KOMATSU MITSUI

Electrónica Básica
Camiones Komatsu 830/930

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1. El diodo semiconductor
Historia

Se considera que la electrónica comenzó con el diodo de vacío inventado por John Ambrose
Fleming en 1904.

Sir John Ambrose Fleming (1849 – 1945) Primera válvula diodo 1904

El funcionamiento de este dispositivo está basado en el efecto Edison. Edison fue el primero
que observó en 1883 la emisión termoiónica, al colocar una lámina dentro de una bombilla
para evitar el ennegrecimiento que producía en la ampolla de vidrio el filamento de carbón.
Cuando se polarizaba positivamente la lámina metálica respecto al filamento, se producía una
pequeña corriente entre el filamento y la lámina. Este hecho se producía porque los electrones
de los átomos del filamento, al recibir una gran cantidad de energía en forma de calor,
escapaban de la atracción del núcleo (emisión termoiónica) y, atravesando el espacio vacío
dentro de la bombilla, eran atraídos por la polaridad positiva de la lámina.

Válvula diodo básica

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El diodo de vacío fue desbancado más rápidamente que las válvulas amplificadoras por el
diodo semiconductor que se empezó a utilizar en 1920, aunque se conocía de más antiguo por
ser utilizado en el receptor de radio a galena, un diodo que estaba formado por cristal de
galena.

La invención del transistor (1947) origino a su vez la producción de diodos semiconductores

mas pequeños y eficientes que mejoraron sus aplicaciones.

Diodos semiconductores de diverso tipo. Wikipedia

Polarizacion del diodo semiconductor

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n, por lo
que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar que ninguno de los dos
cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el número de electrones y
protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son
neutros. (Su carga neta es 0).

Diodo de unión sin polarizar y zona de carga espacial

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Formación de la zona de carga espacial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión,
zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento,
de deplexión, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va incrementando su

anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la
acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo
eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza
de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las
zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los
cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de
0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro, la zona de
carga espacial es mucho mayor.

Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no
se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no está polarizado. Al
extremo p, se le denomina ánodo, representándose por la letra A, mientras que la zona n, el
cátodo, se representa por la letra C (o K).

Diodo polarizado directamente

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Diodo polarizado inversamente

Curva característica del diodo

 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa
coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado.
Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo,
cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece,
de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones
de la intensidad.
 Corriente máxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseño del mismo.
 Corriente inversa de saturación (Is ).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la

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formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se

duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.
 Corriente superficial de fugas.
Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización
inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.
 Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.

Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de

saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo normal o
de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos,
como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares

electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando con
más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para valores
de la tensión superiores a 6 V.
 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como
cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por
tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se
puede producir por ambos efectos.

Modelos matemáticos

El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford

Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las
aplicaciones. La ecuación que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde:

 I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensión

entre sus extremos.
 IS es la corriente de saturación
 q es la carga del electrón
 T es la temperatura absoluta de la unión
 k es la constante de Boltzmann

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 n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que

suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
 El término VT = kT/q = T/11600 es la tensión debida a la temperatura, del orden de 26
mV a temperatura ambiente (300 K ó 27 ºC).

Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos más
sencillos), en ocasiones se emplean modelos más simples aún, que modelizan las zonas de
funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de
Ram-señal que se muestran en la figura. El más simple de todos (4) es el diodo ideal.

Otros tipos de diodos semiconductores

 Diodo avalancha
 Fotodiodo
 Diodo Gunn
 Diodo láser
 Diodo LED (e IRED)
 Diodo p-i-n
 Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky
 Diodo Shockley (diodo de cuatro capas)
 Diodo túnel o diodo Esaki
 Diodo Varactor
 Diodo Zener

Aplicaciones del diodo

 Rectificador de media onda

 Rectificador de onda completa
 Rectificador en paralelo
 sujetador
 Doblador de tensión
 Estabilizador Zener
 Recortador
 Circuito fijador

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 Multiplicador de tensión
 Divisor de tensión

Practica 1: Caracteristicas del diodo en DC

Objetivos

Determinar las caracteristicas tecnicas del diodo en conduccion y bloqueo

Emplear imstrumentos virtuales

Procedimiento

Implemente el circuito Diodo

mostrado.polarizado directamente

842.9mV
DC V

23.92 A 239.2 V
D1 DC A
100HF100PV DC V

+ V1 R1
240V 10

Comentarios

 En este caso donde se trabaja con corriente continua los resultados aparecen directamente en
el instrumento virtual voltímetro, amperímetro.

