Capítulo I: Diodo semiconductor

Hasta ahora, se han estudiado los componentes electrónicos pasivos que son
aquellos componentes que disipan (resistencias) o almacenan (condensadores)
la señal eléctrica.
Los componentes pasivos se fabrican a partir de materiales conductores (como
las placas de los condensadores) o aislantes (como los resistores o el
dieléctrico de los condensadores).
Sin embargo, también existen los componentes electrónicos activos (diodos y
transistores), los cuales son capaces de modificar o amplificar la señal
eléctrica.
Los componentes activos no se construyen con materiales conductores o
aislantes, sino con unos materiales llamados SEMICONDUCTORES.
¿Qué son los materiales semiconductores?
Primero debemos de recordar loa siguientes conceptos.
*Material conductor: material que permite el paso de la corriente eléctrica a su
través. Tiene una muy baja resistencia.
*Material aislante: material que impide que la corriente eléctrica los atraviese.
Presentan una altísima resistencia.
Pues bien, un material semiconductor es un material aislante que puede
comportarse como un conductor en determinadas circunstancias.En la
actualidad, los semiconductores han cobrado una enorme importancia
tecnológica, ya que han permitido la revolución de la electrónica, las
telecomunicaciones, la informática, etc.
La mayoría de dispositivos electrónicos actuales incorporan componentes o
chips fabricados con materiales semiconductores. Esto es así debido a las
importantísimas ventajas que ofrecen (reducido tamaño, pequeño consumo y
bajo precio).

En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases:

de un solo cristal y compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como el
germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto
que compuestos como el arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio
(CdS), el nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se
componen de dos o más materiales semiconductores de diferentes estructuras
atómicas.
Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de
dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs.
Se les llama semiconductores de tipo P a los semiconductorescontaminados
con impurezas aceptoras. Las impurezas aceptoras sonaquellas que agregan
un hueco en el material. Estas son impurezas con 3electrones en su órbita de
valencia.
Al tener solo 3 electrones queda unaunión incompleta dejando un hueco para
que un electrón libre puedatomar ese lugar. Este material es de tipo P debido a
que la conduccióneléctrica se produce debido a su gran número de
huecos(portadores mayoritarios). Comparados con los electrones los
huecostienen polaridad positiva.

Los semiconductores tipo N son aquellos a los que se le agreganimpurezas

donoras (que donan un electrón). Estas impurezas suelen tener 5 electrones.
De estos 5 electrones 4 formarían una unión con los átomosvecinos y 1
quedaría libre.
De esta forma este material contiene un mayor número de electrones libres
comparados con los huecos libres. Estematerial es de tipo N debido a que la
conducción eléctrica se producedebido a su gran número de electrones
(Portadores mayoritarios) depolaridad negativa.

En ambos casos la conducción se hace por medio de los electrones perose

puede decir que en el material tipo P la conducción se produce por
elmovimiento de huecos ya que los electrones se desprenden de una
unióndejando un hueco para pasar a otro.
1.1. Diodo semiconductor
Ya sabiendo el concepto y propiedades de los materiales tipo “n” como “p”,
podemos construir nuestro primer dispositivo electrónico de estado sólido. El
diodo semiconductor, con aplicaciones demasiado numerosas de mencionar,
se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, nada más que eso; sólo
la unión de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con un
portador mayoritario de huecos. La simplicidad básica de su construcción
refuerza la importancia del desarrollo de esta área de estado sólido.
En general el diodo semiconductor es un componente electrónico activo que
sólo permite que la corriente eléctrica pase a través de él en un solo sentido (el
indicado por la flecha de su símbolo eléctrico).
 Figura 1.1.1. Estructura Figura 1.1.2.Simbologia del
básica del diodo diodo semiconductor
semiconductor

1.2. Condición de polarización inversa (VD < 0)

Cuando el diodo esta inversamente polarizado (voltaje positivo de la fuente al
ánodo y voltaje negativo al cátodo) existe un campo eléctrico E que se dirige
desde el cátodo hacia el ánodo, ocasionando un movimiento de las cargas
positivas y negativas, dentro del diodo, de modo que las cargas se repelen
aumentando la región de agotamiento, podemos concluir entonces que cuando
el diodo esta inversamente polarizado no permite el paso de la corriente.

Figura 1.2.1. Diodo

inversamente polarizado

1.3. Condición de polarización directa (VD > 0)

Cuando el diodo está directamente polarizado (voltaje positivo de la fuente al
ánodo y voltaje negativo al cátodo), el campo eléctrico estará dirigido desde el
ánodo hacia el cátodo, entonces la carga positiva y negativa en el diodo se
moverá hacia la región de agotamiento, en un primer instante las cargas se
recombinaran, pero a medida que el voltaje de polarización se incrementa la
región de agotamiento se reduce hasta su desaparición, momento en el que las
cargas de ambos semiconductores no encuentran oposición y comienzan a
moverse con libertad a través de todo el diodo, generando una corriente dentro
el diodo que será mayor si el voltaje de polarización aumenta.
 Figura 1.3.1. Diodo
inversamente polarizado
1.4. Curva característica del diodo
*Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).
La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización
directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo
no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial
se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1 % de
la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la
barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de
tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.
*Corriente máxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse
por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede
disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.
*Corriente inversa de saturación (Is ).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por
la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose
que se duplica por cada incremento de 10 °C en la temperatura.

