Configuraciones básicas de los transistores JFET

Los JFET pueden utilizarse en tres configuraciones fundamentales: surtidor

Común y drenador común. De igual comportamiento que las tres respectivas
configuraciones del transistor bipolar, sirven para los transistores de efecto de
campo con graduador aislado o IGFET.
La figura 1 y tabla 1.1 muestran estas tres configuraciones básicas y sus
respectivas características. Los transistores utilizados en estos ejemplos son de
canal tipo N; si se tratara de transistores con canal del tipo P, habría que invertir
las polaridades de la fuente de alimentación y los sentidos delas corrientes

Figura1 las tres configuraciones básicas de los circuitos amplificadores con

transistor de efecto de campo de unión.
 Tabla con configuraciones básicas FET

ECUACIONES
TIPO CONFIGURACIÓN
PERTINENTES

JFET VGSQ = - VGG

Con polarización fija
VDS = VDD - IDRS

VGSQ = - IDRS
JFET
Con autopolarización
VDS =VDD - ID(RD + RS)
 ECUACIONES
TIPO CONFIGURACIÓN
PERTINENTES

JFET VG = R2 VDD/(R1 + R2)

Con polarización
mediante divisor de VGS = VG - IDRS
voltaje VDS =VDD - ID(RD + RS)

MOSFET
De tipo decremental
(todas las VGSQ = + VGG
configuraciones arriba
de los casos positivos VDS = VDD - IDRS
donde = + voltaje)
polarización Fija

VG = R2 VDD/(R1 + R2)
MOSFET
de tipo decremental
VGS = VG - ISRS
polarización mediante
divisor de voltaje
VDS =VDD - ID(RD + RS)

MOSFET VGSQ = VDS

de tipo incremental
configuración por
retroalimentación VDS = VDD - IDRS

MOSFET VG = R2 VDD/(R1 + R2)

de tipo incremental
Polarización mediante
divisor de voltaje VGS = VG - IDRS