Preguntas

1. ¿Cuál es el significado de la palabra Diodo?

DI=Dos; ODO=Electrodo ; Dos electrodos

2. ¿Cómo esta polarizado el diodo?

Directamente, el Terminal Ánodo es + y el Terminal Cátodo es -.

3. ¿Cómo se denomina el voltaje sobre el diodo?

Voltaje directo VF , tambien Voltaje de Umbral; 0,7V para el Silicio y 0,3V para el
Germanio

4. ¿Cómo se denomina la corriente por el diodo?

Corriente Directa IF

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5. ¿Qué tipo de voltaje miden los voltímetros?

Miden el Valor Medio o DC.

6. Dibuje con una flecha el sentido de la corriente en el circuito. ¿La corriente que ha
dibujado, tiene el sentido real o convencional?

Es el sentido convencional, del +- de la fuente de alimentación.

7. ¿El voltaje sobre el diodo es constante?

No, depende de la corriente directa que atraviese el diodo.

Practica 2: Caracteristicas del diodo en DC

Objetivos

Determinar las caracteristicas tecnicas del diodo en conduccion y bloqueo

Emplear imstrumentos virtuales

Procedimiento
Diodo polarizado inversamente
El circuito es igual al de la Practica 1 pero ahora invierta el diodo, mida los dos voltajes y la
corriente por el circuito.

240.0 V
DC V

2.542uA 25.42uV
D1 DC A
100HF100PV DC V

+ V1 R1
240V 10

Preguntas

1. ¿Cómo esta polarizado el diodo?

El diodo esta polarizado inversamente

2. ¿Cómo se denomina el voltaje sobre el diodo?

Voltaje Inverso VR y corresponde en este caso al voltaje de la fuente

3. ¿Cómo se denomina la corriente por el diodo?

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Corriente Inversa IR y es de pequeña magnitud; μA para el germanio y ηA para el

silicio.

4. ¿Qué tipo de voltaje miden los voltímetros?

Voltaje Medio o DC

5. Dibuje con una flecha el sentido de la corriente en el circuito. ¿La corriente que ha dibujado
es de gran magnitud?

No, es del orden de los ηA (Silicio)

6. Anote las características básicas del diodo semiconductor empleado

Corriente
Voltaje Inverso
Código Directa Material Aplicación
VR
IF

Practica 3: Características del diodo en AC

Objetivos

Determinar las caracteristicas tecnicas del diodo en conduccion y bloqueo en un circuito de

AC
Emplear imstrumentos virtuales

Procedimiento

El circuito es igual al de la Practica 1, aplique ahora una fuente de corriente alterna y los
Diodo en Corriente Alterna
instrumentos mostrados.

D1 98.60 V 119.5 V
100HF100PV DC~V AC V

V1
-311/311V
219.9 V
AC V R1
60 Hz 10

Preguntas

1. ¿Circula coriente por la resistencia ?. ¿Por que?

Si, la resistencia es atravezada por el pulso positivo de la corriente alterna.

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2. ¿Si se invierte el diodo circula corriente por la resistencia?

Si, la resistencia es atravezada por el pulso negativo de la corriente alterna.

3. ¿Como esta polarizado el diodo?

Directa o inversamente depende del semiperiodo del voltaje AC.

4. ¿Que tipos de voltaje estan midiendo los voltimetros?

Uno mide el Voltaje Average y el otro el Voltaje Eficaz.

Practica 4: Características del diodo en AC

Objetivos

Determinar las caracteristicas tecnicas del diodo en conduccion y bloqueo en un circuito de

AC
Emplear instrumentos virtuales

Procedimiento
Diodo en Corriente Alterna
Observacion de formas de onda
El circuito es igual al de la Practica 1 aplique ahora una fuente de corriente alterna y emplee
el Osciloscopio.
D1
A 100HF100PV B

V1
-311/311V
R1
10
60 Hz

Debera obtener las formas de onda mostradas en los puntos de prueba A y luego A/B.