*Corriente superficial de fugas.

Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización
inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.
*Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el
efecto avalancha.

Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente

inversa de saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensión, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zenner, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:
*Efecto avalancha (diodos poco dopados).
En polarización inversa se generan pares electrón-hueco que provocan la
corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones
se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al chocar con
electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión,
chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado
es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este
fenómeno se produce para valores de la tensión superiores a 6 V.
*Efecto Zener (diodos muy dopados).
Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de la zona de carga.
Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión
V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea
pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de
valencia incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones
de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales,
como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

Modelos matemáticos
El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayoría de las aplicaciones. La ecuación que relaciona la intensidad de
corriente y la diferencia de potencial es:
 VD
nVT
I D =I S (e −1)
Donde:

 I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo

 VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.
 IS es la corriente de saturación (aproximadamente 10−12 A )
 n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación
del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden
de 2 (para el silicio).
El Voltaje térmico VT es aproximadamente 25.85 mV en 300 K, una
temperatura cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas
de simulación de circuitos. Para cada temperatura existe una constante
conocida definida por:
KT
V D= ❑
q ❑

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la

unión pn, y q es la magnitud de la carga de un electrón (la carga elemental).
La ecuación de diodo ideal de Shockley o la ley de diodo se deriva de asumir
que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al
campo eléctrico), difusión, y la recombinación térmica. También asume que la
corriente de recombinación en la región de agotamiento es insignificante. Esto
significa que la ecuación de Shockley no tiene en cuenta los procesos
relacionados con la región de ruptura e inducción por fotones. Adicionalmente,
no describe la estabilización de la curva I-V en polarización activa debido a la
resistencia interna.
Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuación del diodo es
insignificante. y la corriente es una constante negativa del valor de I s. La región
de ruptura no está modelada en la ecuación de diodo de Shockley.
Para voltajes grandes, en la región de polarización directa, se puede eliminar el
1 de la ecuación, quedando como resultado:

VD
nV T
I =I S e

Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean

modelos aún más simples, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo
por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-señal. El
más simple de todos es el diodo ideal.

Ejemplo 1.1
A una temperatura de 27°C(temperatura común para componentes en un
sistema de operación cerrado),determine el voltaje térmico Vt
Solución : T=273 + °C =273 + 27 = 300K

1.38∗10−23 J
( )(300)
Vt = KT K
= =25.875 mV =26 mV
q 1.6∗10−19

1.5. Niveles de resistencia4

1.5.1 Resistencia CD o estática
La aplicación de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo
semiconductor produce un punto de operación en la curva de características
que no cambia con el tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operación
se halla determinando los niveles correspondientes de VD e ID como se
muestra en la figura 1.5.1 y aplicando la siguiente ecuación:
VD
R D=
ID

Figura 1.5.1 Determinación de la resistencia

de cd de un diodo en un punto de operación
particular

Los niveles de resistencia de cd en la rodilla y debajo de ella son mayores que

los niveles de resistencia obtenidos para la sección de levantamiento vertical
de las características. Los niveles de resistencia en la región de polarización en
inversa son por naturaleza bastante altos. Como los óhmetros en general
emplean una fuente de corriente relativamente constante, la resistencia
determinada será un nivel de corriente preestablecido (por lo general de
algunos miliamperes).
En general, por consiguiente, cuanto mayor sea la corriente a través de un
diodo, menor será el nivel de resistencia de cd.
Ejemplo 1.2.
Determine los niveles de resistencia de cd del diodo de la figura 1.24 con
a. I D =¿¿2mA (bajo nivel)

b. I D =¿¿20 mA (alto nivel)

c. VD = -10 V (polarizado en inversa)
solución:

a) Con
I D =2 mA ,V D =0.5 ( en la curva ) y
V D 0.5V
R D= = =250 Ω
I D 2mA
b) Con I D =20 mA ,V D =0.8 ( en lacurva ) y
V 0.8V
R D= D = =40 Ω
I D 20 mA
c) c) Con v D =−10 V , I D =−I S =−1 μA ( enla curva ) y
V D 10 V
R D= = =10 M Ω
I D 1 μA

1.5.2. Resistencia de CA o dinámica

Es obvio de acuerdo con la ecuación de resistencia estática y el ejemplo
1.2.que la resistencia de cd de un diodo es independiente de la forma de las
características en la región alrededor del punto de interés. Si se aplica una
entrada senoidal en lugar de una de cd, la situación cambiará por completo. La
entrada variable moverá el punto de operación instantáneo hacia arriba y hacia
abajo de una región de las características, y por lo tanto define un cambio
específico de la corriente y voltaje como se muestra en la figura 1.25. Sin
ninguna señal variable aplicada, el punto de operación sería el punto Q que
aparece en la figura 1.25, determinado por los niveles de cd aplicados. La
designación de punto Q se deriva de la palabra quiescente, que significa “fijo o
invariable”.
 Figura 1.5.2 Definición de la resistencia CA o
dinámica

Una línea recta trazada tangente

a la curva por el punto Q como se muestra en la figura 1.5.2. Definirá un
cambio particular del voltaje y corriente que se puede utilizar para determinar la
resistencia de ca o dinámica en esta región de las características del diodo. Se
deberá hacer un esfuerzo por mantener el cambio de voltaje y corriente lo más
pequeño posible y equidistante a ambos lados del punto Q.

