RESUMEN PRESENTACIONES

DIODO ZENER
Opera en la regin de ruptura.
Sus dos caractersticas ms importantes son su Tensin Zener y la mxima Potencia
que pueden disipar= Pz (potencia zener).
La relacin entre Vz y Pz nos determinar la mxima corriente inversa, llamada Izmx.
Si sobrepasamos esta corriente inversa mxima el diodo zener puede quemarse, ya
que no ser capaz de disipar tanta potencia.
Circuitos de aplicacin:

DIODO VARICAP O VARACTOR

Tensin de ruptura inversa y la corriente de fuga inversa
Valor de capacitancia y comportamiento a la variacin de la capacidad de tensin.
Factor de calidad Q, conocido como factor de mrito.
La tensin de ruptura inversa se mide con 10A de corriente inversa de fuga, diodo de
buena calidad.
La tensin de ruptura, define el punto operativo y limita la polarizacin inversa en el
diodo.
Una regla de oro es especificar la tensin de ruptura inversa de un mnimo de 5V por
encima de la operacin inversa mxima tensin de CC.
Una regla de oro es que un aumento de cincuenta veces en corriente de fuga se
obtiene por un aumento en la temperatura de 25 C a 125 C, o el doble de la
corriente por cada 10 C.
Aplicaciones

DIODO TUNEL
Es un diodo semiconductor que tiene una unin PN con alto dopaje de material tipo P y
N. Su dopaje puede ser 1000 veces mayor al de un diodo convencional.
El rea en que opera el diodo despus de que la corriente de tnel llega a su pico,
recibe el nombre de regin de resistencia negativa, porque en ella la corriente
disminuye al elevarse el voltaje. Debido el efecto tnel, estos diodos son de respuesta
muy rpida y se pueden usar como interruptores electrnicos, hacindolos trabajar
entre la corriente de pico y la de valle. Adems, la regin de resistencia negativa
permite utilizar el diodo tnel como oscilador.
Aplicaciones
Osciladores a frecuencias que sobrepasa los 10 5 megaciclos por segundo
Circuitos biestables con tiempos de conmutacin inferiores a 10 -9 s.

DIODO SCHOTTKY
Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy pequea, del orden
de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia,
circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben tambin el nombre de diodos
de recuperacin rpida (Fast recovery) o de portadores calientes.
Aplicaciones:
En fuentes de baja tensin en la cuales las cadas en los rectificadores son
significativas.
Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades
de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de
energa.
Variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no
pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.
El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL.

TRANSISTORES DE POTENCIA

BJT
Se forman agregando una segunda regin p o n a un diodo de unin pn.
Con dos regiones n y una p, se forman dos uniones, tenindose as un transistor NPN,
y con dos regiones p y una n, se forma un transistor PNP, como se ve en la figura
posee tres terminales (colector, emisor y base).
Limitacin de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y
viceversa no se hace instantneamente.
Hay un retardo (ton, toff)
Las causas son las capacidades asociadas a las uniones colector-base y base-emisor y
los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.
Aplicaciones
Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)
Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia)
Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin
conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM)
Deteccin de radiacin luminosa

FET
Se comporta como un interruptor controlado por tensin
La puerta no absorbe corriente en absoluto
Presentan comportamiento capacitivo
Resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MOhm)
Hasta cierto punto es inmune a la radiacin
Es menos ruidoso.
Mayor estabilidad trmica.

Aplicaciones

IGBT
El IGBT es un un dispositivo semiconductor de gran capacidad que generalmente es
utilizado en sistemas o equipos que requieren circuitos de electrnica realmente
potente y con velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz.
Es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de
control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos
del BJT y del MOSFET.
EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4V. Arriba de este valor la tensin VDS
cae a un valor bajo cercano a los 2V. Como la tensin de estado de encendido se
mantiene bajo, el gate debe tener una tensin arriba de 15 V, y la corriente ID se
autolimita.
El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de
corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50kW.

IDmax Limitada por efecto Latch-up.

VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio.

Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4
a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante
unos 5 a 10 s. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde
puerta.

VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, sera
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (Anunciados de 6.5 kV).

La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C.

Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.

La tensin VDS apenas vara con la temperatura. Se pueden conectar en paralelo

fcilmente. Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad,(1.200 o 1.600
Amperios).

En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un

par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

 Aplicaciones

Control de motores
Circuitera de automviles, trenes, aviones, etc
Electrodomsticos del hogar
Sistemas de aires acondicionados
Incorporados a los telfonos mviles (flash de xenn)
Se utilizan en convertidores de corriente continua/corriente alterna
Modulador de ancho de pulso (PWM)

MOSFET
Es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere solo de una pequea corriente de
entrada.
La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los tiempos de conmutacin del orden
los nanosegundos.
Es el ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o
digitales.
La mxima tensin soportada entre la puerta y la fuente es tpicamente 20V.
Presenta limitaciones a tensiones de trabajo altas, cercanas a los 1000V, debido a la
resistencia de la capa de drift, que predomina en la RDS(on) .

 Aplicaciones
Como interruptor en electrnica digital para transmitir los estados lgicos a travs de un
circuito.
Amplificador

Inversor con carga activa