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400.0 V
A: v1_1

300.0 V

200.0 V

100.0 V

0.000 V

-100.0 V

-200.0 V

-300.0 V

-400.0 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

400.0 V
A: v1_1
B: d1_k

300.0 V

200.0 V

100.0 V

0.000 V

-100.0 V

-200.0 V

-300.0 V

-400.0 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

Preguntas

1. Determine el voltaje eficaz de entrada apartir del grafico.

2. Determine la frecuencia del votaje de entrada a partir del grafico.

3. ¿Como se denomina a la forma de onda del voltaje B?

4. ¿Cual es el valor medio de esta onda?

5. ¿Cual es la frecuencia de esta onda?

6. Obtenga la forma de onda del voltaje sobre el diodo

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50.00 V
A: v1_1

0.000 V

-50.00 V

-100.0 V

-150.0 V

-200.0 V

-250.0 V

-300.0 V

-350.0 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

7. Marque en el graficom las zonas de conduccion y bloqueo del diodo.

8. ¿Cual es el voltaje maximo que soporta el diodo?

9. Reduzca el voltaje del generador a 6V maximo o pico. Repita la observacion anterior.

2.000 V
A: v1_1

1.000 V

0.000 V

-1.000 V

-2.000 V

-3.000 V

-4.000 V

-5.000 V

-6.000 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

10. Marque en el grafico las zonas de conduccion y bloqueo del diodo.

11. ¿A que se debe el voltaje de menor valor que se aprecia en el grafico?

12. ¿Por que no se aprecia este voltaje en el grafico dela pregunta 6?.

Practica 5: Fuente electronica basica

Objetivos

 Analizar el funcionamiento del rectificador de onda completa

 Observar la corriente de entrada del puente rectificador

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 Analizar el efecto de modificar el condensador de carga

Procedimiento

Implemente el circuito mostrado y obtenga el voltaje del punto A.

30.00 V
A: d1_k

25.00 V

20.00 V

15.00 V

10.00 V

5.000 V

0.000 V

-5.000 V

-10.00 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

Preguntas

1. ¿Como se denomina a este circuito?

2. En el esquema del circuito dibuje la trayectoria de la corriente para cada semiperiodo

3. ¿Cual es el valor medio del voltaje de salida?

4. Mida el voltaje average de salida

5. ¿Cual es la frecuencia del voltaje de salida?

6. Reduzca el voltaje maximo de la fuente a 6V y observe el voltaje de salida. ¿Cuales son las
diferencias con la onda obtenida inicialmente?

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4.500 V
A: d1_k

4.000 V

3.500 V

3.000 V

2.500 V

2.000 V

1.500 V

1.000 V

0.500 V

0.000 V

-0.500 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

Fuente
7. ¿A que razones se deben estas de alimentacion
diferencias?
electronica basica
8. Agrege el condensador de carga y observe el voltaje en el punto A.
A

V1 D1 D2
-31/31V 1N4007 1N4007
+

C1 R1
60 Hz 1000uF 100

D3 D4
1N4007 1N4007

30.00 V
A: d1_k

25.00 V

20.00 V

15.00 V

10.00 V

5.000 V

0.000 V

-5.000 V

-10.00 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

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9. ¿Cual es el nombre de la forma de onda que se observa?

10. Mida el valor medio del voltaje de salida en el circuito y comparelo con el medido en el
circuito anterior

11. Cambie el condensador de carga por los valores indicados y mida el valor medio del
voltaje de salida. ¿Cual es la relacion entre capacidad y valor medio?

CAPACIDAD (uF) VALOR MEDIO (V)

470
1000
4700
10000

Fuente
12. Agrege una resistencia de decomo
10 Ohmios alimentacion
se muestra en el circuito y observe la forma
de onda en el punto A. electronica basica

V1 D1 D2
-31/31V R2 1N4007 1N4007
A 10
R1
60 Hz 100

D3 D4
1N4007 1N4007

3.000 V
A: v1_1

2.000 V

1.000 V

0.000 V

-1.000 V

-2.000 V

-3.000 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

13. La onda observada es de voltaje, pero tambien nos da informacion de otra magnitud
importante. ¿Cual es esta magnitud?

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14. ¿Por que esta magnitud es alterna? de alimentacion

Fuente
electronica basica
15. Agrege el condensador de carga y repita la observacion anterior.