En forma de ecuación
∆Vd
rd =
∆ Id

Donde ∆ indica un cambio finito de la cantidad.

Cuanto más inclinada sea la pendiente, menor será el valor de Vd con el mismo
cambio de Id y menor es la resistencia. La resistencia de ca en la región de
levantamiento vertical de la característica es, por consiguiente, bastante
pequeña, en tanto que la resistencia de ca es mucho más alta con niveles de
corriente bajos.
En general, por consiguiente, cuanto más bajo esté el punto de operación
(menor corriente o menor voltaje), más alta es la resistencia de ca.
1.5.3 Resistencia de ca promedio
Si la señal de entrada es suficientemente grande para producir una amplia
variación tal como se indica en la figura 1.5.3, la resistencia asociada con el
dispositivo en esta región se llama resistencia de ca promedio. La resistencia
de ca promedio es, por definición, la resistencia determinada por una línea
recta trazada entre las dos intersecciones establecidas por los valores máximo
y minimo del voltaje de entrada. En forma de ecuación (observe la figura
1.5.3),
∆V d
r prom =
∆ Id

△Id = 17 mA - 2 mA = 15 mA

Figura 1.5.3 Determinación de la resistencia de ca promedio entre los

límites indicados.

△Vd = 0.725 V - 0.65 V = 0.075 V

△ V d 0.075
r prom = = =5 Ω
△ I d 15 mA

Si la resistencia de ca (rd) se determinara con ID = 2 mA, su valor sería de más

de 5 Ω y si se determinara con 17 mA, sería menor. Entre estos valores, la
resistencia de ca cambiaría del valor alto con 2 mA al valor bajo con 17 mA. La
ecuación define un valor considerado como el promedio de los valores de ca
desde 2 mA hasta 17 mA. El hecho de que un nivel de resistencia se pueda
utilizar en un intervalo tan amplio de características comprobará su utilidad en
la definición de circuitos equivalentes de un diodo en una sección posterior.
Como con los niveles de resistencia de cd y ca, cuanto más bajo sea el nivel de
las corrientes utilizadas para determinar la resistencia promedio, más alto será
el nivel de resistencia.
1.6. Circuitos equivalentes del diodo
Un circuito equivalente es una combinacion de elementos elegidos de forma
apropiada para representar de la mejor manera las caracteristicas terminales
reales de un dispositivo, sistema o similar, para una región de operacion
particular.
En otras palabras una vez que se define el circuito equivalente, es posible
eliminar el símbolo del dispositivo de un diagrama y sustituirlo por el circuito
equivalente sin afectar de forma importante el comportamiento real del sistema.
El resultado a menudo es una red que puede resolverse mediante las técnicas
tradicionales de análisis de circuitos.

1.6.1. Circuito lineal equivalente por segmentos

Una técnica para obtener un circuito equivalente de un diodo es simular con
más o menos precisión las características del dispositivo mediante segmentos
de línea recta, como se muestra en la figura 1.6.1 El circuito resultante
equivalente se llama circuito equivalente lineal por segmentos.
Deberá ser obvio por la figura 1.6.1 que los segmentos de línea recta no
duplican con exactitud las características reales, sobre todo en la región
acodada. Sin embargo, los segmentos resultantes son suficientemente
parecidos a la curva real como para establecer un circuito equivalente que
producirá una excelente primera aproximación del comportamiento real del
dispositivo. En la sección inclinada de la equivalencia la resistencia de ca
promedio presentada en la sección 1.5.3 es el nivel de resistencia que aparece
en el circuito equivalente de la figura 1.5.3 junto al dispositivo real. En esencia,
define el nivel de resistencia del dispositivo cuando se encuentra en el estado
de “encendido”. El diodo ideal se incluye para establecer que sólo hay una
dirección de conducción a través del dispositivo, y una situación de polarización
en inversa producirá el estado de circuito
abierto del dispositivo. Como un diodo
semiconductor de silicio no alcanza el estado de
conducción hasta que VD alcanza 0.7 V con una
polarización en directa (como se muestra en la
figura 1.6.1), debe aparecer una batería VK opuesta
a la dirección de conducción en el
circuito equivalente como se muestra en la figura
1.6.2 La batería especifica que el voltaje a través
del dispositivo debe ser mayor que el voltaje de
umbral de la batería antes de la conducción a
Figura 1.6.1 Definición del circuito
equivalente lineal por segmentos por
medio de segmentos de línea recta para
representar de forma aproximada la curva
de características.
través del dispositivo antes de que se pueda establecer la dirección dictada por
el diodo ideal. Cuando se establezca la conducción, la resistencia del diodo
será el valor especificado de r prom.

