UNIVERSIDAD NACIONAL JOSÉ FAUSTINO SÁNCHEZCARRIÓN

FACULTAD DE INGENIERÍA INDUSTRIAL, SISTEMAS E INFORMÁTICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

LABORATORIO 02- CURVAS CARACTERÍSTICA DE TRANSISTORES

Docente: Maximiliano Fernando López Aramburu

Curso: Circuitos Analógicos I

Ciclo 2021-1
“Año del Bicentenario del Perú: 200 años de Independencia”
 LABORATORIO 02- CURVAS CARACTERÍSTICA DE TRANSISTORES
Cuenca Huacho Rubén Augusto-1704191007
Jimenez Jimenez Marcos Antoni-1704191031
Samanamud Bellido Marcelo Giovanni-1704161042
Pernía Barrón, Maikel Josue-1704191036

Abstract II-OBJETIVO
ESPECIFIVO:
In the next laboratory we will
study the behavior of the Simular un circuito que permita
characteristic curve that acts on visualizar el comportamiento del
transistors and we will understand transistor mediante sus curvas
the operation of semiconductor características.
devices; Furthermore, the shape of
its curves can be observed using
the LTspice simulation software. III-MARCO TEORICO:
At the end of the experiment,
comparisons will be made and CURVAS DEL TRANSISTOR
several conclusions will be drawn. BIPOLAR:

Resumen: El transistor posee un conjunto

En el siguiente laboratorio
estudiaremos el comportamiento
de la curva característica que actúa
en los transistores y
comprenderemos el
funcionamiento de los dispositivos
semiconductores; además se podrá
observar la forma que adoptan sus
curvas mediante el Software de
simulación LTspice. Al final del
experimento, se realizarán
comparaciones y se sacarán varias
conclusiones.
I-OBJETIVO GENERAL:
Al finalizar esta unidad el
estudiante podrá reconocer el
funcionamiento de los dispositivos
semiconductores, además diseña
rectificadores de onda completa
con filtros.
de curvas que representan la
relación entre sus corrientes y
tensiones externas.
CURVA DE TRANSFERENCIA:
Se emplea como entrada la
juntura base-emisor. Por ello, las
curvas de entrada tendrán mucha
similitud con la curva del diodo.
En realidad, son una familia de
curvas que dependen de la tensión
colector-emisor, pero se considera
una sola porque tienden a estar
muy juntas.
Cuando la corriente de base (Ib) es
cero, el transistor no conduce
(Ic=0). Igualmente se puede
deducir de la fórmula Ic = ß x Ib.
El voltaje entre el colector y el
emisor (VCE) es el voltaje de
alimentación.

Fig. 0.1 Curva de transferencia
CURVAS DE SALIDA:
Las curvas más usadas son la
que relacionan IC vs VCE usando
como parámetro la corriente de
base (IB).
Fig. 0.2 Curva de salida
La región activa directa:
Esta región es la que corresponde
a una polarización directa de la
juntura emisor-base. Es la región
de operación normal del transistor
para amplificación.
En esta región la corriente de
colector es proporcional a la
corriente de base.
Se cumple que IC = β IB
β es conocido como la ganancia
del transistor.
Región activa inversa:
Corresponde a una polarización
inversa de la unión emisor-base y
a una polarización directa de la
unión colector-base. Esta región es
de uso muy poco frecuente.
Región de corte:
Aquí se trata de polarización
inversa de ambas junturas. La
operación en esta región
corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo de
apagado. El transistor actúa como
un interruptor abierto (IC=0).
En este caso las dos uniones están
polarizadas en inversa, las uniones
BE y BC. De esta forma no hay
portadores de carga móviles, no
puede establecerse ninguna
corriente de mayoritarios. Los
portadores minoritarios si pueden
atravesar las uniones polarizadas
en inversa, pero dan lugar a
corrientes muy bajas. Entonces, un
transistor en corte equivale
prácticamente, a un circuito
abierto.
Región de saturación:
Implica polarización directa de
ambas uniones. La operación en
esta región corresponde a
aplicaciones de conmutación en el
modo encendido. El transistor
actúa como un interruptor cerrado.
(VCE=0)
IV-MATERIALES Y
EQUIPOS
• Software LTSPICE (free) – Analog Device
• Descargable en
https://www.analog.com/en/design-
center/design-tools-and-
calculators/ltspicesimulator.
html#
 V-DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA:
• Abrir el LTSPICE y
realizar el siguiente
circuito usando el
transistor NPN- 2N2222:

Fig. 4. Curva característica de entrada.

VI. CONCLUSIONES Y
OBSERVACIONES:

• Cuando la fuente Vce esta

Fig. 1. Circuito en LTSPICE. apagada y la Vbe esta
encendida podemos ver
que el transistor la
corriente de entrada se
satura al llegar cerca de los
0.5V incrementando hasta
alcanzar los 200uA.
• Una vez encendida ambas
fuentes vemos una familia
de curvas que aumenta la
corriente siendo el maximo
funcionamiento cerca a los
330uA.
• Se logro observar la zona
Fig. 2. Curva.
activa, de corte y
saturacion. Y vemos que el
transistor funciona como
amplificador.

VI. BIBLIOGRAFÍA:

ROBERT L. BOYLESTAD
(2012). Teoría de circuitos.

Fig. 3. Curva característica de salida.