V1 D1 D2
-31/31V R2 1N4007 1N4007
A 10

+
C1 R1
60 Hz 1000uF 100

D3 D4
1N4007 1N4007

25.00 V
A: v1_1

20.00 V

15.00 V

10.00 V

5.000 V

0.000 V

-5.000 V

-10.00 V

-15.00 V

-20.00 V

-25.00 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

16. ¿Cual es la razon por la que aparecen niveles cero de voltaje?

17. ¿Por que las ondas van decreciendo en amplitud?

18. Cambie el condensador por uno de 10 000 uF y observe nuevamente el voltaje sobre la
resistencia de 10 Ohmios

17
KOMATSU MITSUI

30.00 V
A: v1_1

20.00 V

10.00 V

0.000 V

-10.00 V

-20.00 V

-30.00 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

19. ¿Que diferencias encuentra con el caso del condensador de 1000 uF. Explique las razones

20. ¿Que efectos tienen sobre la red de alimentacion AC estas formas de onda?

Practica 6

Objetivos

 Reconocer la estructura del regulador Zener

 Analizar el funcionamiento del regulador Zener

Procedimiento

Obtenga el circuito mostrado y Regulacion

observe las ondasZener
de voltaje mostradas.

R2
A 100 B

V1 D1 D2
-31/31V 1N4007 1N4007
+

C1 D5 R1
60 Hz 1N4740 470
1000uF
D3 D4
1N4007 1N4007

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KOMATSU MITSUI

30.00 V
A: r2_1
B: r1_2

25.00 V

20.00 V

15.00 V

10.00 V

5.000 V

0.000 V

-5.000 V

-10.00 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

Preguntas

1. Marque en el circuito los disposirtivos que forman el regulador Zener

2. ¿Cuales son las caracteristicas tecnicas del diodo Zener?

3. Mida el voltaje average antes y despues del regulador Zener

4.¿Que dispositivo debe disipar la energia producida por la diferencia de voltaje entre ña
entrada y salida?

5. ¿Que hace el regulador Zener con el voltaje que viene del puente de diodos y el
condensador de carga?
6. Mida las corrientes que se indican y anotelas en la tabla

IR2 IZ IR1
Regulacion Zener

R2
A 100

V1 D1 D2
-31/31V 1N4007 1N4007
C
B
+

C1 D5 R1
60 Hz 1N4740 470
1000uF
D3 D4
1N4007 1N4007

7. ¿Con la informacion de las corrientes puede decirse que el diodo Zener esta funcionando?

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KOMATSU MITSUI

6. Varie la resistencia R2 como se indica en el circuito y observe los voltajes antes y despues
del regulador Zener Regulacion Zener

R2
A 1.2k B

V1 D1 D2
-31/31V 1N4007 1N4007

+
C1 D5 R1
60 Hz 1N4740 470
1000uF
D3 D4
1N4007 1N4007

30.00 V
A: d5_k
B: c1_1

25.00 V

20.00 V

15.00 V

10.00 V

5.000 V

0.000 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

6. ¿El regulador Zener esta funcionando?

7. Mida las corrientes que se indican y anotelas en la tabla

IR2 IZ IR1

20
KOMATSU MITSUI Regulacion Zener

R2
A
1.2k

V1 D1 D2
-31/31V 1N4007 1N4007
C
B

+
C1 D5 R1
60 Hz 1N4740 470
1000uF
D3 D4
1N4007 1N4007

8. ¿Esta funcionando el regulador Zener?. ¿Por que razon?

9. Anote los valore nominales del diodo Zener empleado

Voltaje Zener Corriente Zener Potencia Zener

Codigo
VZ IZ PZ

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Fotografía del primer transistor

realizado por físicos W. Shockley,
J. Bardeen y W. Brattain en
diciembre de 1947. Tomada de
www.bellsystemmemorial.com/bel
llabs_transistor.html

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KOMATSU MITSUI

Practica 7: El Transistor Bipolar – Caracteristicas

Objetivos

 Observar el funcionamiento del transistor

 Determinar sus caracteristicas tecnicas
Procedimiento

Implemente el circuito mostrado y obtenga las lecturas de los instrumentos con el interruptor
abierto y luego cerrado

Corriente de Base Corriente de Colector Voltaje Colector –Emisor

Interuptor IB IC VCE
abierto

Corriente de Base Corriente de Colector Voltaje Colector –Emisor

Interuptor IB IC VCE
cerrado

V1
10V
0.000 A +V 100.0nA
DC A DC A

10.000
R1 L1 DC V
1k

S4
Q1
2N2222

Preguntas

1. Hechas las comparaciones entre los dos estados del interuptor, ¿a que dispositivo electrico
es semejante el transistor?