Figura 1.6.2Comparación del circuito equivalente

lineal por segmentos.
Tenga en cuenta, sin embargo, que VE en el circuito equivalente no es una
fuente de voltaje independiente. Si se coloca un voltímetro a través de un diodo
aislado sobre un banco de laboratorio no se obtendrá una lectura de 0.7 V. La
batería representa el nivel horizontal de las características que deben ser
superadas para establecer la conducción.
Por lo común, el nivel aproximado de rprom se puede determinar con un punto
de operación determinado en la hoja de especificaciones .Por ejemplo, para un
diodo semiconductor de silicio, si IF= 10 mA (una corriente de conducción en
directa en el diodo) con VD = 0.8 V, sabemos que para silicio se requiere un
nivel de voltaje de 0.7 V antes de que se eleven las características, y
obtenemos

0.8 V −0.7 V
=10 Ω
10 mA−0 mA
1.6.2 Circuito equivalente simplificado
En la mayoría de las aplicaciones, la resistencia rprom es suficientemente
pequeña para ser ignorada en comparación con los demás elementos de la
red. La eliminación de rprom del circuito equivalente es lo mismo que suponer
que las características del diodo son las que se muestran en la figura 1.6.3. En
realidad, esta aproximación se emplea con frecuencia en el análisis de circuitos
semiconductores como se demuestra en el capítulo 2. El circuito equivalente
reducido aparece en la misma figura. Manifiesta que un diodo de silicio
polarizado en directa en un sistema electrónico en condiciones de cd
experimenta una caída de 0.7 V a través de éste en el estado de conducción a
cualquier nivel de corriente en el diodo (dentro de valores nominales, por
supuesto).

Figura 1.6.3 Circuito

equivalente simplificado del
diodo semiconductor de
silicio.

1.6.3 Circuito equivalente ideal

Ahora que se eliminó rprom del circuito equivalente, llevemos el análisis un
paso adelante y establezcamos que el nivel de 0.7 V con frecuencia puede ser
ignorado en comparación con el nivel de voltaje aplicado. En este caso el
circuito equivalente se reducirá al de un diodo ideal como se muestra en la
figura 1.32 con sus características. En el capítulo 2 veremos que esta
aproximación se hace con frecuencia sin una pérdida grave de precisión.
 Figura 1.6.4 Diodo ideal y sus características

1.7. Efectos de la temperatura en el diodo

La temperatura tiene un efecto importante en la determinación de las
características operativas de los diodos,conforme aumenta la temperatura,
disminuye la tensión V.Por otra parte, un descenso en la temperatura provoca
un incremento de V. Esta tensión umbral varia linealmente con la temperatura
según la siguiente ecuación, suponiendo que la corriente 𝑰_𝑫 en el diodo se
mantiene constante.

V ( T 1 ) −V ( T 0 ) =α (T 0 −T 1 )

-V ¿): tensión del diodo a temperatura ambiental.

-V (T 1): tensión del diodo a la nueva temperatura.

-T 0: temperatura ambiental, ºC.

-T 1: nueva temperatura del diodo, ºC.

-α : coeficiente de temperatura en V/ ºC.

Figura 1.7.1 variación de las

caracterizas de los diodos con
cambio de temperatura
1.8. Capacidad de difusión y transición
Es de suma importancia tener presente que: Todo dispositivo electrónico o
eléctrico es sensible a la frecuencia. Es decir, las características terminales de
cualquier dispositivo cambian con la frecuencia. Incluso la resistencia de un
resistor básico, como el de cualquier construcción, es sensible a la frecuencia
aplicada. A frecuencias de bajas a medias se puede considerar que la mayoría
de los resistores tienen un valor fijo. No obstante, a medida que alcanzamos
altas frecuencias, los efectos parásitos capacitivos e inductivos empiezan a
manifestarse y afectan el nivel de impedancia total del elemento. En el diodo
los niveles de capacitancia parásita son los que tienen un mayor efecto. A
bajas frecuencias y a niveles relativamente bajos de capacitancia, la reactancia
de un capacitor, determinada por XC = 1/2πfC en general es tan alta que se le
puede considerar de magnitud infinita, representada por un circuito abierto e
ignorada. A altas frecuencias, sin embargo, el nivel de XC puede reducirse al
punto de que creará una trayectoria de “puenteo” de baja reactancia. Si esta
trayectoria de puenteo ocurre a través del diodo, en esencia puede evitar que
éste afecte la respuesta de la red. En el diodo semiconductor p-n hay dos
efectos capacitivos que tienen que ser considerados. Ambos tipos de
capacitancia están presentes en las regiones de polarización en directa y en
inversa, pero uno predomina sobre el otro en cada región por lo que
consideramos los efectos de sólo uno en cada región. En la región de
polarización en inversa tenemos la capacitancia de transición o de región de
empobrecimiento (CT ) en tanto que en la región de polarización en directa
tenemos la capacitancia de almacenamiento o difusión (CD ). Recuerde que la
ecuación básica para la capacitancia de un capacitor de placas paralelas está
definida por C = A/d, donde es la permitividad del dieléctrico (aislante) entre las
placas de área A separadas por una distancia d. En la región de polarización
en inversa hay una región de empobrecimiento (libre de portadores) que se
comporta en esencia como un aislante entre las capas de cargas opuestas.
Como el ancho de la región de empobrecimiento (d) se incrementa con el
potencial de polarización en inversa incrementado, la capacitancia de transición
resultante se reduce, como se muestra en la figura 1.7.1 El hecho de que la
capacitancia depende del potencial de polarización en inversa aplicado tiene
aplicación en varios sistemas electrónicos. De hecho, en el capítulo 16 se
presenta un diodo cuya operación depende por completo de este fenómeno.
Aun cuando el efecto antes descrito también se presenta en la región de
polarización en directa, es eclipsado por un efecto de capacitancia que
depende directamente de la velocidad a la cual se inyecta la carga en las
regiones justo fuera de la región de empobrecimiento.
El resultado es que los niveles incrementados de corriente aumentan los
niveles de capacitancia de difusión. Sin embargo, los niveles incrementados de
corriente reducen el nivel de la resistencia asociada (lo que se demostrará en
breve) y la constante de tiempo resultante (t =RC), la cual es muy importante
en aplicaciones de alta velocidad, no llega a ser excesiva.
Los efectos de capacitancia antes descritos se representan por medio de
capacitores en paralelo con el diodo ideal, como se muestra en la figura 1.7.2.
Sin embargo, en aplicaciones de baja a media frecuencia (excepto en el área
de potencia), normalmente el capacitor no se incluye en el símbolo de diodo.

