UNIVERSISDAD MAYOR DE SAN SIMON (UMSS)

FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

ING. ELECTRICA

Grupo:1

PRE-INFORME I
“RECTIFICADOR CON CARGA RESISTIVA”

Apellidos y Nombres: Sosa Marce David Saul

Paco Colque Jose Ariel
Lopez Espinoza Alex
Negretty Fernández Luis Fernando
Espinoza Quenta Vladimir

Docente: Ing. Jaldin Florero Hernán

Materia: Laboratorio Electrónica de potencia

Cbba. 20/09/2023
1
 RECTIFICADOR CON CARGA RESISTIVA
1. OBJETIVOS:

 Verificar las características del Diodo.

 Verificar la forma de onda de la tensión y corriente.
 Verificar los valores medios y eficaces.
 Verificar el factor de rizado.
2. MARCO TEORICO
DIODO

Un diodo es un dispositivo semiconductor que actúa esencialmente como un interruptor

unidireccional para la corriente. Permite que la corriente fluya en una dirección, pero no
permite a la corriente fluir en la dirección opuesta.
El diodo polarizado de forma directa deja el flujo a través de él de los electrones, o bien lo
que es exactamente lo mismo deja el paso de la corriente eléctrica. En polarización inversa
no deja el paso de lo electrones por él.
Los diodos tienen una polaridad determinada por un ánodo (terminal positivo) y un cátodo
(terminal negativo). La mayor parte de los diodos dejan que la corriente fluya solo cuando
se aplica tensión al ánodo positivo.
En el momento en que un diodo deja un flujo de corriente, tiene polarización directa. En el
momento en que un diodo tiene polarización inversa, actúa como un aislante y no deja que
fluya la corriente.
Se asignan capacidades de corriente a los diodos. Si se supera la capacidad y el diodo falla,
puede generarse un cortocircuito y a) dejar que la corriente fluya en los dos sentidos o bien
b) interrumpir el flujo de corriente en los 2 sentidos.

2
Estructura del diodo

Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas
termoiónicas constituidos por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con
un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904
por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en observaciones
realizadas por Thomas Alva Edison.

Al igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo)
a través del cual circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El filamento está tratado
con óxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vacío circundante los
cuales son conducidos electrostáticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble,
cargada positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción. Evidentemente, si el
cátodo no se calienta, no podrá ceder electrones. Por esa razón, los circuitos que utilizaban
válvulas de vacío requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran antes de poder
funcionar y las válvulas se quemaban con mucha facilidad.
¿Qué aplicaciones tiene el diodo?
Los diodos tienen muchas aplicaciones, en forma abreviada se podría decir que:
 Se utiliza como rectificador de media onda u onda completa. Se aplica en el proceso
de conversión de corriente alterna (AC) a corriente directa (DC).

3
  Multiplicador de tensión. Por ejemplo, se puede duplicar o triplicar un voltaje DC.
 Se puede usar como emisor de luz.
 Se puede aplicar para estabilizar un voltaje.
 Como diodo de capacidad variable ante variaciones de la tensión aplicada.
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
En la práctica, el rectificador de media onda se utiliza principalmente en aplicaciones de
baja potencia, ya que la corriente de la red de distribución no será cero y una corriente
media distinta de cero puede causar problemas en el funcionamiento de los
transformadores. Aunque las aplicaciones prácticas de este circuito son limitadas, merece la
pena, realmente, analizar detalladamente el rectificador de media onda, pues una
compresión pormenorizada del circuito de media onda permite avanzar en el análisis de
circuitos más complejos con un mínimo esfuerzo.
En la figura se muestra un rectificador de media onda con carga resistiva. El generador
es de alterna y el objetivo es crear una tensión de carga que tenga una componente de
continua no nula. El diodo es un interruptor electrónico básico que solo permite el paso de
corriente en un sentido. En el semiciclo positivo del generador, el diodo conduce (está
polarizado en directa). Considerando que el diodo sea ideal, la tensión en un diodo
polarizado en directa es igual a cero y la corriente es positiva.
En el semiciclo negativo del generador, el diodo está polarizado en inversa, lo que hace
que la corriente sea cero. La tensión en el diodo polarizado en inversa es la tensión del
generador, la cual tiene un valor negativo.
Un rectificador debe proporcionar una salida continua con una cantidad mínima de
contenido armónico. Al mismo tiempo deberá mantener la corriente de entrada tan senoidal
como sea posible y en fase con la tensión de entrada, de tal forma que el factor de potencia
esté cercano a la unidad. La calidad del procesamiento de energía de un rectificador
requiere de la determinación del contenido armónico de la corriente de entrada, de la
tensión de salida y de la corriente de salida.
CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO
Un diodo rectificador recoge unos parámetros muy importantes para definir una curva
característica. Esta gráfica nos sirve para analizar la región de polarización de un diodo y
cuál es el corriente umbral a la que opera el dispositivo.

