Benemérita Universidad Autónoma de Puebla

Facultad de Ciencias de la Electrónica

Practica #1 : Curva característica del Diodo de

Unión

Integrantes: José Alberto Jaén Lima

Uriel Patricio Bustamante
Noé Vázquez Osorio

Fecha de realización:
Jueves, 06 de junio de 2013

Materia: Dispositivos Electrónicos

Objetivo: medir el voltaje de salida y la corriente de salida atraves del Diodo
1N4001 al aplicarse un voltaje de manera ascendente de 0-15 volts

Marco Teórico:

Comenzaremos por definir lo que es un Diodo

Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y

mayor que la de un aislante. El grado de conducción de cualquier sustancia
depende, en gran parte, del número de electrones libres que contenga. En un
conductor este número es grande y en un semiconductor pequeño es
insignificante. El número de electrones libres de un semiconductor depende de los
siguientes factores: calor, luz, campos eléctricos y magnéticos aplicados y
cantidad de impurezas presentes en la sustancia.

Diodo de unión p-n.

Se le denomina diodo de unión p-n, al dispositivo constituido mediante una unión

p-n con dos terminales y cuyo objetivo en general, será conducir en un solo
sentido.

Casi todos los diodos que se fabrican hoy en día están formados por dos
tipo de silicio diferentes, unidos entre si.
 Este conjunto sería del tipo N, ya que deja un electrón libre pues le sobra
del enlace, con lo que el átomo (azul) se convierte en un ión positivo al
mismo tiempo que contribuye con la generación de un electrón libre, a este
átomo lo representaremos:

En el caso del tipo P, dejaría un hueco libre, con lo que el átomo se

convierte en un ión negativo al mismo tiempo que contribuye con la
generación de un hueco libre, a este átomo lo representaremos:

Silicio tipo P y silicio tipo N separados

Cuando se efectúa esta unión, los electrones y los huecos inmediatos a la unión
se atraen, cruzan la unión y se neutralizan.
Silicio tipo P y silicio tipo N unidos.- UNIÓN P-N

Según este proceso inicial, la zono N próxima a la unión ha perdido electrones y

por tanto queda cargada positivamente. Igualmente la zona P próxima a la unión
ha perdido huecos, con lo que queda cargada negativamente.

Al quedar la zona N próxima a la unión cargada positivamente, rechazará a los

huecos de la zona P que quieren atravesar la unión. Exactamente igual la zona P
próxima a la unión impedirá el paso de los electrones provenientes de la zona N

Por tanto en la zona próxima a la unión aparece una diferencia de potencial

llamada "Barrera de potencial interna", que impide el paso de portadores
mayoritarios a través de la unión, no pudiendo existir corriente.

Curva característica del diodo

Curva característica del diodo.

 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa

coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no
polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la
nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la
barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de
tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

 Corriente máxima (Imax ).

Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por
el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el
diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.

 Corriente inversa de saturación (Is ).

Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la

formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se
duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.

 Corriente superficial de fugas.

Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización
inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.

 Tensión de ruptura (Vr ).

Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente
inversa de saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensión, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto
 avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:

 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan

pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión
inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética
de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la
banda de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto
de la tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez.
El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande.
Este fenómeno se produce para valores de la tensión superiores a 6 V.

 Efecto Zener (diodos muy dopados).

Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de la zona de carga.

Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V
entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea pequeño,
el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En estas condiciones, el
propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o
menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como

los Zener, se puede producir por ambos efectos
Cálculos y Resultados Obtenidos:

Circuito con el cual se hicieron los cálculos

VS Vp ID
0 0 0
0.5 533mv .06mA
1 645mv .47mA
1.5 680mv 0.94mA
2 701mv 1.41mA
3 726mv 2.36mA
4 740mv 3.38mA
5 750mv 4.34mA
6 759mv 5.34mA
7 767mv 6.22mA
8 773mv 7.32mA
9 778mv 8.33mA
10 781mv 9.30mA
11 785mv
12 788mv
13 790mv
14 793mv

Simulación
Bibliografia:

http://www2.imse-cnm.csic.es/~rocio/EBAS/DOC_PDF/APUNTES/Diodos.pdf

http://www.ifent.org/lecciones/diodo/default.asp

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo#Curva_caracter.C3.ADstica_del_diodo

http://quegrande.org/apuntes/ETIS/1/TE/teoria/09-10/diodo_de_union_p-n.pdf