Figura 1.7.1Capacitancias de transición y

difusión contra polarización aplicada en un
diodo de silicio.

Fgura 1.7.2 Inclusión del efecto de

las capacitancias de transición o
difusión en el diodo semiconductor.

1.8. Hoja de especificaciones del diodo

Normalmente, el fabricante proporciona datos sobre dispositivos
semiconductores específicos en una de dos formas. Con más frecuencia, dan
una descripción muy breve, tal vez limitada a una página. En otras ocasiones
proporcionan un examen completo de las características mediante gráficas,
material gráfico, tablas, etc. En uno u otro caso, son piezas con datos
específicos que se deben incluir para el uso apropiado del dispositivo. Incluyen:
1. El voltaje en directa VF (a una corriente y temperatura especificadas).
2. La corriente máxima en directa IF (a una temperatura especificada).
3. La corriente de saturación en inversa IR (a un voltaje y temperatura
especificados).
4. El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V (BR), donde BR proviene
del término “breakdown” (ruptura) (a una temperatura especificada).
5. El nivel de disipación de potencia máximo a una temperatura particular
6. Niveles de capacitancia
7. Tiempo de recuperación en inversa

8. Intervalo de temperatura de operación

Según el tipo de diodo que se esté considerando, es posible que también se

den más datos, como intervalo de frecuencia, nivel de ruido, tiempo de
conmutación, niveles de resistencia térmica y valores repetitivos pico. Para la
aplicación pensada, la importancia de los datos casi siempre es auto aparente.
Si también se da el coeficiente de disipación o potencia máxima, se entiende
que es igual al siguiente producto:

Donde ID y VD son la corriente y el voltaje en el diodo, respectivamente, en un

punto de operación particular. Si aplicamos el modelo simplificado para una
aplicación particular (una ocurrencia común), podemos sustituir VD VT 0.7 V
para un diodo de silicio en la ecuación (1.8) y determinar la disipación de
potencia resultante por comparación contra el coeficiente de potencia máximo.
Es decir,

