C.F.G.

S Mantenimiento electrónico

Mantenimiento de equipos de audio

Tema 4: los transistores FET como

amplificadores.

1
 Clasificación de los transistores FET
●
FET (Field Effect Transistor) o transistor de efecto de
campo.

2
Símbolo y estructura interna de los JFET.

3
 Configuraciones de trabajo.
●
Por similitud con el BJT, tres configuraciones diferentes:
–
Fuente común (SC): entrada en puerta, salida en drenador.
–
Puerta común (GC): entrada en fuente, salida en drenador.
–
Drenador común (DC): entrada en puerta, salida en fuente.

(Nota: para los MOSFET las configuraciones son similares). 4

 Características de los JFET (I).
● La corriente de drenador, ID, se controla con la tensión
entre la puerta y el surtidor, VGS.
● Existe un valor de VGS, VGS(off), que hace que ID = 0.
●
Si VGS = 0 entonces ID alcanza su valor máximo, IDSS.
●
Relación entre VGS e ID (curva de transconductancia, gm):

( )
2
V GS
I D =I DSS 1−
V GS(off )

5
 Características de los JFET (II).
●
Curvas de salida para la configuración de trabajo SC:

6
 Características de los JFET (III).
● Si la tensión VDS aumenta excesivamente el JFET se
rompe (entrada en ruptura inversa de la unión de
puerta):

7
 Tolerancia en las características del JFET.
● Muy grandes para VGS(off) y, normalmente, para IDSS.
●
Se expresan mediante un valor mínimo y un valor
máximo  una curva de transconductancia mínima y
otra máxima.
●
Para solventar el problema se calcula sobre la curva de
transconductancia mínima y sobre la máxima
separadamente. Después se hace una “media”.

8
 Polarización de los JFET (I).
●
Polarización fija de puerta:

I G=0 ⇒ V R =0 y V GS =−V GG
G

Suele escogerse ID ≈ IDSS media/2.

Entonces,

( )
2
V GS
I D =I DSS 1− ⇒ V GS ≃0 ,3⋅V GS (off )
V GS(off )

V DD−I D⋅R D −V DS =0 9
 Polarización de los JFET (II).
Ejercicio 1: calcular la polarización de un transistor J107
para que ID = IDSS media/2 y VDS = 6V. Además, VDD=15V. Una
vez realizado el cálculo de la polarización proceder a la
simulación del circuito para comprobar los resultados.
Solución:

10
 Polarización de los JFET (III).
●
Autopolarización:
I G=0 A ⇒ V R =0 V ⇒ V G =0 V
G

Por otro lado,

V S =V R =I D⋅R S ⇒ V G −V S =V GS=−V S
S
,
donde se suele hacer ID ≈ IDSS media/2.
El cálculo de RS se realiza a partir de
valores medios:
−V GS med
V GS med ≃0 ,3⋅V GS(off )med , RS=
ID
Por último, la ecuación de la malla de
drenador:
11
V DD−I D⋅( R D + RS )−V DS=0
 Polarización de los JFET (IV).
Ejercicio 2: calcular la autopolarización de un transistor
J107 para que ID = IDSS media/2 y VDS = 6V. Además, VDD=15V.
Una vez realizado el cálculo de la polarización proceder a
la simulación del circuito para comprobar los resultados.
Solución:

12
 Polarización de los JFET (V).
●
Polarización por divisor de tensión y resistencia de
fuente: V =V −V .
GS G S

Como
V G −V GS
V S =I D⋅R S ⇒ I D= ,
RS
y donde,
RG 2
V G= ⋅V DD .
R G 1 + RG 2
Se usa este circuito porque...
VG
... si V G ≫V GS ⇒ I D ≃ =cte . 13
RS
 Polarización de los JFET (VI).
●
Polarización por divisor de tensión y resistencia de
fuente (continuación):

Cálculo de RS:
V G−V GS mín V G −V GS máx
R S mín = y R S máx =
ID ID
R S mín + R S máx
R S=
2
donde se ha hecho ID ≈ IDSS media/2.

V DD−I D⋅(R D + RS )−V DS=0 14

 Polarización de los JFET (VII).
Ejercicio 3: calcular la polarización de un transistor J107
para que ID = IDSS media/2 y VDS = 6V. Además,VG=VDD/2 y
VDD=15V. Una vez realizado el cálculo de la polarización
proceder a la simulación del circuito para comprobar los
resultados.
Solución:

15
 Modelización de los transistores JFET.
●
Se suele usar el siguiente modelo válido para pequeña
señal:

donde la transconductacia, gm se define como:

Δ ID
gm =
Δ V GS 16
 Interpretación gráfica de la transconductacia.
La transconductacia, gm se ha definido como:
Δ ID
gm = .
Δ V GS
Tomando incrementos infinitesimales se puede escribir que

dI D
gm = .
dV GS

O sea, gm es la pendiente de la recta tangente a la curva de

transconductacia en cada punto de la misma. 17
 Ecuaciones importantes en los JFET (I).
Además de la ya conocida

