipo
de semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales
D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el cinturn se
une al terminal G (Gate, compuerta). [1]
Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente
ID que depende de la resistencia del canal, si se aplica un
voltaje VGS negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el
cinturn y el canal queda en inverso y no hay corriente de
compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es G repele las
cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un
aumento de resistencia y la corriente ID disminuye, haciendo
mayor o menor la magnitud de VGS haremos que ID
disminuya o aumente, as se obtiene un control de ID, siendo
la variable de control del voltaje VGS. [1]
En el FET la relacin entre ID y VGS est dada por la
ecuacin de Schotkley: ID = IDSS (1 - (VGS/VP))
B. Amplificador en fuente comn:
Un amplificador en fuente comn es aquel en el que se aplica
una seal de entrada de CA a la compuerta y la seal de salida
de CA se toma de la terminal del drenador. La terminal de
fuente es comn tanto para la seal de entrada como para la de
salida. Las configuraciones bsicas para este amplificador
pueden incluir un resistor de fuente RS; o dos resistores Rs en

serie (RS=RS1+RS2), donde slo uno de ellos cuenta con un

capacitor en derivacin (conectado en paralelo a este); o puede
ser una configuracin donde RS=0. Un ejemplo de este tipo de
amplificador que utiliza dos resistores RS se ilustra en la
Figura 1. El circuito utiliza un JFET canal N polarizado
mediante un divisor de voltaje. Si este circuito se modifica de
tal forma que R1= (circuito abierto), entonces la polarizacin
del amplificador cambia a la de un JFET autopolarizado. La
resistencia de carga RL as como la fuente de seal de CA vs
se encuentran acoplados a la red de polarizacin mediante
capacitores (denominados capacitares de acoplamiento) [2]

Ecuacion.4. Despeje de la tensin de salida (V0)

La ganancia de tensin, Av., es

Ecuacion.5. Despejando Av

La resistencia de entrada y la ganancia de corriente estn dadas por:

Ecuacion.6. Impedancia de entrada y ganancia de corriente

D. Diseo con Amplificador en emisor comn BJT

Fig.2. Montaje con los condensadores Cs CG y CD

C. Polarizacin de los FET

Los mismos circuitos bsicos usados hasta ahora que se

utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para los
JFET, la polaridad de vGS puede ser opuesta a la de la fuente
m=4 mS de tensin del drenaje. Cuando se selecciona el punto
de operacin, no hay tensin de polaridad opuesta disponible
de la fuente para cumplir con los requerimientos del circuito.
Puede ser necesario descartar R2 de manera que solo se
obtenga una tensin de la polaridad correcta. No siempre es
posible encontrar valores de un resistor para lograr un punto Q
en particular. En tales casos, seleccionar un nuevo punto Q
puede proporcionar a veces una solucin al problema. [2]
Anlisis de un amplificador FC se muestra el circuito
equivalente en ca para el amplificador FET. Se supone que
rDS es grane comparada con RDllRL, por lo que se puede
despreciar. Escribiendo la ecuacin de LTK alrededor del
circuito de compuerta, se encuentra:

Ecuacin.2. Respecto a Vgs

Resolviendo para vgs, se obtiene

Ecuacion.3. Despeje respecto a Vgs

La tensin de SALIDA, v0, est dada por

Para determinar el circuito equivalente para pequea seal,

se realizan los siguientes pasos:
Determinar el punto Q con la polarizacin en continua (se
abren todos los condensadores).
Cortocircuitar las fuentes de tensin de continua.
Cortocircuitar los condensadores.
Sustituir el BJT por sus equivalentes.
El valor de r se obtiene a partir del punto Q.
Se aplican las leyes de circuitos.
El condensador Ce se denomina condensador de desacoplo,
proporcionando un camino de baja impedancia para la
corriente alterna que va desde el emisor a masa [2]
.
Observndose que:
En anlisis dc tenemos que,

Fig.3. Circuito equivalente en pequea seal.

IV. ANLISIS DE RESULTADOS

En la implementacin de la prctica se observaron los
resultados tanto de cada etapa por separado (FET y BJT) como
el resultado de las dos etapas en cascada observando que
efectivamente se tuvo amplificacin a continuacin se
mostraran los resultados
ETAPA FET

V. CONCLUSIONES
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect
Transistor) son particularmente interesantes en circuitos
integrados, adems son dispositivos controlados por tensin
con una alta impedancia de entrada (1012 ohmios).

ETAPA BJT

Los BJT se caracterizan por la funcin de transferencia de

corriente lineal entre la corriente de colector y la corriente de
base. Tienen mucho mayor transconductancia y que pueden
lograr mucho ms altos de ganancia de seal de entrada
gracias a su control actual. Adems, tienen mayores
velocidades y mayor frecuencia mxima de funcionamiento.
En consecuencia, se prefieren en los circuitos de amplificacin
y en los circuitos integrados lineales, as como aplicaciones de
alta frecuencia y de alta potencia.
Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a
la alta capacidad de entrada. Los FET presentan una linealidad
muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. Los
FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.
VI. SIMULACIONES

FET-BJT EN CASCADA

Qu ventaja se observa en un amplificador multietapa

FET-BJT en comparacin con una configuracin BJTBJT?
La ventaja de configuracin FET-BJT respecto a la
configuracin BJT-BJT se ve traducida en la salida del
circuito en cascada como una seal con un ruido ms bajo en
el formato de la onda, esto debido a que en la etapa del
transistor FET se puede evidenciar que estos logran un nivel
de ruido menor a los BJT, lo cual se afecta de manera positiva
la entrada de seal que tendr el circuito en la segunda etapa
(BJT)
Qu efectos se puede observar con la seal de salida en
comparacin con la prctica No 3?
Como ya se mencion en la respuesta anterior a la salida del
circuito amplificador se tendr una seal con un nivel de ruido
menor al de la configuracin BJT-BJT lo cual es un referente
para trabajar aplicaciones que necesiten niveles de
amplificacin con una fidelidad optima, la cual es objeto de
estudio e implementacin en otros campos de la ingeniera.

VII. REFERENCIAS
[1] R. l. boylestad, Electrnica teora de circuitos, Mxico: Pearson
Educacin, 1997.
[2] G. Villalba. M.-M. A. Izquierdo, Transistores de Unin Comn,
Universidad de Murcia.

Calculos