En las figuras 1.8.1 y 1.8.2 aparecen los datos provistos para un diodo de alto
voltaje y fugas escasas. Este ejemplo representaría la lista ampliada de datos y
características. El término rectificador se aplica a un diodo cuando se utiliza
con frecuencia en un proceso de rectificación, descrito en el capítulo 2.
Figura 1.8.2 Características terminales de un diodo de alto voltaje.
Áreas específicas de las hojas de especificaciones aparecen resaltadas en
tonos de gris, con las letras que corresponden a la siguiente descripción: A. La
hoja de datos resalta el hecho de que el diodo de silicio de alto voltaje tiene un
voltaje de polarización en inversa mínimo de 125 V con una corriente de
polarización en inversa especificada. B. Observe el amplio intervalo de manejo
de temperatura. Siempre tenga en cuenta que las hojas de datos en general
utilizan la escala en centígrados, con 200°C 392°F y –65°C = –85°F. C. El nivel
máximo de disipación de potencia está dado por PD = VDID = 500 mW = 0.5
W. El efecto de factor de variación lineal del valor nominal de potencia de 3.33
mW/°C se demuestra en la figura 1.8.2a. Una vez que la temperatura excede
de 25°C el coeficiente de potencia nominal máxima se reduce en 3.33 mW por
cada 1°C de incremento de temperatura. A una temperatura de 100°C, la cual
es el punto de ebullición del agua, el coeficiente de potencia nominal máxima
se reduce a la mitad de su valor original. Una temperatura de 25°C es típica en
el interior de un gabinete que contiene equipo electrónico en operación en una
situación de baja potencia. D. La corriente máxima sostenible es de 500 mA. La
gráfica de la figura 1.8.2 b revela que la corriente en directa a 0.5 V es
aproximadamente de 0.01 mA, pero salta a 1 mA (100 veces mayor) a
alrededor de 0.65 V. Con 0.8 V la corriente es de más de 10 mA y exactamente
arriba de 0.9 V se aproxima a 100 mA. De hecho, la curva de la figura 1.8.2 b
no se ve como las curvas de características que aparecen en las últimas
secciones. Éste es el resultado de utilizar una escala logarítmica para la
corriente y una lineal para el voltaje. Las escalas logarítmicas se utilizan a
menudo para proporcionar un intervalo más amplio de valores de una variable
en una cantidad de espacio limitada. Si se utilizara una escala lineal para la
corriente, sería imposible mostrar un intervalo de valores desde 0.01 hasta
1000 mA. Si las divisiones verticales estuvieran en incrementos de 0.01 mA, se
requerirían 100,000 intervalos iguales en el eje vertical para alcanzar 1000 mA.
Por el momento tenga presente que el nivel de voltaje a niveles de corriente
dados se puede hallar por medio de la intersección con la curva. Con valores
verticales por encima de un nivel como 10 mA, el siguiente nivel es 2 mA,
seguido por 3 mA, 4 mA y 5 mA. Los niveles de 6 mA a 10 mA se determinan
dividiendo la distancia en intervalos iguales (no la distribución verdadera, sino
lo bastante aproximada considerando las gráficas provistas). Para el siguiente
nivel serían 10 mA, 20 mA, 30 mA, etc. La gráfica de la figura 1.8.2b es una
gráfica semilogarítmica, porque sólo un eje utiliza una escala logarítmica. En el
capítulo 9 se dirá mucho sobre escalas logarítmicas. E. Los datos proporcionan
un intervalo de VF (voltajes de polarización en directa) por cada nivel de
corriente. Cuanto más alta sea la corriente en directa, mayor será la
polarización en directa aplicada. A 1 mA vemos que VF puede variar de 0.6 V a
0.68 V, pero a 200 mA puede ser tan alto como de 0.85 V a 1.00 V. En el
intervalo completo de niveles de corriente con 0.6 V a 1 mA y 0.85 V a 200 mA,
con toda certeza es una aproximación razonable utilizar 0.7 V como el valor
promedio. F. Los datos provistos revelan con claridad cómo se incrementa la
corriente de saturación en inversa con la polarización en inversa aplicada a una
temperatura fija. A 25°C la corriente de polarización en inversa máxima se
incrementa de 0.2 nA a 0.5 nA debido a un aumento del voltaje de polarización
en inversa por el mismo factor de 5; a 125°C se eleva por un factor de 2 al nivel
de 1 mA. Observe el cambio extremo de la corriente de saturación en inversa
con la temperatura en el momento en que el coeficiente de corriente máximo
cambia de 0.2 nA a 25°C a 500 nA a 125°C (a un voltaje de polarización en
inversa fijo de 20 V). Un incremento similar ocurre a un potencial de
polarización en inversa de 100 V. Las gráficas semilogarítmicas de las figuras
1.8.2c y 1.8.2d indican cómo cambia la corriente de saturación en inversa con
cambios en el voltaje en inversa y la temperatura. A primera vista la figura
1.8.2c podría indicar que la corriente de saturación en inversa es bastante
constante con cambios del voltaje en inversa. Sin embargo, en ocasiones esto
puede ser el efecto de utilizar una escala logarítmica para el eje vertical. La
corriente en realidad cambió de un nivel de 0.2 nA a un nivel de 0.7 nA en el
intervalo de voltajes que representa un cambio de casi 6 a 1. El dramático
efecto de la temperatura en la corriente de saturación en inversa se muestra
con claridad en la figura 1.8.2d. A un voltaje de polarización en inversa de 125
V la corriente de polarización en inversa se incrementa de un nivel de alrededor
de 1 nA a 25°C a aproximadamente 1 mA a 150°C, un incremento de un factor
de 1000 sobre el valor inicial. La temperatura y la polarización en inversa
aplicada son factores muy importantes en diseños sensibles a la corriente de
saturación en inversa. G. Como se muestra en la lista de datos en la figura
1.8.2e, la capacitancia de transición a un voltaje de polarización en inversa de 0
V es 5 pF a una frecuencia de prueba de 1 MHz. Observe el fuerte cambio del
nivel de capacitancia a medida que el voltaje de polarización en inversa se
incrementa. Como ya se mencionó, esta región sensible puede aprovecharse
en el diseño de 35 un dispositivo (Varactor, capítulo 16) cuya capacitancia es
sensible al voltaje aplicado. H. El tiempo de recuperación en inversa es de 3 ms
en las condiciones de prueba mostradas. Éste no es un tiempo rápido para
algunos de los sistemas de alto desempeño actuales en uso hoy en día; sin
embargo, es aceptable para varias aplicaciones de baja y media frecuencia.
Las curvas de la figura 1.8.2f indican la magnitud de la resistencia de ca del
diodo contra la corriente en directa. La sección 1.8 demuestra con claridad que
la resistencia dinámica de un diodo se reduce con un incremento de la
corriente. A medida que recorremos hacia arriba el eje de corriente de la figura
1.8.2f es evidente que si seguimos la curva, la resistencia dinámica se reducirá.
A 0.1 mA se acerca a 1 kΩ; a 10 mA, a 10 Ω, y a 100 mA, sólo 1 Ω; esto
evidentemente apoya el análisis anterior. A menos que se tenga experiencia
leyendo escalas logarítmicas, la lectura de la curva es un desafío a niveles
entre los indicados porque es una gráfica log-log. Tanto el eje vertical como el
horizontal emplean una escala logarítmica. Cuanto más nos expongamos a las
hojas de especificaciones, “más amigables” se volverán, sobre todo cuando el
impacto de cada parámetro se entiende con claridad para la aplicación
investigada.
CAPITULO II: Aplicaciones del diodo
2.1 Rectificación de media onda
Ahora ampliaremos el análisis de diodos para incluir funciones que varían con
el tiempo, como la forma de onda senoidal y la onda cuadrada. Sin duda, el
grado de dificultad se incrementará, pero una vez que se entiendan algunas
maniobras fundamentales, el análisis será directo y seguirá una ilación común.
Las más sencillas de las redes que se van a examinar con una señal que varía
con el tiempo, aparecen en la figura 2.44. Por el momento utilizaremos el
modelo ideal (note la ausencia de la etiqueta Si, Ge o GaAs) para que el
método no se empañe por la complejidad matemática adicional.