4
Con estos parámetros podemos evitar daños en el dispositivo y deterioro de su vida útil si lo
que queremos es mantener el dispositivo.
TENSIÓN DE UMBRAL DE CODO O DE PARTIDA.
Para que esta tensión de umbral sede, inicialmente el diodo debe estar en polarización
directa. Esta tensión debe coincidir en valor, con el voltaje de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado.
Al momento de aplicar polarización directa al diodo, la barrera de potencial inicial empieza
a reducirse y se empieza a incrementar ligeramente la corriente.
Si el voltaje externo supera el voltaje umbral, la barrera de potencial desaparece de tal
forma que para pequeños incrementos de voltaje se produzcan grandes variaciones en la
corriente.
CORRIENTE MÁXIMA (I).
Es básicamente la corriente máxima que puede conducir el diodo sin que este se queme por
el efecto Joule. En conclusión, es la cantidad de calor que puede disipar el diodo en función
de la corriente eléctrica.
CORRIENTE INVERSA DE SATURACIÓN
Es una cantidad pequeñísima de corriente que se da al momento de polarizar inversamente
el diodo debido a la formación de pares de electrón-hueco en función de la temperatura.
CORRIENTE SUPERFICIAL DE FUGAS
Es una pequeña corriente que circula por la estructura del diodo en polarización inversa.
Esta corriente se encuentra en función del voltaje aplicado al diodo con lo que al aumentar
el voltaje aumenta la corriente superficial de fugas.

VOLTAJE DE RUPTURA

5
Es un voltaje inverso máximo que el diodo puede soportar antes de que se presente el efecto
avalancha (muy común en los diodos Zener). Lo que ocurre es que, al polarizar el diodo de
forma inversa, por medio de este habrá una circulación de corriente inversa de saturación
(condiciones teóricas). En condiciones reales a partir de un determinado valor de voltaje, en
el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto de avalancha; sin embargo,
hay otro tipo de diodos como por ejemplo el Zener en los que las rupturas se deben a dos
efectos que son: el efecto avalancha y el efecto Zener.
EFECTO AVALANCHA
Cuando el diodo es polarizado inversamente se generan pares electrón-Hueco que
ocasionan una corriente inversa de saturación; Si el voltaje inverso es elevado los
electrones entran en aceleración incrementando de esta forma su energía cinética de tal
forma que al chocar con electrones de valencia provocan un salto a la banda conductiva.
Esos electrones que son liberados se aceleran por efecto del voltaje chocando con más
electrones de valencia y liberándolos al tiempo. Lo que sigue es una avalancha de
electrones que provoca una corriente bastante grande. Este efecto solo ocurre cuando los
voltajes aplicados son superiores a 6 voltios.
EFECTO ZENER
Entre más dopado esté el material, menor será el ancho de la zona de carga, esto se debe a
que el campo eléctrico puede expresarse como el cociente de la tensión o voltaje (V) entre
la distancia (d), cuando el diodo presente un dopado muy alto y el valor de «d» sea muy
pequeño.
Bajo estas condiciones, el campo eléctrico es capaz de arrancar electrones de valencia
incrementando de esta forma la corriente eléctrica. Este efecto se produce para voltajes de
4V o menores y para tensiones inversas de entre 4 y 6 voltios, la ruptura de estos diodos
especiales como, por ejemplo: Los Zener, pueden producir ambos efectos.