2. Coloque una resistencia variable en el circuito de base y complete la tabla para los diversos
valores de esta resistencia

Corriente de Voltaje Colector –

Corriente de Base
% R2 Colector Emisor
IB
IC VCE
10
20
40
60
80
100

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KOMATSU MITSUI

V1
10V
241.0uA +V 37.63mA
DC A DC A

6.237 V
L1 DC V
R2 R1
47k 80% 1k S4
Q1
2N2222

3. Como conclusion del analisis de los resultados de las mediciones realizadas podria decir, ¿a
que dispositivo electrico se parece el transistor?

4. ¿Cual es el origen del nombre transistor?

5. Indique los valores nominales del transistor empleado

Codigo IB IC VCE P f Aplicacion

6. Se ha observado que una corriente fuerte ocasiona un voltaje C-E bastante bajo y en casos
reales nunca se llega a cero. ¿Como se denomina a este modo de operacion del transistor?

7. ¿Como se denomina al voltaje C-E en el estado de operacion del transistor que ocasiona el
interruptor cerrado?

8. ¿Como se determina la potencia de un transistor?

Practica 8: El Transistor Bipolar – Aplicacion del Transistor

Objetivos

 Observar una aplicacion sencilla de transistor

 Analizar el comportamiento del Transistor con una carga inductiva

Procedimiento

Implemente el circuito mostrado y observe con el osciloscopio el voltaje C-E para ambos
casos de posicion del interruptor S1.

24
KOMATSU MITSUI

V1 V2
12V 10V
+V +V
RLY2
12VSPDT

D1
1N4007
S1 L1
V3 A
0/5V R1
1k Q1
2N2222
100 Hz

225.0 V
A: rly2_5

200.0 V

175.0 V

150.0 V

125.0 V

100.0 V

75.00 V

50.00 V

25.00 V

0.000 V

-25.00 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms

15.00 V
A: d1_a

12.50 V

10.00 V

7.500 V

5.000 V

2.500 V

0.000 V
0.000ms 5.000ms 10.00ms 15.00ms 20.00ms 25.00ms 30.00ms 35.00ms 40.00ms 45.00ms 50.00ms

25
KOMATSU MITSUI

Preguntas

1. ¿Como se denomina la forma de operacion del transistor?

2. En la forma de onda correspondiente al interruptor abierto marque las zonas

correspondientes a los estados de Corte y Saturacion

3. Cuando el estado del voltaje de salida es alto, ¿cual es el nivel del voltaje del generador?

4.¿Cual es el voltaje maximo que se mide cuando el interruptor esta abierto?

5. ¿Como se denomina a este tipo de onda?

6. ¿Que dispositivo ocasiona la casi desaparicion de este valor maximo y como efectua esta
operacion?

7. ¿Que dispositivo puede deteriorarse debido a este fenomeno?. ¿Cual es el maximo voltaje
de este tipo que puede soportar?

8. ¿Si cambio la bobina del rele por una resistencia se produce el fenomeno?

Practica 9: Transistor Bipolar –Amplificador AC

Objetivos

 Diferenciar los circuitos DC y AC de un amplificador de Emisor Común

 Medir los voltajes de polarizacion del transistor
 Determinar la características del circuito amplificador de Emisor Común

Procedimiento

Realizar el circuito mostrado y con un voltímetro medir los voltajes que se indican en la tabla.

+15V

18k 675
.01uF 9.775 V
DC V
.01uF
2N2222A 10K
6kHz

3.3k 200 .01uF

Voltaje de Voltaje de Voltaje

Voltaje de Base
Colector Emisor Colector-
VB
VC VE Emisor

26
KOMATSU MITSUI

VCE

Preguntas

1. ¿Cómo se denomina la polarizacion que tiene el circuito de transistor?

2. Escriba en el circuito las designaciones que se dan a las resistencias de este amplificador

3. ¿La corriente continua puede circular por los condensadores?