Figura 2.1 Rectificador de media onda.

A lo largo de un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura 2.1, el

valor promedio (la suma algebraica de las áreas arriba y debajo del eje) es
cero. El circuito de la figura 2.1, llamado rectificador de media onda, generará
una forma de onda vo que tendrá un valor promedio de uso particular en el
proceso de conversión ca a cd. Cuando se emplea en el proceso de
rectificación, un diodo en general se conoce como rectificador. En general, sus
capacidades de potencia y corriente son mucho más altas que las de los diodos
empleados en otras aplicaciones, como computadoras y sistemas de
comunicación. Durante el intervalo en la figura 2.1 la polaridad del voltaje
aplicado vi es tal que ejerce “presión” en la dirección indicada y enciende el
diodo con la polaridad que aparece arriba de él. Sustituyendo la equivalencia
de cortocircuito en lugar del diodo ideal se tendrá el circuito equivalente de la
figura 2.1, donde es muy obvio que la señal de salida es una réplica exacta de
la señal aplicada. Las dos terminales que definen el voltaje de salida están
conectadas directamente a la señal aplicada por conducto de la equivalencia
de corto circuito del diodo. Para el periodo la polaridad de la entrada vi es como
se muestra en la figura 2.1 y la polaridad resultante a través del diodo ideal
produce un estado de “apagado” con un equivalente de circuito abierto. El
resultado es que no hay una ruta para que fluya la carga y vi = iR = (0)R = 0 A
para el periodo T/2 entonces T. La entrada vi y la salida vo aparecen juntas en
la figura 2.1 para propósitos de comparación. La señal de salida vo ahora tiene
un área neta positiva sobre el eje durante un periodo completo y un valor
promedio determinado por

Figura 2.2 Señal rectificada

de media onda
Figura 2.2 para propósitos de
comparación. La Figura 2.2 región de no señal de salida vo
ahora tiene un área conducción (t/2 entonces t) neta positiva sobre
el eje durante un periodo completo y
un valor promedio determinado por:
V cd =0.318 v m

El proceso de eliminar la señal de entrada de media onda para establecer un

nivel de cd se llama rectificación de media onda.
El efecto de utilizar un diodo de silicio con VK = 0.7 V se demuestra en la figura
2.48 para la región de polarización en directa. La señal aplicada ahora debe ser
por lo menos de 0.7 V antes de que el diodo pueda “encenderse”. Con niveles
de vi menores que 0.7 V, el diodo aún permanece en el estado de circuito
abierto y vo = 0 V, como se muestra en la misma figura. Cuando conduce, la
diferencia entre vo y vi es un nivel fijo de VK = 0.7 V y vo =vi = VK como se
muestra en la figura. El efecto neto es una reducción del área sobre el eje, la
cual reduce el nivel de voltaje de cd resultante. En situaciones donde, se puede
aplicar la siguiente ecuación para determinar el valor promedio con un nivel de
precisión relativamente alto.
V cd =0.318 (V m−V k )

De hecho, si Vm es suficientemente mayor que VK, a menudo se aplica la

ecuación (2.7) como una primera aproximación de Vcd.

Figura 2.3 Efecto de VK sobre una señal rectificada de media onda

Ejemplo 2.1
a. Trace la salida vo y determine el nivel de cd para la red de la figura 2.4.
b. Repita la parte (a) con el diodo ideal reemplazado por un diodo de silicio.

Figura 2.4 red del ejemplo 2.1

Solución:
En esta situación el diodo conducirá durante la parte negativa de la entrada
como se muestra en la figura 2.4, donde también aparecerá vo. Durante todo
del periodo, el nivel de cd es
V cd =−0.318Vm=−0.318 ( 20 V )=−6.36V
El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad
definida de la figura 2.4.

Figura 2.5 Vo resultante para el circuito del ejemplo 2.1

b. Para un diodo de silicio, la salida tiene la

apariencia de la figura 2.51 y
V cd =−0.318 ( Vm−0.7 V ) =−0.318 ( 19.3V ) =−6.14 V

La caída resultante en el nivel de cd es de 0.22 V, o

alrededor de 3.5%.