Tipos de diodo semiconductor

Varios diodos semiconductores, abajo: un puente rectificador. En la mayoría de los diodos,
el terminal cátodo se indica pintando una franja blanca o negra.
Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto físico, impurezas, uso de
electrodos, que tienen características eléctricas particulares usados para una aplicación
especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado por principios
de la mecánica cuántica y teoría de bandas.
Los diodos normales: los cuales operan como se describía más arriba, se hacen
generalmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de estos diodos
rectificadores de silicio, se usaba el óxido cuproso y el selenio: su baja eficiencia le dio una
caída de tensión muy alta (desde 1,4 a 1,7 V) y requerían de una gran disipación de calor
mucho más grande que un diodo de silicio. La gran mayoría de los diodos pn se encuentran

6
en circuitos integrados CMOS, que incluyen dos diodos por pin y muchos otros diodos
internos.
Diodo avalancha (TVS): Diodos que conducen en dirección contraria cuando el voltaje en
inverso supera el voltaje de ruptura, también se conocen como diodos TVS. Eléctricamente
son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro fenómeno, el efecto avalancha.
Esto sucede cuando el campo eléctrico inverso que atraviesa la unión p-n produce una onda
de ionización, similar a una avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha
están diseñados para operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya. La
diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente
6,2 voltios) y el diodo Zener es que el ancho del canal del primero excede la «libre
asociación» de los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. La
única diferencia práctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de polaridades
opuestas (la disipación de calor máxima es mayor en un diodo Zener, es por ello que estos
se emplean principalmente en circuitos reguladores de tensión). Este tipo de diodos se
emplean para eliminar voltajes y corrientes transitorios que pudieran provocar un mal
funcionamiento de un bus de datos que conecte dos dispositivos sensibles a voltajes
transitorios.
Diodo de Silicio: Suelen tener un tamaño milimétrico y, alineados, constituyen detectores
multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que los
fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con huecos) en contacto con un
semiconductor de tipo n (electrones). La radiación comunica la energía para liberar los
electrones que se desplazan hacia los huecos, estableciendo una corriente eléctrica
proporcional a la potencia radiante.
Diodo de cristal: Es un diodo de punta (ver diodo de punta). El diodo consiste en un hilo
de metal afilado en su punta presionado contra un cristal semiconductor, (de ahí la
denominación de "diodo de cristal"), generalmente un cristal de galena o de un cristal de
carborundo (carburo de silicio), u otros cristales semiconductores. El hilo de metal forma el
ánodo y el cristal semiconductor forma el cátodo. Los diodos de cristal tienen una gran
aplicación en la radio de galena. Los diodos de cristal están obsoletos, pero todavía pueden
conseguirse diodos de cristal de germanio de algunos fabricantes. Al hilo de metal en inglés
le llaman "cat whisker", y de ahí se ha traducido literalmente al español como "bigote de
gato".
Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a la
fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales análogo al diodo
Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una corriente a través de ellos para alcanzar un
valor adecuado y así estabilizarse en un valor específico. También suele llamarse CLDs
(por sus siglas en inglés) o diodo regulador de corriente.
Diodo túnel o Esaki: Tienen una región de operación que produce una resistencia negativa
debido al efecto túnel, permitiendo amplificar señales y circuitos muy simples que poseen
dos estados. Debido a la alta concentración de carga, los diodos túnel son muy rápidos,