( )
2
V GS
I D =I DSS 1−
V GS(off )
son también importantes las siguientes:

(
gm =gmo⋅ 1−
V GS
V GS(off ) ) ,

siendo gm0 la transconductacia en el punto de la curva

VGS=0, ID=IDSS. En los datasheets es frecuente indicar gm0
como |Yfs|, admitancia de transferencia directa (en módulo).
18
 Ecuaciones importantes en los JFET (II).
Se puede demostrar que
−2⋅I DDS
V GS (off )= .
gm0

El valor de la resistencia de drenador en A.C., denotada por

rd, es
Δ V DS 1
rd = = ,
Δ I D |Y os|

donde |Yos | es el módulo de la admitancia de salida en

configuración fuente común. 19
 Amplificador JFET en SC (I).
Se suele elegir VDS=0,4·VDD. Además,
RD
Av= ,
1
RS1+
gm
donde se toma una gm
correspondiente a la zona central
de la curva de transconductancia.
Para lograr esto, de forma
aproximada, haremos
1 1
gm = g m 0 ⇒ V GS = V GS (off )
2 2 20
 Amplificador JFET en SC (II).
Se tendrá que la impedancia de salida será:
Z o≈R D .

En cuanto a la impedancia de
entrada,
Z i =R 1∥R 2 .

21
 Amplificador JFET en SC (III).
Ejercicio 4: calcular el circuito para un transistor BF244A
con VDD=15V y Zi=47k. Simular y comparar los resultados
obtenidos con los esperados.

Solución:

22
 Símbolos y estructura interna (II).
●
Transistores MOSFET de empobrecimiento o deplexión:

23
 Símbolos y estructura interna (III).
●
Transistores MOSFET de enriquecimiento o deflexión:

24
 Características de los MOSFET de
enriquecimiento (I).
●
La corriente de drenador, al igual que en los JFET, se
controla con la tensión aplicada entre la puerta, G, y la
fuente, S, pero a diferencia de ellos el transistor no conduce
si VGS=0, siendo necesario superar cierto valor umbral, VGS(th),
para que empiece a conducir.
● La relación entre VGS e ID (curva de transconductancia, gm) es:

I D =K⋅(V GS−V GS (th) )2

25
 Características de los MOSFET de
enriquecimiento (II).
●
Curvas de salida para la configuración de trabajo SC:

26
 Polarización de los MOSFET de
enriquecimiento (I).
●
Polarización por realimentación de drenador:

I G=0 A ⇒ V R =0 V ⇒ V G =V D
G

V DD−I D⋅R D −V D =0
Además tenemos que:
I D =K⋅(V GS−V GS (th) )2

donde K se puede determinar a partir de

la curva de transconductancia
(características de transferencia): 27
 Polarización de los MOSFET de
enriquecimiento (II).
●
Polarización por realimentación de drenador
(continuación):
Debemos usar la zona lineal de la curva:

ID
K= 2
(V GS −V GS (th ))

28
 Polarización de los MOSFET de
enriquecimiento (III).
Ejercicio 5: calcular la polarización de un transistor BS107
para que ID = 40mA con VDD = 20V. Una vez realizado el
cálculo de la polarización proceder a la simulación del
circuito para comprobar los resultados.
Solución:

29
 Polarización de los MOSFET de
enriquecimiento (IV).
●
Polarización por divisor de tensión y resistencia de
fuente:
Por supuesto, sigue siendo válido que
I D =K⋅(V GS−V GS (th) )2
Además,
R2
V R 2=V G= ⋅V
R1 + R 2 DD
V R 2−V GS−I D⋅R S =0

V DD−V DS −I D (R D + R S )=0 30
 Polarización de los MOSFET de
enriquecimiento (VI).
Ejercicio 6: calcular la polarización de un transistor BS107 para
que IDQ = 40mA, VDSQ=5V, VDD = 20V y RS un 20% de RD+RS. Una
vez realizado el cálculo de la polarización proceder a la
simulación del circuito para comprobar los resultados.

Solución:

31
Modelización de los transistores MOSFET (I).
●
Para pequeña señal se usa el mismo modelo que para los
JFET:

La transconductacia, gm se sigue definiendo como:

Δ ID
gm =
Δ V GS 32
Modelización de los transistores MOSFET (II).
●
Para gran señal se usa este otro modelo:

donde 1 k /n W =K y Vt es VGS(th). Este modelo es válido

2 L
si el transistor está en la zona de saturación.
33
 Ecuaciones importantes en los MOSFET.
Además de la ya conocida

I D =K⋅(V GS−V GS (th) )2

es también importante la siguiente ecuación:

gm =2⋅K⋅(V GS−V GS (th) )

34
 Amplificador MOSFET en SC.
En similar al amplificador en SC con JFET con la salvedad
de que VGS>VGS(th).

35