Figura 2.6 efecto de Vk en la salida de la

figura 2.5

*PIV (PRV)
La capacidad de voltaje inverso pico (PIV) [o PRV (voltaje reverso pico )] del
diodo es de primordial importancia en el diseño de sistemas de rectificación.
Recuerde que no se debe exceder el valor nominal de voltaje en la región de
polarización en inversa o el diodo entrará a la región de avalancha Zener. El
valor nominal de PIV requerido para el rectificador de media onda se determina
con la figura 2.52, la cual muestra el diodo polarizado en inversa de la figura
2.44 con un voltaje máximo aplicado. Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff,
es obvio que el valor nominal de PIV del diodo debe ser igual a o exceder el
valor pico del voltaje aplicado. Por consiguiente,
PVI nominal ≥ Vm
 Figura 2.7 Determinación del valor nominal del PIV
requerida para el rectificador de media onda.
2.2 Rectificación de onda completa
El puente rectificador de onda completa es un circuito electrónico utilizado en la
conversión de una corriente alterna en continua. Este puente rectificador está
formado por 4 diodos. Existe una configuración en donde se tiene un diodo,
esta se le conoce de media. El rectificador de onda completa, tiene 4.
Recordemos antes que nada, que el diodo, se puede idealizar como un
interruptor. Si el voltaje es positivo y mayor que el voltaje en directa, el diodo
conduce. Recordemos que el voltaje en directa de un diodo de silicio esta sobre
los 0.7V. Si el diodo esta polarizado en inversa no conduce. Gracias a esto
podemos generar dos caminos de nuestro puente rectificador de onda
completa. Uno para la primera mitad del periodo, que es positiva y otro para la
segunda, que es negativa.

Para la siguiente figura, podemos observar que para la primera mitad del
periodo, el diodo D1 denaria pasar el voltaje, mientras que el diodo D2 no. El
voltaje que pasa a través de la carga, regresa a través de la net 0 (GND), en
donde pasara por D3 debido a que D2 tiene un voltaje en el cátodo por lo que
no se polariza. Para la segunda mitad del periodo, D2 y D4 son los que
conducen para la parte negativa.

Figura 2.8 Rectificador puente de diodos

Figura 2.9 Rectificación en ciclo positivo

 Figura 2.10 rectificación en ciclo negativo
2.3 Rectificación
con toma central
En la figura 2.11 aparece un segundo rectificador de onda completa muy
conocido con sólo dos diodos, pero que requiere un transformador con
derivación central (CT, por sus siglas en inglés) para establecer la señal de
entrada a través de cada sección del secundario del transformador.
Durante la parte positiva de vi aplicada al primario del transformador, la red
aparecerá como se muestra en la figura 2.12. El diodo D1 asume el equivalente
de cortocircuito y el D2 el equivalente de circuito abierto, como lo determinan
los voltajes secundarios y las direcciones de la corriente resultantes. El voltaje
de salida aparece como se muestra en la figura 2.12.

Figura 2.11 Rectificador de onda completa con

transformador con derivación central.

Figura 2.12 Condiciones de la red en la región positiva de

vi .

Durante la parte negativa de la entrada la red aparece como se muestra en la

figura 2.13, y los roles de los diodos se invierten pero mantienen la misma
polaridad del
voltaje a
través del
resistor de
carga R. El efecto neto es la misma salida que aparece en la figura 2.10con los
mismos niveles de cd.

Figura 2.13 Condiciones de la red en la región negativa de vi.

PIV La red de la figura 2.63 nos ayudará a determinar el PIV neto para cada
diodo de este rectificador de onda completa. Insertando el valor máximo del
voltaje secundario y Vm como se establece en la malla adjunta el resultado es

PIV =V secundario+ V R

PIV =Vm +Vm

PIV ≥2 Vm

Ejemplo 2.3
Determine la forma de onda de salida
para la red de la figura 2.64 y calcule el
Nivel de cd de salida
Figura 2.14 Determinación del nivel de
PIV para los diodos del rectificador de
onda completa con transformador con
derivación central.

Figura 2.15
esquema del ejemplo 2.3
Solución:

Figura 2.17 Red de la figura

Figura 2.162.15
Redvuelta
de la figura 2.15 en la
a dibujar.
región positiva de vi .
La red aparece como se muestra en la figura 2.16, con la región positiva del
voltaje de entrada. Si se vuelve a dibujar la red se obtiene la configuración de la
figura 2.17, donde 1 1
V 1 V i o V omax= V imax= ( 10 V )=5 V
O=
2
2 2
o como se muestra en la figura 2.17. En la parte
negativa de la entrada los roles de los diodos se
intercambian y vo aparece como se muestra en la
figura 2.18.
El efecto de quitar dos diodos de la configuración de
puente es, por consiguiente, reducir el nivel de cd
disponible al siguiente:V cd =0.636 ( 5 V )=3.18 V
o el disponible de un rectificador de media onda con la
misma entrada.
Figura 2.18 Salida resultante
en el ejemplo 2.3