4. ¿Cuál es el objeto de colocar esta disposición de transistores?

5. Observe con el osciloscopio, en el circuito anterior los voltajes que se muestran

+15V

18k 675
.01uF B
-240m/240mV
A.01uF
2N2222A 10K
6kHz

3.3k 200 .01uF

750.0mV
A: v2_1
B: c3_2

500.0mV

250.0mV

0.000mV

-250.0mV

-500.0mV

-750.0mV
0.000us 100.0us 200.0us 300.0us 400.0us 500.0us 600.0us 700.0us 800.0us 900.0us

6. En la figura anterior indique las ondas de entrada y salida

7. ¿Cuál es la ganancia del amplificador?

8. Mida el desfasaje entre las ondas

27
KOMATSU MITSUI

9. Cambie la frecuencia del generador a 3,5kHz, mida el desfasaje

10. ¿Varia la ganancia con la frecuencia?

11. Observe los voltajes en los puntos que se muestran

+15V

18k 675
B .01uF
-240m/240mV
.01uF A
2N2222A 10K
6kHz

3.3k 200 .01uF

28
KOMATSU MITSUI

11.00 V
A: c1_2
B: q1_3

10.00 V

9.000 V

8.000 V

7.000 V

6.000 V

5.000 V

4.000 V

3.000 V

2.000 V

1.000 V
0.000us 100.0us 200.0us 300.0us 400.0us 500.0us 600.0us 700.0us 800.0us 900.0us

12. Identifique las ondas de voltaje de Colector y voltaje de Base en el grafico obtenido.

13. ¿Qué observa en estos voltajes?. ¿Cuál es la razón de ello?

14. ¿Cómo se denomina a este tipo de voltaje?

15. Observe los voltajes que se muestran en el esquema

+15V

18k 675
.01uF
-240m/240mV
.01uF A
2N2222A 10K
B
6kHz

3.3k 200 .01uF

29
KOMATSU MITSUI

2.500 V
A: c1_2
B: q1_1

2.400 V

2.300 V

2.200 V

2.100 V

2.000 V

1.900 V

1.800 V

1.700 V

1.600 V

1.500 V

1.400 V

1.300 V
0.000us 100.0us 200.0us 300.0us 400.0us 500.0us 600.0us 700.0us 800.0us 900.0us

16. Las ondas muestran una gran similitud en amplitud AC pero difieren en el nivel de voltaje
DC. ¿Cuál es la razón de ello?

17. Observe la forma de onda en el punto mostrado.

+15V

18k 675
.01uF
-240m/240mV
.01uF
2N2222A 10K
6kHz

3.3k 200 .01uF

30
KOMATSU MITSUI

17.00 V
A: v1_1

16.00 V

15.00 V

14.00 V

13.00 V
0.000us 100.0us 200.0us 300.0us 400.0us 500.0us 600.0us 700.0us 800.0us 900.0us

18. Si la componente alterna ha desaparecido, ¿que puede opinar de ello?

19. Modifique la resistencia de colector a 1k y observe los voltajes de entrada y salida. ¿Qué
ocurre con el amplificador?

750.0mV
A: v2_1
B: c3_2

500.0mV

250.0mV

0.000mV

-250.0mV

-500.0mV

-750.0mV
0.000us 100.0us 200.0us 300.0us 400.0us 500.0us 600.0us 700.0us 800.0us 900.0us

20. Vuelva a colocar la resistencia de colector original y modifique el condensador de la

resistencia de Emisor a 0,1uF. ¿Qué ocurre con el amplificador?

31
KOMATSU MITSUI

750.0mV
A: v2_1
B: c3_2

500.0mV

250.0mV

0.000mV

-250.0mV

-500.0mV

-750.0mV
0.000us 100.0us 200.0us 300.0us 400.0us 500.0us 600.0us 700.0us 800.0us 900.0us

21. ¿Por qué se denomina amplificador de Emisor Común?

En electrónica, el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos

transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.

La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el
ingeniero de los Laboratorios Bell Sidney Darlington. La idea de poner dos o tres transistores
sobre un chip fue patentada por él, pero no la idea de poner un número arbitrario de
transistores que originaría la idea moderna de circuito integrado.

Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia
de corriente (parámetro β del transistor) y, al poder estar todo integrado, requiere menos
espacio que dos transistores normales en la misma configuración. La ganancia total del
Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo típico
tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. También tiene un mayor desplazamiento
de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmente
en inestable. La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones
base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V.