7
pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos magnéticos de gran magnitud y en
entornos con radiación alta. Por estas propiedades, suelen usarse en viajes espaciales.
Diodo Gunn: Similar al diodo túnel son construidos de materiales como GaAs o InP que
produce una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de dominio del
dipolo y propagación a través del diodo, permitiendo osciladores de ondas microondas de
alta frecuencia.
Ledes de distintos colores.
Diodo emisor de luz o LED del acrónimo inglés, light-emitting diode: Es un diodo
formado por un semiconductor con huecos en su banda de energía, tal como arseniuro de
galio, los portadores de carga que cruzan la unión emiten fotones cuando se recombinan
con los portadores mayoritarios en el otro lado. Dependiendo del material, la longitud de
onda que se pueden producir varía desde el infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al
ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos depende de la longitud de onda que ellos
emiten: 2.1V corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros ledes fueron rojos y
amarillos. Los ledes blancos son en realidad combinaciones de tres ledes de diferente color
o un led azul revestido con un centellador amarillo. Los ledes también pueden usarse como
fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones de señales. Un led puede usarse con un
fotodiodo o fototransistor para formar un optoacoplador.
Diodo láser: Cuando la estructura de un led se introduce en una cavidad resonante formada
al pulir las caras de los extremos, se puede formar un láser. Los diodos láser se usan
frecuentemente en dispositivos de almacenamiento ópticos y para la comunicación óptica
de alta velocidad.
Diodo térmico: Este término también se usa para los diodos convencionales usados para
monitorear la temperatura a la variación de voltaje con la temperatura, y para refrigeradores
termoeléctricos para la refrigeración termoeléctrica. Los refrigeradores termoeléctricos se
hacen de semiconductores, aunque ellos no tienen ninguna unión de rectificación,
aprovechan el comportamiento distinto de portadores de carga de los semiconductores tipo
P y N para transportar el calor.
Fotodiodos: Todos los semiconductores están sujetos a portadores de carga ópticos.
Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos de los semiconductores están
empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen la función
de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que están empacados en materiales que permiten
el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo más sensible a la luz). Un
fotodiodo puede usarse en celdas solares, en fotometría o en comunicación óptica. Varios
fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo como un arreglo lineal o como un arreglo
de dos dimensiones. Estos arreglos no deben confundirse con los dispositivos de carga
acoplada.
Diodo de punta de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de unión
mencionado anteriormente, aunque su construcción es más simple. Se fabrica una sección

8
de semiconductor tipo n, y se hace un conductor terminado en punta aguda con un metal del
grupo 3 (generalmente acero-wolframio), de manera que haga contacto con el
semiconductor. Algo del metal migra hacia el semiconductor para hacer una pequeña región
de tipo p cerca del contacto. El muy usado 1N34 (de fabricación alemana) aún se usa en
receptores de radio como diodo detector y ocasionalmente en dispositivos analógicos
especializados.
Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una sección central sin doparse o en otras palabras una
capa intrínseca formando una estructura p-intrínseca-n. Son usados como interruptores de
alta frecuencia y atenuadores. También son usados como detectores de radiación ionizante
de gran volumen y como fotodetectores. Los diodos PIN también se usan en la electrónica
de potencia y su capa central puede soportar altos voltajes. Además, la estructura del PIN
puede encontrarse en dispositivos semiconductores de potencia, tales como IGBTs,
MOSFETs de potencia y tiristores.
Diodo Schottky: El diodo Schottky están construidos de un metal a un contacto de
semiconductor. Tiene una tensión de ruptura mucho menor que los diodos pn. Su tensión de
ruptura en corrientes de 1mA está en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace útiles en
aplicaciones de fijación y prevención de saturación en un transistor. También se pueden
usar como rectificadores con bajas pérdidas aunque su corriente de fuga es mucho más alta
que la de otros diodos. Los diodos Schottky son portadores de carga mayoritarios por lo que
no sufren de problemas de almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que
ralentizan la mayoría de los demás diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una
recuperación inversa más rápida que los diodos de unión pn). Tienden a tener una
capacitancia de unión mucho más baja que los diodos pn que funcionan como interruptores
veloces y se usan para circuitos de alta velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de
frecuencias y detectores.
Stabistor: El stabistor (también llamado Diodo de Referencia en Directa) es un tipo
especial de diodo de silicio cuyas características de tensión en directa son extremadamente
estables. Estos dispositivos están diseñados especialmente para aplicaciones de
estabilización en bajas tensiones donde se requiera mantener la tensión muy estable dentro
de un amplio rango de corriente y temperatura.
Diodo Varicap: El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es
un diodo que aprovecha determinadas técnicas constructivas para comportarse, ante
variaciones de la tensión aplicada, como un condensador variable. Polarizado en inversa,
este dispositivo electrónico presenta características que son de suma utilidad en circuitos
sintonizados (L-C),5 donde son necesarios los cambios de capacidad.

9
Polarización inversa de un diodo
Polarización inversa del diodo pn.
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la
zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que
se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:
El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes
que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción,
adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y
una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos átomos solo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que
10
han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones
de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los
electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con
lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y
una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo
potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto
de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de
la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente
inversa de saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial de
fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la
superficie del diodo; ya que, en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de
suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad.