Los Laboratorios Bell (en inglés: Bell Labs) son varios centros de investigación científica y
tecnológica ubicados en más de diez países y que pertenecen a la empresa estadounidense
Lucent Technologies. Sus orígenes se remontan a los Laboratorios Telefónicos Bell, los
cuales fueron fundados en el año de 1925 en el estado de Nueva Jersey por la empresa
AT&T.

Durante muchos años los laboratorios manejaron uno de los presupuestos más elevados en el
mundo de la investigación tecnológica a raíz del monopolio ejercido por AT&T en la
industria telefónica estadounidense. Entre sus patentes y descubrimientos más importantes
destacan la libreta de un solo uso, el transistor, el láser, la fibra óptica, la tecnología DSL, la

32
KOMATSU MITSUI

telefonía celular, los satélites de comunicaciones, el sistema operativo Unix y el lenguaje de

programación C. Once de sus investigadores han ganado seis Premios Nobel.

En 1984, a raíz de la reestructuración de AT&T, una parte de los laboratorios se convirtió en

la empresa Bellcore. El resto pasó a formar parte de Lucent Technologies en 1996.

Practica 10: Transistor Bipolar – Configuraciones

Objetivos

 Analizar la configuración Darlington

 Analizar la fuente de corriente con transistor

Procedimiento

Implementar el circuito mostrado.

V1
18V
7.553uA +V
DC A
43.01mA
DC A

R1
3.3k
Q10
2N7052
1.198 V
DC V

R2
390

Preguntas

1. Realice las mediciones indicadas y calcule la ganancia del transistor Darlington

VBE IC IB β (hFE )

2. ¿Qué diferencia s encuentra entre un transistor y un transistor Darlington?

3. ¿Qué desventajas tienen los transistores Darlington?

4. Implemente el circuito.

33
KOMATSU MITSUI

V1
12V
+V
4.543mA
DC A

R4
2k 10%
V2
5V
+V R1
470 Q2
BC548A

R2
680

5. Complete la tabla de mediciones del circuito

% Potenciómetro IC
10
20
30
40
50
60
70
80
90

6. ¿En que parte del circuito se establece la magnitud de la corriente?

7. Calcule el valor teórico de esta corriente

8. ¿Por qué el circuito deja de ser fuente de corriente?

Practica 11: Fuente Electrónica Básica

Objetivos

 Analizar el funcionamiento de una fuente electrónica con voltaje de salida fijo

 Analizar el funcionamiento de una fuente electrónica con voltaje de salida regulable

Procedimiento

Implemente el circuito mostrado y realice las observaciones de formas de onda indicadas

34
KOMATSU MITSUI

Q1
A 2N2222A B

V2 D5 D2
-12/12V 1N4007 1N4007 680
C1

+
1000uF 100
60 Hz
D1
D3 D4 1N4736
1N4007 1N4007

12.50 V
A: d5_k
B: q1_3

10.00 V

7.500 V

5.000 V

2.500 V

0.000 V

-2.500 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

Preguntas

1. Marque en el grafico los voltajes medidos

2. Mida con un voltímetro los valores average de los dos voltajes medidos

3. Señale en el circuito los dispositivos que permiten mantener el voltaje de salida constante

4. ¿Cuáles son las características nominales del diodo Tener empleado?

5. Determine el valor teórico del voltaje de salida

6. ¿Cuál es la falla mas frecuente de estas fuentes?

7. Implemente el circuito mostrado

35
KOMATSU MITSUI

Q1
2N2222A B 73.49mV
DC~V

V2 D5 D2
-12/12V 1N4007 1N4007 680
A

+
C1 100
60 Hz 1000uF

D3 D4
1N4007 1N4007 D1
1N4736 R1
10k 10%

8. Complete las siguientes mediciones de voltaje average

% Potenciómetro VZ VSAL
10
20
30
40
50
60
70
80
90
99
9. Examine los valores medidos. ¿Funciona el regulador Zener?

10. Señale en el circuito el regulador Zener

11. ¿El voltaje de salida es controlable?. ¿Qué dispositivos lo permiten?

TIP120

36
KOMATSU MITSUI

Practica 12: El transistor FET

Objetivos

Practica 13: Tiristores

Practica 14: Dispositivos optoelectronicos

Practica 15: Amplificadores operacionales - Alimentacion

Objetivos
 Describir el funcionamiento de la fuente de alimentacion del AOP
 Reconocer la conexión basica de un AOP

Procedimiento

Implemente el circuito mostrado

V2
10V -10.00 V
+V DC V
V1
-1/1V R1 U1
10k LM741/NS
+

60 Hz
R2
V3 1k
-10V

37
KOMATSU MITSUI

Preguntas

1. Después de medir los voltajes de la fuente que alimenta el AOP, dibuje un circuito con
baterias que produzca los mismos tipos de voltaje

2. ¿Cómo se denomina a este tipo de alimentación?

3. ¿Por qué requieren los AOP este tipo de alimentación?

Practica 16: Amplificadores Operacionales – Comparador

Objetivos
 Reconocer los estados de saturación del AOP
 Identificar los dispositivos que se emplean en el circuito

Procedimiento

Implemente el circuito con los puntos de medicion indicados

V2
10V
+V

V1
-1/1V R1 U1
A 10k LM741/NS
+ B

60 Hz
R2
V3 1k
-10V

10.00 V
A: v1_1
B: r2_1

7.500 V

5.000 V

2.500 V

0.000 V

-2.500 V

-5.000 V

-7.500 V

-10.00 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

38
KOMATSU MITSUI

Preguntas

1. Señale las mediciones Ay B en el grafico obtenido. Mida los valores maximos de ambos
voltajes.

2. ¿Qué relacion de fase tienen las dos ondas obtenidas?

3. ¿Cómo se denomina el funcionamiento del AOP en este caso?

4. ¿Cómo se denominan los voltajes maximos de salida obtenidos?

5. Implemente el circuito mostrado y observe los puntos de prueba mostrados.

V2
10V
+V

U1
V1 LM741/NS
-1/1V R1 + B
A 10k

60 Hz R2
V3 1k
-10V

10.00 V
A: v1_1
B: u1_6

7.500 V

5.000 V

2.500 V

0.000 V

-2.500 V

-5.000 V

-7.500 V

-10.00 V
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms

6. ¿Se llega al mismo estado en el voltaje de salida que en el circuito anterior?

7. ¿Cuál es la diferencia con las ondas del circuito anterior?

8. ¿Cómo se denomina el circuito anterior?

39
KOMATSU MITSUI

Practica 17: Amplificadores Operacionales – Inversor

Objetivos
 Reconocer la estructura del AOP inversor
 Identificar el lazo de realimentación

Procedimiento

Implemente el circuito mostrado y observe los puntos de medicion indicados.

100k
Vcc
+12V A
Vin
-100m/100mV U1
B 10k + UA741

10kHz
22.7k
-12V
Vee
1.250 V
A: u1_6
B: vin_1

1.000 V

0.750 V

0.500 V

0.250 V

0.000 V

-0.250 V

-0.500 V

-0.750 V

-1.000 V

-1.250 V
0.000us 50.00us 100.0us 150.0us 200.0us 250.0us 300.0us

Preguntas

1. Marque los voltajes medidos sobre las ondas. Mida los valores maximos.

2. ¿Cuál s la relacion de fase de las dos ondas?

3. ¿Cómo se denomina a la resistencia de 100k?

4. ¿Cuál es el nombre de este amplificador?

5. Determine la ganancia del amplificador.

40
KOMATSU MITSUI

6. Deduzca la formula de la ganancia del amplificador.

7. Observa y mida el voltaje en el punto mostrado.

100k
Vcc
+12V
Vin
-100m/100mV U1
10k A +
UA741

10kHz
22.7k
-12V
Vee

10.00mV
A: u1_2

7.500mV

5.000mV

2.500mV

0.000mV

-2.500mV

-5.000mV

-7.500mV

-10.00mV
0.000us 50.00us 100.0us 150.0us 200.0us 250.0us 300.0us

8. ¿Con que nivel de voltaje trabaja el AOP?

9. ¿Qué conclusión podria dar al respecto?

10. ¿Cuál es la ganancia del AOP que se esta empleando en lazo abierto y en lazo
cerrado?

11. ¿Funcionan los AOP con corriente continua?

41
KOMATSU MITSUI

42