3. CALCULOS TEORICOS
DATOS:
V =50 [ V ] ; R=100 [Ω]

11
 {
v ( ωt ) = √ 2 V senωt 0 ≤ ωt< π
0 π ≤ ωt <2 π

CÁLCULO DE LA TENSION MEDIA

T
1
V 0= ∫ v ( ωt ) d ( ωt )
T 0

[ ]
π 2π
1
V 0=
T
∫ √ 2 V sen ωt d ( ωt )+∫ 0 d ( ωt )
0 π

1
V 0=
2π
{√2 V [ −cos ωt ] }π
0

1
V 0=
2π
[ √ 2V (cos 0−cosπ )]
1
V 0=
2π
[ √ 2V (2)]

V 0= √
2V
π

V 0=
√ 2(50) → V =22 , 51[V ]
0
π
CÁLCULO DE TENSION EFICAZ
T
1
2
V R= ∫
T 0
2
(v ( wt ) ) d ( ωt )

2 1
V R= ¿
2π

[ ]
π
1
2V ∫ √ 2V sen ( ωt ) d ( ωt )
2 2 2
V =
R
2π 0

[ ]
π
1 1
2V ∫ (1−cos 2 ωt )d ( ωt )
2 2
V =
R
2π 0 2

2 1
V R= ¿
2π

V 2R=
1
2π [
V 2 ( ( π−0 )−
−1
2
(sen 2 π −sen 0))
]
12
 2 V
V R=
√2
V
V R=
√2
50
V R= →V R=35 ,36 [V ]
√2
CÁLCULO DE LA TENSION DE RIZADO
1
2 2 2
V RI =[V −V ]
R 0

2 1
1
V RI =[( ∗V ) −V 20 ]2
√2

[( ) ]
1
2
1 2
∗V O π
V RI = √ 2
−V 20
√2

[ ]
1
2 2
V O∗π 2
2
V RI = ( )−V 0
4

[ ]
1
2
π 2
V RI =V 0 ( )−1
4

V RI =1.211V 0 →V RI =27 , 26 [V ]

FACTOR DE RIZADO
V RI
Kv= =¿1.211
V0

CÁLCULO DE LA CORRIENTE MEDIA

V0
I 0=
R

I 0=
√2 V
R∗π

I 0=
√2 (50) → I =225 , 1 m[ A ]
0
100∗π
CÁLCULO DE LA CORRIENTE EFICAZ

13
 VR
I R=
R
V
I R=
R∗√ 2
V
I R=
R∗√ 2
50
I R= → I R=353 , 6 m[ A ]
100∗√ 2

CÁLCULO DE LA CORRIENTE DE RIZADO

1
I RI =[I ¿¿ R2 −I 20 ] 2 ¿

[( ) ]
1
π2 2
I RI =I 0 −1
4

I RI =1.211 I 0

I RI =1.211 ( 0.216 ) → I RI =272, 6 m[ A ]

CÁLCULO DEL FACTOR DE RIZADO

I RI
K i=
I0
K i=¿ 1.211

14
4. Cálculos realizados mediante Wolfram

15
 5. Simulación Pspice

Se Realizó el armado del siguiente circuito en el Pspice:

16
 a) Gráficos obtenidos mediante la simulación
 Tensión de Entrada

 Tensión de Salida

17
 Corriente del Diodo

 Tensión en la resistencia
18
b) Gráficos de Tensiones y corrientes obtenidos en la simulación.
 Tensiones

19
 Corrientes

20
6. Tabla de Resultados
Resultado Resultado
Teórico Simulación
Voltaje de salida(V o ) 22,51 [V] 21,6 [V]
Voltaje eficaz (V RMS) 35,36 [V] 34,11 [V]
Voltaje de rizado(V RI ) 27,26 [V] 26,38 [V]
Factor de rizado (K V ) 1,211 1,221
Corriente de salida (I o) 225,1 m[A] 216 m[A]
Corriente eficaz (I RMS ) 353,6 m[A] 341,2 m[A]
Corriente de rizado(I RI ) 272,6 m[A] 263,8 m[A]
Factor de rizado (K I ) 1,211 1,221

21